電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)2025年1月在CES展上,存儲大廠紛紛秀肌肉,而他們無一例外地展示了其存儲之于AI應(yīng)用的實力。SK海力士、三星、美光等廠商帶來了最新的技術(shù)和產(chǎn)品,他們引領(lǐng)著AI存儲
2025-01-13 09:11:13
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成興光深耕LED領(lǐng)域12年,基于技術(shù)沉淀與市場洞察,推出WS2812B幻彩系列和SK6812B幻彩系列產(chǎn)品,既精準(zhǔn)響應(yīng)行業(yè)趨勢,更直擊市場痛點,以真實可靠的性能數(shù)據(jù)和全場景適配能力,成為商業(yè)工程、家居裝飾、新興應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)選方案。
2025-12-30 09:44:02
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英偉達(dá)、SK海力士與群聯(lián)電子共同開發(fā)AI固態(tài)硬盤 ? 日前,據(jù)報道,英偉達(dá)與韓國SK海力士共同開發(fā)新型人工智能固態(tài)硬盤,群聯(lián)電子也參與開發(fā)。這款A(yù)I專用固態(tài)硬盤的效能預(yù)計將達(dá)到當(dāng)前AI服務(wù)器所用
2025-12-24 10:39:13
942 缺貨先說說為什么會出現(xiàn)這種局面。三星和SK海力士從2024年底就開始減產(chǎn)NAND閃存,幅度還不小。SK海力士2025年NAND晶圓出貨量從2024年的201萬顆降
2025-12-16 14:34:16
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,據(jù)韓媒報道,存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術(shù)高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項HBS技術(shù)采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃,該技術(shù)將通過一種名為
2025-11-14 09:11:21
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,近日,韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上,SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)正式宣布了公司向 “全線AI存儲創(chuàng)造者”(Full
2025-11-08 10:49:08
3180 給大家?guī)硪恍I(yè)界新聞: 英偉達(dá)將在韓國部署26萬枚GPU 據(jù)外媒報道,在10月31日,英偉達(dá)公司宣布將與韓國政府及三星電子、SK集團(tuán)、現(xiàn)代汽車集團(tuán)、NaverCloud一起合作在韓國部署26萬枚
2025-10-31 11:46:28
474 SID_SA_SUBID_SK_Callback(uint8_t*pInd, uint8_t *pRes, uint32_t *pResLen
2025-10-26 21:04:14
本文將帶來星海SK系列肖特基二極管SMBG、SMBX、SMC三種封裝選型建議,幫助您為項目選擇最合適的器件。SMBG封裝尺寸適中:體積相對較小,適合在空間有限的P
2025-10-16 16:08:09
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,SK海力士宣布,已正式向客戶供應(yīng)其全球率先實現(xiàn)量產(chǎn)的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品ZUFS 4.1。 ? SK海力士通過與客戶的密切合作,于今年6月成功完成了該產(chǎn)品的客戶驗證
2025-09-19 09:00:00
3507 ### 1. 產(chǎn)品簡介(SK3562-VB)SK3562-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為大功率、高壓應(yīng)用設(shè)計。它具有較高的最大漏源電壓(VDS)為650V,適用于
2025-09-17 15:10:14
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文 / 吳子鵬)近日,SK 海力士宣布全球率先完成第六代高帶寬存儲器(HBM4)的開發(fā),并同步進(jìn)入量產(chǎn)階段,成為首家向英偉達(dá)等核心客戶交付 HBM4 的存儲廠商。 ? 據(jù)悉,SK
2025-09-17 09:29:08
