***半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)執(zhí)行董事Nicky Lu認(rèn)為“虛擬”摩爾定律時(shí)代即將到來(lái)，從而使芯片行業(yè)重新回歸健康的增長(zhǎng)與盈利軌道。

　　Nicky Lu

　　“半導(dǎo)體行業(yè)將再度迎來(lái)另外三十年增長(zhǎng)周期，”Lu在接受采訪時(shí)預(yù)測(cè)稱?！拔覀儗⒂H眼目睹‘實(shí)質(zhì)性’1納米制程工藝的出現(xiàn)，這意味著摩爾定律將以‘虛擬’形式存在。”

　　半導(dǎo)體行業(yè)確實(shí)需要一場(chǎng)巨大變革以實(shí)現(xiàn)持續(xù)發(fā)展。從1995年到2008年，半導(dǎo)體領(lǐng)域年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到7%，而總體投資者回報(bào)則為股市平均水平的近三倍。然而，如今的形勢(shì)則出現(xiàn)了巨大逆轉(zhuǎn)。

　　盡管仍有部分半導(dǎo)體廠商繼續(xù)蓬勃發(fā)展并得以兼并規(guī)模較小的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，但這一市場(chǎng)的整體增長(zhǎng)與營(yíng)收水平確實(shí)開(kāi)始不斷下滑。

　　半導(dǎo)體行業(yè)如果能夠?qū)崿F(xiàn)1納米制程水平，則可突破每年4000億美元的營(yíng)收壁壘，順利實(shí)現(xiàn)1萬(wàn)億美元的發(fā)展前景，Nicky Lu表示。在今年11月7日將于日本富山市召開(kāi)的IEEE亞洲固態(tài)電路大會(huì)上，他將發(fā)表一篇題為《全新硅通道》的論文，并在其中概述傳統(tǒng)純屬縮放芯片技術(shù)的局限性以及如何向新一代方案進(jìn)行過(guò)渡。

　　有證據(jù)表明，目前線性縮放機(jī)制已經(jīng)達(dá)到其物理極限?！坝袕臉I(yè)者指出，他們正在努力實(shí)現(xiàn)10納米級(jí)別制程工藝模型，但其中已經(jīng)無(wú)法提供任何線性活動(dòng)空間，”Lu解釋稱。

　　脫離平面

　　正因?yàn)槿绱?，技術(shù)開(kāi)發(fā)工作已經(jīng)開(kāi)始向非線性方向邁進(jìn)。2011年，英特爾公司公布了其三柵極技術(shù)，即能夠?qū)⒐?a target="_blank">晶體管由平面構(gòu)造發(fā)展為三維構(gòu)造。利用3D架構(gòu)，以0.85作為等比例系數(shù)進(jìn)行縮放，即可讓晶體管密度實(shí)現(xiàn)平面架構(gòu)中的0.5系數(shù)縮放效果，Lu表示。

　　其它廠商也紛紛跟隨這一發(fā)展潮流。東芝公司構(gòu)建起48層3D NAND，這款記憶體被應(yīng)用于蘋果的iPhone 7手機(jī)當(dāng)中。三星方面對(duì)思路更進(jìn)一步加以拓展，打造出64層閃存存儲(chǔ)設(shè)備。雖然其制程技術(shù)水平僅為32納米，但其實(shí)際存儲(chǔ)密度已經(jīng)基本相當(dāng)于13納米水平，Lu指出。

　　“現(xiàn)在我們已經(jīng)邁進(jìn)了芯片2.0的時(shí)代，架構(gòu)中開(kāi)始采用垂直晶體管，而縮放系數(shù)也在0.8到0.85之間，”Lu解釋稱?！靶酒?.0則很可能以3D的形式存在。我們將見(jiàn)證越來(lái)越多廠商走上這一發(fā)展方向?！?/p>

