并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢(shì) - 包括顯著降低功耗、更快的響應(yīng)時(shí)間、無與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無法復(fù)制的。
2022-11-14 15:34:19
2378 
0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數(shù)字電位器，能夠?qū)崿F(xiàn)機(jī)械電位器的功能，用簡單的2線數(shù)字接口取代機(jī)械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
?在引導(dǎo)閃存之間選擇 ?設(shè)置ASIC配置/配置文件 ?服務(wù)器 ?網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ) ?路由器 ?電信設(shè)備 ?PC外圍設(shè)備 一般說明 DS4520是一個(gè)9位非易失性（NV）I/O擴(kuò)展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級(jí)用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過編程使DS3902從地址置為128個(gè)可用地址之
2021-05-17 07:29:10
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢(shì)。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí)，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵?，它的?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
數(shù)字電位器存儲(chǔ)類型標(biāo)注具有“易失性”，他的意思是不是說，假設(shè)當(dāng)前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個(gè)位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個(gè)位置了。“非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個(gè)位置。是這個(gè)意思嗎
2024-11-21 07:15:57
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
我應(yīng)該用什么API來存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊(cè)上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
DS3902雙路、非易失、可變電阻器，帶有用戶EEPROM
2008-04-15 13:07:22
41 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
Maxim推出帶有用戶可編程非易失(NV)存儲(chǔ)器的質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證IC DS28E10。采用經(jīng)過業(yè)內(nèi)認(rèn)證的FIPS 180-3安全散列算法(SHA-1),結(jié)合主控制器提供的可編程私鑰和隨機(jī)質(zhì)詢的命令實(shí)現(xiàn)整個(gè)認(rèn)
2010-08-14 15:12:2617 DS3070W是Dallas公司最新推出的單片、內(nèi)含實(shí)時(shí)時(shí)鐘的非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器。該器件內(nèi)部集成了16 Mb NV SRAM、非易失性控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘和一個(gè)鋰錳（ML）可充電電池。介紹了DS3070W的性能
2010-12-06 15:31:4622 英特矽爾Intersil推出小型非易失性按鈕式數(shù)控電位器ISL22511/12
Intersil公司近日宣布推出全球最小的非易失性按鈕式數(shù)控電位器（DCP）ISL22511和ISL22512。Intersil
2008-08-05 09:23:551350 DS4301非易失、32抽頭數(shù)字電位器
DS4301是一款單32抽頭線性數(shù)字電位器，具有200kΩ端到端電阻?；瑒?dòng)端位置存儲(chǔ)在EEPROM中，因此DS4301上電時(shí)就處于最近
2008-10-01 23:49:531158 
DS1804 非易失調(diào)節(jié)電位器
DS1804 NV微調(diào)電位器是非易失數(shù)字電位器，具有100個(gè)抽頭位置。為CPU控制或手動(dòng)控制輸入的低成本電路調(diào)節(jié)應(yīng)用提供了一個(gè)理
2008-10-02 00:00:572415 
DS1859 雙路、溫控電阻，內(nèi)置校準(zhǔn)監(jiān)視器
DS1859概述
DS1859雙路、溫控、非易失(NV)電阻具有3個(gè)監(jiān)視器，包
2008-10-22 21:38:50942 
固態(tài)易失性精密電位器構(gòu)成的溫度測(cè)量電路
2009-02-11 23:19:31721 
摘要：本文討論如何使用安全數(shù)字(SD)媒體格式擴(kuò)展MAXQ2000的非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 低功耗、低噪聲的MAXQ2000微控制器適合于多種應(yīng)用。MAXQ2000在閃存中存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，
2009-04-23 16:25:251387 
Abstract: The DS1851 is a dual 8-bit digital-to-analog converter (DAC) which also contains dual
2009-04-29 09:51:241712 
充分利用MAXQ®處理器的非易失存儲(chǔ)服務(wù)
摘要：需要非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用通常都需要使用外部串行EEPROM。這篇文章介紹了僅使用MAXQ微控制器中已有的閃存提供非易失
2009-05-02 09:28:541079 
MAX5386, MAX5388 雙路、256抽頭、易失、低電壓線性變化數(shù)字電位器
概述
2010-01-11 18:37:581342 
MAX5387 雙路、256抽頭、易失、低電壓線性變化數(shù)字電位器
概述
The MAX5387
2010-02-21 11:43:471128 
概述
可編程邏輯器件已經(jīng)越來越多地用于汽車電子應(yīng)用，以替代ASIC和ASSP器件。Actel FPGA基于非易失性技術(shù)(快閃和反熔絲)，不易發(fā)生由中子引發(fā)的固件錯(cuò)誤，
2010-08-26 10:52:38669 該DS1557是一個(gè)全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC的同一個(gè)RTC報(bào)警，看門狗定時(shí)器，上電復(fù)位，電池監(jiān)控)，以及512K的× 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶訪問DS1557內(nèi)部所有寄存器完成了一個(gè)字節(jié)寬
2010-09-15 09:51:321001 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬
2010-09-28 08:58:301444 
