DS1685/DS1687為一款實時時鐘(RTC)，設(shè)計作為工業(yè)標準的DS1285、DS1385、DS1485以及DS1585 PC RTC的替代產(chǎn)品。
2012-10-19 14:04:46
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富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標準封裝SOP-8，SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:236722 賽普拉斯非易失性隨機存取存儲器 (NVRAM) 可確保工業(yè)系統(tǒng)處于“零數(shù)據(jù)風(fēng)險”狀態(tài)，無論是在正常運行還是故障發(fā)生期間均可以完成安全可靠的數(shù)據(jù)備份。
2017-10-25 10:19:2611523 
雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認識這個全稱；它通?？s寫為 DDR 存儲器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中，我在其中一個 DDR 芯片上畫
2018-04-02 09:21:219091 在同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:252073 
鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:519735 
貿(mào)澤電子宣布即日起開售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的鐵電隨機存取存儲器 （FRAM） 和高密度電阻式隨機存取存儲器 （ReRAM） 產(chǎn)品。
2021-12-13 14:06:531354 
Access Memory：鐵電隨機存取存儲器，簡稱鐵電存儲器)。把FRAM歸類為非易失性存儲器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質(zhì)又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。于是，存儲器的分類令人
2012-01-06 22:58:43
實時時鐘rtc的工作原理，一 RTC 概述 1.定義：RTC的英文全稱是Real-Time Clock,翻譯過來是實時時鐘芯片。RTC芯片是一種能提供日歷/時鐘（世紀、年、月、時、分、秒）及數(shù)據(jù)存儲
2021-07-27 08:15:25
合適的器件。本還重點討論了內(nèi)置MEMS諧振器的DS3231M，用于替代晶振方案。 實時時鐘RTC DS323x高精度實時時鐘的功耗考慮DS3231/DS3232通過設(shè)置溫度更新周期，能夠在保持較高時鐘
2014-03-14 11:05:03
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
Keil編譯后生成bin文件占用內(nèi)部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱隨機存取存儲器，存儲的內(nèi)容可通過指令隨機讀寫訪問
2022-01-26 06:05:59
ARM體系結(jié)構(gòu)中主要半導(dǎo)體存儲器嵌入式系統(tǒng)使用的存儲器有多種類型，按其存取特性可分為隨機存取存儲器和只讀存儲器；按照所處的物理位置可分為片內(nèi)存儲器和片外存儲器以及外部存儲設(shè)備；按照存取
2021-12-17 07:26:46
MT47H64M16NF-25E:M動態(tài)隨機存取存儲器：規(guī)格：存儲器類型易失存儲器格式DRAM技術(shù)SDRAM - DDR2存儲容量1Gb （64M x 16）存儲器接口并聯(lián)時鐘頻率400MHz寫
2020-06-30 16:26:14
靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點？動態(tài)隨機存取存儲器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點？
2021-12-24 07:04:20
sram存儲原理是依靠，概念靜態(tài)隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)
2021-07-27 06:06:26
【作者】：方潔;陳偉;【來源】：《電子設(shè)計工程》2010年02期【摘要】：為避免電路系統(tǒng)在上電或斷電后出現(xiàn)計時不準確的異常狀況,提出采用高精度時鐘芯片DS3231的解決方案。介紹DS3231的特點
2010-04-24 09:01:26
MIKROE-2768，F(xiàn)RAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機存取存儲器或F-RAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
字節(jié)的靜態(tài)隨機存取存儲器。它通過簡單的串行接口與微處理器通信。實時時鐘/日歷提供秒、分、小時、日、月、星期和年的信息。對于少于31天的月份，月末日期會自動調(diào)整，包括閏年的更正。時鐘以24小時制或12小時制運行，帶有上午/下午指示器。3.地址命令字節(jié)MSB(位7)必須是邏輯1。如果為0，對DS130
2022-01-17 08:30:02
MT48LC16M16A2P-6A:G是一種高速CMOS動態(tài)隨機存取存儲器，包含268435456位。它內(nèi)部配置為具有同步接口的四組DRAM（所有信號都記錄在時鐘信號CLK的正邊緣
2023-02-02 13:49:53
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態(tài)隨機存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
鐵電存儲器的高精度實時時鐘優(yōu)勢分析
2010-12-11 16:34:27
38 制造商: ISSI 產(chǎn)品種類: 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS: Yes 存儲容量: 256 kbit 組織
2024-08-02 15:14:36
帶RTC的I2C總線鐵電存儲器芯片-FM31256
FM31256是一種基于I2C總線、采用鐵電體技術(shù)的多功能存儲芯片。除了非易失存儲器外，該器件還具有實時時鐘、低電壓
2009-03-29 15:16:103892 
第三十一講 隨機存取存儲器
9.3 隨機存取存儲器9.3.1 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
9.3.2 RAM的存儲單元一、
2009-03-30 16:36:571541 
概述隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Maxim能夠提供無需電池的非易失存儲器。這些器件采用了鐵電隨機存取存儲器(FRAM)技術(shù)，F(xiàn)RAM是非易失存儲器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器
