全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開(kāi)FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14奈米FinFET后，***晶圓雙雄臺(tái)積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍(lán)圖與量產(chǎn)時(shí)程表，希冀藉此一新技術(shù)，提供IC設(shè)計(jì)業(yè)者效能更佳的制造方案，搶占通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。

　　鰭式電晶體（FinFET）已成為晶圓制造業(yè)者角逐未來(lái)行動(dòng)通訊市場(chǎng)的關(guān)鍵利器。為進(jìn)一步提升晶片效能并縮小尺寸，各家晶圓代工業(yè)者皆已挾不同的制程技術(shù)積極研發(fā)FinFET架構(gòu)，預(yù)計(jì)明后年即可開(kāi)花結(jié)果，并開(kāi)始挹注營(yíng)收貢獻(xiàn)。

　　在眾家晶圓廠中，又以臺(tái)積電在FinFET的研發(fā)進(jìn)展最快（表1）。臺(tái)積電預(yù)估2013年6月即可開(kāi)始提供客戶16奈米FinFET制程的晶圓光罩共乘服務(wù) （Cybershuttle），并于明年底開(kāi)始試產(chǎn)，后年初正式量產(chǎn)，搶先卡位市場(chǎng)商機(jī)，藉此鞏固全球晶圓代工市場(chǎng)龍頭地位。

　　研發(fā)進(jìn)度超前　臺(tái)積16奈米明年試產(chǎn)

　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀指出，臺(tái)積電16奈米FinFET制程量產(chǎn)時(shí)程可望提前，預(yù)計(jì)明年底開(kāi)始試產(chǎn)。

　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀（圖1）表示，盡管全球總體經(jīng)濟(jì)狀況不甚理想，但是受惠于行動(dòng)通訊市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，目前臺(tái)積電包括65、40以及28奈米等先進(jìn)制程的晶圓銷(xiāo)售量皆持續(xù)快速增長(zhǎng)當(dāng)中。

　　張忠謀進(jìn)一步指出，目前20與16奈米制程技術(shù)進(jìn)展已明顯加快，其中，20奈米已有約十五個(gè)客戶正進(jìn)行投片（Tapeout）測(cè)試；16奈米研發(fā)時(shí)程則比先前預(yù)期更快，推出時(shí)間表將會(huì)比過(guò)往的制程更早，預(yù)估明年底試產(chǎn)，后年初即可開(kāi)始放量。

　　另一方面，臺(tái)積電已于日前耗資新臺(tái)幣32億元標(biāo)得竹南科學(xué)園區(qū)“園區(qū)事業(yè)專用區(qū)”兩筆土地，此用地未來(lái)將興建該公司18寸晶圓廠，并從事7奈米先進(jìn)制程的研發(fā)，預(yù)計(jì)2016年開(kāi)始動(dòng)工興建，2017年相關(guān)研發(fā)設(shè)備將陸續(xù)進(jìn)駐該廠。

　　臺(tái)積電今年資本支出約為85億美元，且新竹科學(xué)園區(qū)的Fab 12第六期廠房已開(kāi)始裝機(jī)，有利20奈米明年初如期量產(chǎn)。張忠謀強(qiáng)調(diào)，明年臺(tái)積電的資本支出仍會(huì)持續(xù)增加，以擴(kuò)增在先進(jìn)制程上的實(shí)力。

　　事實(shí)上，臺(tái)積電今年第三季營(yíng)收已再創(chuàng)佳績(jī)，其中先進(jìn)制程的產(chǎn)品線貢獻(xiàn)最大。臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)暨資深副總經(jīng)理何麗梅表示，28奈米制程出貨量較前一季多出一倍以上，占公司第三季晶圓銷(xiāo)售的13%；40奈米的營(yíng)收占全季晶圓銷(xiāo)售的27%；而65奈米制程技術(shù)的營(yíng)收則占全季晶圓銷(xiāo)售的22%。總體而言，上述先進(jìn)制程的晶圓銷(xiāo)售達(dá)到全季晶圓銷(xiāo)售金額62%。

　　然而，對(duì)于今年第四季與明年初的景氣展望，臺(tái)積電仍是審慎以待。張忠謀認(rèn)為，半導(dǎo)體供應(yīng)鏈將在第四季開(kāi)始進(jìn)行存貨調(diào)整，因而影響晶圓制造需求，因此第四季與明年首度的成長(zhǎng)幅度將向下微幅修正，但明年第二季后即可望恢復(fù)正常。

