SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:55
6386 Kioxia（原東芝存儲），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 2020年下半年制造48層的3D NAND存儲。然后，該公司計劃在2021年開始出貨96層3D NAND，并在2022年開始出貨192層3D NAND。目前，該公司用于制造NAND的最先進(jìn)技術(shù)是其19納米
2019-12-14 09:51:295966 3D NAND技術(shù)方面，三星2019年積極提高96層3D NAND生產(chǎn)比重，廣泛應(yīng)用于SSD產(chǎn)品中，并在6月份
2019-12-29 00:37:009419 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè)，計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后，于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。
2015-08-11 08:32:001030 包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進(jìn)行轉(zhuǎn)換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 三星作為全球首家量產(chǎn)3D NAND Flash的廠商的風(fēng)光并沒有太久，日前東芝也研究出64層3D Flash，這樣的追趕速度讓人驚嘆。有消息顯示，英特可能暫緩擴(kuò)建大連廠，而是通過直接收購美光科技擴(kuò)大芯片領(lǐng)域?qū)嵙?。索尼PlayStation VR國行版來襲，紅米Pro三個版本還有什么發(fā)布會沒說的細(xì)節(jié)？
2016-07-28 09:44:261235 句點，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細(xì)介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢，主要的生產(chǎn)廠商，以及三星、東芝和Intel在這個領(lǐng)域的實力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:0644661 
目前，我們還無法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢，但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問題在于，海力士（SK Hynix）與東芝（Toshiba）兩大市場競爭對手能否也拿出同樣具備競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品？
2016-09-12 13:40:252173 傳三星電子平澤廠（Pyeongtaek）將提前投產(chǎn)，SK海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）、美光（Micron）產(chǎn)能也將于明年下半全面開出，屆時3D NAND可能會從供不應(yīng)求、呈現(xiàn)供給過剩的狀況。
2016-10-10 14:08:472158 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 據(jù)海外媒體報道，傳三星電子于2017~2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。
2017-02-07 07:50:011519 借由此案進(jìn)入3D NAND代工，更說服東芝在臺灣設(shè)廠生產(chǎn)，此舉目的是擊破三星電子長期來以存儲器利潤補(bǔ)貼邏輯虧損的策略，一報大客戶高通（Qualcomm）被搶之仇。
2017-03-02 07:51:24844 國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發(fā)燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導(dǎo)體設(shè)施Fab 6 (6號晶圓廠)與記憶體研發(fā)中心舉行開幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無懼芯片價格下跌疑慮，表示將于9月量產(chǎn)96層3D NAND快閃芯片。
2018-09-20 09:25:425627 盡管2018年下半閃存企業(yè)過得并不經(jīng)如意。但我們有理由相信，不止三星、東芝/西部數(shù)據(jù)（WD），美光、SK海力士等閃存企業(yè)在技術(shù)上的競爭將越向趨于激烈。通過上述對三星和東芝/西部數(shù)據(jù)(WD）3D
2019-03-21 01:55:008407 在三星、東芝存儲器（TMC）、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等3D技術(shù)快速發(fā)展的推動下，不僅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及，2019下半年原廠將加快從64層3DNAND向96層
2019-07-05 09:11:117106 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
