保護(hù)器件在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中扮演著重要角色，尤其是在汽車(chē)電子、通信設(shè)備、消費(fèi)電子及工業(yè)控制系統(tǒng)中。它們的主要作用是防止電路組件遭受過(guò)電壓、過(guò)電流、瞬態(tài)干擾、靜電放電等異常情況的損害，從而延長(zhǎng)系統(tǒng)
2025-12-29 14:18:40
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ON Semiconductor[安森美] 廠(chǎng)商介紹：通過(guò)收購(gòu)和強(qiáng)大的內(nèi)部開(kāi)發(fā)，onsemi在推動(dòng)其增長(zhǎng)的多個(gè)市場(chǎng)和技術(shù)中取得了領(lǐng)導(dǎo)地位，包括汽車(chē)，工業(yè)和云電源。2021年，為了更好地反映
2025-12-21 12:12:27
， 合作將從650V器件開(kāi)始 。安森美該系列產(chǎn)品將結(jié)合格羅方德200毫米增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eMode GaN-on-silicon）工藝，以及自身行業(yè)領(lǐng)先的硅基驅(qū)動(dòng)器、控制器和強(qiáng)化散熱封裝技術(shù)，為AI數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)、工業(yè)、航空航天等應(yīng)用場(chǎng)景，提供更小、更高能效的優(yōu)化系統(tǒng)解決方案。 新聞要點(diǎn)
2025-12-19 20:01:513388 安森美 (onsemi) 的垂直氮化鎵 (vGaN) 晶體管是新一代功率器件，能夠以高頻率處理極高電壓， 效率顯著優(yōu)于傳統(tǒng)的硅芯片。 這項(xiàng)技術(shù)在行業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先水平。 安森美的這個(gè)先進(jìn)設(shè)施占地
2025-12-17 15:45:50286 安森美今日宣布，公司與佛瑞亞海拉（FORVIA HELLA）深化長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作，將在其先進(jìn)汽車(chē)平臺(tái)全面采用安森美的PowerTrench T10 MOSFET技術(shù)。這項(xiàng)新簽訂的長(zhǎng)期協(xié)議將強(qiáng)化雙方合作，助力企業(yè)在未來(lái)十年汽車(chē)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型浪潮中持續(xù)提供創(chuàng)新解決方案。
2025-12-17 15:43:281489 在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，框圖是理解方案全貌、展示模塊之間關(guān)聯(lián)邏輯和對(duì)應(yīng)功能的的關(guān)鍵工具。本文精選安森美（onsemi）十大熱門(mén)應(yīng)用框圖，涵蓋汽車(chē)LED前照燈、48V-12V DC-DC轉(zhuǎn)換器、智能移動(dòng)機(jī)器人及AI數(shù)據(jù)中心等熱門(mén)應(yīng)用，直觀(guān)展現(xiàn)安森美技術(shù)布局與解決方案。
2025-12-17 15:41:15272 
安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布推出采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用的電源封裝技術(shù)帶來(lái)突破。這款新品為電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能基礎(chǔ)設(shè)施及儲(chǔ)能系統(tǒng)等市場(chǎng)的高功率、高電壓應(yīng)用提供增強(qiáng)的散熱性能、可靠性和設(shè)計(jì)靈活性。
2025-12-11 17:48:49736 安森美（onsemi）宣布已與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵（GaN）硅基工藝，以擴(kuò)大 GaN 功率器件的生產(chǎn)規(guī)模。該合作將整合安森美
2025-12-11 17:47:04652 在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。安森美（onsemi）推出的NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET，更是在性能和可靠性方面表現(xiàn)出色。今天，我們就來(lái)詳細(xì)解析這款器件。
2025-12-04 14:44:57263 
氮化鎵功率器件的生產(chǎn)規(guī)模。 ? 備忘錄中明確了合作框架，將整合安森美在集成系統(tǒng)與封裝領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，以及英諾賽科成熟的氮化鎵技術(shù)與高產(chǎn)量制造能力，為工業(yè)、汽車(chē)、電信基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子和人工智能數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)提供高性?xún)r(jià)比、高能效的氮化鎵
2025-12-04 07:42:0010984 在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)元件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天我們要深入探討的是安森美（onsemi）推出的NVMJS3D0N06C單通道N溝道MOSFET，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-12-02 09:23:56514 
