顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)

　　LED光源是LED產(chǎn)品的心臟，主要功能就是把電能轉(zhuǎn)化成光能，因此注重光品質(zhì)尤其重要！而當(dāng)前，芯片廠和燈珠廠在LED光源設(shè)計(jì)過程中，僅僅是針對(duì)光源進(jìn)行相對(duì)簡(jiǎn)單的測(cè)量，獲得整體的亮度、波長(zhǎng)和電壓等參數(shù)，并不能精確地描述光源的光分布情況，這樣容易導(dǎo)致光源的色度和亮度不均勻、光源整體效率低等問題，甚至導(dǎo)致光源失效。因此很有必要利用顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)對(duì)光源進(jìn)行發(fā)光均勻度測(cè)試來優(yōu)化光源設(shè)計(jì)。

　　針對(duì)以上情況，金鑒實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合英國(guó)GMATG公司聯(lián)合推出顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)，專注于LED產(chǎn)業(yè)改良打造，先已演化到第四代，而且價(jià)格從150萬降到幾十萬！訂貨期3個(gè)月，歡迎選購(gòu)！

　　金鑒實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合英國(guó)GMATG公司設(shè)立儀器研發(fā)中心，自主研發(fā)的主要設(shè)備有顯微光熱分布系統(tǒng)、顯微紅外定位系統(tǒng)和激光開封系統(tǒng)。產(chǎn)品獲得中科院、暨南大學(xué)、南昌大學(xué)、華南理工大學(xué)、華中科技大學(xué)、士蘭明芯、清華同方、華燦光電、三安光電、三安集成、天電光電、瑞豐光電等高校科研院所和上市公司的廣泛使用，廣受老師和科研人員普遍贊譽(yù)。性能卓著，值得信賴。

　　應(yīng)用領(lǐng)域：

　　LED芯片電極設(shè)計(jì)、LED芯片規(guī)格電流優(yōu)化、芯片出光率、LED芯片來料檢驗(yàn)、LED芯片失效分析、燈珠燈具的光線追跡、面板燈發(fā)光均勻度、汽車照明燈發(fā)光均勻度、燈具發(fā)光均勻度。

　　此設(shè)備與近場(chǎng)光學(xué)測(cè)試設(shè)備的區(qū)別：

　　近場(chǎng)光學(xué)設(shè)備與金鑒顯微光分布探頭對(duì)LED光敏感度差異對(duì)比：

　　金鑒顯微光分布探頭對(duì)光敏感度較高，能分辨細(xì)小的光強(qiáng)差異，因此成像也更細(xì)膩。

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　　金鑒顯微光分布與傳統(tǒng)設(shè)備大PK：

　　金鑒顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)可模擬工作溫度進(jìn)行測(cè)試，分辨率可達(dá)1微米，其具有3D功能，可觀測(cè)芯片出光效果。

　　遮光罩設(shè)計(jì)說明：

　　金鑒顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)，具備獨(dú)特的遮光罩設(shè)計(jì)，隔絕了環(huán)境光的影響，大大增加了測(cè)試的準(zhǔn)確性。

　　光分布探頭接收的是視野內(nèi)所有的光信號(hào)，包括被測(cè)樣品發(fā)射的光以及環(huán)境反射光。光分布軟件雖然具有背景光扣除功能，但是在測(cè)試過程中，環(huán)境的變化會(huì)導(dǎo)致環(huán)境反射光強(qiáng)度的變化，造成測(cè)試不準(zhǔn)確。如上圖所示，在不使用遮光罩的情況下，受環(huán)境光變化的影響，芯片光分布圖部分區(qū)域異常偏暗；在使用遮光罩后，徹底屏蔽了環(huán)境光的影響，光分布圖異常偏暗區(qū)域消失。

　　如裝置示意圖，金鑒顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)，具備獨(dú)特的遮光罩設(shè)計(jì)，隔絕了環(huán)境光的影響，大大增加了測(cè)試的準(zhǔn)確性。

　　設(shè)備測(cè)試內(nèi)容：

　　用于測(cè)量光源的光強(qiáng)分布、直徑、發(fā)散角等參數(shù)。通過CCD測(cè)量光強(qiáng)分布，通過算法計(jì)算出光源直徑等參數(shù)。測(cè)量光強(qiáng)的相對(duì)強(qiáng)度，不需要使用標(biāo)準(zhǔn)燈進(jìn)行校準(zhǔn)。

