高性能HMC1099 GaN功率放大器深度解析 在當(dāng)今的射頻通信、雷達(dá)等領(lǐng)域，功率放大器扮演著至關(guān)重要的角色。而HMC1099這款氮化鎵（GaN）寬帶功率放大器，憑借其卓越的性能指標(biāo)和廣泛的應(yīng)用前景
2026-01-05 16:25:02
22 ADPA1106：2.7 GHz - 3.5 GHz GaN 功率放大器的卓越之選 在當(dāng)今的射頻領(lǐng)域，高性能功率放大器的需求日益增長。ADPA1106作為一款出色的GaN功率放大器，以其獨(dú)特的性能
2026-01-05 11:40:08161 ADPA1107：高性能GaN寬帶功率放大器的深度解析 在電子工程領(lǐng)域，功率放大器是無線通信、雷達(dá)和射頻系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。今天，我們聚焦于Analog Devices推出的一款高性能器件
2026-01-05 11:40:05177 ADPA1105：高性能GaN功率放大器的深度解析 在射頻功率放大器的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）技術(shù)憑借其高功率密度、高效率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角。今天，我們就來深入探討一款高性能的GaN功率
2026-01-05 11:40:02155 ADPA1122：高性能GaN功率放大器的深度解析 在射頻功率放大器領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）技術(shù)憑借其卓越的性能表現(xiàn)，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選方案。今天我們要深入探討的ADPA1122，便是一款
2026-01-05 10:20:1658 ADPA1113：2 GHz 至 6 GHz、46 dBm（40 W）GaN 功率放大器的詳細(xì)解析 在電子工程領(lǐng)域，功率放大器是至關(guān)重要的組件，特別是在高頻、高功率的應(yīng)用場景中。今天我們要深入探討
2026-01-05 10:20:1369 ADPA1116：0.3 GHz 至 6 GHz GaN 功率放大器的卓越之選 在電子工程領(lǐng)域，功率放大器的性能直接影響著整個系統(tǒng)的表現(xiàn)。今天，我們就來深入了解一款性能出色的功率
2026-01-05 10:20:1059 探索HMC1086F10：2 - 6 GHz的25W GaN MMIC功率放大器 在電子工程領(lǐng)域，功率放大器一直是無線通信、雷達(dá)系統(tǒng)等眾多應(yīng)用的核心組件。今天，我們將深入探討一款高性能的功率
2025-12-31 15:05:1379 HMC1087：2 - 20 GHz 8 瓦 GaN MMIC 功率放大器的全面解析 在射頻與微波領(lǐng)域，功率放大器是至關(guān)重要的器件，它直接影響著系統(tǒng)的性能和效率。今天，我們將深入探討一款高性能
2025-12-31 15:05:0983 深入剖析HMC1087F10：2 - 20 GHz 8W GaN MMIC功率放大器 在電子工程領(lǐng)域，功率放大器的性能往往直接影響著整個系統(tǒng)的表現(xiàn)。今天，我們就來深入探討一款高性能的功率
2025-12-31 15:05:0682 探索HMC1086：2 - 6 GHz 25W GaN MMIC功率放大器的卓越性能 在射頻和微波領(lǐng)域，功率放大器一直是至關(guān)重要的組件。今天，我們將深入探討一款高性能的功率放大器——HMC1086
2025-12-31 15:05:0263 電子工程師必看：SLG59H1401C 3A 功率多路復(fù)用器深度剖析 在電子設(shè)備設(shè)計中，功率管理是一個至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，尤其是對于需要多電源輸入的系統(tǒng)。Renesas 推出的 SLG59H1401C
2025-12-29 16:25:16111 TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET：高效開關(guān)的理想之選 在電子工程師的日常工作中，不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件是提升設(shè)計水平的關(guān)鍵。今天，我們就來深入
2025-12-29 14:45:1077 CG2H40025F型號介紹 今天我要向大家介紹的是 MACOM 的一款放大器——CG2H40025F。 它具備高效率、高增益和寬頻帶能力，這使
2025-12-29 11:28:30
探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET：高效能與可靠性的完美結(jié)合 引言 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代，功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性對于各種電子設(shè)備的運(yùn)行
2025-12-29 10:05:2292 CG2H40045F型號介紹 今天我要向大家介紹的是 MACOM 的一款放大器——CG2H40045F。 它展現(xiàn)出了 GaN 技術(shù)的典型優(yōu)勢
2025-12-24 10:57:35
244x/P3H284x I3C Hub，為我們提供了一種強(qiáng)大的解決方案，能夠滿足多種設(shè)備連接的需求。今天，我們就來深入了解一下這款產(chǎn)品。 文件下載： NXP Semiconductors P3H2x4xHN多端
2025-12-24 10:20:02167 °C 裕量。應(yīng)用場景1.6 – 30 MHz 短波 / 業(yè)余電臺 5 W 主機(jī)的 0.5 W 驅(qū)動級27 MHz CB、40 MHz 無線麥克風(fēng)、88 – 108 MHz FM 小功率發(fā)射射頻儀器（跟蹤
2025-12-22 09:11:25
