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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>三星全力量產(chǎn)最強(qiáng)64層3D閃存:SSD可以安心降價(jià)了

三星全力量產(chǎn)最強(qiáng)64層3D閃存:SSD可以安心降價(jià)了

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)643D NAND閃存量產(chǎn)

9月2日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位,每個(gè)存儲(chǔ)單元為個(gè)字位的閃存)正式量產(chǎn),以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151919

東芝WD聯(lián)盟3D NAND采用三星技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)

Kioxia(原東芝存儲(chǔ)),西部數(shù)據(jù)(WD)聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開(kāi)發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前,原東芝存儲(chǔ)就在國(guó)際會(huì)議VLSI研討會(huì)上首次分享
2019-12-13 10:46:0712470

三星推首款3D垂直NAND閃存技術(shù)SSD

一周之前,三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個(gè)禮拜的時(shí)間,同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤(pán)。
2013-08-15 09:11:161488

三星483D V-NAND閃存技術(shù)揭秘

三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存,分別有24、32,并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品,2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤(pán)(SSD)中的483bit MLC
2016-07-13 10:32:437470

干貨!一文看懂3D NAND Flash

句點(diǎn),加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入,3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細(xì)介紹3D NAND閃存優(yōu)勢(shì),主要的生產(chǎn)廠商,以及三星、東芝和Intel在這個(gè)領(lǐng)域的實(shí)力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:0644661

SK Hynix月底量產(chǎn)48堆棧3D NAND閃存 三星后第二家

目前NAND閃存需求依然居高不下,廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能,SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48堆棧的3D NAND閃存,這是三星之后第二家量產(chǎn)48堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088

要小心降價(jià)3D閃存產(chǎn)能即將爆發(fā) SSD會(huì)越來(lái)越便宜

各大原廠已經(jīng)在2016年研發(fā)了基于48或323D NADN閃存顆粒,由于技術(shù)不成熟以及2D NAND生產(chǎn)線替換問(wèn)題,如今3D NAND的良品率并不高,總產(chǎn)量也不夠高,因而才引發(fā)了當(dāng)下固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)價(jià)格的瘋漲。
2016-11-09 17:37:383369

西數(shù)今年將試產(chǎn)64堆棧512Gb TLC閃存

西數(shù)公司日前表示今年會(huì)試產(chǎn)512Gb核心容量的64堆棧3D NAND閃存,單顆核心容量就達(dá)到了64GB,比目前主流水平翻倍,制造超大容量SSD硬盤(pán)更容易。
2017-02-07 14:21:311053

東芝64堆疊FLASH 3D閃存出貨 普及TB級(jí)SSD

據(jù)外媒報(bào)道,東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存,采用64堆疊,單晶粒容量512Gb(64GB,TLC),相對(duì)于上一代48256Gb,容量密度提升了65%,這樣封裝閃存芯片的最高容量將達(dá)到960GB。
2017-02-23 08:33:401752

海力士發(fā)布72256G 3D閃存芯片

蘋(píng)果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)今天發(fā)布72,256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48技術(shù)多1.5倍,單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存,這種芯片比 48 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍,讀寫(xiě)性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003

PK三星閃存 紫光2019年將量產(chǎn)643D NAND閃存

國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁,把三星和蘋(píng)果的市場(chǎng)份額搶占不少,但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日,高啟全接受媒體采訪時(shí)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64堆棧的3D NAND閃存,這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32NAND閃存
2017-05-09 15:10:042528

三星量產(chǎn)全球最快3D NAND閃存 64速率高達(dá)1Gbps

電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊:三星今天在韓國(guó)宣布,開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)64堆疊、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND閃存芯片,是為第四代3D閃存
2017-06-16 06:00:002458

東芝PK三星 正式推出963D NAND旗艦產(chǎn)品XG6

六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝也宣布自家963D NAND產(chǎn)品的新消息:他們正式推出了旗下首款使用963D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品XG6。在性能方面,XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877

鎧俠推出1623D閃存 提升了10%密度

在幾大閃存原廠的主力從96升級(jí)到128/144之后,美光、SK海力士之前推出了1763D閃存,現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營(yíng),推出了1623D閃存。各大廠商的3D閃存技術(shù)并不一樣,所以堆棧
2021-02-20 10:02:323312