5962 在人工智能(AI)技術(shù)迅猛發(fā)展的當(dāng)下,數(shù)據(jù)處理與存儲能力成為制約其進(jìn)一步飛躍的關(guān)鍵因素。2025 年 9 月 12 日,韓國半導(dǎo)體巨頭 SK 海力士宣布,已成功完成面向 AI 的超高性能存儲器新產(chǎn)品
2025-09-16 17:31:14
1362 當(dāng)?shù)貢r間 8 月 29 日,根據(jù)美國《聯(lián)邦公報》發(fā)布的通知顯示,美國商務(wù)部工業(yè)與安全局(BIS)修訂《出口管理條例》(EAR),將英特爾半導(dǎo)體(大連)有限公司(已被 SK 海力士收購,按原計劃今年
2025-09-02 17:40:11
655 GPS定位器供電芯片核心優(yōu)勢解讀
寬電壓輸入: H6203G/H6266B支持8V-120V的寬輸入電壓范圍,內(nèi)置150V高壓MOS,能夠輕松應(yīng)對車輛電壓波動,特別是在剎車瞬間產(chǎn)生的高尖峰電壓情況下
2025-09-01 17:46:56
(Modulus),是私鑰和公鑰的公共參數(shù)。
sk:私鑰指數(shù)(privateExponent),公式中常寫作d。
pk:公鑰指數(shù)(publicExponent),公式中常寫作e。
當(dāng)創(chuàng)建非對稱密鑰生成器
2025-09-01 07:50:53
據(jù)央視報道;在8月29日,美國商務(wù)部撤銷英特爾半導(dǎo)體(大連)、三星中國半導(dǎo)體及SK海力士半導(dǎo)體(中國)的經(jīng)驗證最終用戶授權(quán)。中方商務(wù)部回應(yīng)稱美方此舉系出于一己之私;美方將出口管制工具化,將對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定產(chǎn)生重要不利影響,中方對此表示反對。 ?
2025-08-31 20:44:16
825 高精度、高紋波抑制比、低噪聲、超快響應(yīng) LDO
概述ME6211 系列是以 CMOS 工藝制造的高精度,高紋波抑制比,低噪音,超快響應(yīng)低壓差線性穩(wěn)壓器。ME6211系列穩(wěn)壓器內(nèi)置固定的參考電壓源
2025-08-18 16:55:25
串口中斷方式接收會漏接數(shù)據(jù)如串口工具發(fā)送 :1234567芯片接收到 :1357硬件是CYTVII-B-E-1M-SK開發(fā)板軟件是SDL v8.3 中的串口例程輪詢模式接收正常,中斷1BYTE模式接收不正常
2025-08-14 07:29:56
2SK543-VB品牌: VBsemi**參數(shù):**- 封裝: SOT23- 溝道類型: N—Channel- 額定電壓: 20V- 額定電流: 6A- RDS(ON): 24mΩ @ VGS
2025-08-09 10:13:33
2SK520-VB,品牌VBsemi,SOT23封裝,P—Channel溝道,-30V,-5.6A,RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V,Vth=-1V。**詳細(xì)參數(shù)
2025-08-09 10:01:55
產(chǎn)品型號: 2SK3577-T1B-A-VB品牌: VBsemi參數(shù): - 封裝類型: SOT23- 溝道類型: N—Channel- 最大漏極電壓: 30V- 最大漏極電流: 6.5A-
2025-08-09 09:55:02
**2SK3576-T1B-A-VB 詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:**- **品牌:** VBsemi- **型號:** 2SK3576-T1B-A-VB- **封裝:** SOT23**參數(shù)
2025-08-08 18:00:22
**2SK3408-T2B-A-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:**- **品牌:** VBsemi- **封裝:** SOT23- **類型:** N—Channel 溝道 MOSFET- **最大耐壓
2025-08-08 17:54:04
參數(shù)說明:- 型號: 2SK3408-T1B-A-VB- 品牌: VBsemi- 封裝: SOT23- 溝道類型: N—Channel- 最大電壓: 60V- 最大電流: 4A- RDS(ON)(導(dǎo)
2025-08-08 17:46:51
型號:2SK3290BNTL-VB品牌:VBsemi封裝:SOT23參數(shù):- N-Channel溝道- 額定電壓(VDS):30V- 額定電流(ID):6.5A- 開啟電阻(RDS(ON)):30m
2025-08-08 17:44:30
詳細(xì)參數(shù)說明:- 產(chǎn)品型號: 2SK3000-VB- 品牌:VBsemi- 封裝:SOT23- 類型:N—Channel溝道- 額定電壓:30V- 額定電流:6.5A- 開態(tài)電阻(RDS
2025-08-08 17:41:00
2SK2980ZZ-TR-E-VB 品牌: VBsemi**詳細(xì)參數(shù)說明:**- 封裝類型:SOT23- 溝道類型:N—Channel- 最大漏極電壓:30V- 最大漏極電流:6.5A-
