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      標(biāo)簽　>　長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

      +關(guān)注2人關(guān)注

      2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。

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      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)資訊

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)"半導(dǎo)體器件冷卻設(shè)備"專利公開

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)"半導(dǎo)體器件冷卻設(shè)備"專利公開

      該發(fā)明涉及一種新型半導(dǎo)體器件冷卻裝置，主要由冷卻部及驅(qū)動(dòng)部組成。冷卻部?jī)?nèi)置第一冷卻介質(zhì)通道，驅(qū)動(dòng)部可在第一位置與第二位置間移動(dòng)，在第一位置時(shí)，驅(qū)動(dòng)部與冷...

      2024-04-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 634 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公布新型存儲(chǔ)器延時(shí)控制電路

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公布新型存儲(chǔ)器延時(shí)控制電路

      具體來(lái)說(shuō)，譯碼模塊負(fù)責(zé)接收并解析模式寄存器信號(hào)，產(chǎn)生多個(gè)譯碼信號(hào)。而延時(shí)模塊則由多個(gè)延時(shí)子模塊組成，可以根據(jù)譯碼信號(hào)選擇合適的目標(biāo)延時(shí)模塊，然后根據(jù)目標(biāo)...

      2024-04-26 標(biāo)簽：寄存器存儲(chǔ)器長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 737 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技有限公司“沉積設(shè)備、靜電卡盤、加熱系統(tǒng)及其控溫技術(shù)”

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技有限公司“沉積設(shè)備、靜電卡盤、加熱系統(tǒng)及其控溫技術(shù)”

      此項(xiàng)發(fā)明涉及一種新型沉積設(shè)備、靜電卡盤和加熱機(jī)構(gòu)，并提供了相應(yīng)的控溫方法。加熱機(jī)構(gòu)主要由導(dǎo)熱板、加熱組件及控制器組成。加熱組件包含至少兩個(gè)加熱元件，其中...

      2024-04-15 標(biāo)簽：控制器熱元件長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 755 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)獲半導(dǎo)體器件制備裝置及方法專利

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)獲半導(dǎo)體器件制備裝置及方法專利

      這項(xiàng)發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制備設(shè)備及制備策略，主要包含氣體管道、氣體優(yōu)化系統(tǒng)及反應(yīng)腔室三大組件。其中，氣體管道設(shè)有多個(gè)氣體入口管道；在反應(yīng)腔室內(nèi)，自上而下依...

      2024-04-03 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體器件長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 606 0

      長(zhǎng)鑫科技融資108億元！增資助推DRAM業(yè)務(wù)騰飛，估值達(dá)1400億元

      長(zhǎng)鑫科技融資108億元！增資助推DRAM業(yè)務(wù)騰飛，估值達(dá)1400億元

      本輪所有投資人均以相同條款及價(jià)格，與長(zhǎng)鑫科技、上述三個(gè)早期股東簽署增資協(xié)議，并將簽署《關(guān)于長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司之股東協(xié)議》，共同參與長(zhǎng)鑫科技增資事項(xiàng)。

      2024-03-30 標(biāo)簽：DRAM長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 3402 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)新專利揭示半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與制造方法

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)新專利揭示半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與制造方法

      這個(gè)新穎的發(fā)明主要是關(guān)于一款包含以下幾個(gè)部分的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)：基底，基底上分布著一系列等距排列的電容接觸結(jié)構(gòu)，隔離結(jié)構(gòu)，它處于基底頂部并在電容接觸結(jié)構(gòu)之間；...

      2024-03-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電容長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 952 0

      首款國(guó)產(chǎn)LPDDR5存儲(chǔ)芯片來(lái)了！已在小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證

      LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。與上一代LPDDR4X相比，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達(dá)到12G...

      2023-12-06 標(biāo)簽：芯片長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5 2037 0

      中國(guó)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)自主研發(fā) LPDDR5 完成

      中國(guó)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)自主研發(fā) LPDDR5 完成

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最近在其官網(wǎng)上宣布，已研發(fā)出中國(guó)首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片，并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5...

      2023-12-03 標(biāo)簽：芯片DRAM長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 1263 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)取得時(shí)鐘信號(hào)生成技術(shù)專利

      據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司取得一項(xiàng)名為“時(shí)鐘信號(hào)生成電路、方法及存儲(chǔ)器”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN116631469B，申請(qǐng)日期為2023年7月。

      2023-12-04 標(biāo)簽：時(shí)鐘信號(hào)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 723 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5正式進(jìn)軍移動(dòng)終端市場(chǎng)

      資料顯示，LPDDR是低功耗的DRAM存儲(chǔ)器，由DDR內(nèi)存演化而來(lái)。LPDDR的架構(gòu)和接口針對(duì)低功耗應(yīng)用進(jìn)行了專門優(yōu)化，提供更窄的通道寬度、尺寸更小、工...