3D NAND閃存來(lái)到290,400+不遠(yuǎn)了

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+ 3D NAND,并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來(lái)到2024年5月目前三星第9代
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三星SA950原生3D功能體驗(yàn)

(Frame sequential)功能的3D顯示器應(yīng)該只有三星一家。 說(shuō)到這里,筆者最近正在測(cè)試三星的23吋SA950系列3D顯示器,并且親自體驗(yàn)一把接藍(lán)光播放機(jī)的原生3D效果,可以說(shuō)非常的震撼,甚至在
2011-08-20 14:30:01

三星note8手機(jī)是3D顯示屏?!~~哈哈 都是3d智能手機(jī)殼惹的禍~!

, 一款三星note8手機(jī)殼引起熱議,因?yàn)檫@款產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)一邊散步一邊看3D電影或者電視劇。換句話說(shuō),這個(gè)手機(jī)殼就是超清晰3D顯示屏??!喜歡玩高科技產(chǎn)品的網(wǎng)絡(luò)達(dá)人怎能放過(guò)?!終于搜到這個(gè)寶貝,原來(lái)
2017-11-27 12:00:18

三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)探討3D NAND技術(shù)

`CFMS2018近日成功舉辦,來(lái)自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖,與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來(lái)。我們來(lái)看看他們都說(shuō)了什么。三星:看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05

ChinaJoy 2011火爆直擊 美女愛(ài)上三星3D顯示器(多圖)

! 那么今年China Joy MM們最關(guān)注的是什么呢?當(dāng)然是核心話題“3D”啦,本次展會(huì)最大的顯示器贊助商三星提供800多臺(tái)顯示器在整個(gè)展會(huì),其中3D顯示器體驗(yàn)區(qū)是最吸引China Joy MM們的地區(qū),下面就來(lái)看一下三星3D顯示器與China Joy MM們的故事吧!
2011-08-03 15:20:00

國(guó)內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動(dòng)全球市場(chǎng),但需求不足跌價(jià)成必然 精選資料分享

3D閃存,三星公司7月初宣布第五代V-NAND閃存3DNAND閃存中的一種),率先支持ToggleDDR4.0接口,傳輸速度達(dá)到了1.4Gbps,相比64堆棧的V-NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27

芯片的3D化歷程

優(yōu)勢(shì),或許,未來(lái)將有更多的玩家參與其中。存儲(chǔ)產(chǎn)品的3D時(shí)代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開(kāi)始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來(lái),存儲(chǔ)產(chǎn)品也開(kāi)始走向3D時(shí)代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過(guò)程當(dāng)中,也
2020-03-19 14:04:57

三星推出64GB moviNAND閃存芯片

三星推出64GB moviNAND閃存芯片 三星近日公布兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程N(yùn)AND芯片,單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:041005

三星啟動(dòng)量產(chǎn) 3D電視決戰(zhàn)正式開(kāi)火

三星啟動(dòng)量產(chǎn) 3D電視決戰(zhàn)正式開(kāi)火 在三星宣布正式開(kāi)始量產(chǎn)40寸、46寸與55寸3D電視開(kāi)始,全球3D電視的市場(chǎng)熱戰(zhàn)也正式引燃。由三星
2010-01-30 10:02:581172

為確保行業(yè)優(yōu)勢(shì) 三星今年內(nèi)量產(chǎn)64NAND

上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布,已研發(fā)出堆疊643D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn),不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430

三星高速Z-SSD方案欲與XPoint一較高下

閃存巨頭再度發(fā)力:三星公司在本屆閃存記憶體峰會(huì)上連續(xù)公布32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用643D NAND構(gòu)建而成,即三星旗下的V-NAND品牌,同時(shí)配合TLC(即三層單元)設(shè)計(jì)。
2016-08-19 15:57:111041

西數(shù)力挺QLC:首發(fā)963D NAND閃存SSD行業(yè)要變天

現(xiàn)在,西數(shù)全球首發(fā)了96堆棧的3D NAND閃存,其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)(下半年出樣,2018年開(kāi)始量產(chǎn)),除了TLC類型外,其還會(huì)支持QLC,這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937