2025-08-08 17:36:41
**詳細(xì)參數(shù)說明:**- **型號:** 2SK2969-VB- **品牌:** VBsemi- **封裝:** SOT23- **溝道類型:** N-Channel- **額定電壓:** 30V-
2025-08-08 17:33:55
**2SK2911-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:**- **品牌:** VBsemi- **封裝:** SOT23- **溝道類型:** N-Channel- **最大承受電壓:** 100V- **最大
2025-08-08 17:30:25
**產(chǎn)品型號:** 2SK2910-VB**品牌:** VBsemi**參數(shù):**- 封裝:SOT23- 溝道類型:N—Channel- 最大電壓:20V- 最大電流:6A- 導(dǎo)通電阻:RDS
2025-08-08 17:28:21
2SK2909-VB是VBsemi品牌的N-Channel溝道MOSFET,采用SOT23封裝。主要參數(shù)包括工作電壓20V、電流承受能力6A、導(dǎo)通電阻RDS(ON)=24mΩ(在VGS=4.5V
2025-08-08 17:26:11
**2SK2731T146-VB參數(shù):**- 額定電壓(VDS):30V- 額定電流(ID):6.5A- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):30mΩ(VGS=10V,VGS=20V)- 閾值電壓
2025-08-08 17:23:39
=4.5V, VGS=8V- 閾值電壓: Vth = 0.45~1V應(yīng)用簡介:2SK2273-VB是一款N-Channel溝道MOSFET,適用于SOT23封裝。主要應(yīng)用
2025-08-08 17:21:38
**VBsemi 2SK209-VB MOSFET****詳細(xì)參數(shù)說明:**- 品牌: VBsemi- 產(chǎn)品型號: 2SK209-VB- 封裝: SOT23- 極性: P—Channel- 最大漏極
2025-08-08 17:17:33
VBsemi 2SK2009-VB是一款N-Channel溝道MOSFET,以下是詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:- **電壓規(guī)格:** 30V- **電流規(guī)格:** 6.5A- **導(dǎo)通電阻(RDS
2025-08-08 17:15:20
**2SK1849-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:**- **品牌:** VBsemi- **型號:** 2SK1849-VB- **封裝:** SOT23- **溝道類型:** N-Channel-
2025-08-08 17:13:07
**2SK1848-VB**- **品牌:** VBsemi- **參數(shù):** - 封裝:SOT23 - 溝道類型:N—Channel - 最大承受
2025-08-08 17:10:38
**VBsemi 2SK1847-VB 詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:****產(chǎn)品型號:** 2SK1847-VB**品牌:** VBsemi**參數(shù):**- **封裝類型:** SOT23- **溝道
2025-08-08 17:08:22
產(chǎn)品型號: 2SK1657-VB品牌: VBsemi參數(shù): - 封裝類型: SOT23- 溝道類型: N—Channel- 最大漏極電壓: 30V- 最大漏極電流: 6.5A- 開啟電阻
2025-08-08 17:05:16
VBsemi 2SK1582-VB 參數(shù):- 封裝:SOT23- 類型:N-通道MOSFET- 漏極-源極電壓(Vds):30V- 連續(xù)漏極電流(Id):6.5A- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):在
2025-08-08 17:02:46
2SK1215-VB是VBsemi品牌的SOT23封裝N-Channel溝道場效應(yīng)晶體管。以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡介:**詳細(xì)參數(shù):**- 封裝:SOT23- 極性:N-Channel- 額定電壓
2025-08-08 16:59:42
Sandisk閃迪公司(NASDAQ:SNDK)正式宣布與SK海力士簽署具有里程碑意義的諒解備忘錄(Memorandum of Understanding,MOU),雙方將攜手制定高帶寬閃存
2025-08-08 13:37:38
1847 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,SK海力士截至2025年6月30日的2025財年第二季度財務(wù)報告顯示,公司2025財年第二季度營業(yè)收入為22.232萬億韓元,營業(yè)利潤為9.2129萬億韓元,凈利潤為
