,2019年12月提升為開(kāi)發(fā)制造總裁。 DRAM和NAND Flash市場(chǎng)密不可分,SK海力士相關(guān)人士表示:SK海力士首席執(zhí)
2019-12-07 00:53:00
4758 存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)昨(20)日召開(kāi)法說(shuō)會(huì),執(zhí)行長(zhǎng)Mark Durcan看好下半年NAND Flash旺季,并指出未來(lái)12個(gè)月,NAND市場(chǎng)產(chǎn)能供給增加的幅度有限,但需求十分強(qiáng)勁,幾乎可用貪婪的需求(insatiable demand)來(lái)形容,因此對(duì)下半年NAND市場(chǎng)抱持樂(lè)觀正面看法。
2013-06-21 11:07:09
1147 據(jù)海外媒體報(bào)道,存儲(chǔ)器價(jià)格超夯,今年至今韓廠SK 海力士 (SK Hynix )已經(jīng)飆升35%,部分外資相當(dāng)樂(lè)觀,預(yù)言還有20%上行空間。三星將增產(chǎn)?
2016-10-15 22:21:29
1002 根據(jù)2016年第三季度的統(tǒng)計(jì),三星電子在DRAM存儲(chǔ)器領(lǐng)域已拿下半壁江山,達(dá)到驚人的50.2%,而另一家韓國(guó)大廠SK海力士則占了24.8%的市場(chǎng)份額。而在NAND FLASH這一塊,三星電子占全球市占率的36.6%,SK海力士則占了10.4%。
2016-12-29 10:09:07
4436 
SK海力士發(fā)布了全球首款基于128層NAND閃存的消費(fèi)級(jí)SSD——SK海力士Gold P31,提供500GB和1TB兩種存儲(chǔ)容量,產(chǎn)品已上架亞馬遜。
2020-08-19 13:59:42
3984 英特爾同意以大約90億美元將其Nand存儲(chǔ)業(yè)務(wù)出售給韓國(guó)的SK海力士,以專(zhuān)注于其主要業(yè)務(wù)。
2020-10-20 10:16:42
3366 根據(jù)南韓媒體 《Business Korea》 報(bào)道,南韓存儲(chǔ)器大廠 SK 海力士旗下為積極爭(zhēng)取未來(lái)中國(guó)境內(nèi)的晶圓代工需求,在近期 SK 海力士收購(gòu)英特爾的 NAND Flash 快閃存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)之后
2020-11-11 10:12:40
3651 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,據(jù)韓媒報(bào)道,存儲(chǔ)行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項(xiàng)全新的性能瓶頸技術(shù)高帶寬存儲(chǔ)HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項(xiàng)HBS技術(shù)采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃,該技術(shù)將通過(guò)一種名為
2025-11-14 09:11:21
2448 
大家好!小金子為各位介紹一款JSC品牌1Gbit NAND FLASH。這款JSHU271G08SCN-25型號(hào)的規(guī)格書(shū)與SK海力士和Spansion進(jìn)行了對(duì)比,驚訝的發(fā)現(xiàn)竟然完全一樣。唯一
2018-01-10 09:55:21
SK海力士也宣布,2018年下半將投資重心集中于NAND Flash,NAND Flash新廠投資進(jìn)度正在加速,DRAM只會(huì)進(jìn)行小規(guī)模補(bǔ)強(qiáng)與轉(zhuǎn)換投資。如何看待這兩則新聞?筆者認(rèn)為這屬于意料之中的事
2018-10-12 14:46:09
保存代碼及數(shù)據(jù),分為閃型存儲(chǔ)器 (Flash Memory)與只讀存儲(chǔ)器(Read-OnlyMemory),其中閃型存儲(chǔ)器是主流,而閃型存儲(chǔ)器又主要是NAND Flash 和NOR Flash
2024-12-17 17:34:06
(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)都有分散業(yè)務(wù)過(guò)度集中于存儲(chǔ)器的策略,中國(guó)的IC設(shè)計(jì)業(yè)也開(kāi)始超車(chē),系統(tǒng)IC與晶圓代工的競(jìng)爭(zhēng)依然波濤洶涌。2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)為1,303億
2018-12-24 14:28:00
DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能
據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo),海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示,2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品,同時(shí),海力士
2010-01-20 09:25:34
856 2012年4月5日,中國(guó)上海 –Spansion公司(紐約證交所代碼:CODE)與SK海力士公司近日宣布結(jié)成戰(zhàn)略同盟,并針對(duì)嵌入式應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)布4x、3x、2x節(jié)點(diǎn)Spansion SLC NAND產(chǎn)品?;陔p方合作開(kāi)發(fā)