　　芯片2D光分布圖

　　芯片3D光分布圖

　　系統(tǒng)特點(diǎn):

　　1.模擬器件實(shí)際使用環(huán)境進(jìn)行測(cè)試

　　LED光源的光熱性能受溫度的影響較大，脫離實(shí)際環(huán)境所測(cè)試的結(jié)果準(zhǔn)確性較差，甚至毫無意義。而金鑒自主研發(fā)的顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)配備有高低溫?cái)?shù)顯精密控溫平臺(tái)，能穩(wěn)定控制燈珠引腳和基板溫度，模擬實(shí)際使用環(huán)境進(jìn)行測(cè)試，提供更為真實(shí)有效的數(shù)據(jù)。如下圖所示，固定其他條件不變，分別控制引腳溫度為80℃和120℃，測(cè)試得到的光分布圖，不同溫度下芯片的發(fā)光強(qiáng)度相差較大。該測(cè)試平臺(tái)還配備有水冷降溫系統(tǒng)，在100s內(nèi)可將平臺(tái)溫度由100℃降到室溫，有效解決了樣品臺(tái)降溫困難的問題，該系統(tǒng)還可以穩(wěn)定控制樣品臺(tái)溫度維持在0℃-室溫，適用于部分需要保持低溫工作的器件。

　　不同工作溫度下的LED芯片發(fā)光均勻度對(duì)比圖

　　2.對(duì)LED芯片設(shè)計(jì)提供參考依據(jù)

　　技術(shù)背景：

　　當(dāng)前，芯片廠在LED芯片電極圖案設(shè)計(jì)過程中，僅僅是針對(duì)芯片進(jìn)行相對(duì)簡(jiǎn)單的測(cè)量，獲得整體的亮度、波長(zhǎng)和電壓等參數(shù)，并不能精確地描述芯片的光分布情況，這樣容易導(dǎo)致芯片的色度和亮度不均勻、光源整體效率低等問題。而由于缺乏專業(yè)的測(cè)試設(shè)備和測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，LED芯片廠對(duì)芯片發(fā)光不均勻的現(xiàn)象束手無策，沒有直觀的數(shù)據(jù)支持，無法從根本上改進(jìn)芯片品質(zhì)。

　　金鑒實(shí)驗(yàn)室顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)，方便客戶了解芯片性能，認(rèn)清芯片電極設(shè)計(jì)的方向。通過LED芯片發(fā)光均勻度測(cè)試，可以從特定角度拍攝芯片影像，建立一個(gè)芯片亮度輸出的發(fā)光圖像，接收被測(cè)芯片的光信號(hào)，提供芯片發(fā)光效果圖和光強(qiáng)數(shù)據(jù)。其中，芯片發(fā)光效果圖能直觀地體現(xiàn)出芯片發(fā)光的均勻程度，判斷電極圖案設(shè)計(jì)的優(yōu)劣，明確改進(jìn)方向，優(yōu)化電極圖案。

　　發(fā)光均勻度評(píng)判電極圖案設(shè)計(jì)的優(yōu)劣：

　　芯片的電極圖案對(duì)芯片的整體亮度、發(fā)光效率、電壓大小影響較大。根據(jù)芯片的發(fā)光均勻度進(jìn)行電極圖案優(yōu)化后，可以改善電流擴(kuò)展分布能力，提高電流分布的均勻性，減小電流聚集效應(yīng)，降低工作電壓，減小串聯(lián)電阻，減少焦耳熱的產(chǎn)生，減弱紅移現(xiàn)象，從而提升芯片的可靠性。

　　優(yōu)化電極圖案的過程中，要兼顧電流擴(kuò)展性和遮光面積。例如，對(duì)于電極圖案設(shè)計(jì)，可增加低亮度區(qū)域金手指的長(zhǎng)度，來增加電流擴(kuò)展性，提升低亮度區(qū)域的亮度；同樣，也可以縮小高亮地區(qū)的金手指寬度，減少該區(qū)域的電流擴(kuò)展性，降低亮度，以達(dá)到提高芯片整體發(fā)光均勻度的目的。又例如，對(duì)于低亮度區(qū)域還可以設(shè)置電流擴(kuò)展層或增加電流擴(kuò)展層厚度，以增加電流擴(kuò)展性；相反，對(duì)于高亮度就可以設(shè)置電流阻擋層來減小電流密度，以形成均勻分布的電流，同樣可以達(dá)到提高芯片整體發(fā)光均勻度的目的。一般，在發(fā)光均勻度滿足要求的情況下，要盡量減少遮光面積，提升發(fā)光效率。

