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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>TI推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān)--TI TPS

TI推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān)--TI TPS

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2025-11-20 10:09:00

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MSN24VD03-GR是Cyntec(乾坤)推出的一款高頻、高功率密度非隔離PoL降壓DC-DC電源模塊,采用單級(jí)降壓架構(gòu)設(shè)計(jì),具備優(yōu)異的電壓控制性能,能夠?qū)?.1V至24V的寬范圍輸入電壓
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2025-08-29 15:25:50682

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PL32001 24V,10A,帶負(fù)載斷開控制的同步升壓轉(zhuǎn)換器技術(shù)手冊(cè)

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Texas Instruments TPS22999導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)是一款單通道負(fù)載開關(guān),旨在實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通時(shí)間和較低的浪涌電流。該負(fù)載開關(guān)具有N溝道MOSFET,可在0.1V至V~BIAS~ -1V
2025-08-08 09:51:11999

Texas Instruments TPS22999EVM 驅(qū)動(dòng)評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments TPS22999EVM評(píng)估模塊提供一種簡(jiǎn)單的方法,用以測(cè)量和評(píng)估TPS22999負(fù)載開關(guān)。TI TPS22999EVM是一款雙層PCB,具有與器件的V
2025-08-05 11:47:02685

SL3075 4.5V-60V輸入電壓 5A降壓恒壓國(guó)產(chǎn)兼容替代TPS54560方案

SL3075與TPS54560腳位兼容替換技術(shù)指南一、核心兼容性驗(yàn)證根據(jù)SL3075技術(shù)文檔第一頁(yè)內(nèi)容,該器件與TITPS54560在封裝和引腳配置上具有?完全兼容性?: ?封裝匹配?:均采用
2025-07-30 15:19:47

Texas Instruments TPS22991EVM評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments TPS22991EVM評(píng)估模塊采用TPS22991負(fù)載開關(guān)。到TPS22991的V~IN~ 和V~OUT~ 連接以及PCB布局布線可處理持續(xù)大電流,并能提供一個(gè)
2025-07-28 10:33:52694

SL3075國(guó)產(chǎn)高效Buck轉(zhuǎn)換器替代TI TPS54340方案

TPS54340為5.5-42V),適配48V工業(yè)總線及高壓汽車系統(tǒng) 更高輸出能力?:5A連續(xù)電流(TPS54340為3.5A),功率密度提升42% 更低導(dǎo)通損耗?:集成90mΩ高端MOSFET(TI方案
2025-07-22 15:38:46

Bourns 推出具高耐熱性全新厚膜電阻系列, 采用緊湊 TO-227 封裝

領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商,推出全新厚膜電阻系列,具備高耐熱特性并采用緊湊 TO-227 封裝。Bourns? Riedon? PF2270 系列功率厚膜電阻采用厚膜技術(shù)設(shè)計(jì),具備卓越的功率耗散能力與優(yōu)異的脈沖處理性能,搭配散熱片時(shí)可承受高達(dá) 300 瓦的功率耗散。其低電感設(shè)計(jì)與高功率處理能力,使該系
2025-07-11 17:39:141578

中低壓MOS管MDDG10R08G數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款N溝道MV MOSFET采用MDD半導(dǎo)體先進(jìn)的溝槽功率工藝制造,該工藝整合了屏蔽柵極技術(shù)。該工藝經(jīng)過優(yōu)化,可最大限度降低導(dǎo)通電阻,同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,并具備業(yè)界領(lǐng)先的軟體二極管特性。
2025-07-10 15:01:371

中低壓MOS管MDDG10R08D數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款N溝道MV MOSFET采用MDD半導(dǎo)體先進(jìn)的溝槽功率工藝制造,該工藝整合了屏蔽柵極技術(shù)。該工藝經(jīng)過優(yōu)化,可最大限度降低導(dǎo)通電阻,同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,并具備業(yè)界領(lǐng)先的軟體二極管特性。
2025-07-10 15:00:431