2012-04-06 09:05:39
1094 ,明年記憶體價(jià)格下跌不易,且有一定的成長(zhǎng),現(xiàn)在廠商也開(kāi)始蠢蠢欲動(dòng),先前擴(kuò)產(chǎn)消息頻傳的SK海力士也正式宣布砸總計(jì)約3.15兆韓圜(約27億美元)建新廠、擴(kuò)產(chǎn)能。
2016-12-23 16:22:38
1279 
SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開(kāi)始量產(chǎn),韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出,海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì),位在利川(Icheon)的M14 廠將可在下半年開(kāi)始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:11
1317 
海力士在全球NAND Flash的市占率為12%。 東芝半導(dǎo)體擬釋出存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)股份,吸引各界覬覦。先前傳鴻海已經(jīng)投標(biāo),最新消息指出全球第二大存儲(chǔ)器廠SK海力士也想搶下這塊肥肉,提升NAND Flash
2017-02-08 02:01:10
365
受益于DRMA和NAND市場(chǎng)需求,SK海力士在存儲(chǔ)領(lǐng)域的地位大幅提升。據(jù)報(bào)道,SK海力士將會(huì)考慮在中國(guó)涉足芯片代工業(yè)務(wù),設(shè)立一家合資工廠,為沒(méi)有半導(dǎo)體制造工廠的公司制造芯片
2017-12-20 15:40:48
1711 存儲(chǔ)器業(yè)經(jīng)歷大多頭的牛市之后,是否即將回檔,各方爭(zhēng)辯不休。韓廠SK海力士加快腳步增產(chǎn)高頻寬存儲(chǔ)器(HBM),期盼能以技術(shù)拉開(kāi)和對(duì)手的差距,維持高毛利。
2018-07-11 09:44:00
1125 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)也宣布擴(kuò)產(chǎn),以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00
1319 吳在盛稱(chēng),為滿(mǎn)足急劇增長(zhǎng)的半導(dǎo)體市場(chǎng)需求,SK海力士存儲(chǔ)器的前序工廠正在擴(kuò)產(chǎn),因此后序的封裝測(cè)試工廠也須擴(kuò)產(chǎn)。SK海力士閃存產(chǎn)品的生產(chǎn)基地位于韓國(guó)清州和中國(guó)重慶。公司將擴(kuò)產(chǎn)建設(shè)放在重慶。
2018-07-06 08:28:00
5031 更多客戶(hù),以填滿(mǎn)晶圓代工產(chǎn)能,擴(kuò)大市占率。韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)引述業(yè)界消息,指出相較2016年的低迷情況,日前才獨(dú)立的SK海力士系統(tǒng)IC,客戶(hù)已幅增加2倍以上,這使得SK海力士系統(tǒng)IC的清州8吋晶圓廠M8 ,產(chǎn)能利用率從80%上升至100%。
2018-07-14 08:35:57
4055 SK海力士7月27日宣布,將在公司總部(韓國(guó)京畿道利川市)興建新的半導(dǎo)體制造工廠、以滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)器芯片需求。
2018-08-01 10:55:11
4235 今年的閃存技術(shù)峰會(huì),美光、SK海力士包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案,SK海力士稱(chēng)之為“4D NAND”,長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱(chēng)之為Xtacking,美光則稱(chēng)之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫(xiě)
2018-08-12 09:19:28
7883 首先是3D NAND的技術(shù)路線(xiàn)選擇,SK海力士稱(chēng),CTF(Charge Trap Flash,電荷捕獲型)比Floating Gate(浮柵型)存儲(chǔ)單元面積更小、速度更快、更耐用(P/E次數(shù)多)
2018-08-12 10:55:15
4453 SK海力士(SK Hynix Inc.)7月27日宣布將在公司總部(韓國(guó)京畿道利川市)興建新的半導(dǎo)體制造工廠、以滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)器芯片需求。
2018-08-13 10:34:22
6810 SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過(guò)從明年初開(kāi)始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略,來(lái)鞏固其市場(chǎng)主導(dǎo)地位。
2018-09-07 16:59:04