　　另一方面，聯(lián)電的14奈米FinFET制程技術(shù)亦將于2014年初開(kāi)始試產(chǎn)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28奈米制程提升35？40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。

　　導(dǎo)入FinFET制程技術(shù)　聯(lián)電14奈米后年亮相

　　聯(lián)電副董事長(zhǎng)孫世偉表示，14奈米FinFET制程技術(shù)將會(huì)是聯(lián)電切入未來(lái)次世代通訊運(yùn)算市場(chǎng)的最佳利器。

　　聯(lián)電副董事長(zhǎng)孫世偉（圖2）表示，由于晶圓從28跨入20奈米制程以下的微縮過(guò)程中，勢(shì)必得使用雙重曝光（Double Patterning）微影技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)，而此一技術(shù)無(wú)論是微影機(jī)臺(tái)或者人力研發(fā)等成本都相當(dāng)高昂，因此造成許多出貨量不大的IC設(shè)計(jì)商不愿意投資大筆資金導(dǎo)入，間接使20奈米市場(chǎng)需求無(wú)法擴(kuò)大。

　　具備低功耗特性的FinFET制程技術(shù)，盡管仍無(wú)法省去雙重曝光微影技術(shù)的成本，但卻能大幅提升單位面積內(nèi)電晶體的整體效能，降低IC設(shè)計(jì)商因雙重曝光微影技術(shù)所帶來(lái)的成本沖擊，因此遂成為各家晶圓代工業(yè)者爭(zhēng)相競(jìng)逐的技術(shù)。

　　孫世偉進(jìn)一步指出，在IBM FinFET技術(shù)授權(quán)的基礎(chǔ)下，聯(lián)電將跳過(guò)20奈米制程，直接跨入14奈米FinFET制程技術(shù)，藉此為通訊與行動(dòng)運(yùn)算領(lǐng)域客戶提供更具效能優(yōu)勢(shì)的解決方案。此一新制程目前正于南科研究中心全力研發(fā)中，預(yù)計(jì)2014年初可完成驗(yàn)證，并旋即進(jìn)行試產(chǎn)。

　　然而，相較于臺(tái)積電與格羅方德 （GLOBALFOUNDRIES）均表示將于2014年初量產(chǎn)16/14奈米FinFET，聯(lián)電量產(chǎn)時(shí)程顯然稍慢，如何后發(fā)先至遂成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。孫世偉強(qiáng)調(diào)，盡管聯(lián)電在此一制程上的研發(fā)起步較晚，但相對(duì)FinFET制程所需的機(jī)臺(tái)制造技術(shù)亦較為成熟，且設(shè)備價(jià)格也較為便宜，再加上與IBM技術(shù)交流等助益，未來(lái)量產(chǎn)品質(zhì)與時(shí)程都將可較競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更符合客戶需求。

　　另一方面，聯(lián)電28奈米產(chǎn)品線則可望于年底量產(chǎn)，并于明年第一季開(kāi)始貢獻(xiàn)營(yíng)收。孫世偉補(bǔ)充，首波28奈米Porting產(chǎn)品在經(jīng)過(guò)幾個(gè)月元件及制程參數(shù)調(diào)整后，良率已獲得顯著提升，且公司亦于第三季成功投片使用28奈米后閘極 （Gate-last）高介電質(zhì)金屬閘極（HKMG）制程的行動(dòng)通訊產(chǎn)品，并陸續(xù)與客戶密切合作中。

　　對(duì)于各大晶圓廠皆預(yù)期第四季與明年初營(yíng)收成長(zhǎng)將趨緩，孫世偉表示，現(xiàn)今晶圓代工制造正處在庫(kù)存調(diào)整及景氣循環(huán)周期中，聯(lián)電預(yù)估此波庫(kù)存調(diào)整將持續(xù)至明年初，景氣回溫的脈動(dòng)將取決于明年總體經(jīng)濟(jì)、終端產(chǎn)品市場(chǎng)需求與新產(chǎn)品交替力道強(qiáng)弱；而該公司未來(lái)將持續(xù)擴(kuò)大客戶層面，改善產(chǎn)品組合，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能調(diào)配的彈性來(lái)降低周期性波動(dòng)所帶來(lái)的沖擊。