的型號。Crucial提供的MX300在價格方面非常有競爭力，而三星的產(chǎn)品并非如此。 事實上，三星的非3D NAND SSD，像基于平面的16nm工藝的750 EVO，其成本就較低。 目前其他廠商也發(fā)布了3D
2017-11-17 14:30:57
，既有超強(qiáng)的性能，同時兼顧了低功耗的設(shè)計，外加強(qiáng)大的3D性能及視頻處理能力，將成為三星高端市場的主力處理器。S5P6818 核心板尺寸為標(biāo)配了1GB DDR3內(nèi)存、8GB EMMC存儲并配備有三星電源
2017-06-29 09:30:45
（Frame sequential）功能的3D顯示器應(yīng)該只有三星一家。 說到這里，筆者最近正在測試三星的23吋SA950系列3D顯示器，并且親自體驗了一把接藍(lán)光播放機(jī)的原生3D效果，可以說非常的震撼，甚至在
2011-08-20 14:30:01
, 一款三星note8手機(jī)殼引起熱議，因為這款產(chǎn)品可以實現(xiàn)一邊散步一邊看3D電影或者電視劇。換句話說，這個手機(jī)殼就是超清晰3D顯示屏??！喜歡玩高科技產(chǎn)品的網(wǎng)絡(luò)達(dá)人怎能放過？！終于搜到這個寶貝，原來
2017-11-27 12:00:18
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長江存儲等全球存儲業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場的絕對優(yōu)勢
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
！ 那么今年China Joy MM們最關(guān)注的是什么呢？當(dāng)然是核心話題“3D”啦，本次展會最大的顯示器贊助商三星提供了800多臺顯示器在整個展會，其中3D顯示器體驗區(qū)是最吸引China Joy MM們的地區(qū)，下面就來看一下三星3D顯示器與China Joy MM們的故事吧！
2011-08-03 15:20:00
。根本原因不在三星、SK宣稱的市場因素，目前DRAM市場價格并不差，反倒是NAND的價格還在持續(xù)滑落中。擴(kuò)大價格低落的產(chǎn)品線，不是拿石頭砸自己的腳嗎？同時也不是媒體所猜測的國內(nèi)DRAM產(chǎn)能陸續(xù)釋放，國內(nèi)
2018-10-12 14:46:09
EVO Plus、東芝XG6/BG4、美光1300等。金士頓是東芝的OEM客戶，消費(fèi)級旗艦KC2000系列SSD的上市，意味著東芝開始給客戶大量出貨96層3D NAND，浦科特也將在Q3季度推出96層3D
2022-02-06 15:39:12
電子作為國內(nèi)最先推出3D電視的廠家，早在一個月前就展開了聲勢浩大的營銷攻勢。4月初，三星電子在北京召開了“中國三星論壇”，宣布三星3D電視正式上市。同時，在銷售終端的推廣上，三星與蘇寧、國美等渠道商也
2010-05-06 14:24:28
年收購電子芯片，收購電子IC，收購DDR ,收購集成電路芯片，收購內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達(dá)，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達(dá)到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
優(yōu)勢，或許，未來將有更多的玩家參與其中。存儲產(chǎn)品的3D時代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來，存儲產(chǎn)品也開始走向了3D時代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過程當(dāng)中，也
2020-03-19 14:04:57
三星啟動量產(chǎn) 3D電視決戰(zhàn)正式開火
在三星宣布正式開始量產(chǎn)40寸、46寸與55寸3D電視開始，全球3D電視的市場熱戰(zhàn)也正式引燃。由三星首
2010-01-30 10:02:581172 CES2010：三星推出首款LED液晶3D電視
據(jù)外媒報道，三星電子在美國CES展上首次推
2010-03-02 09:27:221013 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 3月7日消息，雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者，但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者，并且其優(yōu)勢在不斷擴(kuò)大。
2017-03-07 15:53:451726 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 6月29日消息 據(jù)外媒NEOWIN報道，英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤，它是主流的SATA驅(qū)動器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產(chǎn)品，且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179 東芝在SSD技術(shù)上已經(jīng)是領(lǐng)先各大廠商，東芝對于64層堆疊設(shè)計的3D TLC閃存真是愛的太深，產(chǎn)品布局之神速令人驚嘆?，F(xiàn)在又將64層堆疊設(shè)計的3D TLC閃存帶到了企業(yè)及產(chǎn)品上，得益于這種高容量堆疊
