三星本周宣布，將定于今年晚些時(shí)候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前，三星已經(jīng)在美國硅谷開始向多個(gè)半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺積電計(jì)劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝，目前有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41
677 臺積電和三星都將在明年規(guī)模量產(chǎn)10nm新工藝，高通、蘋果、三星、聯(lián)發(fā)科的下一代處理器自然都會蜂擁而上，搶占制高點(diǎn)，據(jù)說第一個(gè)將是聯(lián)發(fā)科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591311 縱然Intel的14nm、10nm在技術(shù)層面相較臺積電、三星有著優(yōu)勢，但仍不能掩蓋“擠牙膏”的悲情。 據(jù)可靠消息，Intel已經(jīng)開始了10nm的試產(chǎn)工作，而且將改造一批10nm工藝的制造廠，這筆支出已經(jīng)在日前發(fā)布二季度財(cái)報(bào)和三季度展望時(shí)納入。
2016-08-01 17:54:121560 
今日，三星電子正式宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)基于10nm FinFET技術(shù)的SoC，這是業(yè)界內(nèi)首家提供10nm工藝代工廠商。新工藝下的SoC性能可以提供27%，功耗將降低40%。
2016-10-17 14:07:011208 據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級4
2016-10-20 10:55:482245 高通新一代芯片平臺驍龍830采用三星10nm FinFET 工藝，基于自研64位kyro架構(gòu)并實(shí)現(xiàn)七模全頻LTE，最高主頻逼近3GHz，而且驍龍835會對雙攝有更好的ISP支持方案，驍龍835會率先支持傳輸速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x運(yùn)存，帶寬提升明顯。
2016-11-22 23:51:359080 我們應(yīng)當(dāng)知道的是，三星目前還沒有推出很多10nm工藝的產(chǎn)品：只有三星自己的Exynos系列和三星為高通代工的835芯片是使用了三星的10nm工藝。
2017-05-09 08:24:35911 7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(10~20nm)工藝。據(jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗(yàn)證。
2018-07-17 10:15:015236 此外，三星還計(jì)劃在今年下半年批量生產(chǎn)基于第三代10nm 級(1z)工藝技術(shù)的16Gb LPDDR5產(chǎn)品，以配合6400Mb / s 芯片組的開發(fā)。這將有利于三星進(jìn)一步鞏固其在高端移動設(shè)備、高端個(gè)人電腦和汽車應(yīng)用程序等市場的競爭優(yōu)勢。
2020-02-25 18:39:173713 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:543513 固態(tài)硬盤9100 PRO系列。三星 9100 PRO 8TB采用了 PCIe 5.0 x4 接口設(shè)計(jì)，支持 NVMe 2.0 協(xié)議，搭配三星自研控制器、三星V NAND TLC (V8) 閃存顆粒
2025-11-22 08:05:004546 ，從而不需要更小的工藝就可以使密度增加。這可能意味著會有更好的可靠性和更長的耐用性。據(jù)報(bào)道，三星的工藝是40nm的，而現(xiàn)代SSD的制造工藝小于20nm。很長時(shí)間以來，三星是唯一能夠生產(chǎn)3D NAND閃存
2017-11-17 14:30:57
集成更多的晶體管，制程工藝也就越先進(jìn)。而要讓制程變得更先進(jìn)，代價(jià)非常大，畢竟到納米級別的晶體管，每精細(xì)一點(diǎn)點(diǎn)，需要的投入呈幾何倍增長。當(dāng)達(dá)到10nm級別的制程時(shí)，越往下研究，難度越大，門檻越高，投入也
2019-12-10 14:38:41
我剛買了一個(gè)三星evo ssd硬盤驅(qū)動器并把它放在第二個(gè)插槽中作為輔助驅(qū)動器。它沒有出現(xiàn)在bios或windows 10中？這些驅(qū)動器只能在插槽1中工作嗎？以上來自于谷歌翻譯以下為原文I just
2018-11-20 11:27:12
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日報(bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國際學(xué)會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
1999年BiTMICRO推出了18GB的Flash SSD，從此，F(xiàn)lash SSD逐漸取代RAM SSD，成為了SSD市場的主流，現(xiàn)代固態(tài)硬盤初具成型。（三星SATA固態(tài)硬盤，圖片來源三星官網(wǎng)
2019-08-03 13:38:09
SAMSUNG三星企業(yè)級固態(tài)硬盤一級代理分銷KOYUELEC光與電子大陸業(yè)務(wù)員楊先生*** 料號型號接口F/F容量順序讀取封裝尺寸DWPD
2021-08-19 11:20:23