　　案例分析一：

　　某芯片廠需對(duì)其產(chǎn)品的電極圖案進(jìn)行評(píng)估，委托金鑒實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行LED芯片發(fā)光均勻度測(cè)試。測(cè)試后發(fā)光效果如圖一所示，圖中芯片下面兩個(gè)焊點(diǎn)連接負(fù)極，上面兩個(gè)焊點(diǎn)連接正極，最右邊為亮度刻度，從圖中可明顯看出芯片的發(fā)光不均勻，區(qū)域1的亮度明顯過高；相反地，區(qū)域2的LED量子阱卻未被充分激活，降低了芯片的發(fā)光效率。對(duì)此，金鑒建議，可以適當(dāng)增加區(qū)域1及其對(duì)稱位置的電極間距離或減小電極厚度來降低區(qū)域1亮度，也可以減少區(qū)域2金手指間距離或增加正中間正極金手指的厚度來增加區(qū)域2亮度，以達(dá)到使芯片整體發(fā)光更加均勻的目的。

　　圖一 LED芯片發(fā)光效果圖

　　案例分析二：

　　某芯片公司委托金鑒測(cè)試發(fā)光均勻度，測(cè)試后效果圖如圖二所示。圖中芯片左邊兩個(gè)電極為負(fù)極，右邊兩個(gè)電極為正極，對(duì)比最右邊的亮度刻度，可以看出，芯片整體發(fā)光比較均勻，但仍然美中不足。

　　其中，區(qū)域1、2的電流擴(kuò)展性不夠，需提高其電流密度，建議延長(zhǎng)最近的正電極金手指，使電流擴(kuò)展程度增加，提升發(fā)光均勻度。區(qū)域3金手指位置的亮度稍微超出平均亮度，可減少金手指厚度來改善電流密度，或者改善金手指的MESA邊緣聚積現(xiàn)象，兩種方法均能減少區(qū)域3亮度。另外，也可以增加區(qū)域3外的金手指厚度，使區(qū)域3外金手指附近的電流密度增加，提升區(qū)域3外各金手指的電流密度，以上建議可作為發(fā)光均勻度方面的改善，以達(dá)到使芯片整體發(fā)光更加均勻的目的。

　　在達(dá)到或超過了芯片整體發(fā)光均勻度要求的前提下，可考慮減小金手指厚度來減少非金屬電極的遮光面積，以提升亮度。甚至，可以為了更高的光效犧牲一定的金手指長(zhǎng)度和寬度。

　　圖二 LED芯片發(fā)光效果圖

　　3.LED燈珠發(fā)光均勻度測(cè)試

　　對(duì)于LED光源，特別是白光光源，由于電極設(shè)計(jì)、芯片結(jié)構(gòu)以及熒光粉涂敷方式等影響，其表面的亮度和顏色并不是均勻分布的。金鑒實(shí)驗(yàn)室顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)，方便客戶了解燈珠發(fā)光均勻度性能，認(rèn)清改進(jìn)設(shè)計(jì)的方向。

　　COB燈珠外觀圖

　　如下圖所示，COB燈珠在點(diǎn)亮?xí)r，金鑒顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)測(cè)得該燈珠光分布不均，發(fā)光質(zhì)量較差，燈珠右邊區(qū)域亮度相比左邊區(qū)域低30%。分析其原因，燈珠基板的電阻不均勻，導(dǎo)致燈珠左右兩邊的芯片所加載的電壓不一致，造成燈珠左右兩邊芯片的發(fā)光強(qiáng)度出現(xiàn)差異。

　　a.顯微鏡下光學(xué)圖 ? ? ? ? ? ? ? b. 光分布測(cè)試圖

　　光分布測(cè)試3D圖—正面

　　光分布測(cè)試3D圖—側(cè)面

　　案例分析三：

　　某芯片公司需對(duì)其芯片產(chǎn)品進(jìn)行光品質(zhì)評(píng)估，委托金鑒實(shí)驗(yàn)室在指定電流下（30mA、60mA、90mA）對(duì)芯片進(jìn)行LED芯片發(fā)光均勻度測(cè)試。金鑒工程師利用金鑒自主研發(fā)的芯片顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)對(duì)客戶送測(cè)LED芯片點(diǎn)亮測(cè)試。