Intel自己上馬:推出全球首款643D閃存SSD

6月29日消息 據(jù)外媒NEOWIN報(bào)道,英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤(pán),它是主流的SATA驅(qū)動(dòng)器,使用Silicon Motion控制器和IMFT的643D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的643D NAND SSD產(chǎn)品,且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179

喜大普奔三星大力生產(chǎn)最強(qiáng)643D閃存:這回SSD可以安心降價(jià)

三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商,這次開(kāi)足馬力讓第四代3D NAND閃存芯片大規(guī)模生產(chǎn),可以緩解閃存、SSD目前短缺的狀況,當(dāng)然也能拉低產(chǎn)品的售價(jià)。
2017-07-05 08:47:54795

SSD已開(kāi)始降價(jià) 三星提高3D閃存產(chǎn)能

此前,SSD漲價(jià)的主要推手就是主要顆粒廠在改造3D NAND生產(chǎn)設(shè)備,現(xiàn)在老大三星和老幺SK海力士均行動(dòng),相信會(huì)穩(wěn)定住市場(chǎng)格局,并在不遠(yuǎn)的將來(lái)看到市場(chǎng)供貨改善。
2017-07-06 15:20:51706

三星、SK海力士提高閃存產(chǎn)能 SSD降價(jià)可期

據(jù)外媒報(bào)道,從去年下半年至今,SSD/內(nèi)存的價(jià)格就坐上了火箭,而且一點(diǎn)降價(jià)的跡象都沒(méi)有,反而是SSD廠商不斷傳出不利因素,致使很多用戶每天都在提心吊膽。不過(guò)現(xiàn)在總算有好消息,首先是三星即將量產(chǎn)第四代堆疊閃存,還有是SK海力士也在進(jìn)一步提高產(chǎn)能。
2017-07-07 16:31:36697

東芝64TLC閃存再現(xiàn)驚艷產(chǎn)品:2.5英寸SSD容量高達(dá)30.72TB!

東芝在SSD技術(shù)上已經(jīng)是領(lǐng)先各大廠商,東芝對(duì)于64堆疊設(shè)計(jì)的3D TLC閃存真是愛(ài)的太深,產(chǎn)品布局之神速令人驚嘆?,F(xiàn)在又將64堆疊設(shè)計(jì)的3D TLC閃存帶到了企業(yè)及產(chǎn)品上,得益于這種高容量堆疊
2017-08-08 15:56:272744

東芝全球首發(fā)643D TLC閃存SSD:容量輕松達(dá)到30TB

盡管不少用戶對(duì)TLC的壽命和穩(wěn)定性都保持謹(jǐn)慎的態(tài)度,但東芝將TLC應(yīng)用到企業(yè)級(jí),卻也表達(dá)東芝對(duì)TLC的信心。繼主流的XG5 NVMe、低端的TR200 SATA、單芯片的BG3之后,就在近日,東芝再將64堆疊設(shè)計(jì)的3D TLC閃存帶到了企業(yè)級(jí)領(lǐng)域,而這也是全球首次。
2017-08-09 15:53:564419

3D NAND產(chǎn)能增長(zhǎng)迅速,SSD價(jià)格跌至歷史谷底

2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年,主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高643D NAND生產(chǎn)比重,而且相較于2D NAND技術(shù),64256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用,使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918

三星電子速轉(zhuǎn)向3D NAND 正在向半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司靠攏

三星電子內(nèi)存解決方案的需求,隨著內(nèi)存的增加而飆升。目前三星正迅速轉(zhuǎn)向3D NAND,尤其是TLC 3D NAND,于三星半導(dǎo)體是拉動(dòng)三星營(yíng)收和利潤(rùn)的關(guān)鍵,三星正在轉(zhuǎn)向一家半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司。
2018-02-07 14:41:521318

美光推出CrucialMX500系列SSD:首個(gè)643D TLC閃存,最高容量為2TB

今天,美光正式發(fā)布旗下的CrucialMX500系列SSD,其最大的特色就是采用了643DTLCNAND閃存,這是美光首次在消費(fèi)類產(chǎn)品中采用這類閃存。
2018-06-29 11:02:002517