DS1554是一個(gè)全功能的，2000年兼容(Y2KC)，實(shí)時(shí)時(shí)鐘RTC的鬧鐘，看門狗定時(shí)器/日歷(RTC)上電復(fù)位，電池監(jiān)控，和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:081867 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421402 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，
2010-10-21 09:01:271211 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:591214 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321445 DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個(gè)完備的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問。非易失性時(shí)間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一個(gè)128K的× 8非易失性與全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘，都在一個(gè)字節(jié)寬的格式訪問靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計(jì)時(shí)功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:381165 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581904 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:041281 
MXIM推出DS3065WP，一個(gè)1米x 8非易失(NV)與一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)和電池包在一個(gè)PowerCap
2010-10-28 08:46:50900 DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:232299 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51992 
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-10 09:31:521000 
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271689 
這款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技術(shù)，采用獨(dú)特的55納米(nm)非易失性內(nèi)存(NVM)構(gòu)建而成，旨在
2010-11-11 18:05:131307 DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:43:531078 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:281161 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:312112 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011741 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:021215 
賽普拉斯半導(dǎo)體子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲(chǔ)密度的DDR3解決方案，成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存儲(chǔ)密度，從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)者提供了充
2011-01-26 16:45:37876 DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)
2011-04-27 10:23:371200 DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關(guān)的模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)
2011-06-30 10:05:021915 
DS1500為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有報(bào)警、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)內(nèi)置非易失(NV) SRAM、為備份外圍SRAM提供NV控制以及一個(gè)32.768kHz頻率的輸出
2011-12-19 11:08:182147 
DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘
2011-12-19 11:15:392071 
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
2012-01-04 10:41:501101 
具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
2012-01-04 10:49:181560 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時(shí)鐘是一個(gè)內(nèi)置的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存 。
2012-01-04 10:53:261584 
DS1323設(shè)計(jì)靈活的非易失控制器帶有鋰電池監(jiān)測(cè)器，采用CMOS電路設(shè)計(jì)，用于解決CMOS SRAM轉(zhuǎn)換成非易失存儲(chǔ)器的實(shí)際應(yīng)用問題。
2012-04-16 12:11:022664 DS1314非易失控制器，帶有電池監(jiān)視器是一個(gè)CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:21:121865 
DS1312電池監(jiān)視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:26:371109 
DS1218非易失控制器芯片供應(yīng)電路要求提供標(biāo)準(zhǔn)CMOS RAM非易失性。
2012-07-19 14:28:141883 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:30:074121 
DS1856M雙溫控，非易失(NV)三個(gè)顯示器，可變電阻器由兩個(gè)256位，線性可變電阻;三個(gè)模擬監(jiān)視器輸入(MON1，MON2，MON3)和直接數(shù)字式溫度傳感器。
2012-07-27 11:48:242229 
DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器和安全存儲(chǔ)器由一個(gè)100級(jí)線性變化電位器、一個(gè)256級(jí)線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。
2013-02-19 16:53:302864 
The DS1855 dual nonvolatile (NV) digital potentiometer and secure memory consists of one