臺積電與三星的10nm工藝。智能手機(jī)的普及，大大地改變了現(xiàn)代人們的生活方式，言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來自于人性”依舊適用，人們對于智能手機(jī)的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標(biāo)。就像
2018-06-14 14:25:19
三星ic，大量求購三星ic，帝歐還長期回收ssd固態(tài)硬盤，回收服務(wù)器內(nèi)存條，回收硬盤，回收cpu,回收芯片，回收傳感器，收購連接器，收購鉭電容，回收sd卡，收購tf卡?；厥展S庫存ic，大量收購工廠庫存
2021-05-28 19:17:34
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2020-12-01 17:34:19
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2021-09-03 19:23:00
SSD固態(tài)硬盤，高價(jià)求購內(nèi)存：內(nèi)存芯片，內(nèi)存條，內(nèi)存顆粒，內(nèi)存FLASH，閃存，顯存，TF卡，SD卡，cf卡，MINI卡，MMC卡，SSD硬盤...回收閃迪、鎂光、東芝、金士頓、威剛、索尼、創(chuàng)見
2020-12-12 15:55:32
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2021-04-28 18:52:33
ROC-RK3568-PC使用三星m2固態(tài)970EVOPLUS 硬盤顯示只讀問題描述及復(fù)現(xiàn)步驟：ROC-RK3568-PC插入三星m2固態(tài)970EVOPLUS時(shí)硬盤掛載在disk1的目錄下 存儲文件 運(yùn)行的時(shí)候有時(shí)候可以正常運(yùn)行讀寫，有時(shí)候硬盤就變成了只讀的
2022-06-24 09:55:12
，收購256GB閃迪全系列固態(tài)硬盤，收購SSD，收購三星固態(tài)硬盤，收購金士頓固態(tài)硬盤，收購東芝固態(tài)硬盤，收購移動硬盤，收購機(jī)械硬盤，收購電腦硬盤等等，收購一切SSD固態(tài)硬盤。 SDD固態(tài)硬盤回收300G
2020-12-30 17:29:44
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2020-10-31 15:48:52
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2021-04-14 19:04:16
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2021-03-10 17:45:41
就是知道有三星，閃迪，西數(shù)這些品牌，自己就是做研發(fā)的，也不覺得這些產(chǎn)品除了品牌、速度這些方面，還能有什么差別。 我們項(xiàng)目由于是在空調(diào)環(huán)境，當(dāng)時(shí)通過初步測試后，就采用了某迪的一款商業(yè)級固態(tài)硬盤產(chǎn)品。然而
2019-04-20 23:47:48
占成本85% SSD深度選購教你如何看顆粒如果說主控是衡量一款固態(tài)硬盤的技術(shù)反面，那么顆粒就代表著產(chǎn)品的用料誠意度。顆粒是固態(tài)硬盤負(fù)責(zé)容量和傳輸?shù)慕橘|(zhì)，在這一方面上與優(yōu)盤產(chǎn)品是相同的，從外觀上看
2021-07-22 08:51:51
,2230，SSD顆粒也回收，帶板拆機(jī)都行，佛系回收！?。?公司長期回收型號牌子固態(tài)硬盤：金士頓 V300系列 、三星 SSD 850PRO系列 、閃迪高速系列 128GB SATA3 、三星 SSD
2021-04-16 10:07:16
固態(tài)硬盤，收購閃迪64G固態(tài)硬盤，收購閃迪128G固態(tài)硬盤，收購閃迪256G固態(tài)硬盤，收購閃迪全系列固態(tài)硬盤，收購SSD，收購三星固態(tài)硬盤，收購金士頓固態(tài)硬盤，收購東芝固態(tài)硬盤，收購移動硬盤，收購
2021-08-05 19:25:26
開始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨(dú)吃蘋果處理器大單的新記錄，2017年?duì)I收持續(xù)增長基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星，日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存，并將于今年下半年上市。這樣一來，臺積電和三星以及蘋果的性能之爭，就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
%左右吧，這個(gè)還得看廠商的具體產(chǎn)品的頻率、工藝等等。除了電壓更低導(dǎo)致能耗降低之外，LPDDR4X內(nèi)存在針腳、封裝等方面也跟LPDDR4有所不同，不過雙方在技術(shù)上的差異并不大，而能耗更低的LPPDR4
2019-07-03 11:39:09
硬盤,回收三星固態(tài)硬盤，收購三星固態(tài)硬盤，帝歐電子還專業(yè)收購工廠電子呆料收購，全國工廠電子呆料求購，收購工廠庫存電子呆料, 長期專業(yè)回收IC, 電子元件回收,長期回收廠家?guī)齑骐娮? 工廠庫存電子呆滯料
2021-05-11 19:06:32
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2021-10-22 19:24:28
物理尺寸與重量厚度(mm)7寬度(mm)69.8長度(mm)100.2重量(g) 與三星的對比：比較項(xiàng)金勝維p系列2.5寸 480G SATA3 SSD固態(tài)硬盤（推薦金勝維）三星MZ-75E500B
2016-05-09 15:08:10