      2023-12-01 標(biāo)簽：DRAMDDRLPDDR 845 0

      國(guó)內(nèi)首家！長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)DDR5零突破

      國(guó)內(nèi)首家！長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)DDR5零突破

      與上一代LPDDR4X相比，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達(dá)到12Gb和6400Mbps，同時(shí)功耗降低30%。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPD...

      2023-11-30 標(biāo)簽：芯片DDR5長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 2087 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首款國(guó)產(chǎn)LPDDR5，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)跨入LPDDR5領(lǐng)域

      　相比上一代LPDDR4，長(zhǎng)鑫的LPDDR5單顆芯片容量和速率都提升了50%，達(dá)到12Gb和6400Mbps，并且功耗降低了30%。從產(chǎn)品應(yīng)用和市場(chǎng)角度...

      2023-11-29 標(biāo)簽：DRAM封裝技術(shù)數(shù)據(jù)安全 1846 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推出自主研發(fā)的LPDDR5 DRAM存儲(chǔ)芯片

      長(zhǎng)鑫12GB LPDDR5芯片由8個(gè)12Gb顆粒封裝，這是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首款采用層疊封裝（Package on Package）的芯片產(chǎn)品。

      2023-11-29 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)芯片長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 1672 0

      國(guó)內(nèi)首家，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推出多款 LPDDR5產(chǎn)品

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)12gb lpddr5芯片目前已經(jīng)在韓國(guó)主流手機(jī)制造商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成了驗(yàn)證。lpddr5是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)針對(duì)中高端移動(dòng)機(jī)器市場(chǎng)推出的產(chǎn)品，...

      2023-11-29 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體DRAM 1648 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)”晶圓循環(huán)時(shí)間的確定方法和裝置“專利獲授權(quán)

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)”晶圓循環(huán)時(shí)間的確定方法和裝置“專利獲授權(quán)

      據(jù)專利文摘（摘要），本申請(qǐng)的決定施行如晶片周期時(shí)間的方法及裝置提供，獲取多個(gè)站點(diǎn)的機(jī)臺(tái)的實(shí)際生產(chǎn)數(shù)據(jù)，根據(jù)多個(gè)站點(diǎn)的機(jī)臺(tái)的實(shí)際生產(chǎn)數(shù)據(jù)，建立隨機(jī)數(shù)表，該...

      2023-10-09 標(biāo)簽：晶片模擬器長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 981 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)“半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率的評(píng)估方法及裝置”專利獲授權(quán)

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)“半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率的評(píng)估方法及裝置”專利獲授權(quán)

      根據(jù)專利摘要，本申請(qǐng)?zhí)峁┤缦略u(píng)價(jià)半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率的方法及裝置：評(píng)價(jià)半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率的方法是：提供1個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備，半導(dǎo)體設(shè)備至少包括1個(gè)制造單元。半導(dǎo)...

      2023-09-12 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體設(shè)備長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 752 0

      兆易創(chuàng)新DDR3L GDPxxxLM系列產(chǎn)品采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）先進(jìn)制程

      受總體經(jīng)濟(jì)影響，消費(fèi)性電子市場(chǎng)低迷，DRAM需求持續(xù)減弱，且價(jià)格也全面下跌，然作為利基型市場(chǎng)，從中長(zhǎng)期看，全球DRAM市場(chǎng)仍將保持增長(zhǎng)，下行壓力之下，當(dāng)...

      2022-10-13 標(biāo)簽：DRAMDDR3兆易創(chuàng)新 4014 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”

      日前，甲子光年舉辦的“2022科技產(chǎn)業(yè)投資峰會(huì)”長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)作為國(guó)內(nèi)專業(yè)從事DRAM...

      2022-08-04 標(biāo)簽：DRAM長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 3433 0

      國(guó)產(chǎn)內(nèi)存加速 DRAM廠商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)完成156億元融資

      ? DRAM廠商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)完成156億元融資，內(nèi)存芯片的國(guó)產(chǎn)替代之路又獲資金助力。12月14日，工商信息顯示，大基金二期、安徽國(guó)資、兆易創(chuàng)新及另一家朱一明...

      2020-12-25 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存存儲(chǔ)芯片 6177 0

      【芯聞精選】華為發(fā)布鴻蒙OS手機(jī)開發(fā)者Beta版 明年覆蓋1億臺(tái)設(shè)

      據(jù)印度媒體ETTelecom報(bào)道，不僅是緯創(chuàng)，暴力事件對(duì)于蘋果來(lái)說(shuō)，或許也是一大挫折。當(dāng)?shù)貢r(shí)間12月11日，緯創(chuàng)位于印度南部的一家組裝廠因勞資糾紛發(fā)生暴...

      2020-12-17 標(biāo)簽：緯創(chuàng)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 1380 0

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      • 云儲(chǔ)存
        云儲(chǔ)存
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        云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
      • 富士通
        富士通
        +關(guān)注
        富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
      • 3d nand
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        3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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        江波龍
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        非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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        2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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        　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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        NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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        　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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        　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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