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標(biāo)簽 > 長鑫存儲
2016年5月,長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商,公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片(DRAM)的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域,市場需求巨大并持續(xù)增長。
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長鑫存儲"半導(dǎo)體器件冷卻設(shè)備"專利公開
該發(fā)明涉及一種新型半導(dǎo)體器件冷卻裝置,主要由冷卻部及驅(qū)動部組成。冷卻部內(nèi)置第一冷卻介質(zhì)通道,驅(qū)動部可在第一位置與第二位置間移動,在第一位置時,驅(qū)動部與冷...
2024-04-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件長鑫存儲 633 0
具體來說,譯碼模塊負(fù)責(zé)接收并解析模式寄存器信號,產(chǎn)生多個譯碼信號。而延時模塊則由多個延時子模塊組成,可以根據(jù)譯碼信號選擇合適的目標(biāo)延時模塊,然后根據(jù)目標(biāo)...
長鑫存儲科技有限公司“沉積設(shè)備、靜電卡盤、加熱系統(tǒng)及其控溫技術(shù)”
此項(xiàng)發(fā)明涉及一種新型沉積設(shè)備、靜電卡盤和加熱機(jī)構(gòu),并提供了相應(yīng)的控溫方法。加熱機(jī)構(gòu)主要由導(dǎo)熱板、加熱組件及控制器組成。加熱組件包含至少兩個加熱元件,其中...
這項(xiàng)發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制備設(shè)備及制備策略,主要包含氣體管道、氣體優(yōu)化系統(tǒng)及反應(yīng)腔室三大組件。其中,氣體管道設(shè)有多個氣體入口管道;在反應(yīng)腔室內(nèi),自上而下依...
2024-04-03 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體器件長鑫存儲 605 0
長鑫科技融資108億元!增資助推DRAM業(yè)務(wù)騰飛,估值達(dá)1400億元
本輪所有投資人均以相同條款及價格,與長鑫科技、上述三個早期股東簽署增資協(xié)議,并將簽署《關(guān)于長鑫科技集團(tuán)股份有限公司之股東協(xié)議》,共同參與長鑫科技增資事項(xiàng)。
長鑫存儲新專利揭示半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與制造方法
這個新穎的發(fā)明主要是關(guān)于一款包含以下幾個部分的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu):基底,基底上分布著一系列等距排列的電容接觸結(jié)構(gòu),隔離結(jié)構(gòu),它處于基底頂部并在電容接觸結(jié)構(gòu)之間;...
首款國產(chǎn)LPDDR5存儲芯片來了!已在小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證
LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動態(tài)隨機(jī)存儲器。與上一代LPDDR4X相比,長鑫存儲LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達(dá)到12G...
據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告,長鑫存儲技術(shù)有限公司取得一項(xiàng)名為“時鐘信號生成電路、方法及存儲器”的專利,授權(quán)公告號CN116631469B,申請日期為2023年7月。
資料顯示,LPDDR是低功耗的DRAM存儲器,由DDR內(nèi)存演化而來。LPDDR的架構(gòu)和接口針對低功耗應(yīng)用進(jìn)行了專門優(yōu)化,提供更窄的通道寬度、尺寸更小、工...
國內(nèi)首家!長鑫存儲實(shí)現(xiàn)國內(nèi)DDR5零突破
與上一代LPDDR4X相比,長鑫存儲LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達(dá)到12Gb和6400Mbps,同時功耗降低30%。長鑫存儲LPD...
長鑫存儲首款國產(chǎn)LPDDR5,推動產(chǎn)業(yè)跨入LPDDR5領(lǐng)域
相比上一代LPDDR4,長鑫的LPDDR5單顆芯片容量和速率都提升了50%,達(dá)到12Gb和6400Mbps,并且功耗降低了30%。從產(chǎn)品應(yīng)用和市場角度...
2023-11-29 標(biāo)簽:DRAM封裝技術(shù)數(shù)據(jù)安全 1845 0
長鑫存儲推出自主研發(fā)的LPDDR5 DRAM存儲芯片
長鑫12GB LPDDR5芯片由8個12Gb顆粒封裝,這是長鑫存儲首款采用層疊封裝(Package on Package)的芯片產(chǎn)品。
國內(nèi)首家,長鑫存儲推出多款 LPDDR5產(chǎn)品
長鑫存儲12gb lpddr5芯片目前已經(jīng)在韓國主流手機(jī)制造商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成了驗(yàn)證。lpddr5是長鑫存儲針對中高端移動機(jī)器市場推出的產(chǎn)品,...
長鑫存儲”晶圓循環(huán)時間的確定方法和裝置“專利獲授權(quán)
據(jù)專利文摘(摘要),本申請的決定施行如晶片周期時間的方法及裝置提供,獲取多個站點(diǎn)的機(jī)臺的實(shí)際生產(chǎn)數(shù)據(jù),根據(jù)多個站點(diǎn)的機(jī)臺的實(shí)際生產(chǎn)數(shù)據(jù),建立隨機(jī)數(shù)表,該...
長鑫存儲“半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率的評估方法及裝置”專利獲授權(quán)
根據(jù)專利摘要,本申請?zhí)峁┤缦略u價半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率的方法及裝置:評價半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率的方法是:提供1個半導(dǎo)體設(shè)備,半導(dǎo)體設(shè)備至少包括1個制造單元。半導(dǎo)...
2023-09-12 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體設(shè)備長鑫存儲 752 0
兆易創(chuàng)新DDR3L GDPxxxLM系列產(chǎn)品采用長鑫存儲(CXMT)先進(jìn)制程
受總體經(jīng)濟(jì)影響,消費(fèi)性電子市場低迷,DRAM需求持續(xù)減弱,且價格也全面下跌,然作為利基型市場,從中長期看,全球DRAM市場仍將保持增長,下行壓力之下,當(dāng)...
2022-10-13 標(biāo)簽:DRAMDDR3兆易創(chuàng)新 4005 0
長鑫存儲入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價值公司”
日前,甲子光年舉辦的“2022科技產(chǎn)業(yè)投資峰會”長鑫存儲入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價值公司”。長鑫存儲作為國內(nèi)專業(yè)從事DRAM...
國產(chǎn)內(nèi)存加速 DRAM廠商長鑫存儲完成156億元融資
? DRAM廠商長鑫存儲完成156億元融資,內(nèi)存芯片的國產(chǎn)替代之路又獲資金助力。12月14日,工商信息顯示,大基金二期、安徽國資、兆易創(chuàng)新及另一家朱一明...
【芯聞精選】華為發(fā)布鴻蒙OS手機(jī)開發(fā)者Beta版 明年覆蓋1億臺設(shè)
據(jù)印度媒體ETTelecom報道,不僅是緯創(chuàng),暴力事件對于蘋果來說,或許也是一大挫折。當(dāng)?shù)貢r間12月11日,緯創(chuàng)位于印度南部的一家組裝廠因勞資糾紛發(fā)生暴...
2020-12-17 標(biāo)簽:緯創(chuàng)長鑫存儲 1380 0
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