,2230，SSD顆粒也回收，帶板拆機(jī)都行，佛系回收?。?！ 公司長期回收型號牌子固態(tài)硬盤：金士頓 V300系列 、三星 SSD 850PRO系列 、閃迪高速系列 128GB SATA3 、三星 SSD
2021-11-03 14:57:58
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2021-07-06 19:32:41
回收三星字庫，全國回收三星字庫。帝歐長期回收ssd固態(tài)硬盤，回收服務(wù)器內(nèi)存條，回收硬盤，回收cpu,回收芯片，回收傳感器，收購連接器，收購鉭電容，回收sd卡，收購tf卡?；厥展S庫存ic，大量收購工廠
2021-02-23 17:54:12
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2021-07-08 19:18:58
三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 美光科技 (Micron)針對不斷增長的基于閃存的筆記本電腦市場推出了業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的RealSSDTM固態(tài)硬盤(SSD)新產(chǎn)品組合。一種新型的筆記本電腦正在進(jìn)入市場，由于其采用了以閃存為基礎(chǔ)的存儲產(chǎn)品的創(chuàng)新思維，從而具有輕質(zhì)的結(jié)構(gòu)，快速的系統(tǒng)響應(yīng)能力和更持久耐用的
2011-02-26 09:26:162271 根據(jù)三星的官方描述這個(gè)存儲芯片已經(jīng)從原有的20nm制程進(jìn)入到10nm，并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代產(chǎn)品在外觀上小20%，性能和勞動生產(chǎn)效率方面比前代產(chǎn)品提升了30%。
2012-11-15 15:34:531311 今年的“三星SSD全球峰會”，引起了世界各國媒體的關(guān)注。三星電子以“固態(tài)硬盤大眾化時(shí)代”為主題，對逐漸取代傳統(tǒng)硬盤并呈現(xiàn)良好增長勢頭的固態(tài)硬盤的未來發(fā)展前景做出了新的展望。
2013-07-22 10:10:371164 日前在深圳召開的2016三星移動解決方案論壇上，這家韓國OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內(nèi)存。和現(xiàn)有芯片和6GB內(nèi)存芯片最大的區(qū)別在于使用了最新的10nm制造生產(chǎn)工藝，承諾帶來更快更高效的內(nèi)存。
2016-05-23 15:20:391455 2016年半導(dǎo)體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營，下一個(gè)節(jié)點(diǎn)是10nm，三方都會在明年量產(chǎn)，不過
2016-05-30 11:53:531179 導(dǎo)語：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27868 ）將采用三星10nm工藝獨(dú)家制造，作為交換，拿下高通驍龍830（或835）全部訂單，三星要在Galaxy S8的大部分手機(jī)上采用驍龍830（或835）。
2016-10-18 14:06:101450 17日，高通公司宣布將與三星電子合作開發(fā)下一代旗艦級處理器驍龍835，據(jù)稱835將采用三星最先進(jìn)的10nm制造工藝。另外，高通表示835將支持最新的快充技術(shù)Quick Charge 4.0。
2016-11-18 11:20:421662 在 Samsung Electronics 之后，SK Hynix 也增加 8GB LPDDR4 產(chǎn)品。Samsung Electronics 是在 10 月 21 日公布智能手機(jī)用的 8GB
2016-12-22 09:40:382079 
現(xiàn)在有消息稱，三星的Galaxy S8有可能會采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片，而今年的10月份，他們就曾發(fā)布公告稱，基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432687 特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺積電和三星的10nm工藝。
2017-01-09 11:46:041029 三星Galaxy S8和蘋果的iPhone 8都將進(jìn)入10nm時(shí)代，兩者將分別搭載基于10nm工藝的驍龍835和A11芯片，不過現(xiàn)據(jù)臺媒《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，業(yè)內(nèi)10nm工藝陷入良品率不理想的困境，預(yù)計(jì)Galaxy S8和iPhone 8將出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，而由于三星S8發(fā)布更早，遭受的影響也更大。