中低壓MOS管MDDG06R10Q數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款N溝道MOSFET采用MDD半導(dǎo)體先進(jìn)的溝槽功率工藝制造,該工藝整合了屏蔽柵極技術(shù)。該工藝經(jīng)過優(yōu)化,可最大限度降低導(dǎo)通電阻,同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,并具備業(yè)界領(lǐng)先的軟體二極管特性。
2025-07-10 14:58:011

TPS53321 具有集成 MOSFET 的 2.9V 至 6V、5A 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS53321 器件提供完全集成的 3V 至 5V V 電壓~在~集成同步 FET 轉(zhuǎn)換器解決方案,200 個(gè)組件中共有 16 個(gè)組件 毫米^2^的 PCB 面積。由于低導(dǎo)通電阻TI 專有
2025-07-10 13:57:25547

中低壓MOS管2N7002KDW數(shù)據(jù)手冊(cè)

導(dǎo)通電阻的高密度電池設(shè)計(jì) ?電壓控制小信號(hào)開關(guān) ?堅(jiān)固耐用且可靠性高 ?高飽和電流能力 ?具備靜電放電保護(hù) ?便攜設(shè)備負(fù)載開關(guān) ?直流/直流轉(zhuǎn)換器
2025-07-09 15:01:170

Texas Instruments TPS54538EVM評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

,提供負(fù)載電流高達(dá)5A的5.0V穩(wěn)壓輸出。TI TPS54538EVM的設(shè)置,如工作模式、軟啟動(dòng)時(shí)間和開關(guān)頻率,可通過跳線輕松調(diào)整或設(shè)置。
2025-07-07 14:02:05670

請(qǐng)幫忙看看這個(gè)TI ADR芯片的具體型號(hào)

圖片就是這樣,驗(yàn)證過,絲印TI 26 ADR也可以用,請(qǐng)大家?guī)兔o出具體型號(hào),感謝!
2025-07-06 23:08:47

英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的CoolSiCTM MOSFET 750 V G2

行業(yè)芯事行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2025-07-04 11:25:31

TPS548D22 具有差分遠(yuǎn)程感應(yīng)功能的 1.5V 至 16V、40A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

全差分感應(yīng) TI 集成 FET,具有高側(cè)導(dǎo)通電阻 2.9mΩ,低側(cè)導(dǎo)通電阻為 1.2mΩ。該器件還具有精確的 0.5%、0.9V 基準(zhǔn)電壓,環(huán)境溫度范圍為 –40°C 至 +125°C。 具有競(jìng)爭(zhēng)力
2025-06-20 09:29:32619

TPS548D21 具有 AVSO和差分遠(yuǎn)程感應(yīng)功能的1.5V 至 16V、40A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

全差分感應(yīng) TI 集成 FET,具有高側(cè)導(dǎo)通電阻 2.9mΩ,低側(cè)導(dǎo)通電阻為 1.2mΩ。該器件還具有精確的 0.5%、0.9V 基準(zhǔn)電壓,環(huán)境溫度范圍為 –40°C 至 +125°C。 具有競(jìng)爭(zhēng)力的功能包括:極少的外部元件數(shù)量、精確的負(fù)載調(diào)節(jié)和線性調(diào)節(jié)、FCCM 模式作和內(nèi)部軟啟動(dòng)控制。
2025-06-19 11:30:22595

TPS568215 具有 D-CAP3 控制的 4.5V 至 17V、8A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS568215 是 TI 最小的單片 8A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,具有自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP3? 控制模式。該器件集成了低導(dǎo)通電阻 DS(on) 功率 MOSFET,可實(shí)現(xiàn)高效率,并以最少的外部
2025-06-19 09:48:51663

TPS548B22 具有差分遠(yuǎn)程感應(yīng)功能的 1.5V 至 18V、25A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

全差分感應(yīng) TI 集成 FET,具有高側(cè)導(dǎo)通電阻 4.1 mΩ 和 1.9 mΩ 低側(cè)導(dǎo)通電阻。該器件還具有精確的 0.5%、0.9V 基準(zhǔn)電壓,環(huán)境溫度范圍為 –40°C 至 +125°C。 具有
2025-06-18 14:43:56551