3820 SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先,NAND Flash快閃存儲(chǔ)器因?yàn)楣I(yè)4.0應(yīng)用而快速成長(zhǎng),而新工廠將幫助SK海力士更積極因應(yīng)全球?qū)?D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的需求。
2018-10-12 16:17:00
5500
受中美貿(mào)易戰(zhàn)、全球IT產(chǎn)業(yè)景氣低迷影響,今年存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場(chǎng)得度過(guò)一段寒冬,SK海力士預(yù)計(jì)將設(shè)備投資比去年減少4成。另一方面,隨著服務(wù)器用DRAM和NAND閃存的需求和價(jià)格一同下跌,SK海力士
2019-02-04 17:33:00
1769 SK海力士今年第一季財(cái)報(bào)和當(dāng)初預(yù)期相同,受存儲(chǔ)器行情影響,營(yíng)收和營(yíng)益驟減,對(duì)此SK海力士準(zhǔn)備以強(qiáng)化技術(shù)、調(diào)整生產(chǎn)線(xiàn)應(yīng)對(duì)市場(chǎng),預(yù)計(jì)今年NAND晶圓投入量將比去年減少10%以上。
2019-04-25 19:23:19
1116 SK海力士今年第一季財(cái)報(bào)和當(dāng)初預(yù)期相同,受存儲(chǔ)器行情影響,營(yíng)收和營(yíng)益驟減,對(duì)此SK海力士準(zhǔn)備以強(qiáng)化技術(shù)、調(diào)整生產(chǎn)線(xiàn)應(yīng)對(duì)市場(chǎng),預(yù)計(jì)今年NAND晶圓投入量將比去年減少10%以上。
2019-04-26 17:40:41
4060 存儲(chǔ)器循環(huán)暴起暴落,價(jià)格重挫和需求降溫,讓 SK 海力士(SK Hynix)第一季營(yíng)益慘摔近 70%,為 2016 年第三季以來(lái)最糟表現(xiàn)。
2019-04-28 16:26:22
3023 
SK海力士宣布已向主要SSD(固態(tài)硬盤(pán))控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品,并開(kāi)發(fā)了自己的QLC軟件算法和控制器,計(jì)劃擴(kuò)大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產(chǎn)品。
2019-07-25 15:08:54
4098 韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士25日公布2019年第2季的獲利狀況,因?yàn)槭艿?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器價(jià)格持續(xù)低迷,以及日韓貿(mào)易摩擦等因素的沖擊,凈獲利較2018年同期大降了88%之多,使得SK海力士不得不繼三星傳出要延后平澤P2存儲(chǔ)器產(chǎn)線(xiàn)的投資之后,也宣布該公司的生產(chǎn)調(diào)整計(jì)劃。
2019-07-26 16:56:10
3275 
SK海力士已經(jīng)發(fā)現(xiàn)內(nèi)存和NAND芯片供過(guò)于求的跡象,但日韓貿(mào)易爭(zhēng)端正在威脅和影響到制造芯片所需的市場(chǎng)環(huán)境。
2019-07-27 09:32:15
3711 7月11日,業(yè)內(nèi)傳出消息稱(chēng),SK海力士計(jì)劃收購(gòu)Intel位于中國(guó)大連的Fab 68存儲(chǔ)工廠及3D NAND業(yè)務(wù)。對(duì)此傳聞,英特爾向芯智訊進(jìn)行了回應(yīng)。
2019-08-06 15:16:01
4741 目前,兩大韓系NAND Flash 廠商──三星及SK 海力士在之前就已經(jīng)公布了新NAND Flash 產(chǎn)品的發(fā)展規(guī)劃。其中,三星宣布推出136 層堆疊的第6 代V-NAND Flash 之外,SK
2019-08-15 09:05:12
3089 雖然封裝不易,但 HBM 存儲(chǔ)器依舊會(huì)被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器,而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49
1322 據(jù)分析機(jī)構(gòu)最新數(shù)據(jù),因數(shù)據(jù)中心對(duì)市場(chǎng)的帶動(dòng)作用,2019年第四季度NAND Flash總出貨量季增近10%,市場(chǎng)逐漸供不應(yīng)求。經(jīng)歷了一段降價(jià)期,NAND Flash存儲(chǔ)器終于迎來(lái)一小段上升期。
2020-03-08 18:25:48
4778 據(jù)韓國(guó)先驅(qū)報(bào)報(bào)道,SK 海力士周一表示,該公司去年的非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體銷(xiāo)售額增長(zhǎng)了1.5倍,而內(nèi)存產(chǎn)品的銷(xiāo)售額則同比下降33%。
2020-03-31 15:16:52
3157 韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士在2020年的CES上曾經(jīng)展出過(guò)64GB的DDR5-4800存儲(chǔ)器,其頻寬和容量均比現(xiàn)在的DDR4高出不少,因此備受業(yè)界的期待。如今,SK海力士正式宣布,將在年底前量產(chǎn)并提