在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，被廣泛應(yīng)用于各種高功率場(chǎng)景。而IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)器的性能，直接影響著IGBT的開(kāi)關(guān)特性和系統(tǒng)的整體性能。今天，我們就來(lái)深入探討安森美（onsemi）推出的NCx5710y系列高電流單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-01 14:24:47452 
在電子工程領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）一直是功率電子應(yīng)用中的關(guān)鍵器件。今天，我們要深入探討安森美（onsemi）推出的一款專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)的IGBT——AFGHL50T65RQDN，看看它究竟有哪些獨(dú)特之處。
2025-11-28 16:25:38903 
安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布其董事會(huì)已授權(quán)在未來(lái)三年內(nèi)實(shí)施達(dá)60億美元的新股票回購(gòu)計(jì)劃，自2026年1月1日起生效，原30億美元的授權(quán)將于2025年12月31日到期。根據(jù)
2025-11-27 13:47:45256 安森美 EVBUM2878G-EVB評(píng)估板設(shè)計(jì)用于評(píng)估采用F2封裝的1200VM3S全橋4-PACK模塊。安森美 EVBUM2878G-EVB板支持針對(duì)全橋模塊的雙脈沖開(kāi)關(guān)測(cè)試和開(kāi)環(huán)功率測(cè)試
2025-11-24 14:38:47318 
安森美 (onsemi) SZMMSZ52xT1G汽車(chē)用齊納穩(wěn)壓器是耐用型表面貼裝器件，設(shè)計(jì)用于提供精確的電壓調(diào)節(jié)和過(guò)壓保護(hù)，適用于汽車(chē)及工業(yè)應(yīng)用。此系列齊納二極管采用緊湊的SOD-123封裝，擊穿
2025-11-22 10:42:41907 
安森美 (onsemi) FPF2890 22V/5.5A保護(hù)開(kāi)關(guān)具有5.5A連續(xù)電流和15A浪涌電流（10ms，2%功率開(kāi)關(guān)），適用于USB Type-C ^?^ /供電 (PD) 應(yīng)用。安森美
2025-11-21 16:27:34596 
在電氣化、可再生能源和人工智能數(shù)據(jù)中心的推動(dòng)下，電力電子領(lǐng)域正經(jīng)歷一場(chǎng)變革。安森美(onsemi)憑借創(chuàng)新的垂直氮化鎵 (vGaN) 技術(shù)引領(lǐng)這一浪潮，推出的高能效系統(tǒng)重新定義了性能與可靠性的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。本文將解答關(guān)于 vGaN 的核心疑問(wèn)，并闡釋該技術(shù)對(duì)能源與電源解決方案未來(lái)發(fā)展的影響。
2025-11-20 14:57:242050 2025年 11月 17 日 ?–?專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics) 即日起開(kāi)售安森美?(onsemi) 的最新授權(quán)產(chǎn)品
2025-11-17 16:02:07350 
安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布已與奧拉半導(dǎo)體（Aura Semiconductor）完成Vcore電源技術(shù)及相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）的授權(quán)交易。此項(xiàng)戰(zhàn)略交易增強(qiáng)了安森美的電源管理產(chǎn)品組合與路線(xiàn)圖，加速實(shí)現(xiàn)公司在人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中覆蓋從電網(wǎng)到核心的完整電源樹(shù)的愿景。
2025-11-06 10:50:23646 隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)以及其他高能耗應(yīng)用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹(shù)立新標(biāo)桿。這些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:161980 安森美（onsemi）憑借其業(yè)界領(lǐng)先的Si和SiC技術(shù)，從變電站的高壓交流/直流轉(zhuǎn)換，到處理器級(jí)的精準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)，為下一代AI數(shù)據(jù)中心提供了從3kW到25-30kW HVDC的供電全環(huán)節(jié)高能效、高密度
2025-10-31 13:47:36528 下面的框圖展示了采用安森美 (onsemi) 推薦產(chǎn)品的機(jī)器視覺(jué)方案，該方案集成了多種圖像感知和深度感知技術(shù)，運(yùn)用了安森美的全局和卷簾快門(mén)傳感器系列產(chǎn)品。電源管理、通信等大多數(shù)功能塊器件均可從安森美的全面方案中獲取。
2025-10-13 15:20:111260 