2013-02-19 17:06:2535 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
2017-01-19 21:22:5414 大型廠商的產(chǎn)品導(dǎo)入、存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）的新興應(yīng)用以及五大邏輯代工廠的涉足將推動(dòng)非易失性存儲(chǔ)市場(chǎng)的增長。 新興非易失性存儲(chǔ)（NON-VOLATILE MEMORY, NVM）有利的市場(chǎng)環(huán)境 相變存儲(chǔ)
2018-07-04 11:55:007915 
影響，相關(guān)的存儲(chǔ)與事務(wù)處理技術(shù)是其中值得關(guān)注的重要環(huán)節(jié)．首先，概述了事務(wù)型數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)隨存儲(chǔ)環(huán)境發(fā)展的歷史與趨勢(shì)；然后，對(duì)影響上層數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)以及面向大數(shù)據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域與硬件環(huán)境優(yōu)化的事務(wù)技術(shù)進(jìn)行綜述
2018-01-02 19:04:400 事實(shí)上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上，萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor）公司還認(rèn)識(shí)到需要靈活的片上非易失存儲(chǔ)器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場(chǎng)邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069 ROHM確立了非易失性邏輯IC技術(shù)的可靠性，已經(jīng)開始進(jìn)行批量生產(chǎn)階段。此次采用了非易失性邏輯CMOS同步式的技術(shù)開發(fā)了4 Pin非易失性邏輯計(jì)算IC“BU70013TL”。這個(gè)產(chǎn)品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00917 。本文存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子先帶大家認(rèn)識(shí)一下非易失性NV-SRAM。 NV-SRAM簡介 在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，存在大量內(nèi)存。其中大多數(shù)是名稱不合時(shí)宜的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）。這個(gè)名稱意義不大，因?yàn)楫?dāng)今所有內(nèi)存都是隨機(jī)訪問的。當(dāng)工程
2020-09-11 16:09:322230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)講解.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-25 11:12:0026 ADM1169：帶裕度控制和非易失性故障記錄數(shù)據(jù)表的超級(jí)序列器
2021-04-17 10:06:150 ADM1166：帶余量控制和非易失性故障記錄的超級(jí)序列器
2021-04-24 12:29:412 現(xiàn)有非易失性內(nèi)存文件系統(tǒng)都以DRAM模擬非易失性內(nèi)存（Non- Volatile memory，NVM）進(jìn)行測(cè)試，而沒有充分考慮兩者間的寫時(shí)延和寫磨損特性差異，使得測(cè)試結(jié)果無法準(zhǔn)確反映文件系統(tǒng)在
2021-05-07 11:05:2013 文章介紹一些應(yīng)用在血液透析機(jī)上的非易失性MRAM. 血液透析機(jī)使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產(chǎn)品是因?yàn)镸RAM固有的非易失性、不需要電池或電容器、無限的非易失性寫入耐久性和非易失性寫入周期和讀取周期的高速。這些獨(dú)特的MRAM屬性提高了
2021-11-11 16:26:49793 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-12 10:20:410 作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲(chǔ)門控信號(hào)（模塊或發(fā)送）。
2023-01-12 11:30:521731 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用XOD訪問ESP32非易失性存儲(chǔ).zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-15 14:35:410 DS1851為雙通道8位數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC），還包含雙通道獨(dú)立40字節(jié)查找表（LUT）和內(nèi)部數(shù)字溫度傳感器。其最初的應(yīng)用是激光（VCSEL）驅(qū)動(dòng)器中使用的偏置電路的溫度補(bǔ)償。本應(yīng)用簡報(bào)介紹如何使用此模數(shù)轉(zhuǎn)換器在變?nèi)荻O管（RF電路中常用的可變電容器）中提供相同類型的溫度補(bǔ)償。
2023-06-27 09:15:231554 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LMP92066雙路溫度控制數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-07-23 10:59:330 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09952 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54825 
DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ輸出、非易失(NV)控制器，內(nèi)置溫度傳感器和相應(yīng)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。集成溫度傳感器提供分辨率為2°C的NV查找表(LUT)索引，溫度范圍為-40°C至
2025-05-12 09:41:29713 
DS1856雙路、溫控、非易失(NV)可變電阻具有3路監(jiān)測(cè)器，內(nèi)置2個(gè)256級(jí)、線性可變電阻；3路模擬監(jiān)測(cè)器輸入(MON1、MON2、MON3)和直接數(shù)字化傳感器。這款器件可理想用于偏置電壓、電流
2025-05-12 11:44:02660 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲(chǔ)器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)
2025-05-26 09:50:50684 
DS4520是9位非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有通過I2C兼容的串行接口控制的64字節(jié)NV用戶存貯器。與用來控制數(shù)字邏輯節(jié)點(diǎn)的硬件跳線和機(jī)械開關(guān)相比，DS4520為用戶提供了數(shù)字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論