2020-04-07 14:34:27
1210 4月8日消息,近日,SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級(jí) SSD-- PE8111,是針對(duì)讀取密集型應(yīng)用設(shè)計(jì)的高容量存儲(chǔ)解決方案。SK海力士是一家全球存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制造商,其產(chǎn)品組合中包括 DRAM,NAND 閃存和控制器,以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:19
4475 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)也宣布擴(kuò)產(chǎn),以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:01
1016 SK海力士作為全球半導(dǎo)體領(lǐng)頭企業(yè)之一,旨在強(qiáng)化其NAND閃存解決方案相關(guān)競(jìng)爭(zhēng)力,發(fā)展存儲(chǔ)器生態(tài)系統(tǒng),進(jìn)而給客戶(hù)、合作伙伴、公司員工和股東帶來(lái)更多利益。
2020-10-20 09:53:01
2363 Flash的強(qiáng)項(xiàng)為mobile領(lǐng)域,其中包含eMCP以及eMMC產(chǎn)品,占SK海力士總NAND Flash營(yíng)收達(dá)60%以上。而Intel長(zhǎng)年于enterprise SSD領(lǐng)域表現(xiàn)特別優(yōu)異,不但與Samsung
2020-10-20 11:28:51
2537 據(jù)路透社當(dāng)?shù)貢r(shí)間19日?qǐng)?bào)道援引知情人士稱(chēng),英特爾正準(zhǔn)備將NAND芯片業(yè)務(wù),以近100億美元的價(jià)格,出售給SK海力士。若交易達(dá)成,將使得SK海力士超越日本Kioxia,成為NAND內(nèi)存市場(chǎng)的全球第二大廠商,并進(jìn)一步縮小與行業(yè)領(lǐng)頭羊三星之間的差距。
2020-10-20 14:10:14
2309 2020年10月20日上午消息,存儲(chǔ)大廠SK海力士與Intel在韓國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間10月20日上午共同宣布簽署收購(gòu)協(xié)議,根據(jù)協(xié)議約定,SK海力士將以90億美元收購(gòu)Intel的NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。
2020-10-20 16:51:39
2925 
10月20日,SK海力士和英特爾已經(jīng)達(dá)成協(xié)議,前者將以90億美元收購(gòu)英特爾的NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。 本次收購(gòu)包括英特爾NANDSSD業(yè)務(wù)、NAND部件及晶圓業(yè)務(wù),以及其在中國(guó)大連的NAND閃存制造
2020-10-20 17:18:28
7473 一錘定音,韓國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間10月20日,SK海力士正式宣布將以90億美元的價(jià)格,全盤(pán)收購(gòu)老牌存儲(chǔ)大廠英特爾NAND閃存以及存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)。
2020-10-21 09:13:36
2974 韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士(SK Hynix)已宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,SK海力士將向英特爾支付90億美元。該協(xié)議的范圍包括在中國(guó)大連的NAND SSD部門(mén),NAND部件
2020-10-21 14:30:37
2788 SK海力士于今(20)日宣布將以90億美元收購(gòu)Intel的NAND內(nèi)存與儲(chǔ)存事業(yè),以及位于大連專(zhuān)門(mén)制造3D NAND Flash的Fab68廠房。這是韓國(guó)公司有史以來(lái)最大規(guī)模的海外收購(gòu)交易,超過(guò)三星
2020-10-21 17:26:32
2248 另一方面,對(duì)于SK海力士來(lái)說(shuō),此次收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)也有跡可循。作為全球第二大存儲(chǔ)芯片廠家,雖然其DRAM產(chǎn)品市占率僅次于三星電子,但在NAND方面其市場(chǎng)排名卻還比較靠后。
2020-10-22 11:25:57
6438 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,SK海力士宣布出資600億收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)! SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的消息,SK海力士在官網(wǎng)上表示,兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)