安森美的電源管理產(chǎn)品組合與路線(xiàn)圖，加速實(shí)現(xiàn)公司在人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中覆蓋從電網(wǎng)到核心的完整電源系統(tǒng)的愿景。
2025-09-29 15:28:451458 PCIM Asia 2025近日火爆開(kāi)幕，在人潮涌動(dòng)的展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，安森美（onsemi）展臺(tái)強(qiáng)大的“電力”脈沖，從為下一代AI數(shù)據(jù)中心注入動(dòng)力的澎湃芯臟，到驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)馳騁的硬核支撐，再到賦能工業(yè)自動(dòng)化的精密控制，展示了業(yè)界領(lǐng)先的Si和SiC等智能技術(shù)如何賦能美好未來(lái)。
2025-09-29 15:27:05799 安森美OBC方案采用創(chuàng)新的M3S EliteSiC技術(shù)，通過(guò)DAB結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)交流到直流的轉(zhuǎn)換，可提供電氣隔離，且具備雙向傳輸能力，完美契合未來(lái)電動(dòng)汽車(chē)的發(fā)展需求。
2025-09-09 10:52:511523 
PCIM Asia 2025即將火熱開(kāi)啟，從汽車(chē)電動(dòng)化的澎湃動(dòng)力到工業(yè)場(chǎng)景的智能高效，再到AI數(shù)據(jù)中心穩(wěn)定供電，安森美（onsemi）帶著創(chuàng)新技術(shù)陣容強(qiáng)勢(shì)來(lái)襲。
2025-08-28 11:30:492039 
在現(xiàn)代低壓配電系統(tǒng)中，浪涌保護(hù)器（Surge Protective Device，SPD）已成為必不可少的防雷與過(guò)電壓防護(hù)裝置。SPD主要用于泄放雷擊浪涌電流和開(kāi)關(guān)操作過(guò)電壓，從而保護(hù)下游設(shè)備的安全
2025-08-21 14:50:25735 
安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布與英偉達(dá)（NVIDIA）合作，共同推動(dòng)向800V直流（VDC）供電架構(gòu)轉(zhuǎn)型。這一變革性解決方案將推動(dòng)下一代人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心在能效、密度及可持續(xù)性方面實(shí)現(xiàn)顯著提升。
2025-08-06 17:27:381253 安森美 為小米 的YU7 電動(dòng) SUV 系列 提供 產(chǎn)品和技術(shù)支持 ? 安森美EliteSiC 技術(shù)使車(chē)輛的續(xù)航里程超越同級(jí)別車(chē)型 ? ? ? ? ? ? ? 安森美(onsemi ，美國(guó)納斯達(dá)克
2025-08-05 18:08:371996 
安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布擴(kuò)大與領(lǐng)先的驅(qū)動(dòng)技術(shù)公司舍弗勒（Schaeffler）合作，雙方在一項(xiàng)新的設(shè)計(jì)中標(biāo)項(xiàng)目中采用安森美的下一代碳化硅 MOSFET EliteSiC
2025-08-04 10:31:531038 在電子系統(tǒng)中，保護(hù)器件往往不在顯眼位置，卻與系統(tǒng)安全、認(rèn)證合規(guī)息息相關(guān)。相比高關(guān)注度的芯片、功率器件等，這些過(guò)壓、過(guò)流保護(hù)器件常被視作“藏在幕后”的存在，但真正的工程實(shí)踐中，它們又是“少了不行”的剛
2025-07-25 13:40:02590 
面對(duì)AI算力需求爆發(fā)式增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)中心電力系統(tǒng)正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)推出的AI數(shù)據(jù)中心電源解決方案，直擊能效、尺寸等痛點(diǎn)，助力客戶(hù)把握數(shù)據(jù)中心的市場(chǎng)機(jī)遇。
2025-07-05 13:03:533251 
隨著電氣化浪潮席卷全球，人工智能應(yīng)用持續(xù)爆發(fā)式增長(zhǎng)，使得高能效功率器件需求快速攀升。安森美推出了第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列，將為行業(yè)降低能耗和整體系統(tǒng)成本提供創(chuàng)新思路。
2025-06-24 15:20:251373 近期，安森美（onsemi）首席執(zhí)行官兼總裁哈?！ぐ?庫(kù)里（Hassane El-Khoury）來(lái)華與中國(guó)貿(mào)促會(huì)展開(kāi)交流訪(fǎng)談，并受邀出席世界半導(dǎo)體理事會(huì)會(huì)議期間，接受了財(cái)新專(zhuān)訪(fǎng)，特別闡述了在當(dāng)
2025-06-16 19:17:111074 安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開(kāi)關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性
2025-06-16 16:40:051229 
安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開(kāi)關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性