TPS549B22 具有差分遠(yuǎn)程感應(yīng)和 PMBus 的 1.5V 至 18V、25A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

具有全差分感應(yīng)和 TI 集成 FET,具有高側(cè)導(dǎo)通電阻 4.1mΩ 和 1.9mΩ 低側(cè)導(dǎo)通電阻。該器件還具有一個(gè)精確的 0.5%、0.9V 基準(zhǔn),環(huán)境溫度范圍為 –40°C 至 +125°C。 具有
2025-06-18 09:54:53549

TPS51385 具有導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP3 控制的 4.5V 至 24V 輸入、7A 同步降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51385 是一款單片 7A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,具有自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP3 控制模式。集成的低導(dǎo)通電阻 DS(on) 功率 MOSFET 可實(shí)現(xiàn)高效率,并以最少的外部元件數(shù)量為空間受限
2025-06-05 13:37:46577

TPS568236 4.5V 至 18V 輸入、8A 同步降壓穩(wěn)壓器,具有導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP3? 控制模式數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS568236 是具有自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP3 控制模式的單片 8A 同步降壓轉(zhuǎn)換器。集成的低導(dǎo)通電阻 DS(on) 功率 MOSFET 可實(shí)現(xiàn)高效率,并以最少的外部元件數(shù)量為空間受限的電源
2025-06-05 09:50:51530

特瑞仕XC8107/XC8108/XC8109系列參數(shù)特性 負(fù)載開關(guān)IC選型 數(shù)據(jù)手冊(cè)與產(chǎn)品手冊(cè)分享

特瑞仕的XC8107/XC8108/XC8109系列是高性能負(fù)載開關(guān) IC,具有低導(dǎo)通電阻、快速響應(yīng)和靈活的電流限制設(shè)置。
2025-05-26 18:24:271325

MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

導(dǎo)通電阻(RDSON)指的是在規(guī)定的測(cè)試條件下,使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)(工作在線性區(qū)),漏極(D)與源極(S)之間的直流電阻,反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對(duì)電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:343803

TPS2543 USB 充電端口控制器和帶負(fù)載檢測(cè)的 2.5A 電源開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS2543 是一個(gè) USB 充電端口控制器和電源開關(guān),集成了 USB 2.0 高速數(shù)據(jù)線 (D+/D–) 開關(guān)TPS2543 在 D+/D– 線路上提供電信號(hào) 支持在 Device
2025-05-26 10:08:00690

TPS2547 USB 充電端口控制器和帶負(fù)載檢測(cè)的 3A 電源開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS2547 是一個(gè) USB 充電端口控制器和電源開關(guān),帶有集成的 USB 2.0 高速數(shù)據(jù)線 (D+/D–) 開關(guān)。TPS2547 在 D+/D– 上提供電簽名,以支持*功能描述*部分中列出
2025-05-23 09:59:34774

MAX22910具有高級(jí)診斷和負(fù)載電流監(jiān)控功能的21mΩ、80V高側(cè)開關(guān)技術(shù)手冊(cè)

MAX22910 是一款工業(yè)高端開關(guān),用作電流源輸出設(shè)備。高端開關(guān)導(dǎo)通電阻 R~ON~ 為 21mΩ(典型值)和 40mΩ(最大值)。最大負(fù)載電流受到限制,并通過 CURLIM 電阻器設(shè)置在 0.7A 至 9A 范圍內(nèi),精度為 ±10%。在+100°C 環(huán)境溫度下,最大連續(xù)負(fù)載電流高達(dá) 7A。
2025-05-20 15:54:48826

MUN12AD03-SECM替代TPSM86325x、TPSM82913、TPSM843320、TPSM82903、TPS82130

MUN12AD03-SECM是一款高效率DC/DC電源模塊,具備PWMT Mode自動(dòng)操作和根據(jù)負(fù)載的省電模式,可提供更簡(jiǎn)易的控制電路和更快的瞬態(tài)響應(yīng)。MUN12AD03-SECM電源模塊憑借其卓越
2025-05-20 09:29:11