2009-04-17 09:42:43891 
摘要：該應(yīng)用筆記介紹了DS32X35系列產(chǎn)品。這些器件為帶有鐵電隨機存取存儲器(RTC + FRAM)的高精度實時時鐘，無需外接電池即可保持存儲器內(nèi)容。
概述隨著DS32X35
2009-04-22 09:39:18685 
Maxim推出RTC(實時時鐘)產(chǎn)品線的最新成員DS1341Maxim推出RTC(實時時鐘)產(chǎn)品線的最新成員DS1341。該款RTC集成AGC (自動增益控制)電路，動態(tài)調(diào)節(jié)驅(qū)動電流，使器件正常工作時的電
2010-04-09 12:23:161487 名稱 RAM（隨機存取存儲器） RAM -random access memory 隨機存儲器 定義 存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無
2010-06-29 18:16:592983 DS3231是低成本、高精度I2C實時時鐘(RTC)，具有集成的溫補
2010-11-12 09:17:514658 
賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)，該存儲器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業(yè)和汽車應(yīng)用
2011-04-06 19:06:011887 QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達633兆赫茲(MHz)的時鐘頻率允許
2011-04-27 10:20:322377 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片F(xiàn)M24C64C具有低功率運作特性，有效電流為100 μA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011946 DS1346/DS1347的SPI?兼容的實時時鐘(RTC)含有一個實時時鐘/日歷和31 × 8位靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)。
2011-08-19 09:55:331944 
據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道，美國科學(xué)家們正在研制一種新的計算機存儲設(shè)備鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲設(shè)備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。
2011-10-19 09:47:401109 本文介紹了Maxim的幾款實時時鐘(RTC)芯片，列出了DS3231、DS3232、DS3234、DS32B35和DS32C35之間的性能差異
2012-04-12 10:50:0915196 在以往產(chǎn)品開發(fā)過程中，大量的數(shù)據(jù)采集對于工程師來說一直是件頭疼的事情。數(shù)據(jù)需要不斷地高速寫入，傳統(tǒng)的存儲技術(shù)如EERPOM、Flash的寫入壽命和讀寫速度往往不能滿足其要求，而FRAM（鐵電隨機存取存儲器）的推出使得這些問題迎刃而解。
2017-03-29 11:51:581770 這是一個256bit的非易失性存儲器FM25L256采用先進的鐵電的過程。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性和執(zhí)行讀取和寫入內(nèi)存一樣。它提供了可靠的數(shù)據(jù)保持10年，同時消除了復(fù)雜性，開銷和系統(tǒng)級的可靠性問題所造成的EEPROM和其他非易失性存儲器。
2017-11-03 17:15:34124 所謂「隨機訪問」，指的是當(dāng)存儲器中的訊息被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置無關(guān)。相對的，存取順序訪問（SequenTIal Access）存儲設(shè)備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關(guān)系（如磁帶）。
2018-06-28 12:17:0013450 本文比較了TMS320C55x DSP外部存儲器接口（EMIF）和TMS320C6000 DSP EMIF的特點。這兩個接口都支持異步存儲器、同步突發(fā)靜態(tài)隨機存取存儲器（SBSRAM）和同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）。
2018-05-07 11:01:065 美國芯片設(shè)計商Rambus宣布與中國存儲器解決方案供應(yīng)商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）合作建立一個在中國的合資企業(yè)Reliance Memory，以實現(xiàn)電阻式隨機存取存儲器（RRAM）技術(shù)的商業(yè)化
2018-05-17 10:34:006537 隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。
2018-05-17 17:04:5822893 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是STM32同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）的源代碼程序資料免費下載
2018-08-31 15:53:3923 隨機存取存儲器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。本視頻主要介紹了隨機存取存儲器的最大特點。
2018-11-24 10:59:1146038 半導(dǎo)體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器，易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）為主，非易失存儲器反而不斷有
2019-01-01 08:55:0013982 
隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），當(dāng)關(guān)機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。
2019-01-07 16:46:4916885 隨機存取存儲器（MRAM）、可變電阻式隨機存取存儲器（ReRAM）、相變化隨機存取存儲器（PCRAM）等新型存儲器，開始被市場采用，而AI/HPC將加速新型存儲器更快進入市場。
2019-07-29 16:38:053877 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是使用DSP進行靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM的讀寫實驗報告書免費下載。
2019-08-02 17:39:284 我們許多人都知道，隨機存取存儲器（Random Access Memory，縮寫：RAM；也叫主存）是與電腦的中央處理器直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。