2025-06-13 10:01:291350 
安森美(onsemi)近期推出的開(kāi)發(fā)工具試用活動(dòng)已圓滿(mǎn)收官，本次活動(dòng)吸引了眾多工程師的積極參與，通過(guò)實(shí)際應(yīng)用體驗(yàn)安森美先進(jìn)的開(kāi)發(fā)工具，共同挖掘其在設(shè)計(jì)中的潛力。之前推文已分享過(guò)用
2025-05-16 15:19:00776 
晶揚(yáng)電子推出一款用于高速信號(hào)線(xiàn)和高頻天線(xiàn)的超低電容ESD保護(hù)器件—TT0501SZ。該產(chǎn)品使用最新的超低電容平臺(tái)和先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了對(duì)超高速線(xiàn)路和高頻天線(xiàn)的保護(hù)，非常適合USB Type-C、Thunderbolt、HDMI和高頻天線(xiàn)的應(yīng)用。
2025-05-14 14:30:22700 
在4月初落幕的“OFweek 2025（第十四屆）中國(guó)機(jī)器人產(chǎn)業(yè)大會(huì)”上，安森美（onsemi）AMG戰(zhàn)略業(yè)務(wù)拓展高級(jí)經(jīng)理Henry Yang發(fā)表“從芯片到應(yīng)用：安森美自主移動(dòng)機(jī)器人（AMR）技術(shù)方案剖析”主題演講，為與會(huì)觀(guān)眾介紹安森美在A(yíng)MR領(lǐng)域的發(fā)展成果。
2025-04-24 10:01:45998 安森美(onsemi)近期推出的開(kāi)發(fā)工具試用活動(dòng)已圓滿(mǎn)收官，本次活動(dòng)吸引了眾多工程師的積極參與，通過(guò)實(shí)際應(yīng)用體驗(yàn)安森美先進(jìn)的開(kāi)發(fā)工具，共同挖掘其在設(shè)計(jì)中的潛力。之前推文已分享過(guò)用
2025-04-17 09:07:13731 
美國(guó)芯片制造商安森美（Onsemi）周一終止了以 69 億美元收購(gòu)規(guī)模較小的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 Allegro MicroSystems 的報(bào)價(jià)，結(jié)束了長(zhǎng)達(dá)數(shù)月的競(jìng)購(gòu)，安森美希望利用市場(chǎng)低迷來(lái)擴(kuò)大其在汽車(chē)行業(yè)
2025-04-15 18:27:581885 
安森美(onsemi)近期推出的開(kāi)發(fā)工具試用活動(dòng)已圓滿(mǎn)收官，本次活動(dòng)吸引了眾多工程師的積極參與，通過(guò)實(shí)際應(yīng)用體驗(yàn)安森美先進(jìn)的開(kāi)發(fā)工具，共同挖掘其在設(shè)計(jì)中的潛力。我們將陸續(xù)發(fā)布用戶(hù)提交的試用報(bào)告，今天分享的試用報(bào)告主題是設(shè)計(jì)一款120W的DC-DC隔離電源。
2025-04-11 09:46:07718 
不同的應(yīng)用場(chǎng)景對(duì) ESD 保護(hù)器件的要求各不相同。例如，對(duì)于高速數(shù)據(jù)傳輸接口，如 USB 3.0、HDMI 2.0 等，需要選擇電容低、響應(yīng)速度快的 ESD 保護(hù)器件，以保證信號(hào)的正常傳輸；對(duì)于電源
2025-04-09 09:38:53898 I.S.I.G. (國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)集團(tuán)）近日宣布， 安森美（onsemi）中國(guó)區(qū)汽車(chē)解決方案負(fù)責(zé)人吳桐博士正式宣布擔(dān)任I.S.I.G.中國(guó)區(qū)主席 。這一任命在3月25日舉辦的 “I.S.I.G.中國(guó)
2025-03-31 19:24:041281 
安森美（onsemi）攜五大圖像傳感創(chuàng)新技術(shù)，在Vision China 2025掀起了一場(chǎng)創(chuàng)新風(fēng)暴。這場(chǎng)以‘視界革新’為核心的展示，正在為AI時(shí)代圖像傳感器智能化發(fā)展錨定方向。
2025-03-28 16:32:54992 （Electrostatic Discharge，簡(jiǎn)稱(chēng) ESD）的敏感度也在不斷增加。ESD 可能會(huì)對(duì)電子設(shè)備造成嚴(yán)重的損害，影響其性能和可靠性。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，ESD 保護(hù)器件應(yīng)運(yùn)而生，成為了守護(hù)電子設(shè)備的 “安全衛(wèi)士”。 常見(jiàn)的 ESD 保護(hù)器件類(lèi)型 1.TVS
2025-03-27 15:18:381427 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢(shì)，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計(jì)支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。
2025-03-26 17:42:302011 
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2025-03-24 10:57:20
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ESD保護(hù)器件ESD0504F規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-24 10:56:220 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ESD保護(hù)器件ESD0505T5L規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-24 10:54:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ESD保護(hù)器件ESD0524P規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