2020-10-23 11:05:15
2718 10月20日,SK海力士和英特爾在韓國(guó)共同宣布簽署收購(gòu)協(xié)議,根據(jù)協(xié)議約定,SK海力士將以90億美元收購(gòu)英特爾的NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。本次收購(gòu)包括英特爾NAND SSD業(yè)務(wù)、NAND部件及晶圓業(yè)
2020-10-23 18:00:16
8594 近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震,英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價(jià)格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:47
2793 SK海力士與英特爾將爭(zhēng)取在2021年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后,SK海力士將通過(guò)支付第一期70億美元對(duì)價(jià)從英特爾收購(gòu)NAND SSD業(yè)務(wù)(包括NAND SSD相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)和員工)以及大連工廠。
2020-11-04 15:06:00
2037 前不久,Intel突然宣布以90億美元(約601億)的價(jià)格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士,業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:37:32
1877 SK海力士與英特爾將爭(zhēng)取在2021年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后,SK海力士將通過(guò)支付第一期70億美元對(duì)價(jià)從英特爾收購(gòu)NAND SSD業(yè)務(wù)(包括NAND SSD相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)和員工)以及大連工廠。
2020-11-05 10:11:26
2339 據(jù)報(bào)道,第三季度財(cái)報(bào)優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期的SK海力士計(jì)劃在五年內(nèi)將其NAND銷(xiāo)售額增加兩倍以上。SK海力士并再次強(qiáng)調(diào),決心通過(guò)從英特爾手中收購(gòu)NAND業(yè)務(wù),在NAND市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位。
2020-11-05 12:17:42
2079 SK海力士在聲明中稱(chēng),已簽署協(xié)議收購(gòu)英特爾的NAND內(nèi)存和存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。此次收購(gòu)包括英特爾的固態(tài)硬盤(pán)、Nand閃存和晶片業(yè)務(wù),以及位于大連的工廠。但將以?xún)纱胃犊畹男问竭M(jìn)行,最終交易要到2025年3月份才會(huì)完成。
2020-11-11 14:53:02
2528 的應(yīng)用市場(chǎng)。 SK 海力士還計(jì)劃開(kāi)發(fā)基于 176 層 4D NAND的 1Tb 密度的閃存,從而持續(xù)增強(qiáng)其在NAND閃存業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)力。 IT之家曾報(bào)道,11月初,美
2020-12-07 16:16:23
3708 近日,SK海力士公司為了擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù)決定計(jì)劃收購(gòu)韓國(guó)的晶圓代工廠Key Foundry,由于存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲、服務(wù)器與智能手機(jī)的存儲(chǔ)芯片需求旺盛,SK海力士公司再次創(chuàng)單季歷史新高紀(jì)錄。
2021-10-29 14:41:08
2510 近日,SK海力士宣布將在中國(guó)大連新建閃存工廠,該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲(chǔ)器制造項(xiàng)目的一部分,將被用于生產(chǎn)非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購(gòu)Intel閃存業(yè)務(wù)
2022-05-19 14:32:53
4080 SK海力士在美國(guó)圣克拉拉舉行的2022閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit 2022)上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。
2022-08-04 15:53:49
15867 SK海力士將在清州市新建NAND M17產(chǎn)線(xiàn),以提高NAND產(chǎn)品產(chǎn)能。SK海力士原計(jì)劃在明年年初開(kāi)始建設(shè),最快2025年建成。
2022-09-08 10:48:30
