獲6億訂單，8吋SiC率先量產(chǎn)?襯底綜合成本低30-40%

行家說三代半：2023年貴公司取得了哪些成績(jī)？

趙麗麗：2023年科友半導(dǎo)體取得的成績(jī)包括：

SiC訂單大幅增長(zhǎng)

截止到2023年12月底，科友實(shí)現(xiàn)銷售定單逾6億元人民幣，實(shí)現(xiàn)“當(dāng)年投產(chǎn)即當(dāng)年量產(chǎn)”。

SiC出口取得突破性進(jìn)展

我們與客戶簽署了向歐洲的出口設(shè)備和材料億元訂單，目前該出口合同已經(jīng)進(jìn)入履約階段，標(biāo)志著科友半導(dǎo)體已率先在8英寸SiC襯底方面實(shí)現(xiàn)出貨和突圍，為加快我國(guó)碳化硅襯底產(chǎn)能投資向效益的轉(zhuǎn)變、國(guó)產(chǎn)碳化率襯底搶占行業(yè)先機(jī)、角力歐洲實(shí)現(xiàn)作為。

自產(chǎn)8英寸碳化硅襯底順利下線

2023年，科友半導(dǎo)體突破了大尺寸碳化硅單晶生長(zhǎng)及襯底加工等關(guān)鍵技術(shù)，成為行業(yè)內(nèi)屈指可數(shù)的獨(dú)立掌握8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)及襯底加工能力的企業(yè)，襯底質(zhì)量和成本優(yōu)勢(shì)顯著，率先實(shí)現(xiàn)了8英寸襯底規(guī)模化量產(chǎn)。

憑借一連串喜人成績(jī)與成果，科友半導(dǎo)體已成為中國(guó)碳化硅行業(yè)的標(biāo)桿品牌。

行家說三代半：取得這些成績(jī)的背后，貴公司做了哪些關(guān)鍵工作？

趙麗麗：剛過去不久的2023年，是科友半導(dǎo)體的元年，也是發(fā)力年，我們正式面向行業(yè)亮出多張?zhí)蓟璧着疲?/p>

6-8英寸碳化硅產(chǎn)能建設(shè)

我們已經(jīng)形成以6-8英寸碳化硅襯底為核心，以定制籽晶、料錠、晶棒、鍍膜膠等為輔的碳化硅材料系列產(chǎn)品。

在2023年3月，科友半導(dǎo)體在哈爾濱打造的產(chǎn)、學(xué)、研一體化的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)正式投產(chǎn)，鋪設(shè)年產(chǎn)能5萬(wàn)片碳化硅襯底加工產(chǎn)線并順利通線，穩(wěn)步擴(kuò)充電阻長(zhǎng)晶爐臺(tái)數(shù)，建成8英寸碳化硅襯底中試線，并成功實(shí)現(xiàn)我國(guó)首批8英寸SiC襯底量產(chǎn)和出貨簽約。

掌握全產(chǎn)業(yè)鏈裝備和耗材研發(fā)和規(guī)模制造能力

我們還建成了以6-8英寸感應(yīng)和電阻長(zhǎng)晶爐為核心產(chǎn)品線，以原料提純、碳化鉭蒸鍍、籽晶鍍膜等設(shè)備為基礎(chǔ)線的裝備系列，裝備產(chǎn)能達(dá)到400臺(tái)每年。

掌握“國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)”的大尺寸碳化硅低成本產(chǎn)業(yè)化技術(shù)

我們突破了大尺寸碳化硅晶體易開裂、缺陷控制難、良率低、成本高等共性技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)了熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、原料提純、碳化鉭蒸鍍、籽晶鍍膜及壓接晶體生長(zhǎng)、晶體退火等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的先進(jìn)工藝開發(fā)，實(shí)現(xiàn)了高良率、大尺寸、高品質(zhì)、高厚度晶體生長(zhǎng)。6英寸碳化硅長(zhǎng)晶良率達(dá)到70%，8英寸碳化硅長(zhǎng)晶良率達(dá)到50%，襯底綜合成本較業(yè)內(nèi)低30-40%以上。

中國(guó)電子學(xué)會(huì)組織的成果鑒定會(huì)認(rèn)為，科友碳化硅裝備及工藝成果“創(chuàng)新性強(qiáng)，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，經(jīng)濟(jì)效益顯著，關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)”。

產(chǎn)線完成車規(guī)認(rèn)證

2023年我們還完成了IATF16949、ISO14001/45001/9001等體系認(rèn)證。

開展裝備與材料并行的雙主營(yíng)業(yè)務(wù)

通過供應(yīng)關(guān)鍵耗材的方式，實(shí)現(xiàn)材料系列產(chǎn)品（包括籽晶、料錠、石墨坩堝等）穩(wěn)定銷售，同時(shí)也與設(shè)備客戶合作，銷售其生產(chǎn)的材料產(chǎn)品，進(jìn)一步滿足市場(chǎng)需求。

總的來說，科友半導(dǎo)體能在碳化硅各類賽道脫影而出的秘訣在于——格局總能比行業(yè)領(lǐng)先一步，甚至是一代。

SiC行業(yè)下半場(chǎng)是8吋時(shí)代?