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2025-03-24 10:49:190 ESD保護(hù)器件ESDAxxL Series SOT-23
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2025-03-24 10:39:490 ESD保護(hù)器件ESD0506PHL DFN4120-10L
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2025-03-24 10:28:220 ESD保護(hù)器件ESD0522P DFN1610-6L
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2025-03-24 09:54:490 ESD保護(hù)器件GBLCxxC Series SOD-323
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2025-03-24 09:50:470 安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。
2025-03-19 14:31:281103 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ESD0502T5L SOT-523 ESD保護(hù)器件規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
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2025-03-13 16:45:410 安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)推出其首款實(shí)時(shí)、間接飛行時(shí)間(iToF)傳感器HyperluxID 系列，可對(duì)快速移動(dòng)物體進(jìn)行高精度長(zhǎng)距離測(cè)量和三維成像。
2025-03-12 16:41:361167 數(shù)小時(shí)前，路透社報(bào)道， 傳感器芯片制造商Allegro Microsystems拒絕了半導(dǎo)體巨頭安森美69億美元現(xiàn)金（約合500億人民幣）的收購(gòu)要約，理由稱(chēng)該要約“不夠充分”（inadequate
2025-03-06 18:26:061234 
隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來(lái)越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計(jì)指南。本文將繼續(xù)講解并聯(lián)的挑戰(zhàn)。
2025-02-28 15:50:201253 
碳化硅（SiC）技術(shù)正引領(lǐng)一場(chǎng)革新，為從新能源汽車(chē)到工業(yè)電源管理等多個(gè)行業(yè)帶來(lái)前所未有的效率和性能提升。為了幫助工程師們更好地探索和利用 SiC 技術(shù)的潛力，安森美（onsemi）推出了一系列評(píng)估板，速來(lái)一起探索。
2025-02-25 15:24:03856 安森美半導(dǎo)體近日公布了其2024年第四季度及全年的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。數(shù)據(jù)顯示，該公司在第四季度實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)健的營(yíng)收和利潤(rùn)增長(zhǎng)。 具體來(lái)說(shuō)，安森美第四季度的收入為17.225億美元。在毛利率方面，公司按照公認(rèn)會(huì)計(jì)
2025-02-14 10:10:55788 安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)公布其2024年第四季度及全年業(yè)績(jī)。
2025-02-11 13:04:33949 
在現(xiàn)代電氣系統(tǒng)中，后備保護(hù)器與浪涌保護(hù)器作為防護(hù)設(shè)備，發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們能夠有效預(yù)防由于雷電、瞬時(shí)過(guò)電壓、設(shè)備故障等原因造成的電氣設(shè)備損壞。盡管二者在功能和作用上有所不同，但在某些場(chǎng)景下
2025-01-18 10:49:561397 ? ?【新品發(fā)布】湖南靜芯推出用于USB 3.2的深回掃型靜電保護(hù)器件SEUCS2X3V1BB 湖南靜芯宣布推出全新產(chǎn)品SEUCS2X3V1BB?。SEUCS2X3V1BB是一款保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口
2025-01-07 16:01:261181 
匠心智造，真芯守護(hù)，東沃電子是一家全方位的半導(dǎo)體器件制造商及保護(hù)解決方案服務(wù)商，集研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售為一體的高新技術(shù)企業(yè)。東沃產(chǎn)品線(xiàn)涵蓋電路保護(hù)器件（TVS二極管、ESD靜電保護(hù)器件、陶瓷氣體放電管
2025-01-06 15:10:281357 
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