555 被壓制,消費(fèi)電子市場(chǎng)更是暴雷不斷,SK 海力士的大部分利潤(rùn)來(lái)自于銷(xiāo)售內(nèi)存芯片。對(duì)于虧損SK海力士稱(chēng)第四季度虧損主要原因是電腦和智能手機(jī)的需求低迷導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片需求減少;疊加芯片價(jià)格大幅下滑導(dǎo)致。 內(nèi)存芯片行業(yè)面臨著嚴(yán)重供需失衡,而鑒
2023-02-01 16:52:12
3954 
4月26日新聞,DigiTimes援引韓國(guó)媒體報(bào)道稱(chēng),SK海力士正在推遲其位于中國(guó)大連的第二個(gè)3D NAND工廠的完工。據(jù)悉,這一決議是為了應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求萎縮以及美國(guó)限制向中國(guó)出口先進(jìn)晶圓廠工具。 但
2023-05-05 15:22:00
2870 
(聯(lián)合盟友)限制中國(guó)獲得尖端半導(dǎo)體的關(guān)鍵。 在4月底,韓國(guó)媒體報(bào)道稱(chēng),SK海力士正在推遲其在中國(guó)大連的第二座3D NAND Flash工廠的完工。在最壞的情況下,SK海力士可能會(huì)決定賣(mài)掉大樓而不是繼續(xù)安裝昂貴的設(shè)備。不過(guò),最新的消息顯示
2023-05-11 20:16:37
1376 
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開(kāi)發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開(kāi)發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:47
1993 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器,NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì),在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析,以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:17
5563 SK海力士稱(chēng),由于高性能半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品的市場(chǎng)需求增加,公司業(yè)績(jī)開(kāi)始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲(chǔ)器產(chǎn)品,如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動(dòng)DRAM等,銷(xiāo)售表現(xiàn)良好。因此與上一季度相比,營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)了24%,營(yíng)業(yè)虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:28
1270 2024年1月3日,SK海力士宣布,公司將參加于1月9日至12日在美國(guó)拉斯維加斯舉行的世界最大規(guī)模電子、IT展會(huì)“國(guó)際消費(fèi)電子產(chǎn)品展覽會(huì)(CES 2024)”,屆時(shí)展示未來(lái)AI基礎(chǔ)設(shè)施中最為關(guān)鍵的超高性能存儲(chǔ)器技術(shù)實(shí)力。
2024-01-04 17:12:15
1445 SK海力士近日宣布,將進(jìn)一步擴(kuò)大高帶寬內(nèi)存生產(chǎn)設(shè)施的投資,以滿(mǎn)足高性能AI產(chǎn)品市場(chǎng)的不斷增長(zhǎng)需求。
2024-01-29 16:54:44
1387 去年,鎧俠與西數(shù)的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置,其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過(guò)大。為打破僵局爭(zhēng)取 SK 海力士的支持,鎧俠提出借助其實(shí)施的日本產(chǎn) 3D NAND 晶圓廠,提供額外產(chǎn)能供 SK 海力士擴(kuò)大 3D NAND 存儲(chǔ)器產(chǎn)能。
2024-02-18 16:06:59
980 在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲(chǔ)器器(HBM3E)的開(kāi)發(fā)工作,并成功通過(guò)了Nvidia長(zhǎng)達(dá)半年的性能評(píng)估。這一里程碑的達(dá)成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開(kāi)始量產(chǎn)這款革命性的存儲(chǔ)器產(chǎn)品,并計(jì)劃在下個(gè)月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:08
1739 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對(duì)此表示,作為 HBM 行業(yè)翹楚,海力士洞察到市場(chǎng)對(duì) HBM 存儲(chǔ)的巨大需求,現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量,以期更好地滿(mǎn)足市場(chǎng)需求,保護(hù)其市場(chǎng)占有率。
2024-02-23 14:12:00