三星PM883 SSD固態(tài)硬盤(pán):LPDDR4內(nèi)存作為緩存顆粒,最先進(jìn)的10nm級(jí)工藝制造

三星電子今天發(fā)布一款全新的SSD固態(tài)硬盤(pán),型號(hào)“PM883”,最大特點(diǎn)是第一次用上了LPDDR4內(nèi)存作為緩存顆粒。PM883面向數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)中心市場(chǎng),采用標(biāo)準(zhǔn)的2.5寸SATA規(guī)格,主控方案未知(估計(jì)是三星自家的),閃存三星643D V-NAND顆粒,容量4TB、8TB兩種可選。
2018-06-26 16:07:0013654

三星512GB嵌入式通用閃存量產(chǎn),采用64512Gb V-NAND電路設(shè)計(jì)和電源管理技術(shù)

三星電子今天宣布,已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存(eUFS),以用于下一代移動(dòng)設(shè)備。據(jù)介紹,三星512GB eUFS采用了個(gè)三星最新的64512千兆(Gb)V-NAND芯片和一個(gè)控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189

三星已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)第五代V-NAND 3D堆疊閃存

三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口,傳輸速率提升至1.4Gbps,與前代64堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫(xiě)入延遲僅為500微秒,比上代提升30%,而讀取信號(hào)響應(yīng)時(shí)間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338

美光5200系列 SATA SSD:基于643D NAND技術(shù),簡(jiǎn)便且經(jīng)濟(jì)高效

美光科技公司推出了5200系列 SATA SSD,該產(chǎn)品基于643D NAND技術(shù),5200系列固態(tài)盤(pán)為經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的虛擬化工作負(fù)載提供成本優(yōu)化的SATA平臺(tái),這些工作負(fù)載在HDD,BI / DSS,VDI,塊/對(duì)象和媒體流。
2018-07-23 17:01:006867

三星開(kāi)始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存,了解其性價(jià)比

面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64堆棧3D NAND的情況,三星正式宣布開(kāi)始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒,堆棧數(shù)將超過(guò)90
2018-07-24 14:36:328259

美光MX500系列SSD643D TLC NAND閃存,性價(jià)比高

由于NAND閃存價(jià)格上漲,SSD普及的道路走的異常艱難,同容量下SSD和HDD的價(jià)格始終相差懸殊,但美光今天新推出MX500系列SSD采用了643D TLC NAND閃存,把SSD的價(jià)格和性能控制在一個(gè)很好的平衡點(diǎn),具有極高的性價(jià)比和極強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:365391

東芝向零售市場(chǎng)推出TR200系列,采用643D閃存的SATA固態(tài)硬盤(pán)

)BiCS FLASH?存儲(chǔ)器,為電腦游戲玩家和DIY愛(ài)好者提供公司首款采用643D閃存的升級(jí)版SSD
2018-07-25 17:11:251201

東芝64BiCS 3D堆疊技術(shù)的SSD產(chǎn)品,成本降低容量提升

在Dell EMC World 2017大會(huì)上,東芝美國(guó)電子元件公司TAEC展示采用64BiCS 3D堆疊技術(shù)的SSD產(chǎn)品,歸屬于XG3系列,也就是OCZ RD400的OEM版。
2018-07-30 16:25:352131

美光第二代3D NAND閃存大規(guī)模量產(chǎn),容量更大成本更低

,第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期,堆棧層數(shù)達(dá)到64的第二代3D NAND閃存也在路上了,今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)。
2018-08-03 16:15:031683

三星首款搭載QLC閃存SSD宣布量產(chǎn),最高達(dá)到4TB的容量

很顯然從今年開(kāi)始,廠商們都開(kāi)始將目光轉(zhuǎn)向QLC閃存,之前Intel就已經(jīng)推出了首款搭載QLC閃存SSD,而現(xiàn)在三星也正式宣布量產(chǎn)首款搭載QLC閃存SSD,這些SSD從1TB起步,共有1TB、2TB和4TB種規(guī)格。
2018-08-07 17:00:031358