2017-03-03 22:39:21679 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-23 10:19:411824 據(jù)韓媒報(bào)道，高通已經(jīng)與三星攜手，合作開發(fā)下一代手機(jī)處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE（low-power early）工藝處理器后，日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 臺積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中，三星則宣布已推出第二代10nm工藝，這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗，而且這可能會影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758 三星10納米工藝技術(shù)公告：全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11815 昨天上午，三星官方發(fā)言，宣稱已經(jīng)成功研制開發(fā)出全球第一個(gè)10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知，三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后，就已經(jīng)開始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001824 據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了，8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù)，比初代10nm級別（1x-nm）的高30%，并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 作為科技行業(yè)著名的“牙膏廠”，英特爾一直走在所有廠商前面。因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">10nm制程已經(jīng)跳票三年之久，每當(dāng)一款新的處理器發(fā)布，眾人翹首以待10nm的到來，可英特爾還是給用戶潑冷水，繼續(xù)跳票10nm工藝。
2018-06-15 15:53:006091 三星 17 日宣布，量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲器顆粒，速率可達(dá) 6，400Mbps，比現(xiàn)有 LPDDR4-4266 存儲器快了 50%，同時(shí)功耗降低 30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道，三星悄悄啟動了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 眾所周知，2016年11月份，三星已經(jīng)開始將10LPE制造技術(shù)應(yīng)用到其生產(chǎn)的SOC中。
2018-07-20 16:52:329746 
近日，三星推出了兩款新的SSD：970 EVO和970 PRO。新款三星970 EVO是三星新一代消費(fèi)級NVMe固態(tài)硬盤中更主流的、基于TLC的SSD，而970 PRO則采用MLC NAND閃存。從實(shí)用的角度來看，價(jià)格更實(shí)惠的970 EVO是我們更感興趣的產(chǎn)品。
2018-07-22 12:23:0011485 根據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，相比第一代，雖然性能沒有提升，但是功耗再降10％，可使手機(jī)平板等移動設(shè)備更省電。
2018-07-26 16:56:231229 LPDDR5的數(shù)據(jù)傳輸速率將達(dá)到 6400 Mps，大約是現(xiàn)在 iPhone X 上所采用的 LPDDR4X 的 1.5 倍。三星方面表示，LPDDR5 內(nèi)存可以每秒傳輸 51.2G 的數(shù)據(jù)，相當(dāng)于 14 部 3.7G 大的 1080P 高清視頻文件。
2018-07-29 10:28:005226 12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來，三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 4月25日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能，同時(shí)還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262837 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn)，并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449 晶圓代工領(lǐng)域10nm已成分水嶺，隨著英特爾的10nm制程久攻不下，聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進(jìn)制程的研發(fā)后，10nm以下的代工廠中只有三星在繼續(xù)與臺積電拼刺刀。
2018-11-16 10:37:374463 三星新一代860 QVO系列固態(tài)硬盤于今日上架美國官網(wǎng)，作為三星首款面向消費(fèi)者的QLC固態(tài)硬盤，它采用傳統(tǒng)的2.5寸盤規(guī)格，內(nèi)部為三星自主MJX主控、三星自產(chǎn)V-NAND QLC閃存顆粒，容量規(guī)格有1TB、2TB、4TB。1TB版本官方建議零售價(jià)149.99美元。
2018-11-30 14:08:012848 三星電子今天宣布，開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083840 據(jù)消息，作為先進(jìn)存儲器技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者，三星電子今（21）日宣布第三代10納米級（1z-nm）8GB超高性能和高功效的DRAM（Dynamic Random Access Memory