?雙通道隔離式柵極驅(qū)動器IC.pdf 產(chǎn)品概述 EiceDRIVER? 2EDR8259H、2EDRx259X、2EDRx258X是一系列雙路隔離柵極驅(qū)動器IC，專為驅(qū)動Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率開關(guān)而設(shè)
2025-12-21 09:30:03543 IC.pdf 1. 產(chǎn)品概述 EiceDRIVER? 2EDR8259H、2EDRx259X、2EDRx258X是一系列雙通道隔離柵極驅(qū)動器IC，專為驅(qū)動Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率開關(guān)而設(shè)計。所有產(chǎn)品都采用
2025-12-20 20:35:051020 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 小米公布GaN射頻器件研發(fā)新進(jìn)展！在近期舉行的第 71 屆國際電子器件大會（IEDM 2025）上，小米集團(tuán)手機(jī)部與蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、香港科技大學(xué)合作的論文
2025-12-18 10:08:201760 
特性。核心參數(shù)頻率范圍：4.5-6.8GHz，覆蓋 C 波段及部分 S 波段應(yīng)用場景。輸出功率：飽和輸出功率：8W 至 20W（取決于工作電壓）。1dB 壓縮點(diǎn)輸出功率（P1dB）：未直接標(biāo)注，但根據(jù)
2025-12-12 09:40:25
、變頻器中的隔離或非隔離驅(qū)動電路。
總結(jié)在功率半導(dǎo)體技術(shù)快速迭代向GaN、SiC演進(jìn)的時代，門極驅(qū)動器的性能已成為決定系統(tǒng)天花板的關(guān)鍵一環(huán)。SiLM27531H以其車規(guī)級的可靠性、對標(biāo)先進(jìn)功率器件的超高速
2025-12-12 08:39:51
和更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計。垂直架構(gòu)：功率技術(shù)新高度垂直GaN創(chuàng)新：vGaN支持高電壓和高頻率運(yùn)行，效率優(yōu)于硅芯片先進(jìn)制造工廠
2025-12-04 17:13:20471 
P3H2x4xHN是一款多端口I3C集線器設(shè)備，一端通過I3C / I2C / SMBus總線連接主機(jī)CPU，另一端則連接多個外圍設(shè)備。
2025-12-04 10:46:47782 
在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計。
2025-12-04 09:28:281692 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CG65140DAA_datasheet_V1.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-30 22:00:03
0 LMG3410R070RWHR高性能GaN功率器件產(chǎn)品型號：LMG3410R070RWHR產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器產(chǎn)品封裝：VQFN32產(chǎn)品功能：高性能GaN功率器件LMG3410R070RWHR
2025-11-29 11:25:34188 
TGS2351-SM是Qorvo（原TriQuint）推出的一款采用氮化鎵（GaN）技術(shù)制造的單刀雙擲（SPDT）射頻開關(guān)芯片，具備高頻、高功率處理能力及快速切換特性，廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、通信系統(tǒng)等射頻
2025-11-28 09:59:47
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 GaN憑借高頻開關(guān)、低損耗、高功率密度的先天優(yōu)勢，已經(jīng)在各類電源產(chǎn)品上被廣泛應(yīng)用，在汽車領(lǐng)域，車載充電機(jī)OBC已經(jīng)有不少產(chǎn)品應(yīng)用了GaN功率器件，通過高頻開關(guān)特性，GaN 降低
2025-11-27 08:44:004006 云鎵半導(dǎo)體云鎵工業(yè)級GaN產(chǎn)品器件參數(shù)解讀&3kW服務(wù)器電源DEMO1.前言云鎵半導(dǎo)體在工業(yè)級GaN產(chǎn)品上不斷耕耘，推出系列化GaN功率器件以及驅(qū)動器產(chǎn)品。在應(yīng)用DEMO上陸續(xù)展示了鈦金
2025-11-11 13:45:21303 
云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis眾所周知，GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無可比擬的性能優(yōu)勢，如大幅提升的開關(guān)速度和顯著降低的開關(guān)損耗，從而
2025-11-11 13:45:04193 云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言眾所周知，GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無可比擬的性能優(yōu)勢，如大幅提升的開關(guān)速度和顯著降低
2025-11-11 13:44:41246 芯品發(fā)布高可靠GaN專用驅(qū)動器，便捷GaN電源設(shè)計GaN功率器件因為其高工作頻率和高轉(zhuǎn)化效率的優(yōu)勢，逐漸得到電源工程師的青睞。然而增強(qiáng)型GaN功率器件的驅(qū)動電壓一般在5~7V，驅(qū)動窗口相較于傳統(tǒng)