聯(lián)蕓展示基于Intel 3D QLC閃存SSD樣品,容量高達(dá)4TB

Maxio(杭州聯(lián)蕓科技)日前展示基于Intel 3D QLC閃存SSD樣品,容量高達(dá)4TB。
2018-08-19 11:42:401636

半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

32-48,廠商們還在研發(fā)64甚至更高層數(shù)的堆棧技術(shù)。四大NAND豪門(mén)的3D NAND閃存及特色在主要的NAND廠商中,三星最早量產(chǎn)3D NAND,其他幾家公司在3D NAND閃存量產(chǎn)上要落后三星
2018-10-08 15:52:39780

東芝TR200SSD240G性能測(cè)試 東芝的643DNANDSSD有多厲害

傳說(shuō)中的643D NAND的故事,延續(xù)1年時(shí)間。這次巧合的機(jī)會(huì)體驗(yàn)到東芝TR200 SSD 240G。而且是東芝自主研發(fā)的3D閃存技術(shù)。是東芝首款64 3D NAND SSD。
2018-10-09 16:26:0011015

三星SSD路線圖更新QLC閃存是重點(diǎn) 三星將于2019年試產(chǎn)QD-OLED

三星SSD路線圖更新QLC閃存是重點(diǎn) 在三星Tech Day會(huì)議上,三星不僅宣布7nm EUV、16Gb GDDR6顯存等新工藝、新產(chǎn)品及新技術(shù),SSD方面也更新路線圖,未來(lái)的重點(diǎn)就是96堆棧
2018-10-18 17:33:006571

聯(lián)蕓科技對(duì)外發(fā)布支持96鎂光B27A的 3D TLC NAND閃存顆粒

支持643D QLC后,現(xiàn)已全面支持最新963D NAND閃存顆粒。此次發(fā)布的963D TLC NAND閃存固態(tài)硬盤(pán)解決方案,客戶無(wú)需修改硬件,為客戶快速量產(chǎn)提供極大的便利性。聯(lián)蕓科技最新發(fā)
2018-11-19 17:22:318411

三星開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD 單芯片容量1Tb

今年8月初,NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,643D堆疊,單芯片容量1Tb(128GB)。
2018-11-23 08:36:521378

64/723D NAND開(kāi)始出貨 SSD市場(chǎng)將迎來(lái)新的局面

6月15日,三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)第四代64256Gb V-NAND,與48256Gb V-NAND相比,生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562

3D NAND flash大戰(zhàn)開(kāi)打 三星獨(dú)霸局面打破

記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打!目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn),但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:471294

LiteOn推出采用東芝643D NAND最新SSD

近日,LiteOn推出一款最新MU3系列SSD,采用東芝64BiCS 3D TLC NAND,7毫米/2.5英寸外形,SATA 6Gbps接口,提供120GB,240GB和480GB種容量選擇。
2019-02-18 15:33:374328

三星970EVO250GM.2NVMeSSD值不值得買

的發(fā)布以及 64 堆棧 3D NAND 閃存技術(shù)的成熟,960 EVO M.2 NVMe SSD 也迎來(lái)了正式的繼任者,這次就為大家?guī)?lái)三星 970 EVO 250G M.2 NVMe SSD 的開(kāi)箱評(píng)測(cè)。
2019-03-08 10:53:177904

真.國(guó)產(chǎn)SSD硬盤(pán)來(lái)了:紫光643D TLC閃存,1500次P/E

日前有消息稱紫光純國(guó)產(chǎn)的SSD硬盤(pán)就要上市,使用是他們研發(fā)生產(chǎn)的64堆棧3D TLC閃存,P/E次數(shù)可達(dá)1500次,這個(gè)技術(shù)及規(guī)格在主流SSD中已經(jīng)不低了。
2019-03-15 10:38:455883

紫光國(guó)產(chǎn)SSD硬盤(pán)或?qū)⑸鲜?P/E次數(shù)可達(dá)1500次

總價(jià)值886億美元的存儲(chǔ)芯片,DRAM內(nèi)存及NAND閃存尚無(wú)國(guó)產(chǎn)的,目前真正有可能量產(chǎn)的就是紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)。日前有消息稱紫光純國(guó)產(chǎn)的SSD硬盤(pán)就要上市,使用是他們研發(fā)生產(chǎn)的64堆棧3D TLC閃存,P/E次數(shù)可達(dá)1500次,這個(gè)技術(shù)及規(guī)格在主流SSD中已經(jīng)不低了。
2019-03-18 16:47:533046