　　點(diǎn)亮條件：30mA、60mA、90mA

　　測(cè)試環(huán)境溫度：20~25℃/40~60%RH。

　　測(cè)試結(jié)果見下圖所示，可知在不同電流下，LED芯片發(fā)光分布區(qū)別明顯，其中60mA為廠家推薦使用電流。

　　不同加載電流下的芯片光分布

　　在額定電流為60mA測(cè)試。金鑒通過顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試發(fā)現(xiàn)，該芯片在額定電流下工作，芯片是存在發(fā)光不均勻的現(xiàn)象。通過光強(qiáng)標(biāo)尺比較，其負(fù)極附近區(qū)域比正極負(fù)極區(qū)域發(fā)光強(qiáng)度高15%左右。建議針對(duì)芯片電極設(shè)計(jì)做適當(dāng)優(yōu)化，以提高發(fā)光效率和產(chǎn)品可靠性。

　　該芯片不同電流下（30mA、60mA、90mA）都存在發(fā)光不均的現(xiàn)象，芯片正極區(qū)域光強(qiáng)明顯低于負(fù)極區(qū)域光強(qiáng)。通過統(tǒng)一的亮度標(biāo)尺比較，當(dāng)芯片超電流（90mA）使用時(shí)，金鑒顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試，我們發(fā)現(xiàn)過多的電流并沒有是芯片更亮，反而亮度減弱。

　　4.3D圖顯示芯片的出光率、燈珠燈具的光線追跡

　　關(guān)于芯片的主要研究集中在如何提高內(nèi)外量效率和光提取效率方面，芯片襯底圖形化設(shè)計(jì)、隱形切割工藝等都可以提高芯片光提取效率，然而芯片廠內(nèi)對(duì)于光提取效率的測(cè)試手段少之又少，金鑒顯微光分布軟件3D測(cè)試模塊可以觀察芯片各區(qū)域的出光強(qiáng)度，進(jìn)而評(píng)估芯片的光提取效率，填補(bǔ)這一空白。

　　以下為某款倒裝芯片的3D光分布圖，芯片出光面光分布圖表現(xiàn)為凹凸不平的鋸齒狀，這是因?yàn)樵撔酒捎昧藞D形化襯底，改變了全反射光的出射角，增加了該倒裝芯片的光從藍(lán)寶石襯底出射的幾率，從而提高了光的提取效率，使得芯片出光面的出光強(qiáng)度大小不一。

　　如芯片的側(cè)面光學(xué)圖所示，該芯片采用了多刀隱切工藝，芯片側(cè)面非常粗糙，粗糙界面可以反射芯片側(cè)面出射的光，提高芯片的光提取效率。從該芯片的3D光分布圖中可以直觀的看到，該芯片邊緣出光較多，說明多刀隱切工藝對(duì)芯片出光效率的提升顯著。但是，芯片邊緣出光強(qiáng)度并不均勻，表明該多刀隱切工藝仍有優(yōu)化的空間，可以進(jìn)一步提高芯片的光提取效率。

　　 ? ? ? ?芯片3D光分布圖 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?芯片側(cè)面光學(xué)圖片

　　5.LED失效分析

　　金鑒顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)除了能幫助研發(fā)人員優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)，還是用于品質(zhì)分析的神兵利器。光學(xué)性能是LED光源最主要的性能，當(dāng)其出現(xiàn)失效時(shí)，必然會(huì)在光學(xué)性能上表現(xiàn)出異常，通過顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)我們可以輕松的發(fā)現(xiàn)其光學(xué)性能的變化，從而準(zhǔn)確定位失效點(diǎn)，大大提高了客訴時(shí)效性。

　　某芯片出現(xiàn)漏電光衰現(xiàn)象，使用金鑒顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試漏電芯片的光分布圖如下所示，從中可以很直觀的看出，芯片只在局部區(qū)域發(fā)光。對(duì)芯片發(fā)光區(qū)域邊緣進(jìn)行重點(diǎn)分析，我們發(fā)現(xiàn)LED芯片在使用過程中受到過流沖擊，出現(xiàn)擊穿以及金道熔斷現(xiàn)象，使得電流在芯片內(nèi)的橫向擴(kuò)展受阻，形成局部發(fā)光的現(xiàn)象。