2025-08-07 09:30:06
6211 [ARG_sk9822_dat].u_int, FUNC_GPIOHS0 + SK9822_DAT_GPIONUM);
fpioa_set_function(args[ARG_sk9822_clk].u_int
2025-08-05 07:26:18
Texas Instruments適用于AM64x Sitara?處理器的SK-AM64B入門套件是一個獨立的測試和開發(fā)平臺,是加速設(shè)計原型階段的理想選擇。AM64x處理器由一個雙核64位ARM
2025-07-28 10:20:08
576 
近日,SK集團(tuán)旗下在錫三家ICT企業(yè),SK海力士半導(dǎo)體(中國)有限公司,英普賽信息技術(shù)(無錫)有限公司,愛思開希恩希系統(tǒng)(北京)有限公司在旺莊街道建發(fā)社區(qū)籌建組社區(qū)黨群服務(wù)中心舉行SK海力士幸福未來教育成長中心2號店啟動儀式。
2025-07-24 11:38:17
838 1969年,40萬名科技工作者憑借堅韌不拔的協(xié)作精神,成功完成登月計劃“阿波羅11號任務(wù)”,開啟了人類探索宇宙的新紀(jì)元。2003年,來自6個國家20多家研究機(jī)構(gòu)的科學(xué)家,歷經(jīng)13年通力合作,完成了“人類基因組計劃”,重塑了現(xiàn)代醫(yī)學(xué)格局。當(dāng)人類團(tuán)結(jié)一心,便能夠不斷創(chuàng)造新的輝煌。
2025-07-21 15:57:13
742 Texas Instruments TPS6281xM/-Q1/-EP 1A/2A/3A/4A降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器基于峰值電流模式控制拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),具有高效率和易于使用的特點。TPS6281xM/-Q1
2025-07-16 10:53:11
506 
SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存(NAND Flash,以下簡稱NAND
2025-07-10 11:37:59
1508 SK海力士的成功神話背后,離不開眾多核心技術(shù)的支撐,其中最令人矚目的便是“微細(xì)工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細(xì)電路進(jìn)行更為精細(xì)化的處理,SK海力士憑借壓倒性的技術(shù)實力,引領(lǐng)著全球半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。這一切的基礎(chǔ)正源于“一個團(tuán)隊”協(xié)作精神(One-Team Spirit)。
2025-07-03 12:29:50
1591 , Parallel
XIP:指代碼可以直接在芯片上執(zhí)行,無需先加載到RAM。
5. 行業(yè)現(xiàn)狀與趨勢
市場格局:
DRAM:高度集中,被 三星、SK海力士、美光 三大巨頭壟斷。
NAND Flash
2025-06-24 09:09:39
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團(tuán)隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:02
1665 SK海力士于5月20日至23日舉辦的2025年臺北國際電腦展(COMPUTEX Taipei 2025,以下簡稱COMPUTEX)上,展示了其涵蓋AI服務(wù)器、個人電腦和移動設(shè)備等多個領(lǐng)域的豐富
2025-06-05 14:13:56
1805 
SK海力士宣布,5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀(jì)念儀式”上,來自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
2025-06-03 09:36:48
1001 近日,SK海力士向無錫市首個應(yīng)急救援驛站(山水城(雪浪街道)石塘社區(qū))捐贈自動體外除顫儀(AED)設(shè)備,助力提升基層應(yīng)急救援能力,為居民生命健康筑起堅實屏障。
2025-05-28 15:36:51
761 近年來,SK海力士屢獲創(chuàng)新成果,這些成就皆得益于“一個團(tuán)隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)”。無論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績、開發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品,還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應(yīng)商,這些
2025-05-23 13:54:36
