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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Vishay SiEH4800EW 80V TrenchFET? 第四代N溝道功率MOSFET技術(shù)解析
Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設(shè)計(jì)用于高效電源開關(guān)應(yīng)用。SiEH48...
基于Vishay SiJK5100E N溝道MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析
Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET,具有100V漏源電壓。該...
選型手冊(cè):MOT6511J N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT6511J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力及PDFN3X3-8...
選型手冊(cè):MOT2914J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
仁懋電子(MOT)推出的MOT2914J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET,憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻...
選型手冊(cè):MOT3920J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
仁懋電子(MOT)推出的MOT3920J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET,憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻...
MOSFET焊料選型避坑指南:焊材廠家研發(fā)工程師帶你看透匹配的核心邏輯
MOSFET作為高頻高效功率器件,焊料選型需遵循溫度匹配、性能平衡、工藝適配、可靠性與合規(guī)四大核心原則,這源于其結(jié)溫特性、低阻優(yōu)勢(shì)、多樣封裝及長(zhǎng)期工作需...
Vishay SiC658A集成功率級(jí)技術(shù)解析:打造高效能同步降壓解決方案
Vishay SiC658A 50A VRPower ^?^ 集成功率級(jí)具備高效率和出色的散熱性能,非常適合大電流應(yīng)用。Vishay SiC658A憑借...
基于JEDEC JEP183A標(biāo)準(zhǔn)的SiC MOSFET閾值電壓精確測(cè)量方法
閾值電壓 (Vth) 是 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體) 的一種基本的電學(xué)參數(shù)。閾值電壓 (Vth) 為施加到柵極的最小電壓,以建立MOSFET漏極...
選型手冊(cè):MOT4N70D N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT4N70D是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛...
選型手冊(cè):MOT4111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOL...
一種適用于自舉供電的SiC MOSFET可靠驅(qū)動(dòng)方案
碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)憑借高速開關(guān)特性,大幅降低開關(guān)損耗,目前已在各行業(yè)應(yīng)用中加速滲透。然而,其器件特性所伴隨的高 dV/dt(電壓...
選型手冊(cè):MOT4025G 互補(bǔ)增強(qiáng)型 MOSFET
仁懋電子(MOT)推出的MOT4025G是一款互補(bǔ)增強(qiáng)型MOSFET,集成N溝道與P溝道管,憑借40V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異開關(guān)特性,適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、...
ZK150G002B:SGT工藝賦能的中壓大電流MOSFET技術(shù)解析
在60V-200V中壓功率控制場(chǎng)景中,如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源儲(chǔ)能、大功率電源等領(lǐng)域,對(duì)MOSFET的電流承載能力、導(dǎo)通損耗與封裝適配性提出了嚴(yán)苛要求。中...
2025-11-04 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS 210 0
選型手冊(cè):MOT4N65D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT4N65D是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性,廣...
?STP65N045M9功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET設(shè)計(jì)用于中/高壓MOSFET,具有非常低的單位面積R ~...
2025-10-30 標(biāo)簽:MOSFET功率MOSFET增強(qiáng)型 220 0
?STP60N043DM9功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET設(shè)計(jì)用于中/高壓MOSFET,具有單位區(qū)域極低的R~...
2025-10-30 標(biāo)簽:MOSFET功率MOSFET快速恢復(fù)二極管 211 0
?STL320N4LF8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
意法半導(dǎo)體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術(shù)制造而成。 該器件完...
STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
意法半導(dǎo)體STL325N4LF8AG N溝道功率MOSFET采用STripFET F8技術(shù),具有增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu)。 STL325N4LF8AG可確保非...
選型手冊(cè):MOT1514G 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT1514G是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、大電流承載能力及緊湊封裝設(shè)計(jì),廣泛適用...
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