科友提前布局、持續(xù)推進(jìn)

行家說三代半：您如何看待8英寸SiC襯底的發(fā)展？

趙麗麗：2023年業(yè)內(nèi)有多家企業(yè)陸續(xù)推出8英寸碳化硅襯底，成為市場(chǎng)熱點(diǎn)，呈現(xiàn)出加速替代6英寸襯底的勢(shì)頭。我們認(rèn)為，碳化硅行業(yè)的下半場(chǎng)就是8英寸的時(shí)代，誰(shuí)的8英寸襯底先出貨，誰(shuí)就能更好地把握住時(shí)代機(jī)遇。

在此形勢(shì)下，面對(duì)這個(gè)爆發(fā)性增長(zhǎng)的市場(chǎng)機(jī)遇和產(chǎn)業(yè)差距，國(guó)產(chǎn)廠商誰(shuí)可以真正實(shí)現(xiàn)8寸SiC襯底的量產(chǎn)并通過市場(chǎng)驗(yàn)證，才能真正掌握時(shí)代拐點(diǎn)的正確方向，這是科友半導(dǎo)體已提前布局并持續(xù)推進(jìn)的戰(zhàn)略藍(lán)圖。

行家說三代半：貴公司圍繞8英寸SiC還做了哪些核心技術(shù)布局？

趙麗麗：科友半導(dǎo)體的8英寸SiC核心技術(shù)布局體現(xiàn)在多個(gè)方面，包括：

（1）作為電阻爐量產(chǎn)大尺寸碳化硅的倡導(dǎo)者，前瞻性開展電阻加熱式長(zhǎng)晶爐設(shè)備及工藝開發(fā)，面向大尺寸低成本碳化硅襯底制備的發(fā)展方向，在8英寸電阻加熱碳化硅長(zhǎng)晶爐方面超前布局，報(bào)道了國(guó)內(nèi)第一顆基于電阻爐的8英寸碳化硅晶體，晶體質(zhì)量居業(yè)內(nèi)第一梯隊(duì)。

（2）加快推進(jìn)8英寸襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，在國(guó)內(nèi)率先建成8英寸碳化硅晶體中試線和碳化硅襯底中試線，實(shí)現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)。

（3）在業(yè)內(nèi)率先提出碳化硅材料一站式解決方案，打造全產(chǎn)業(yè)鏈裝備和材料研發(fā)制造能力，在熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、原料提純、碳化鉭蒸鍍、籽晶鍍膜及壓接工藝晶體生長(zhǎng)方面持續(xù)研發(fā)，形成獨(dú)具特色的科友系列裝備產(chǎn)品和材料產(chǎn)品。

立足關(guān)鍵技術(shù)，增加35萬(wàn)片產(chǎn)能?

解決碳化硅2大挑戰(zhàn)

行家說三代半：未來幾年，整個(gè)行業(yè)將面臨的挑戰(zhàn)有哪些？貴公司將如何面對(duì)并解決挑戰(zhàn)？

趙麗麗：我們認(rèn)為碳化硅襯底行業(yè)主要將面臨2方面挑戰(zhàn)：

（1）8英寸襯底良率提升。

行業(yè)對(duì)8英寸碳化硅襯底的良率的要求越來越高，相比于6英寸襯底，8英寸襯底良率仍處于較低水平，8英寸襯底的規(guī)模應(yīng)用要求足夠高的襯底良率和晶體生長(zhǎng)工藝。

科友將持續(xù)開展晶體生長(zhǎng)良率提升研究，發(fā)揮電阻爐優(yōu)勢(shì)，在晶體厚度、良率、品質(zhì)上持續(xù)改進(jìn)，優(yōu)化襯底加工工藝，提高核心競(jìng)爭(zhēng)力。

（2）襯底價(jià)格持續(xù)降低。

行業(yè)對(duì)產(chǎn)品價(jià)格降低有著明確的需求，襯底成本的降低離不開關(guān)鍵耗材成本的降低，需要不斷提升原料利用率，以及耗材使用壽命，從而降低襯底成本。

科友將立足8英寸襯底低成本量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，依靠原料提純、碳化鉭蒸鍍、籽晶鍍膜以及壓接晶體生長(zhǎng)等獨(dú)家工藝，不斷提升價(jià)格上的優(yōu)勢(shì)，保持領(lǐng)先地位。

行家說三代半：2024年，貴司定下來了哪些規(guī)劃和目標(biāo)？

趙麗麗：我們?cè)?024年主要有5個(gè)方面的規(guī)劃：

（1）推進(jìn)8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)。

（2）推進(jìn)8英寸碳化硅襯底下游驗(yàn)證，與更多下游客戶簽訂襯底供應(yīng)長(zhǎng)單。

（3）加快二期擴(kuò)產(chǎn)建設(shè)，擴(kuò)充襯底產(chǎn)能達(dá)到年產(chǎn)35萬(wàn)片。

（4）推動(dòng)科友碳化硅系列裝備及材料在行業(yè)內(nèi)的廣泛應(yīng)用，深入打造碳化硅材料行業(yè)的一站式供應(yīng)商，與設(shè)備客戶合作共贏擴(kuò)充科友系襯底產(chǎn)能。

（5）加快市場(chǎng)推廣，實(shí)現(xiàn)訂單額快速提升。

襯底、設(shè)備、耗材多維度降本

追趕SiC國(guó)際一流企業(yè)?