　　LED漏電芯片光分布圖

　　案例分析四：

　　某燈珠廠家把芯片封裝成燈珠后，老化出現(xiàn)電壓升高的現(xiàn)象，委托金鑒查找原因。本案例中，金鑒通過顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)發(fā)現(xiàn)芯片主要在正極附近區(qū)域發(fā)光。因此，定位芯片正極做氬離子截面拋光，發(fā)現(xiàn)正極底部SiO2層邊緣傾角過大，ITO層在臺(tái)階位置出現(xiàn)斷裂、虛接現(xiàn)象，ITO層電阻過大，電流擴(kuò)散受阻，出現(xiàn)電壓升高異常現(xiàn)象。

　　使用金鑒顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)觀察電壓升高樣品，發(fā)現(xiàn)芯片只在正極局部區(qū)域發(fā)光，結(jié)合芯片表面結(jié)構(gòu)完整，無漏電異?，F(xiàn)象，推斷芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)異常導(dǎo)致電流擴(kuò)散受阻。

　　LED芯片光分布圖

　　定位芯片正極做氬離子截面拋光，對(duì)比正常芯片和異常芯片的截面圖，發(fā)現(xiàn)異常芯片正極底部SiO2層邊緣傾角過大，ITO層在臺(tái)階位置出現(xiàn)斷裂、虛接現(xiàn)象，導(dǎo)致LED芯片內(nèi)部電流擴(kuò)散受阻，出現(xiàn)電壓升高異?，F(xiàn)象。

　　LED芯片氬離子截面拋后截面形貌觀察

　　案例分析五：

　　某燈珠廠的燈珠在使用過程中出現(xiàn)嚴(yán)重光衰現(xiàn)象，金鑒通過顯微光分布測(cè)試OK和NG芯片光分布如圖所示，對(duì)比發(fā)現(xiàn)NG芯片發(fā)光不均勻，呈平行亮暗條紋狀，芯片暗區(qū)的出現(xiàn)造成芯片整體亮度偏低。

　　LED芯片光分布圖

　　FIB切割發(fā)光異常區(qū)域：

　　使用FIB對(duì)芯片發(fā)光異常區(qū)域進(jìn)行切割，對(duì)比OK芯片和NG芯片，發(fā)現(xiàn)芯片邊緣區(qū)域都存在開裂，OK芯片裂紋較淺，NG芯片開裂嚴(yán)重。芯片開裂一般為應(yīng)力導(dǎo)致，這可能為芯片外延應(yīng)力或者芯片切割應(yīng)力。在應(yīng)力的作用下，芯片一般會(huì)在邊緣位置最先產(chǎn)生開裂，開裂后芯片內(nèi)阻增大，造成發(fā)光衰減。

　　LED芯片截面形貌觀察

　　案例分析六：

　　客戶送測(cè)LED燈珠，委托金鑒進(jìn)行燈珠體檢，幫助提升其產(chǎn)品性能和質(zhì)量。

　　顯微光分布測(cè)試燈珠芯片光分布：

　　LED燈珠外觀圖及芯片光分布圖

　　從光分布圖中我們發(fā)現(xiàn)，該燈珠兩顆芯片發(fā)光強(qiáng)度不一致，B芯片發(fā)光強(qiáng)度明顯較強(qiáng)，說明B芯片內(nèi)的電流密度較大，這種情況將會(huì)嚴(yán)重影響燈珠光品質(zhì)及可靠性。其原因是：LED芯片較小的電壓波動(dòng)會(huì)產(chǎn)生較大的電流變化，該燈珠兩顆芯片采用并聯(lián)方式工作，兩顆芯片兩端的電壓一樣，芯片電阻之間的差異會(huì)造成流過兩顆芯片的電流存在較大差異，從而出現(xiàn)一個(gè)燈珠內(nèi)兩顆芯片上的電流密度大小出現(xiàn)差異。客戶針對(duì)此種情況，加強(qiáng)對(duì)來料芯片電壓分BIN的卡控后，杜絕了該種異?，F(xiàn)象，其燈珠光品質(zhì)及可靠性得到大大提高。

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