TPS22901 3.6V、0.5A、78mΩ、22nA 漏電流負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22901、TPS22902 和 TPS22902B 都是小的、低導(dǎo)通電阻 (r ~上~ ) 負(fù)載開關(guān)。這些器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET,可在 1.0 V 至 3.6 V 的輸入電壓
2025-05-14 10:44:11534

TPS22960 具有輸出放電功能的 2 通道、5.5V、0.5A、435mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22960 是一款具有受控導(dǎo)通功能的小型低 rON 雙通道負(fù)載開關(guān)。這些器件包含兩個(gè) P 溝道 MOSFET,可在 1.62V 至 5.5V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作。每個(gè)開關(guān)都由開/關(guān)輸入
2025-05-14 09:43:07546

TPS22904 具有輸出放電的 3.6V、0.5A、66mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22903 和 TPS22904 超小,低 r~上~單通道 帶受控導(dǎo)通的負(fù)載開關(guān)。該器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET,可在 輸入電壓范圍為 1.1 V 至 3.6 V。開關(guān)由開和關(guān)輸入
2025-05-13 16:11:461042

TPS22934 具有輸出放電的 3.6V、1A、63mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22934 是一個(gè)小的低導(dǎo)通電阻 (r ~上~ ) 帶受控導(dǎo)通的負(fù)載開關(guān)。這些器件包含一個(gè) P 通道 MOSFET 可在 1.5 V 至 3.6 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 該開關(guān)由具有
2025-05-13 15:26:43584

TPS22924B 3.6V、2A、18.3mΩ 負(fù)載開關(guān),輸出放電和 3.6V 時(shí)上升時(shí)間為 100μs數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22924x 是一款小型低 R~上~帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負(fù)載開關(guān) 上。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0.75 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作 至 3.6 V。集成電荷泵對(duì) NMOS 開關(guān)
2025-05-13 14:18:56577

TPS22920 具有輸出放電的 3.6V、4A、5.3mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22920x 是一款節(jié)省空間的小型負(fù)載開關(guān) 具有受控導(dǎo)通功能,以減少浪涌電流。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可以 在 0.75 V 至 3.6 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作,開關(guān)電流高達(dá)
2025-05-13 13:45:41490

TPS22929D 具有輸出放電的 5.5V、1.8A、115mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

直接連接 帶低壓控制信號(hào)。TPS22929D 為 active high enable。 該TPS22929D包含一個(gè) 150 Ω 片上負(fù)載電阻器,可在 開關(guān)已關(guān)閉。設(shè)備的上升時(shí)間在內(nèi)部進(jìn)行控制,以避免浪涌 當(dāng)前。
2025-05-13 10:25:30599

TPS22966 2 通道、5.5V、6A、16mΩ 負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時(shí)間和輸出放電數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22966 是一個(gè)小而低的 R ~上~ ,帶受控導(dǎo)通的雙通道負(fù)載開關(guān)。該設(shè)備包含 兩個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0.8 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并且可以 支持每通道最大
2025-05-13 09:57:32535

TPS22964C 具有輸出放電的 5.5V、3A、14mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

A。一 集成電荷泵偏置 NMOS 開關(guān),以實(shí)現(xiàn)低開關(guān)導(dǎo)通電阻。這 開關(guān)由 ON/OFF 輸入 (ON) 控制,該輸入 (ON) 能夠直接與 低壓 GPIO 控制信號(hào)。TPS22963/64 器件的上升時(shí)間由內(nèi)部控制 以避免浪涌電流。
2025-05-12 15:58:13547

TPS22967 具有可調(diào)上升時(shí)間和輸出放電的 5.5V、4A、22mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22967 器件是一款小型、超低 R ~上~ 、單通道負(fù)載 帶受控導(dǎo)通的開關(guān)。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 輸入電壓范圍為 0.8 V 至 5.5 V,可支持4 A 的最大
2025-05-12 15:54:20597