1014 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的移動端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:00
8530 近日,SK海力士宣布,在首爾江南區(qū)韓國科學(xué)技術(shù)會館舉行的“2025年科學(xué)?信息通訊日紀(jì)念儀式”上,公司數(shù)字化轉(zhuǎn)型組織的都承勇副社長榮獲了科學(xué)技術(shù)信息通信部頒發(fā)的銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
2025-05-09 10:29:10
969 增長42.5%至267.29億美元,環(huán)比減少8.5%。 ? 然而不可忽視的是,在2025年一季度,SK海力士憑借在HBM領(lǐng)域的絕對優(yōu)勢,終結(jié)三星長達(dá)四十多年的市場統(tǒng)治地位,以36.7%的市場份額首度登頂全球DRAM市場第一。 ? ? 其實從2024年SK海力士與三星在DRAM上的差距就已經(jīng)開始
2025-05-06 15:50:23
1210 
得益于AI需求的有力推動;高帶寬內(nèi)存(HBM)需求持續(xù)暴漲,這帶動了英偉達(dá)供應(yīng)商SK海力士盈利大增158%。 據(jù)SK海力士公布的財務(wù)業(yè)績數(shù)據(jù)顯示,在2025年第一季度SK海力士的營收增長42%;達(dá)到
2025-04-24 10:44:26
1231 最近在搞SK6812燈珠的控制,選擇了PWM+DMA的方式,在執(zhí)行HAL_TIM_PWM_Start_DMA的時候能看到長度和數(shù)據(jù)都是我配置的值:
但是輸出的波形就是不對:
DMA循環(huán)單次都試過
2025-04-23 07:44:27
隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展,作為其核心支撐技術(shù)的高帶寬存儲器(以下簡稱HBM)實現(xiàn)了顯著的增長,為SK海力士在去年實創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績做出了不可或缺的重要貢獻(xiàn)。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為,SK海力士的成長不僅體現(xiàn)在銷售額的大幅提升上,更彰顯了其在引領(lǐng)AI時代技術(shù)變革方面所發(fā)揮的重要作用。
2025-04-18 09:25:59
991 客戶對HBM的要求為增加帶寬、提高功率效率、提高集成度?;旌湘I合就是可以滿足此類需求的技術(shù)。 ? 混合鍵合技術(shù)預(yù)計不僅可應(yīng)用于HBM,還可應(yīng)用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副總裁姜志浩(音譯)表示,“目前的做法是分別創(chuàng)建DRAM單元區(qū)域和外圍區(qū)域,
2025-04-17 00:05:00
1060 SK200PRO-U作為一款工業(yè)級遠(yuǎn)程無線單路開關(guān)控制模塊,其強(qiáng)大的驅(qū)動力、高效的抗干擾能力以及多重安全保護(hù)設(shè)計,集成了 LoRa 擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)和 MESH 自組網(wǎng)功能,具有高效、穩(wěn)定、靈活的特點。
2025-04-07 11:46:20
747 
3 月 28 日消息,根據(jù) SK 海力士向韓國金融監(jiān)管機(jī)構(gòu) FSS 披露的文件,該企業(yè)已在當(dāng)?shù)貢r間今日完成了收購英特爾 NAND 閃存及 SSD 業(yè)務(wù)案的第二階段,交易正式完成。 這筆交易
2025-03-28 19:27:58
1227 
我用UAB-6211采集兩個通道的信號,不管使用單端輸入還是查分輸入,同時使用索引數(shù)組將兩通道分開,可只能檢測出一個通道,有無高手求教。
2025-03-13 21:05:01
1. 250 億韓元! SK Keyfoundry 收購碳化硅廠商 SK Powertech ? SK Keyfoundry宣布決定以250億韓元的價格從SK Inc.收購SK Powertech
2025-03-10 11:15:49
749 3 月 6 日消息,綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報道,SK 海力士今日在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其 CIS(CMOS 圖像傳感器)部門, 該團(tuán)隊的員工將轉(zhuǎn)崗至 AI 存儲器領(lǐng)域 。SK
2025-03-06 18:26:16
1078 本文詳細(xì)介紹了 SK hynix 公司生產(chǎn)的 LPDDR4 16Gb(x16,2 Channel,1 CS)內(nèi)存芯片 H9HCNNNBKUMLXR 的技術(shù)規(guī)格書。該文檔提供了芯片的詳細(xì)參數(shù)、功能描述