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃量產(chǎn)643D NAND閃存芯片 閃存市場(chǎng)將迎來(lái)一波沖擊

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱,中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)643D NAND閃存芯片,這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無(wú)疑又將帶來(lái)一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)在第三季度量產(chǎn)643D閃存

據(jù)Digitimes報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)將于年底前投入643D閃存量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)季度啟動(dòng),目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)顯著爬升。
2019-05-08 09:18:443189

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將推出Xtacking2.0閃存技術(shù) 與DRAMDDR4的I/O速度相當(dāng)

目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中,國(guó)內(nèi)主要有紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)專攻NAND閃存,小批量量產(chǎn)32堆棧的3D閃存,但對(duì)市場(chǎng)影響有限,今年該公司將量產(chǎn)64堆棧的3D閃存,產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143966

基于Xtacking架構(gòu)的643D NAND閃存已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

現(xiàn)在,長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示,公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069

三星3D相機(jī)注冊(cè)新商標(biāo) Note10或有3D TOF相機(jī)?

三星電子近日申請(qǐng)了Depth Vision Lens商標(biāo),據(jù)推測(cè)這或許將用于三星Galaxy Note 10 的3D ToF攝像頭。
2019-07-04 16:44:103518

關(guān)于浮柵技術(shù)的介紹和分析以及應(yīng)用

三星是NAND閃存市場(chǎng)最強(qiáng)大的廠商,在3D NAND閃存上也是一路領(lǐng)先,他們最早在2013年就開(kāi)始量產(chǎn)3D NAND閃存。在3D NAND路線上,三星也研究過(guò)多種方案,最終量產(chǎn)的是VG垂直柵極結(jié)構(gòu)
2019-09-04 09:17:137175

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的643D NAND閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)643D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元
2019-09-03 10:07:021788

我國(guó)首次實(shí)現(xiàn)643DNAND閃存芯片的量產(chǎn) 將大幅縮短與國(guó)際先進(jìn)水平的差距

近日,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用。這是中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)643D NAND閃存芯片的量產(chǎn),將大幅拉近中國(guó)與全球一線存儲(chǔ)廠商間的技術(shù)差距。
2019-09-17 11:45:194095

中國(guó)首次量產(chǎn)643D NAND閃存芯片會(huì)有什么市場(chǎng)影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144

中國(guó)量產(chǎn)643D NAND閃存芯片會(huì)帶來(lái)什么影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64256Gb TLC 3D NAND閃存
2019-09-23 17:05:241455

中國(guó)首款643DNAND閃存已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布,公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的中國(guó)首款64256Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181727

長(zhǎng)江存儲(chǔ)投產(chǎn)64堆棧3D閃存 將在年底提高產(chǎn)能到6萬(wàn)片

今年一季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開(kāi)始投產(chǎn) 64 堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:331140

三星首款QLC閃存SSD 860 QVO上架,存儲(chǔ)容量最大達(dá)4TB

NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,643D堆疊,單芯片容量1Tb(128GB)。
2019-12-13 11:35:481654

三星960 Evo硬盤(pán)來(lái)襲,擁有全新架構(gòu)和高端性能

固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)的霸主三星,是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的,也是目前技術(shù)最強(qiáng)的,已經(jīng)發(fā)展代V-NAND閃存,堆棧層數(shù)達(dá)到了48。
2019-12-22 11:19:011517

對(duì)閃存市場(chǎng)來(lái)說(shuō) 最大的變數(shù)是國(guó)產(chǎn)的YMTC長(zhǎng)江存儲(chǔ)

在CES展會(huì)上,SK海力士正式宣布128堆棧的4D閃存(本質(zhì)還是3D閃存,4D只是商業(yè)名稱),已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤(pán)中,這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128堆棧閃存的,預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-08 08:41:5212167