2017-08-08 15:56:272744 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長的一年，主要是因為Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 長江存儲研發(fā)的這顆 3D NAND 芯片是 32 層技術(shù)，對比三星電子、美光、東芝、SK 海力士主流的 64 層和 72 層技術(shù)，還有一段距離，而這些國際大廠在 2018 年即將大步跨入 96 層 3D NAND 技術(shù)，驅(qū)動芯片的密度提升、成本再下降。
2017-12-11 14:29:513786 據(jù)悉，東芝的第 6 座工廠（Fab 6）還沒有完工，東芝就宣布將在日本興建第7座NAND Flash工廠，韋德就是能在2018年與三星，Intel、及 SK 海力士進(jìn)行實力競爭。94 層 V-NAND 閃存生產(chǎn)將會是東芝的下一個計劃。
2017-12-27 14:06:092171 三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計劃除了部分車用產(chǎn)品外，2018年將進(jìn)一步提升3D NAND生產(chǎn)比重至90%以上，全面進(jìn)入3D NAND時代。
2018-07-06 07:02:001447 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 三星電子內(nèi)存解決方案的需求，隨著內(nèi)存的增加而飆升。目前三星正迅速轉(zhuǎn)向3D NAND，尤其是TLC 3D NAND，于三星半導(dǎo)體是拉動三星營收和利潤的關(guān)鍵，三星正在轉(zhuǎn)向一家半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司。
2018-02-07 14:41:521318 
位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一，也是中國最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設(shè)備和其它消費(fèi)電子產(chǎn)品。
2018-02-09 10:18:468073 儲器是新產(chǎn)品，普及還要一段時間，目前 3D TLC 快閃存儲器如何發(fā)展，依然是關(guān)鍵。24 日，東芝宣布推出 XG6 系列 M.2 SSD 固態(tài)硬盤，是旗下 96 層堆棧 3D TLC 快閃存儲器首發(fā)，讀取
2018-07-26 18:01:002759 為實現(xiàn)更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時代，展望2019年，三星（Samsung）、東芝
2018-06-11 09:16:004985 繼蘋果iPhone X之后，國內(nèi)廠商接連在自家旗艦上實現(xiàn)了3D結(jié)構(gòu)光技術(shù)，并開始展示基于TOF（飛行時間）技術(shù)的原型機(jī)。三星的3D面部解鎖機(jī)型最近也開始浮出水面。
2018-07-11 10:30:255500 在Dell EMC World 2017大會上，東芝美國電子元件公司TAEC展示了采用64層BiCS 3D堆疊技術(shù)的SSD產(chǎn)品，歸屬于XG3系列，也就是OCZ RD400的OEM版。
2018-07-30 16:25:352131 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴(kuò)大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161646 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb，備受市場高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599 3D NAND通過設(shè)備中堆疊的層數(shù)來量化。隨著更多層的添加，位密度增加。今天，3D NAND供應(yīng)商正在推出64層設(shè)備，盡管他們現(xiàn)在正在推進(jìn)下一代技術(shù)，它擁有96層。分析師表示，到2019年中期，供應(yīng)商正在競相開發(fā)和發(fā)布下一代128層產(chǎn)品。
2018-08-23 16:59:4812625 新一代東芝XG6是針對OEM市場的XG5消費(fèi)級NVMe SSD的更新。
2018-08-28 14:19:036822 SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導(dǎo)地位。
2018-09-07 16:59:043820 3D NAND Flash 作為新一代的存儲產(chǎn)品，受到了業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注！但目前3D NAND僅由三星電子獨家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也
2018-10-08 15:52:39780 傳說中的64層3D NAND的故事，延續(xù)了1年時間。這次巧合的機(jī)會體驗到東芝TR200 SSD 240G。而且是東芝自主研發(fā)的3D閃存技術(shù)。是東芝首款64層 3D NAND SSD。
2018-10-09 16:26:0011015 2018年原廠不斷擴(kuò)大64層/72層3D NAND產(chǎn)出量，三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光/英特爾等3D NAND.