行家說三代半：成本是把雙刃劍，行業(yè)規(guī)?；l(fā)展需要接近硅器件的低成本，但也要防止被低價(jià)所反噬， 您如何看待行業(yè)的低價(jià)和同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)？

趙麗麗：成本持續(xù)下降是新產(chǎn)品規(guī)模應(yīng)用的前提條件，是碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈加速滲透和快速增長(zhǎng)的關(guān)鍵，有利于帶動(dòng)整個(gè)行業(yè)的快速發(fā)展，擴(kuò)大應(yīng)用領(lǐng)域和市場(chǎng)空間，推動(dòng)綠色經(jīng)濟(jì)發(fā)展和雙碳目標(biāo)實(shí)現(xiàn)。

低成本的趨勢(shì)雖然會(huì)對(duì)行業(yè)內(nèi)企業(yè)會(huì)帶來一定沖擊和壓力，但是會(huì)倒逼行業(yè)上下游企業(yè)共同努力，有利于企業(yè)加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新，不斷提高技術(shù)水平，從而推動(dòng)形成新的技術(shù)、新的工藝、新的裝備，利于有競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展。

更長(zhǎng)遠(yuǎn)上看，我國(guó)擁有超大規(guī)模單一市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，在碳化硅半導(dǎo)體方面需求巨大，預(yù)計(jì)我國(guó)將成為碳化硅半導(dǎo)體的應(yīng)用和制造中心，低成本使我國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)，有望實(shí)現(xiàn)與國(guó)際一流水平企業(yè)，從追趕到并跑再到超越的目標(biāo)。

科友在低成本碳化硅襯底制備方面掌握核心關(guān)鍵技術(shù)，襯底成本較行業(yè)低40%以上，具有明顯價(jià)格優(yōu)勢(shì)，在8英寸碳化硅方面，電阻爐穩(wěn)定性高、晶體一致性好、晶體應(yīng)力小等優(yōu)勢(shì)，與科友大尺寸碳化硅低成本產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)相結(jié)合，在大尺寸碳化硅襯底賽道上將獲得更為突出的成本優(yōu)勢(shì)。

行家說三代半：針對(duì)目前的行業(yè)現(xiàn)狀，貴公司有哪些好的做法和建議？

趙麗麗：針對(duì)目前的行業(yè)現(xiàn)狀，我們認(rèn)為應(yīng)加強(qiáng)自主研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新，技術(shù)水平是影響產(chǎn)品成本的重要因素，科友突破了大尺寸碳化硅低成本產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，掌握了大尺寸熱場(chǎng)設(shè)計(jì)技術(shù)，同時(shí)還研發(fā)了相配套的獨(dú)特的晶體生長(zhǎng)熱場(chǎng)耗材，碳化鉭蒸鍍石墨件、預(yù)結(jié)晶提純料錠、鍍膜籽晶等。例如，科友感應(yīng)設(shè)備石墨耗材壽命比業(yè)內(nèi)多3倍，實(shí)現(xiàn)了坩堝等關(guān)鍵耗材的多次重復(fù)使用，相比于坩堝壽命為業(yè)內(nèi)2次左右，而科友達(dá)到6-8次以上。

通過開展前瞻性研發(fā)，科友成為國(guó)內(nèi)第一家同時(shí)擁有8英寸感應(yīng)爐和8英寸電阻爐的企業(yè)，實(shí)現(xiàn)了耗材聯(lián)動(dòng)使用，將感應(yīng)設(shè)備使用后的耗材應(yīng)用到電阻設(shè)備中，可再次重復(fù)使用20次以上，成本大幅降低，部分耗材成本是其他企業(yè)的1/15。在碳化鉭蒸鍍、石墨提純等多項(xiàng)技術(shù)的支撐下，科友基本實(shí)現(xiàn)了全部耗材國(guó)產(chǎn)化，相比于進(jìn)口材料，成本下降一半以上。襯底綜合成本降低40%以上。

建議碳化硅企業(yè)在成本方面多做工作，加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)，主動(dòng)適應(yīng)行業(yè)內(nèi)產(chǎn)品價(jià)格不斷下降的發(fā)展趨勢(shì)，最大程度提高企業(yè)效益。需要指出，晶體生長(zhǎng)熱場(chǎng)需要和晶體生長(zhǎng)工藝相匹配，而晶體生長(zhǎng)工藝的調(diào)節(jié)和優(yōu)化需要長(zhǎng)期的長(zhǎng)晶經(jīng)驗(yàn)積累，也是主要的技術(shù)壁壘。這些特點(diǎn)也需要新入場(chǎng)的碳化硅企業(yè)重視。

審核編輯：黃飛