　　根據(jù)Lu提出的理論以及論文中的表述，芯片4.0將帶來(lái)更大的飛躍。4.0時(shí)代立足于3.0一代的現(xiàn)有優(yōu)勢(shì)，同時(shí)以此為基礎(chǔ)建立更多新型應(yīng)用方式，例如增加現(xiàn)實(shí)、虛擬現(xiàn)實(shí)以及機(jī)器智能等，他表示。Lu將發(fā)展階段中的下一個(gè)閾值稱為異質(zhì)集成，具體醚講就是利用諸如集成扇出（簡(jiǎn)稱InFO）等手段將硅與非硅材料加以整合。

　　展望InFO以及更遙遠(yuǎn)的未來(lái)

　　InFO是一種封裝技術(shù)，由***半導(dǎo)體制造有限公司（簡(jiǎn)稱TSMC）開(kāi)發(fā)，旨在將接合焊盤放置在芯片邊緣，其不再需要與襯底進(jìn)行互連。InFO能夠?qū)⒎庋b厚度減少20%，提升20%速度水平且令發(fā)熱量改善10%。

　　英飛凌公司于2008年以該技術(shù)為基礎(chǔ)開(kāi)發(fā)出嵌入式晶片級(jí)球柵陣列（簡(jiǎn)稱eWLB），旨在進(jìn)一步降低成本及封裝厚度，同時(shí)提升元器件集成度水平。然而，產(chǎn)量問(wèn)題妨礙了這項(xiàng)新技術(shù)的實(shí)際采用，直到臺(tái)積電（TSMC）方面成功實(shí)現(xiàn)InFO商業(yè)化。

　　“這套新型InFO架構(gòu)真正將異質(zhì)集成引向了芯片4.0時(shí)代，”Lu表示?！傲硪淮髣?chuàng)新則在于利用TIV實(shí)現(xiàn)互連，其類似于設(shè)立一條管芯并借此與外部相連。如此一來(lái)，大家即可擁有橫向與垂直連接能力，且其直通芯片內(nèi)與芯片外。這一點(diǎn)正是異質(zhì)集成的關(guān)鍵所在。過(guò)去，我們無(wú)法實(shí)現(xiàn)TIV，因?yàn)楫?dāng)時(shí)尚不存在InFO技術(shù)?！?/p>

　　根據(jù)Lu的解釋，利用InFO，芯片將能夠直接與多種組件進(jìn)行連通，其中包括透鏡、傳感器或者致動(dòng)器等——相比之下，目前這些部件尚需要內(nèi)置于系統(tǒng)內(nèi)，而無(wú)法實(shí)現(xiàn)小型化。

　　“這就是利用InFO實(shí)現(xiàn)的硅材質(zhì)與非硅材質(zhì)異質(zhì)集成方案，”Lu指出?！澳壳暗倪@些部件全部被印刷在電路板之上，這會(huì)造成嚴(yán)重的能源浪費(fèi)。我們距離最佳功耗水平仍有五個(gè)量級(jí)的道路要走?！?/p>

　　而在Lu看來(lái)，這也正是代工廠商、芯片設(shè)計(jì)師與系統(tǒng)廠商間巨大的新型合作潛力所在。芯片目前的產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模為3000億美元，但消費(fèi)級(jí)電子產(chǎn)品則擁有高達(dá)1.6萬(wàn)億美元的自身體量，他表示。

　　系統(tǒng)制造商將需要異質(zhì)集成方案以創(chuàng)建更為袖珍的設(shè)備，同時(shí)保證其擁有更低功耗水平，Lu進(jìn)一步補(bǔ)充稱。

　　“這些新技術(shù)需要以非常順利的過(guò)渡流程進(jìn)行引入，畢竟我們距離摩爾定律的徹底失效只剩兩代產(chǎn)品的時(shí)間，”Lu表示。“三柵極、3D NAND以及InFO技術(shù)都獲得了相當(dāng)順利的發(fā)展態(tài)勢(shì)。未來(lái)，芯片制程將縮小至5納米水平，而其性能則與1納米平面架構(gòu)相當(dāng)?！?/p>