2020-01-13 11:50:272642 新興的非易失性存儲器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:312446 因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運而生，也就是靜態(tài)隨機存取存儲器。它通常以六個聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成，不需要去更新。靜態(tài)隨機存取儲存器是計算機系統(tǒng)中最快的存儲器，但也是最貴的，也占用了比動態(tài)隨機存取儲存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:583508 SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)
2020-07-16 10:44:036544 
鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器和閃存）結(jié)合起來。
2020-12-03 11:53:168370 UG-1755：評估ADG5401F故障保護，6Ω隨機存取存儲器，帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開關(guān)
2021-03-23 00:21:254 富士通型號MB85RS2MTA是采用262144字x8位的鐵電隨機存取存儲器芯片，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來形成非易失性存儲單元。能夠保持數(shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用
2021-05-04 10:13:001522 
ADG7421F：低壓故障保護和檢測，20?隨機存取存儲器，雙單擲開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-14 18:27:144 一、RTC實時時鐘特征與原理 查看STM32中文手冊 16 實時時鐘（RTC）（308頁） RTC （Real Time Clock）：實時時鐘 實時時鐘是一個獨立的定時器。RTC模塊擁有一組連續(xù)
2021-06-30 15:54:1811998 作者：Robert Taylor1? 德州儀器
雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認識這個全稱；它通?？s寫為 DDR 存儲器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR
2021-11-23 14:53:452827 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是一種非易失性存儲器，它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取存儲器）的特性，具有寫入速度更快、讀/寫
2022-03-02 17:18:361780 國產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機存取存儲器，內(nèi)部組織為32K字，每個字8位。最大時鐘20MHz，采用最先進的CMOS技術(shù)設(shè)計和制造，以提供高速性能和低功耗。該
2022-04-24 15:59:181097 
富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021789 VDSR32M322XS68XX8V12-II是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊八個采用CMOS工藝（6
2022-06-08 14:27:157 VDSR32M322xS68XX8V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊八個采用CMOS工藝（6晶體管
2022-06-08 14:24:161 VDSR20M40XS84XX6V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器20Mbit。該芯片采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，堆疊六個SRAM芯片，采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）。它被組織為兩個256Kx40bit寬的獨立塊數(shù)據(jù)接口?？梢允褂脤Ｓ玫?CSn單獨選擇每個塊。
2022-06-08 14:22:580 VDSR16M32XS64XX4V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含16777216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四個采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM芯片。它分為兩部分512K x 32位寬數(shù)據(jù)接口的獨立塊。
2022-06-08 14:20:001 VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四層采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數(shù)據(jù)接口的獨立塊。
2022-06-08 14:18:520 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產(chǎn)品。靜態(tài)隨機存取存儲器8.388.608位。它由兩個4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 VDMR64M08XS54XX4V35是一款4×16777216位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊四個16 Mbit MRAM模具。它被組織為四個2Mx的獨立模具8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:32:294 VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的五個獨立模具。
2022-06-08 10:31:022 VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SIP制造技術(shù)，該設(shè)備堆疊4個4-Mbit MRAM模具。它由四個512K x的獨立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:28:211 VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻隨機存取存儲器。該器件采用VDIC高密度SiP技術(shù)制造，可堆疊16 Mbit MRAM芯片。它是有組織的作為一個2M x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的獨立模具。