2025-03-03 14:07:05
H6203L是一種內(nèi)置150V耐壓MOS,支持輸入高達(dá)120V的高壓降壓開關(guān)控制器,可以向負(fù)載提供1.5A的連續(xù)電流及最高4A的瞬間電流。 H6203L支持輸出恒定電壓,可以通過調(diào)節(jié)VFB采樣電阻來
2025-02-24 11:53:14
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據(jù)韓媒報道,SK海力士計劃于今年3月向其位于韓國的M15X晶圓廠派遣大量工程師,為該廠投產(chǎn)高頻寬內(nèi)存(HBM)做最后準(zhǔn)備。這一舉措標(biāo)志著M15X晶圓廠投產(chǎn)的準(zhǔn)備工作已進(jìn)入沖刺階段,預(yù)計將于2025年第四季度正式投產(chǎn)。
2025-02-18 14:46:03
1275 據(jù)最新報道,SK 海力士為滿足市場對高帶寬存儲器(HBM)的旺盛需求,正緊鑼密鼓地為M15X晶圓廠的投產(chǎn)做全面準(zhǔn)備。公司計劃于今年3月向M15X工廠派遣工程師團(tuán)隊,以確保工廠能夠順利啟動并投入生產(chǎn)
2025-02-18 11:16:58
884 據(jù)韓國媒體報道,SK海力士已啟動對中國半導(dǎo)體電子設(shè)計自動化(EDA)軟件的緊急審查程序。此舉被視為對美國特朗普政府針對中國實施額外制裁的回應(yīng)。 分析指出,近期中國EDA公司華大九天的韓國分公司被美國
2025-02-18 10:51:54
1079 據(jù)韓國媒體報道,韓國半導(dǎo)體行業(yè)的巨頭SK海力士,為應(yīng)對美國可能出臺的新政策,已開始對其所使用的中國半導(dǎo)體電子設(shè)計自動化(EDA)軟件進(jìn)行緊急審查。這一舉措反映了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在地緣政治緊張局勢下
2025-02-18 09:47:04
827 特點ME6211系列精度高CMOS LDO穩(wěn)壓器。提供低輸出噪聲、高紋波抑制比、低壓差ME6211系列具有非??斓拈_啟時間是當(dāng)今尖端手機(jī)的理想選擇。ME6211內(nèi)部包括參考電壓源極、誤差放大器、驅(qū)動
2025-02-14 11:57:11
APTGT150SK60T1G型號簡介 APTGT150SK60T1G是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊宛如一位技藝高超的舞者
2025-02-12 15:25:53
據(jù)外媒最新報道,為了應(yīng)對NAND閃存市場的供應(yīng)過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導(dǎo)體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉(zhuǎn)換實現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露,自去年年底以來,三星電子和SK海力士正積極
2025-02-12 10:38:13
856 APTGT75SK120TG型號簡介 APTGT75SK120TG是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊它如同一位優(yōu)雅
2025-02-10 16:36:36
APTGT100SK170TG型號簡介 APTGT100SK170TG是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊猶如精密的時鐘,確保了
2025-02-08 17:44:28
SK 海力士近日正式公布了截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務(wù)報告,數(shù)據(jù)顯示,該公司在過去一年中取得了令人矚目的業(yè)績。 2024年全年,SK 海力士營收達(dá)到了661929億韓元(約
2025-02-08 16:22:38
1657 APTGT600SK60G型號簡介 APTGT600SK60G是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊如同一位英雄,揮舞著利劍,劈開
2025-02-08 09:26:02
近日,SK海力士發(fā)布了其截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務(wù)報告,業(yè)績表現(xiàn)出色。 數(shù)據(jù)顯示,SK海力士在2024年全年營收達(dá)到了661929億韓元(當(dāng)前約合3346.71億元
2025-01-24 14:00:26