2025-11-11 11:46:33687 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日，安森美發(fā)布器垂直GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)，憑借 GaN-on-GaN 專屬架構(gòu)與多項性能突破，為全球高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來革命性解決方案，重新定義了行業(yè)在能效、緊湊性與耐用性上
2025-11-10 03:12:005650 ADC 或單通道 10.4GSPS ADC。支持高達(dá) 10GHz 的可用輸入頻率范圍，可對頻率捷變系統(tǒng)進(jìn)行 L 波段、S 波段、C 波段和 X 波段的直接射頻采樣。
2025-11-01 10:25:13935 
今天，在功率電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）正在取代硅（Si）器件，成為越來越多大功率密度、高能效應(yīng)用場景中的主角。
2025-10-31 16:21:589399 
單通道10.4GSPS ADC。支持高達(dá) 10GHz 的可用輸入頻率范圍，可對頻率捷變系統(tǒng)進(jìn)行 L 波段、S 波段、C 波段和 X 波段的直接射頻采樣。
2025-10-29 16:14:17588 
5.2GSPS ADC 或單通道 10.4GSPS ADC。支持高達(dá) 10GHz 的可用輸入頻率范圍，可對頻率捷變系統(tǒng)進(jìn)行 L 波段、S 波段、C 波段和 X 波段的直接射頻采樣。
2025-10-29 10:17:06522 
。2 至 6.3GHz 的 -3dB 輸入頻率范圍支持頻率捷變系統(tǒng)的 S 波段和 C 波段的直接射頻采樣。
2025-10-29 10:06:32483 
射頻VI功率計（ VI Power Sensor ）是一款實(shí)時監(jiān)測射頻電源信號的電壓、電流、功率、反射和阻抗等參數(shù)的儀器，具有1%的極高的精度和多種功能?？捎糜?b class="flag-6" style="color: red">射頻電源和自動匹配器及等離子體的相關(guān)
2025-10-23 15:55:01433 
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計，實(shí)現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價值在于為工業(yè)自動化、機(jī)器人、電動汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
QTS12331-L L波段射頻信號采集記錄與回放系統(tǒng) 專業(yè)采集 精準(zhǔn)回放 賦能衛(wèi)星與雷達(dá)應(yīng)用 坤馳科技推出高性能L波段射頻信號采集記錄與回放系統(tǒng)QT12331-L，專為衛(wèi)星通信、雷達(dá)信號處理及軟件
2025-09-29 18:02:00883 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于 FDD/TDD LTE （Tx 波段 7、38、40、41） 的四頻功率放大器模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有用于 FDD/TDD LTE （Tx 波段 7、38、40
2025-09-25 18:30:20
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()1218 MHz 高輸出 GaN CATV 功率倍增器 Amp擴(kuò)音器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有1218 MHz 高輸出 GaN CATV 功率倍增器 Amp擴(kuò)音器的引腳圖
2025-09-01 18:30:38
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動器和保護(hù)，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。 通過將GaN FET和柵極驅(qū)動器集成在
2025-08-13 14:56:51759 
慧能泰推出的HUSB380B的玩法有很多，其中一個就是支持級聯(lián)功能。可通過2個HUSB380B級聯(lián)實(shí)現(xiàn)雙Type-C口固定分配功率，例如實(shí)現(xiàn)單插65W、雙口同插45W+20W,或者單插45W、雙口同
2025-08-13 13:22:57
該TPS7H6101是一款耐輻射的 200V e 模式 GaN 功率 FET 半橋，集成柵極驅(qū)動器;e模式氮化鎵FET和柵極驅(qū)動器的集成簡化了設(shè)計，減少了元件數(shù)量，并減少了電路板空間。支持半橋和兩個獨(dú)立的開關(guān)拓?fù)?、可配置的死區(qū)時間和可配置的直通互鎖保護(hù)，有助于支持各種應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)。
2025-08-06 16:44:48898 
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級是一款90V連續(xù)、100V脈沖、35A半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET
2025-08-04 10:00:30861 
0935IED-F04是Nova Microwave生產(chǎn)的一款高性能嵌入式（Drop-in）射頻隔離器，專為X波段雷達(dá)、衛(wèi)星通信以及高精度測試儀器等嚴(yán)苛應(yīng)用場景設(shè)計。0935IED-F04憑借其卓越
2025-07-24 08:52:10
的垂直GaN HEMT功率器件技術(shù)。 ? 致能半導(dǎo)體全球首次在硅襯底上實(shí)現(xiàn)了垂直的GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)生長和垂直的二維電子氣溝道(2DEG)。以此為基礎(chǔ)，致能實(shí)現(xiàn)了全球首個具有垂直2DEG的常開器件(D-mode HEMT)和全球首個垂直常關(guān)器件(E-mode HEMT)。通過去除生長用硅襯底并在