2018-10-14 09:22:4111564 東芝(Toshiba)和Western Digital(WD)領(lǐng)先業(yè)界，宣布搶在存儲龍頭三星電子之前，研發(fā)出96層3DNANDflash存儲。韓國方面質(zhì)疑此一新聞的真實性，指稱東芝可能為了出售存儲部門，蓄意放出消息、操弄媒體。
2018-11-05 16:47:201761 11月15日， 國產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對外宣布MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:318411 NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后，正式轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash時代，目前三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:572304 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:471294 近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用東芝64層BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供120GB，240GB和480GB三種容量選擇。
2019-02-18 15:33:374328 東芝存儲器株式會社宣布推出XG6-P固態(tài)硬盤(SSD)系列，該系列為公司XG6系列的衍生系列。XG6-P系列最高存儲容量[2]可達(dá)2,048GB，與其上一代產(chǎn)品相比，其順序?qū)懭霂捀?0%以上[3
2019-06-05 14:34:488949 三星電子近日申請了Depth Vision Lens商標(biāo)，據(jù)推測這或許將用于三星Galaxy Note 10 的3D ToF攝像頭。
2019-07-04 16:44:103519 
在2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨特的電路設(shè)計與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 3D NAND可以簡單理解為“蓋樓”，在占地面積固定的情況下， 樓層越高，容量也就越大。今天（8月6日），三星宣布全球第一個投產(chǎn)超100層的3D NAND。
2019-08-06 16:14:173451 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進(jìn)一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04981 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進(jìn)一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-09 16:05:251778 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤的144層QLC(四級單元)NAND,預(yù)計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 在手機(jī)屏幕的邊框不斷收窄、屏占比不斷攀升的當(dāng)下，各大廠商越來越重視為用戶提供更好的沉浸式體驗，據(jù)悉，三星將在明年初推出Galaxy One全新高端旗艦手機(jī)系列，該系列將采用三星最新的3D屏幕技術(shù)。
2019-11-19 16:05:544227 根據(jù)AnandTech的報道，三星計劃投資數(shù)十億美元擴(kuò)大其在中國西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。
2019-12-18 10:38:203458 固態(tài)硬盤市場的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的，也是目前技術(shù)最強(qiáng)的，已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)達(dá)到了48層。
2019-12-22 11:19:011517 至于原因，東芝認(rèn)為3D XPoint成本太高，在容量/價格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù)，現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn)，可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。
2020-01-02 09:27:343123 據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復(fù)工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進(jìn)制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776 三星計劃明年開始與臺積電在封裝先進(jìn)芯片方面展開競爭，因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術(shù)。
2020-09-20 12:09:163743 NAND 采用緊湊型設(shè)計，裸片尺寸比市場最接近同類產(chǎn)品縮小近 30%。 據(jù)悉，美光 176 層三層單元 （TLC） 3D NAND 已在美光
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:553696 在3D閃存技術(shù)上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領(lǐng)先的，堆棧層數(shù)也是最多的，不過美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進(jìn)度比三星要快。
2020-11-14 10:05:002077 。 3D NAND 路線圖：三星最早入局，長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領(lǐng)先存儲公司的閃存路線圖，包括三星、鎧俠（原東
2020-11-20 17:15:444306 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 的同時，三星還將帶來一款全新的耳機(jī)產(chǎn)品——Galaxy Buds Pro，除了已知支持主動降噪功能外，該產(chǎn)品其他功能也于近日曝光。 近日，Reddit用戶@TheBone在一款疑似三星耳機(jī)的APP中發(fā)現(xiàn)，Galaxy Buds Pro支持3D音頻、頭部檢測、自動環(huán)境音和聽力增強(qiáng)等功能。 據(jù)悉，
2020-12-21 15:20:382203 新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 3D設(shè)計引入了多晶硅和二氧化硅的交替層，并將浮柵交換為電荷陷阱閃存 (CTF)，區(qū)別在于FG將存儲器存儲在導(dǎo)電層中，而CTF將電荷“捕獲”在電介質(zhì)層中。這種3D設(shè)計方式不僅帶來了技術(shù)性能的提升，而且還進(jìn)一步控制了成本。
2023-07-04 15:42:001638 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預(yù)計在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 作為九代V-NAND的核心技術(shù)，雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計算領(lǐng)域。據(jù)了解，三星計劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)
2024-04-28 10:08:011536 在今年的IEEE IMW 2024活動中，三星DRAM業(yè)務(wù)的資深副總裁Lee指出，已有多家科技巨頭如三星成功制造出16層3D DRAM，其中美光更是發(fā)展至8層水平。
2024-05-22 15:02:201617 在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上，三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑：三星已與其他公司合作，成功研發(fā)出16層3D DRAM技術(shù)。同時，他透露，競爭對手美光也已將其3D DRAM技術(shù)擴(kuò)展至8層。
2024-05-29 14:44:071398 近日，據(jù)韓國媒體報道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內(nèi)存（HBM）的3D封裝服務(wù)。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的，同時也得到了業(yè)內(nèi)消息人士的證實。
2024-06-19 14:35:501643 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3D NAND存儲器。三星也在此前表示，將在
2024-06-29 00:03:008061
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