TPS22963C 5.5V、3A、14mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

A。一 集成電荷泵偏置 NMOS 開關(guān),以實(shí)現(xiàn)低開關(guān)導(dǎo)通電阻。這 開關(guān)由 ON/OFF 輸入 (ON) 控制,該輸入 (ON) 能夠直接與 低壓 GPIO 控制信號(hào)。TPS22963/64 器件的上升時(shí)間由內(nèi)部控制 以避免浪涌電流。
2025-05-12 15:38:06619

TPS22968 具有可調(diào)上升時(shí)間和輸出放電功能的 2 通道、5.5V、4A、25mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22968x 是一款小型、超低 R ~上~ ,雙通道負(fù)載開關(guān),帶受控導(dǎo)通。該器件包含兩個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0.8 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并支持每個(gè)通道4 A
2025-05-12 14:28:14611

TPS22990 5.5V、10A、3.9mΩ 負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時(shí)間、電源正常和可選輸出放電數(shù)據(jù)手冊(cè)

一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0.6 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并支持 10 A 的最大連續(xù)電流。寬輸入電壓范圍和高電流能力使這些器件可用于多種設(shè)計(jì)和終端設(shè)備。3.9mΩ 導(dǎo)通電阻可最大限度地減少負(fù)載開關(guān)兩端的壓降和負(fù)載開關(guān)的功率損耗。
2025-05-10 10:42:12753

TPS22976 2 通道、5.7V、6A、14mΩ 負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時(shí)間和可選輸出放電數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22976 產(chǎn)品系列由三個(gè)器件組成:TPS22976、TPS22976A 和 TPS22976N。每個(gè)器件都是一個(gè)具有受控導(dǎo)通功能的雙通道負(fù)載開關(guān)。該器件包含兩個(gè) N 溝道 MOSFET,可在
2025-05-10 10:07:48710

TPS22971 具有可調(diào)上升時(shí)間、電源正常和輸出放電的 3.6V、3A、6.7mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

工作,并支持 3 A 的最大連續(xù)電流。6.7mΩ 的低導(dǎo)通電阻可最大限度地降低負(fù)載開關(guān)兩端的功率損耗和壓降。該開關(guān)由開和關(guān)輸入 (ON) 控制,該輸入能夠直接與低壓控制信號(hào)連接。
2025-05-10 09:40:59577

TPS22970 具有輸出放電的 3.6V、4A、4.7mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22970 是一款節(jié)省空間的小型負(fù)載開關(guān),具有受控導(dǎo)通功能,可減少浪涌電流。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0.65 V 至 3.6 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作,脈沖開關(guān)電流高達(dá)
2025-05-10 09:34:50594

TPS22916 具有輸出放電的 5.5V、2A、60mΩ、10nA 漏電流負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22916xx 是一款小型單通道負(fù)載開關(guān),使用低泄漏 P 溝道 MOSFET,可實(shí)現(xiàn)最小的功率損耗。先進(jìn)的柵極控制設(shè)計(jì)支持低至 1 V 的工作電壓,導(dǎo)通電阻和功率損耗的增加最小。 多個(gè)
2025-05-10 09:30:45603

TPS22917 5.5V、2A、80mΩ、10nA 漏負(fù)載開關(guān)可調(diào)上升時(shí)間和可調(diào)輸出放電數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22917x 器件是一款小型單通道負(fù)載開關(guān),使用低泄漏 P 溝道 MOSFET,可實(shí)現(xiàn)最小的功率損耗。先進(jìn)的柵極控制設(shè)計(jì)支持低至 1 V 的工作電壓,導(dǎo)通電阻和功率損耗的增加最小
2025-05-09 17:14:15844

TPS22998 5.5V、10A、4mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22998 是一款單通道負(fù)載開關(guān),可提供可配置的上升時(shí)間,以最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0.2 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并支持 10 A 的最大連續(xù)電流。
2025-05-08 14:25:49704