2025-07-22 07:46:004783 
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅(qū)動器和增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈沖、53A半橋功率級包含兩個GaN FET，由
2025-07-11 14:40:22679 
基于成熟的SuperGaN技術(shù)，650V第四代增強(qiáng)型產(chǎn)品 憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強(qiáng)勁性能 瑞薩電子今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H
2025-07-09 13:07:44484 ，氮化鎵 (GaN) 可提高功率密度和效率，GaN 和 SiC 均具有寬帶隙，但它們之間存在根本差異，因此分別適合特定的拓?fù)浜蛻?yīng)用。
2025-07-09 11:13:063371 
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動器，從而減少了元器件數(shù)量并簡化了設(shè)計。可編程的導(dǎo)通轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44658 
1 )
你好，我知道在正常使用情況下不可能修復(fù)射頻輸出。 在這種情況下，我想知道目前在 SOURCE 模式下輸出的射頻功率值。 我能從 AK-BT2 的日志輸出中看到數(shù)值嗎？ 如果可能，請告訴我
2025-07-03 07:26:02
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()5.9 GHz C-V2X 和 802.11p DSRC 高功率前端模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有5.9 GHz C-V2X 和 802.11p DSRC 高功率前端模塊
2025-07-02 18:34:12
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()902 – 928 MHz 高功率射頻前端模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有902 – 928 MHz 高功率射頻前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，902
2025-06-30 18:33:45
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()860 – 930 MHz 高功率射頻前端模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有860 – 930 MHz 高功率射頻前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，860
2025-06-27 18:31:05
E-GaN電源芯片U8733L集成外置溫度檢測和恒功率功能Yinlianbao開關(guān)電源NTC傳感器能夠感知微小的溫度變化，一旦溫度超過預(yù)設(shè)的安全閾值，便會觸發(fā)保護(hù)機(jī)制，如降低電流或切斷電源，以防
2025-06-19 16:31:37692 
SGK5872-20A
類別：GaN 產(chǎn)品 > 用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT
外形/封裝代碼：I2C
功能：C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT
高輸出功率：P5dB
2025-06-16 16:18:36
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()900 至 930 MHz 高功率射頻前端模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有900 至 930 MHz 高功率射頻前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，900
2025-06-12 18:32:26
尺寸小得多、工作頻率高得多的AlN/GaN HEMT。 該團(tuán)隊的突破涉及原位鈍化和使用選擇性刻蝕工藝添加再生長重?fù)诫sn型接觸。 AlN/GaN HEMT是一類極具前景的晶體管，可用于射頻和功率器件
2025-06-12 15:44:37800 
MASW-011098是一款由 MACOM公司生產(chǎn)的高功率 SPDT（單刀雙擲）PIN 二極管開關(guān)，專為高線性度、低插入損耗的射頻應(yīng)用設(shè)計，適用于Ka波段及更高頻應(yīng)用。MASW-011098憑借其
2025-06-09 08:57:53
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()902 至 928 MHz 高功率射頻前端模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有902 至 928 MHz 高功率射頻前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，902
2025-06-06 18:32:55
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()1787 至 1930 MHz 高功率射頻前端模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有1787 至 1930 MHz 高功率射頻前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-06-06 18:32:31
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()902 至 931 MHz 高功率射頻前端模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有902 至 931 MHz 高功率射頻前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，902