　　盡管全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始進(jìn)入庫(kù)存調(diào)整階段，但***IC制造產(chǎn)業(yè)仍可望在晶圓制造業(yè)者的帶領(lǐng)下逆勢(shì)成長(zhǎng)，并在2013年達(dá)5.1%的成長(zhǎng)率。尤其是未來(lái)臺(tái)積電若順利接下蘋(píng)果（Apple）A7處理器訂單后，更將有機(jī)會(huì)大幅帶動(dòng)整體IC制造產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率向上攻頂。

　　晶圓代工廠帶頭沖　***IC制造業(yè)成長(zhǎng)可期

　　工研院產(chǎn)經(jīng)中心資深產(chǎn)業(yè)分析師彭茂榮表示，今年受到全球經(jīng)濟(jì)情勢(shì)不佳影響，全球各機(jī)構(gòu)均陸續(xù)下修2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)預(yù)測(cè)；現(xiàn)階段全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈正面臨庫(kù)存問(wèn)題、產(chǎn)能利用率下滑等不利因素，這些都將對(duì)明年產(chǎn)業(yè)發(fā)展增添變數(shù)，而各家半導(dǎo)體廠商亦對(duì)營(yíng)運(yùn)績(jī)效的預(yù)期提出警訊，顯見(jiàn)對(duì)2013年景氣展望并不看好。

　　然而，盡管產(chǎn)業(yè)界對(duì)明年半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)率抱持保守看法，但***明年IC制造業(yè)成長(zhǎng)表現(xiàn)仍將優(yōu)于全球平均。根據(jù)工研院最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告顯示，今年***晶圓制造與記憶體制造產(chǎn)值分別為新臺(tái)幣6，467億元與1，793億元，占***整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將近50.7%的產(chǎn)值，而明年產(chǎn)值比重分布隨著臺(tái)積電、聯(lián)電與世界先進(jìn)等晶圓業(yè)者的先進(jìn)制程產(chǎn)品線出貨量提升后，亦可望隨之攀升。

　　彭茂榮進(jìn)一步指出，尤其是臺(tái)積電今年晶圓產(chǎn)能正持續(xù)穩(wěn)健擴(kuò)張，加上該公司明年20奈米即將量產(chǎn)，可望爭(zhēng)取到蘋(píng)果下一代A7處理器等因素，皆將成為***IC制造業(yè)明年成長(zhǎng)主要?jiǎng)幽堋?/p>

　　彭茂榮補(bǔ)充，臺(tái)積電為持續(xù)吸引客戶下單，并搶攻蘋(píng)果處理器訂單，2012年研發(fā)經(jīng)費(fèi)已為2009年的兩倍，而資本支出更是2009年的三倍。預(yù)估 2013~2014年間，臺(tái)積電極有可能獲得A7處理器代工訂單，且將占整體營(yíng)收3？9%；三星（Samsung）掉單后，則將損失約30億美元的代工商機(jī)。

　　事實(shí)上，晶圓代工產(chǎn)業(yè)早已成為***IC制造業(yè)最重要的骨干，而臺(tái)積電亦憑藉領(lǐng)先的制程技術(shù)，正逐漸蠶食市場(chǎng)商機(jī)。彭茂榮分析，受惠于智慧型行動(dòng)裝置滲透率持續(xù)提升、IDM委外需求增加以及中國(guó)大陸IC設(shè)計(jì)業(yè)者代工需求增加等因素，臺(tái)積電未來(lái)4年的營(yíng)收年復(fù)合成長(zhǎng)率（CAGR）可望大于10%，將持續(xù)帶動(dòng)***IC制造業(yè)產(chǎn)值再創(chuàng)佳績(jī)。

　　綜上所述，包括臺(tái)積電、聯(lián)電與格羅方德等晶圓制造業(yè)者正展開(kāi)一場(chǎng)FinFET量產(chǎn)時(shí)程競(jìng)賽，預(yù)計(jì)明、后年晶圓代工市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)勢(shì)必更加劇烈，而行動(dòng)通訊晶片的效能亦可望藉此新制程技術(shù)而更上層樓，***IC制造產(chǎn)值則將在臺(tái)積電與聯(lián)電帶領(lǐng)下持續(xù)擴(kuò)大。

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