1306 SK海力士正積極應(yīng)對(duì)AI開(kāi)發(fā)中關(guān)鍵組件HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)日益增長(zhǎng)的需求,為此公司正加大在先進(jìn)芯片封裝方面的投入。SK海力士負(fù)責(zé)封裝開(kāi)發(fā)的李康旭副社長(zhǎng)明確指出,公司正在韓國(guó)投入超過(guò)10億美元,以擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:44
1798 HBM3E的推出,標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53
1844 SK海力士指出,“ZUFS 4.0是新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案,具備行業(yè)內(nèi)最高性能且專(zhuān)門(mén)針對(duì)端側(cè)AI手機(jī)進(jìn)行優(yōu)化。”此外,公司還強(qiáng)調(diào),“借助此產(chǎn)品,我們將在NAND閃存領(lǐng)域引領(lǐng)AI存儲(chǔ)器市場(chǎng),這也是繼HBM超高性能DRAM之后的又一重要里程碑。”
2024-05-09 09:30:33
1063 今日,SK海力士公司宣布了一項(xiàng)革命性的技術(shù)突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)(On-Device)AI應(yīng)用的全新移動(dòng)端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:30
1175 全球知名存儲(chǔ)芯片制造巨頭三星及SK海力士預(yù)判,今年DRAM和高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)價(jià)格將持續(xù)攀升,受益于市場(chǎng)對(duì)于高端芯片,尤其是人工智能相關(guān)芯片的強(qiáng)大需求。
2024-05-15 09:23:52
983 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國(guó)際存儲(chǔ)研討會(huì)上,由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。SK海力士計(jì)劃從2026年開(kāi)始,提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲(chǔ)器HBM4E。這一消息表明,SK海力士在HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13
1484 瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出,SK海力士的HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起,每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營(yíng)收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求。
2024-05-30 10:27:22
1511 (SSD)——PCB01。這款產(chǎn)品的推出,不僅標(biāo)志著SK海力士在NAND閃存解決方案領(lǐng)域的又一次重大突破,也預(yù)示著AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)將迎來(lái)新的變革。
2024-07-01 14:58:40
1222 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與人工智能(AI)技術(shù)日新月異的今天,SK海力士以其前瞻性的戰(zhàn)略眼光和雄厚的資金實(shí)力,再次成為業(yè)界的焦點(diǎn)。據(jù)最新報(bào)道,SK海力士計(jì)劃在2028年前投資高達(dá)103兆韓元(約合748億美元),用于存儲(chǔ)器芯片的生產(chǎn)與研發(fā),這一舉措無(wú)疑是對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)前景的堅(jiān)定押注。
2024-07-04 10:00:51
1084 (AI)驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)市場(chǎng)需求的強(qiáng)勁增長(zhǎng)以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和非易失性閃存(NAND flash)產(chǎn)品價(jià)格的持續(xù)攀升。
2024-07-25 12:50:46
1246 據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀一項(xiàng)重要財(cái)務(wù)戰(zhàn)略,考慮推動(dòng)其NAND與SSD業(yè)務(wù)子公司Solidigm在美國(guó)進(jìn)行首次公開(kāi)募股(IPO)。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過(guò)收購(gòu)英特爾相應(yīng)業(yè)務(wù)后成立的獨(dú)立美國(guó)子公司,承載著SK海力士在存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的重要布局。