2025-06-06 18:31:53
鉛”（Lead-Free），AM206541TM-SN-R-TF采用先進(jìn)的GaN HEMT技術(shù)，具備寬頻帶響應(yīng)（覆蓋S至C波段）、高功率增益（典型值>60dB）和卓越的線性度
2025-06-06 09:06:46
Analog Devices ADPA1116 GaN功率放大器具有39.5dBm飽和輸出功率（P ~OUT~ ），功率附加效率（PAE）為40%，輸入功率（P ~IN~ ）為16.0dBm時，功率
2025-05-27 09:56:01664 
在GaN功率器件場景化爆發(fā)的關(guān)鍵窗口期，京東方華燦以消費(fèi)類GaN功率器件通過1000H可靠性為起點(diǎn)，正式開啟“消費(fèi)級普及、工業(yè)級深化、車規(guī)級突破”的三級躍遷戰(zhàn)略。作為全球化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)先驅(qū)，我們以標(biāo)準(zhǔn)化能力為根基，以IDM全鏈創(chuàng)新為引擎，為全球客戶提供覆蓋全場景的“中國芯”解決方案。
2025-05-23 14:10:17737 ### TGA2701-SM C波段功率放大器#### 技術(shù)參數(shù)- **頻率范圍**：5.9 GHz 至 8.5 GHz。- **飽和輸出功率**：35 dBm。- **1 dB 壓縮點(diǎn)功率
2025-05-21 16:19:22
AM00010037WN-SN-R是一種寬帶GaN MMIC功率放大器。它有13分貝增益，37分貝輸出功率超過直流至10GHz波段。AM00010037WN-SN-R采用陶瓷封裝，帶有法蘭和直的射頻
2025-05-15 15:35:17
本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?；趯κ惺?b class="flag-6" style="color: red">GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點(diǎn)闡述了各技術(shù)平臺的首選功率變換拓?fù)浼瓣P(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:571759 
A2CP12029 COUGARPAK? 放大器是由 Teledyne 防務(wù)電子精心打造的一款射頻與微波寬帶中功率放大器。它憑借出色的性能表現(xiàn)以及緊湊精巧的設(shè)計，在衛(wèi)星通訊、機(jī)載雷達(dá)和寬帶通信等多個
2025-05-12 09:14:18
ADPA9007-2CHIP是一款2 W射頻功率放大器，工作范圍為直流至28 GHz。射頻輸入和輸出是內(nèi)部匹配和直流耦合的。ADPA9007-2CHIP包括一個集成的溫度補(bǔ)償射頻功率檢測器和一個集成溫度傳感器。
2025-04-22 09:42:42747 
? ? ? 射頻功率放大器（RF PA）是無線通信系統(tǒng)的核心組件，其工作原理基于能量轉(zhuǎn)換與信號放大技術(shù)。射頻功率放大器通過精準(zhǔn)的能量控制與信號處理，成為無線系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高效、可靠傳輸?shù)暮诵牟考?，其技術(shù)
2025-04-21 09:48:541945 電子發(fā)燒友綜合報道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關(guān)，即GaN BDS（Bidirectional Switch，雙向開關(guān)）。這是一種較為新型的GaN功率器件產(chǎn)品，顧名思義，雙向GaN主要
2025-04-20 09:15:001348 F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實(shí)時微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件，旨在提高電力電子器件的效率，包括但不限于：高功率密度、高開關(guān)頻率，并支持使用 GaN 和 SiC 技術(shù)。
2025-04-14 14:10:231440 
F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實(shí)時微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件，旨在提高電力電子器件的效率，包括但不限于：高功率密度、高開關(guān)頻率，并支持使用 GaN 和 SiC 技術(shù)。
2025-04-14 09:44:271208 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)ZED75-48S48C-H相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有ZED75-48S48C-H的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，ZED75-48S48C-H真值表，ZED75-48S48C-H管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-21 18:53:13
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FN2-24D15H6相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有FN2-24D15H6的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，F(xiàn)N2-24D15H6真值表，F(xiàn)N2-24D15H6管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-19 18:48:28