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01592 近日，全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺設(shè)計(jì)取得了重大突破，這將為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:485070 三星發(fā)布全新企業(yè)級固態(tài)硬盤PM1733，該產(chǎn)品采用了三星自家研發(fā)的主控，搭配自家的第五代V-NAND閃存，單Die容量512Gb(64GB)，提供兩種不同規(guī)格，一個(gè)是2.5英寸雙U.2接口，另一個(gè)是PCIe接口。
2019-08-21 16:52:493293 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。
2019-09-27 17:23:291500 三星電子今天宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)第一個(gè)16GB 的 LPDDR5移動 DRAM 封裝，基于三星第二代10nm級工藝技術(shù)，可提供業(yè)界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手機(jī)。繼2019年7
2020-02-25 13:48:202465 根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報(bào)道的臺積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 中關(guān)村在線消息：在先進(jìn)的芯片制造領(lǐng)域，放眼世界，只剩下臺積電，英特爾和三星。目前，臺積電與三星在 7nm 以下的競爭引起了廣泛關(guān)注。根據(jù) DigiTimes 的報(bào)告，三星將直接跳過 4nm 先進(jìn)工藝
2020-07-08 16:07:212550 
EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級（1z）工藝打造，請注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:293544 LPDDR4 緩存、2TB 版本搭載 2GB LPDDR4 緩存、4TB 版本搭載 4GB LPDDR4 緩存。 速度方面，三星 870 EVO 連續(xù)讀取速度 560MB/s，連續(xù)寫入速度 530MB/s，隨機(jī)讀取速度分別為 98k 和 88k IOPS。 目前，三星尚未公布何時(shí)發(fā)
2021-01-19 17:52:314572 三星電子宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)該公司迄今為止最為先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心SSD，型號為“PM9A3”。
2021-02-25 09:54:362336 與LPDDR4X規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)的combo PHY。這個(gè)基于三星14LPC FinFET工藝的IP解決方案已通過硅驗(yàn)證，不但面積小且功耗低，傳輸速度更可達(dá)4.2Gbps，特別適用于多媒體、AR/VR、AI邊緣計(jì)算、AIoT、IIoT、機(jī)器人、多功能打印機(jī)、SSD、5G與網(wǎng)絡(luò)通訊等各式ASIC應(yīng)用。
2021-06-30 14:08:083164 在上一次“從HDD(硬盤驅(qū)動器，Hard Disk Drive)到SSD(固態(tài)硬盤，Solid State Drive)，存儲介質(zhì)的進(jìn)階之路”中，我們探討了三星以NAND 閃存(NAND?Flash
2021-08-16 17:07:474233 固態(tài)硬盤也叫SSD，是由主控芯片、閃存顆粒和緩存單元組合起來的一塊電子集成板。
2021-12-21 15:01:205589 官方發(fā)布 今日，三星宣布已開發(fā)出用于企業(yè)服務(wù)器的PM1743固態(tài)硬盤。PM1743固態(tài)硬盤擁有最新的PCIe 5.0接口和三星先進(jìn)的第6代V-NAND閃存技術(shù)。
2021-12-30 11:57:363953 宣布高性能PCIe 4.0 NVMe SSD（固態(tài)硬盤）--?PM9C1a的生產(chǎn)工作準(zhǔn)備就緒。PM9C1a是基于三星5納米（nm）高端工藝和第七代V-NAND技術(shù)的全新內(nèi)存產(chǎn)品，將顯著提升PC
2023-01-12 21:32:101153 LPDDR4是什么意思？LPDDR4X內(nèi)存是什么意思？ LPDDR4和LPDDR4X內(nèi)存是目前市面上最為先進(jìn)和流行的手機(jī)和移動設(shè)備內(nèi)存。 該內(nèi)存是針對移動設(shè)備而設(shè)計(jì)的，因?yàn)橐苿釉O(shè)備要求更高、更快
2023-08-21 17:16:4412273 三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:022010 
三星電子在最新的內(nèi)存產(chǎn)品路線圖中透露了未來幾年的技術(shù)布局。據(jù)透露，三星計(jì)劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內(nèi)存，該制程將支持高達(dá)32Gb的顆粒容量，標(biāo)志著內(nèi)存性能與密度的雙重飛躍。
2024-09-09 17:45:491153 三星 K4F6E3S4HM-MGCJ LPDDR4
2025-07-21 14:47:09
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