1054 挑戰(zhàn)傳統(tǒng),打破限制,勇攀高峰,打破常規(guī)者們在尋求開創(chuàng)性解決方案的過程中重塑規(guī)則。繼SK海力士品牌短片《誰是打破常規(guī)者》播出后,將推出一系列文章,展示公司在重塑技術(shù)、重新定義行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面采取的各種“打破常規(guī)”的創(chuàng)新舉措。本系列第七篇文章將深入探討SK海力士在CXL技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)進(jìn)展。
2025-01-24 10:25:27
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SK海力士近日發(fā)布了截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務(wù)報告,數(shù)據(jù)顯示公司再創(chuàng)佳績。2024財年,SK海力士的營業(yè)收入高達(dá)66.1930萬億韓元,營業(yè)利潤達(dá)到23.4673萬億韓元,凈利潤更是攀升至19.7969萬億韓元,這一成績刷新了公司歷史上的最佳年度業(yè)績記錄。
2025-01-23 15:49:10
2056 產(chǎn)品價格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉,SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無疑將對市場產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 根據(jù)機(jī)構(gòu)先前發(fā)布的報告,SK海力士在NAND Flash存儲器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:55
1095 APTGT50SK170TG型號簡介 APTGT50SK170TG是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊具有低電壓降和低尾電流的優(yōu)勢
2025-01-15 15:21:31
深圳鴻合智遠(yuǎn)|DSO753SK/DSO753SJ/DSO753SD:表面貼裝差分輸出晶體振蕩器
2025-01-15 09:55:20
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APTGT50SK120TG型號簡介 APTGT50SK120TG是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊采用先進(jìn)的快速溝槽 + 場
2025-01-14 16:05:04
深圳鴻合智遠(yuǎn)|DSO533SK/DSO533SJ:表面貼裝差分輸出晶體振蕩器
2025-01-14 10:53:57
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深圳鴻合智遠(yuǎn)|DSO223SK/DSO323SK/DSO223SJ/DSO323SJ/DSO223SD/DSO323SD:表面貼裝差分輸出晶體振蕩器
2025-01-11 10:12:42
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SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存(HBM)的DRAM產(chǎn)能,目標(biāo)是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片,這一增幅達(dá)到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達(dá)外,其他領(lǐng)先人工智能(AI)芯片公司需求激增的積極回應(yīng)。
2025-01-07 16:39:09
1301 SK海力士重返拉斯維加斯,參加2025年國際消費類電子產(chǎn)品展覽會(Consumer Electronics Show,以下簡稱“CES”),并展示其顛覆行業(yè)的面向人工智能的存儲創(chuàng)新技術(shù)。CES 2025于1月7日至10日舉行,匯聚了全球領(lǐng)先科技公司的頂尖人才與突破性技術(shù),共同引領(lǐng)未來科技的發(fā)展潮流。
2025-01-07 16:20:46
1440 近期,NAND Flash市場再次迎來重要變動。據(jù)媒體報道,繼鎧俠、美光相繼宣布減產(chǎn)后,市場又傳出三星、SK海力士兩大韓廠也將減產(chǎn)消費級NAND Flash的消息。這標(biāo)志著首次有韓國廠商加入減產(chǎn)行列
2025-01-07 14:04:06
835 的專題演講外,有傳聞稱黃仁勛還將與SK集團(tuán)的會長崔泰源進(jìn)行一場視頻對談。這場對談預(yù)計將聚焦于高頻寬記憶體(HBM)的最新發(fā)展,特別是英偉達(dá)與SK海力士在新一代HBM4方面的合作。據(jù)媒體報道,去年11月崔泰源曾透露,英偉達(dá)已要求SK海力士提前半年出貨新一代
2025-01-06 13:54:10
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