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA5-220H052424C2N3相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有FA5-220H052424C2N3的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料
2025-03-18 18:41:23
您是否在為遠(yuǎn)程雷達(dá)系統(tǒng)的信號衰減、熱管理和功率穩(wěn)定性難題而困擾？Analog Devices 最新推出的 S 波段 GaN 功率放大器技術(shù)白皮書 ，為您提供系統(tǒng)性解決方案，助您實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)探測距離與更高
2025-03-18 15:36:531179 GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案
2025-03-13 18:06:0046951 
介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用，對比傳統(tǒng)硅基解決方案，闡述了其優(yōu)勢、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計考量及結(jié)論。 *附件
2025-03-12 18:47:172084 
內(nèi)容概要：本文檔詳細(xì)介紹了基于高集成度CMOSTEK CMT2300芯片的RFM300H/RFM300系列ISM收發(fā)器模塊的硬件特性和射頻參數(shù)信息。該系列產(chǎn)品支持433/868/915MHz ISM
2025-03-07 11:30:491 的高頻 GaN FET 驅(qū)動器驅(qū)動。
GaN FET 具有接近零的反向恢復(fù)和非常小的輸入電容 C ，因此為功率轉(zhuǎn)換提供了顯著的優(yōu)勢 ~國際空間站~ .所有器件都安裝在完全無鍵合絲的封裝平臺上，最大
2025-02-26 14:11:121055 
德州儀器（TI）提供的一種新的驅(qū)動器集成氮化鎵（GaN）功率級產(chǎn)品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳（QFN）封裝中實(shí)現(xiàn)，該封裝尺寸為12mm x 12mm。這種擴(kuò)大的QFN封裝可以從GaN
2025-02-25 10:36:391037 
此參考設(shè)計是一款 4kW 連續(xù)導(dǎo)通模式 （CCM） 圖騰柱功率因數(shù)校正 （PFC），具有頂部冷卻的氮化鎵 （GaN） 子板和TMS320F280025C數(shù)字控制器。除了 LMG352x
2025-02-24 14:31:31917 
高功率放大器采用堅固的帶狀線電路架構(gòu)，并精選GaN器件，確保了卓越的操作可靠性。憑借高功率、高效率、高頻率覆蓋及寬帶性能，CNP GaN系列窄帶高功率放大器已成為現(xiàn)代射頻系統(tǒng)的關(guān)鍵組件，廣泛應(yīng)用
2025-02-21 10:39:06
此參考設(shè)計展示了高性能 GaN 如何為中間總線轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)高效率和小外形尺寸。 *附件：PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48V至12V 1.1kW 18 磚型電源模塊
2025-02-21 10:20:05705 
我想知道該型號關(guān)于370-420nm波長的反射率以及紫外波段不同區(qū)間能承受的最大光功率值是多少？
2025-02-21 07:05:14
本文重點(diǎn)射頻功率收集，對于源和負(fù)載之間的最佳功率傳輸、減少功率反射和提高系統(tǒng)效率而言，IMN至關(guān)重要。能量收集整流器和電壓倍增器電路（例如Cockcroft–Walton和Dickson倍增器）是將
2025-02-14 16:51:58849 
在開關(guān)模式電源中使用 GaN 開關(guān)是一種相對較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了 GaN 作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源
2025-02-11 13:44:551177 
系列隔離器/環(huán)行器頻率范圍：涵蓋廣泛的射頻頻段，具體依據(jù)型號而定（涵蓋L波段、S波段、C波段等多個頻段）。功率處理能力：主要面向中高功率應(yīng)用，尤其適用于通信基站、雷達(dá)系統(tǒng)等場景。特性：低插入損耗，確保
2025-02-08 09:33:39
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2025-01-24 13:59:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-24 13:50:270 垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法
2025-01-16 10:55:521228 
無線通信的有效傳輸。作為大功率射頻功放器件封測的領(lǐng)先企業(yè)， 瑤華半導(dǎo)體 憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新能力，已在行業(yè)中獲得廣泛認(rèn)可，成為通信與能源應(yīng)用領(lǐng)域的重要合作伙伴。 01 關(guān)于瑤華半導(dǎo)體 瑤華半導(dǎo)體專注于LDMOS、GaN等大功率射頻空腔器件以及IGBT、
2025-01-14 09:22:181813 
CERNEX寬帶高功率放大器（GaN）CERNEX的CBP GaN系列放大器通常用作各種類型通用性技術(shù)應(yīng)用，如實(shí)驗測試設(shè)備、儀表設(shè)備和其他需要高功率輸出的應(yīng)用。使用穩(wěn)固的帶狀線邏輯電路和指定的GaN
2025-01-08 09:31:22
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