2020年NAND閃存發(fā)展趨勢(shì)如何

在CES展會(huì)上,SK海力士正式宣布128堆棧的4D閃存(本質(zhì)還是3D閃存,4D只是商業(yè)名稱),已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤(pán)中,這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128堆棧閃存的,預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-08 10:34:135597

三星啟動(dòng)中國(guó)西安新閃存工廠 并將開(kāi)始量產(chǎn)閃存晶圓

盡管新冠疫情仍存在影響,三星 (Samsung) 已按計(jì)劃啟動(dòng)了其位于中國(guó)西安的新閃存工廠,開(kāi)始量產(chǎn)閃存晶圓。
2020-03-25 11:43:563552

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布成功研制128QLC 3D閃存 將是業(yè)內(nèi)首款128QLC規(guī)格3D NAND

今日(4月13日),長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布,其128QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:091347

三星正在研發(fā)160及以上的3D閃存

據(jù)了解,136第六代V-NAND閃存三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報(bào)道稱三星可能會(huì)大幅改進(jìn)制造工藝,從現(xiàn)在的單堆棧(single-stack)升級(jí)到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776

中國(guó)128QLC閃存三星正研發(fā)160閃存

對(duì)3D閃存來(lái)說(shuō),堆棧層數(shù)越多,容量就越大,存儲(chǔ)密度就越高,這是3D閃存的核心競(jìng)爭(zhēng)力,2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+3D閃存
2020-04-20 09:25:073912

三星正在開(kāi)發(fā)160堆棧3D閃存 將大幅改進(jìn)制造工藝

上周中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司宣布攻克1283D閃存技術(shù),QLC類型容量做到了1.33Tb容量,創(chuàng)造個(gè)世界第一。國(guó)產(chǎn)閃存突飛猛進(jìn),三星等公司也沒(méi)閑著,三星正在開(kāi)發(fā)160堆棧的3D閃存。
2020-04-20 09:29:47834

三星宣布硅驗(yàn)證3D IC封裝技術(shù)可投入使用

日前,三星電子宣布,由三星為業(yè)內(nèi)最先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)專門(mén)研發(fā)的硅驗(yàn)證3D IC封裝技術(shù),eXtended-Cube,簡(jiǎn)稱為X-cube,已經(jīng)可以投入使用。
2020-08-14 17:24:393057

三星為什么部署3D芯片封裝技術(shù)

三星計(jì)劃明年開(kāi)始與臺(tái)積電在封裝先進(jìn)芯片方面展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng),因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術(shù)。
2020-09-20 12:09:163743

美光發(fā)布1763D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的1763D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696

U盤(pán)之父朗科發(fā)力SSD硬盤(pán):國(guó)產(chǎn)64TLC閃存

SSD硬盤(pán),之前他們也有一些移動(dòng)硬盤(pán)之類的產(chǎn)品,但不是重點(diǎn),現(xiàn)在SSD硬盤(pán)會(huì)是發(fā)力的關(guān)鍵,今年9月份宣布全新的朗系列SSD硬盤(pán),目前已經(jīng)上市。 朗系列SSD是2.5寸SATA規(guī)格的,但是閃存及主控全是國(guó)產(chǎn)的,其中閃存是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D閃存, 64堆棧、TL
2020-11-13 14:54:243214

被美光搶先推出176閃存 三星回應(yīng)技術(shù)延誤

3D閃存技術(shù)上,作為全球閃存最大廠商的三星一直是領(lǐng)先的,堆棧層數(shù)也是最多的,不過(guò)美光日前率先推出了176堆棧的 3D閃存,進(jìn)度比三星要快。 根據(jù)美光的說(shuō)法,176閃存其實(shí)是基于兩個(gè)88
2020-11-14 10:01:202368

三星預(yù)計(jì)2021年4月份推出176或者更低一些的160閃存

3D閃存技術(shù)上,作為全球閃存最大廠商的三星一直是領(lǐng)先的,堆棧層數(shù)也是最多的,不過(guò)美光日前率先推出了176堆棧的 3D閃存,進(jìn)度比三星要快。
2020-11-14 10:05:002077