MUN24AD01-SH 替代TPS82130SILT,TPS82085,ADP2388,ADP2389,LTM8022

在緊湊電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,電源模塊的選型直接影響系統(tǒng)性能和布局效率。Cyntec的MUN24AD01-SH模塊如何成為TITPS82130SILT、TPS82085,ADI的ADP2388
2025-05-08 09:15:39

TPS22995 具有可調(diào)上升時(shí)間的 5.5V 3.5A 20mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22995是一款單通道負(fù)載開關(guān),集成了N-channel MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻(18 mΩ)和可配置的上升時(shí)間,用于限制啟動(dòng)時(shí)的涌入電流。該開關(guān)適用于筆記本電腦、平板電腦、工業(yè)PC及離散工業(yè)解決方案等應(yīng)用。
2025-05-07 17:52:38663

TPS22997 具有電源正常功能的 5.5V 10A 4mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

關(guān)閉時(shí)快速輸出放電,以及下降時(shí)間(t ~秋天~ ) 的輸出可以通過外部電阻器進(jìn)行調(diào)整。該器件上有一個(gè)電源良好 (PG) 信號(hào),指示主 MOSFET 何時(shí)完全導(dǎo)通,可用于啟用下游負(fù)載。集成熱關(guān)斷功能可確保在高溫環(huán)境中提供保護(hù)。
2025-05-07 16:28:22661

TPS22999 具有有限浪涌電流的 4.5V、1.5A、7.5mΩ 導(dǎo)通電阻快速導(dǎo)負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22999 是一款單通道負(fù)載開關(guān),旨在實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通時(shí)間,同時(shí)保持低浪涌電流該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0.1 V 至 VBIAS –1.0 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并可支持 1.5 A 的最大連續(xù)電流。
2025-05-07 10:00:56536

TPS22996 具有可調(diào)上升時(shí)間的 2 通道、5.5V、4A、14mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22996 產(chǎn)品系列由兩個(gè)器件組成:TPS22996 和 TPS22996N。每個(gè)器件都是一個(gè)具有受控導(dǎo)通功能的雙通道負(fù)載開關(guān)。該器件包含兩個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0.6 V 至
2025-05-07 09:47:53599

ROHM推出超低導(dǎo)通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源,開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206

惠斯通電橋的電阻測(cè)量方法

QT-24霜式電橋中的電阻箱)、直流電源、萬用電表、滑線變阻器、開關(guān)等儀器齊備且功能正常。 連接電路 :按照惠斯通電橋的電路圖正確連接各元件。通常,惠斯通電橋由四個(gè)電阻組成,分別為R1、R2、R3(可調(diào)電阻)和Rx(待測(cè)電阻)。這
2025-02-13 15:11:193532

導(dǎo)通電阻驟降21%!Wolfspeed第4代SiC技術(shù)平臺(tái)解析

,Wolfspeed第4代技術(shù)專為簡(jiǎn)化大功率設(shè)計(jì)中常見的開關(guān)行為和設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)而設(shè)計(jì),并為 Wolfspeed 的各類產(chǎn)品(包括功率模塊、分立元件和裸芯片產(chǎn)品)制定了長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展規(guī)劃路線圖。 ? 導(dǎo)通電阻大幅下降,開關(guān)損耗降低,安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技術(shù)主要的提升在于三個(gè)部分,首
2025-02-13 00:21:001523

導(dǎo)通電阻僅為3?!納祥科技NX899單刀雙擲開關(guān)助力高效能設(shè)備

NX899是一款先進(jìn)的CMOS模擬開關(guān),它采用硅柵CMOS技術(shù)制造,在保持CMOS低功耗的同時(shí),實(shí)現(xiàn)了非常低的傳播延遲和低導(dǎo)通電阻,模擬電壓和數(shù)字電壓可能在整個(gè)供電范圍內(nèi)(從VCC到GND)有所不同。 在性能上,NX899能國(guó)產(chǎn)替代SN74LVC1G3157、SGM3157。
2025-02-05 17:26:121123

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