2022-06-08 10:26:541 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊八個1-Mbit MRAM模具。它由八個128K的獨立模具組成8比特寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:25:441 VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊四個1-Mbit MRAM模具。它由四個128K x的獨立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:20:132 VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的一個獨立模塊。
2022-06-07 16:04:271 VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為一個128K x 16位寬數(shù)據(jù)接口的獨立模塊。
2022-06-08 10:18:481 ，對晶體進行高精度的溫度補償能夠提高這些器件的時鐘精度。本文列出了幾款RTC(DS3231、DS3232、DS3234、DS32B35和DS32C35)的性能差異，幫助用戶查找合適的器件。 DS3231 DS3231是一款精密的I2C接口實時時鐘，集成了溫度補償晶體振蕩器(TCXO)和晶體，以下列出了這
2022-12-11 19:55:073233 在基于LORA的采集系統(tǒng)中，先通過傳感器采集信息，并將信息進行放大等調(diào)理后，傳輸?shù)街骺豈CU，最后主控MCU通過LORA的無線傳輸方式傳輸?shù)胶蠖耍淖止?jié)的容量為128Kb、支持SPI接口的鐵電隨機存取存儲器（FRAM）設(shè)備PB85RS128就可應(yīng)用其中
2022-12-14 14:51:131015 主要的非易失性存儲器技術(shù)包括電池備份SRAM、EEPROM和閃存。FRAM以類似于傳統(tǒng)SRAM的速度提供非易失性存儲。功能操作類似于串行EEPROM，主要區(qū)別在于其在寫入和耐用性方面的卓越性能。存儲器以I2C接口的速度讀取或?qū)懭搿Ｔ趯懭肫陂g，無需輪詢設(shè)備以查找就緒條件。
2023-01-11 15:24:351341 
相變隨機存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點。
2023-02-01 10:16:151623 在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:391355 
DA1468x SoC 的實時時鐘 (RTC) 概念
2023-03-15 20:16:320 無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會定期進入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機存取存儲器（RAM），今天的計算機甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:551185 作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52630 
ADI是實時時鐘(RTC)產(chǎn)品的引領(lǐng)者，已經(jīng)設(shè)計了多款在市場上炙手可熱的實時時鐘產(chǎn)品，這些產(chǎn)品提供完全集成的高精度、溫度補償RTC方案。多數(shù)情況下，RTC的精度主要取決于晶振頻率隨溫度的變化。因此
2023-01-05 14:02:112625 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上，鐵電
2023-06-20 14:19:251321 
DA1468x SoC 的實時時鐘 (RTC) 概念
2023-07-06 19:27:100 本文將介紹芯片設(shè)計中動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的相關(guān)知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:347665 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:062013 20世紀70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應(yīng)控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:272311 低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:361567 
英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴展其集成嵌入式糾錯碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機存取存儲器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計算需求。
2024-01-24 17:11:391317 重新寫入數(shù)據(jù)。EPROM是隨機存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）之間的一種折中方案，它結(jié)合了兩者的一些特性。 EPROM可以采用隨機存取方式，這意味著用戶可以在任何時候讀取存儲器中的任何位置的數(shù)據(jù)，而不需要按照特定的順序。這種特性使得EPROM在需要頻繁更新數(shù)據(jù)的應(yīng)用中非常有用，例如
2024-09-18 11:13:213301 靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）是隨機存取存儲器（RAM）的一種，以其獨特的靜態(tài)存儲方式而著稱。所謂“靜態(tài)”，意味著只要保持通電狀態(tài)，SRAM內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)就可以恒常保持，無需像動態(tài)隨機存取存儲器
2024-09-26 16:25:308035 
隨機存取存儲器（Random Access Memory，簡稱RAM）是計算機和其他電子設(shè)備中用于存儲數(shù)據(jù)的一種半導(dǎo)體存儲器。它允許數(shù)據(jù)在任何時間被讀取或?qū)懭?，因此被稱為“隨機存取”。RAM是計算機
2024-10-14 09:51:232482 隨機存取存儲器ReRAM；鐵電隨機存取存儲器FRAM；以及相變存儲器PCM。這些新興存儲器的未來取決于技術(shù)特性、現(xiàn)有大容量存儲器的發(fā)展以及發(fā)展規(guī)模經(jīng)濟。在這個市場中，規(guī)模經(jīng)濟
2024-11-16 01:09:491190 
在計算機和電子設(shè)備中，存儲器扮演著數(shù)據(jù)臨時存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44299
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