未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

。 3D NAND 路線圖:三星最早入局,長(zhǎng)江存儲(chǔ)跨級(jí)追趕 Choe 介紹 2014-2023 年的世界領(lǐng)先存儲(chǔ)公司的閃存路線圖,包括三星、鎧俠(原東
2020-11-20 17:15:444301

消息稱三星一季度開(kāi)始發(fā)起閃存芯片降價(jià) 或引發(fā)業(yè)內(nèi)價(jià)格戰(zhàn)

三星是目前全球第一大的閃存顆粒廠商,無(wú)論是供應(yīng)量、技術(shù)水準(zhǔn)來(lái)說(shuō)都是最優(yōu)解,它要降價(jià),友商聞風(fēng)而動(dòng)幾乎可以說(shuō)是必然的事情。 閃存降價(jià)后,手機(jī)廠商、汽車廠商等將廣泛受益,但對(duì)于普通消費(fèi)者來(lái)說(shuō),是否意味著SSD價(jià)格繼續(xù)松動(dòng)
2021-01-14 17:20:492327

鎧俠、西數(shù)推1623D閃存,性能提升66%

在幾大閃存原廠的主力從96升級(jí)到128/144之后,美光、SK海力士之前推出了1763D閃存,現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營(yíng),推出了1623D閃存
2021-02-20 10:40:582714

三星電子開(kāi)始量產(chǎn)迄今為止最先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心SSD

三星電子宣布,已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)該公司迄今為止最為先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心SSD,型號(hào)為“PM9A3”。
2021-02-25 09:54:362336

三星開(kāi)始量產(chǎn)迄今為止最強(qiáng)的數(shù)據(jù)中心SSD

三星電子宣布,已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)該公司迄今為止最為先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心SSD,型號(hào)為“PM9A3”。
2021-02-25 10:25:202349

長(zhǎng)江正式打破三星壟斷,1923D NAND閃存實(shí)現(xiàn)年底量產(chǎn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32NAND閃存,以及64堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218285

什么是3D NAND閃存

我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394222

三星要把3D NAND堆到1000以上

3D設(shè)計(jì)引入了多晶硅和二氧化硅的交替,并將浮柵交換為電荷陷阱閃存 (CTF),區(qū)別在于FG將存儲(chǔ)器存儲(chǔ)在導(dǎo)電中,而CTF將電荷“捕獲”在電介質(zhì)中。這種3D設(shè)計(jì)方式不僅帶來(lái)了技術(shù)性能的提升,而且還進(jìn)一步控制成本。
2023-07-04 15:42:001638

三星:2030年3D NAND將進(jìn)入1000以上

 三星已經(jīng)確定新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280
2023-07-04 17:03:293142

三星將于2024年量產(chǎn)超3003D NAND芯片

 最近,三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示,計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開(kāi)始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888

三星將推出GDDR7產(chǎn)品及280堆疊的3D QLC NAND技術(shù)

三星將在IEEE國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299

三星即將量產(chǎn)290V-NAND閃存

據(jù)韓國(guó)業(yè)界消息,三星最早將于本月開(kāi)始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290第九代V-NAND(3D NAND)閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502

三星量產(chǎn)第九代V-NAND閃存芯片,突破最高堆疊層數(shù)紀(jì)錄

三星公司預(yù)計(jì)將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290第九代V-NAND (3D NAND) 閃存芯片,這是繼之前的236第八代V-NAND后的顯著提升,也代表著當(dāng)前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201499

三星電子研發(fā)163D DRAM芯片及垂直堆疊單元晶體管

在今年的IEEE IMW 2024活動(dòng)中,三星DRAM業(yè)務(wù)的資深副總裁Lee指出,已有多家科技巨頭如三星成功制造出163D DRAM,其中美光更是發(fā)展至8水平。
2024-05-22 15:02:201616

三星已成功開(kāi)發(fā)163D DRAM芯片

在近日舉行的IEEE IMW 2024活動(dòng)上,三星DRAM部門(mén)的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布一個(gè)重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發(fā)出163D DRAM技術(shù)。同時(shí),他透露,競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光也已將其3D DRAM技術(shù)擴(kuò)展至8。
2024-05-29 14:44:071398

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