2024-07-30 17:35:40
2332 SK海力士即將在8月6日至8日于美國(guó)圣克拉拉舉辦的全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器峰會(huì)FMS 2024上大放異彩,向全球業(yè)界展示其在存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展與對(duì)人工智能(AI)未來(lái)的深邃洞察。此次參展,SK海力士不僅將全面呈現(xiàn)其存儲(chǔ)器產(chǎn)品的技術(shù)革新,更將焦點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)了下一代AI存儲(chǔ)器技術(shù)的璀璨前景。
2024-08-05 09:26:39
1110 SK 海力士,作為全球知名的半導(dǎo)體巨頭,近期宣布了一項(xiàng)重要的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,旨在通過(guò)擴(kuò)大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模,顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報(bào)道,SK 海力士已積極與上游設(shè)備供應(yīng)商合作,訂購(gòu)了關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備,以加速提升M16晶圓廠在HBM(高帶寬內(nèi)存)及通用DRAM內(nèi)存方面的生產(chǎn)能力。
2024-08-16 17:32:24
1920 韓國(guó)首爾,2024年9月23日訊 —— SK海力士今日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,其自主研發(fā)的異構(gòu)存儲(chǔ)器軟件開(kāi)發(fā)套件(Heterogeneous Memory S/W Development Kit
2024-09-23 14:23:44
1328 今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項(xiàng)業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?;a(chǎn),此舉不僅將HBM存儲(chǔ)器的最大容量推升至史無(wú)前例的36GB新高度,更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:31
1987 在財(cái)報(bào)中曾表示,計(jì)劃在2025年下半年向大客戶(hù)(市場(chǎng)普遍猜測(cè)為英偉達(dá)及AMD)提供HBM存儲(chǔ)系統(tǒng)。對(duì)此,SK海力士的發(fā)言人證實(shí)了這一時(shí)間表確實(shí)比最初目標(biāo)有所提前,但并未提供更多細(xì)節(jié)。
2024-11-04 16:17:00
1707 限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線(xiàn),如人工智能用存儲(chǔ)器及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點(diǎn)發(fā)展高端存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日,該公司對(duì)外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品,該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達(dá)到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:18
1277 產(chǎn)品價(jià)格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計(jì)劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉,SK海力士計(jì)劃將上半年NAND Flash存儲(chǔ)器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無(wú)疑將對(duì)市場(chǎng)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 根據(jù)機(jī)構(gòu)先前發(fā)布的報(bào)告,SK海力士在NAND Flash存儲(chǔ)器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:55
1096 據(jù)最新報(bào)道,SK 海力士為滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)的旺盛需求,正緊鑼密鼓地為M15X晶圓廠的投產(chǎn)做全面準(zhǔn)備。公司計(jì)劃于今年3月向M15X工廠派遣工程師團(tuán)隊(duì),以確保工廠能夠順利啟動(dòng)并投入生產(chǎn)
2025-02-18 11:16:58
886 3 月 6 日消息,綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報(bào)道,SK 海力士今日在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其 CIS(CMOS 圖像傳感器)部門(mén), 該團(tuán)隊(duì)的員工將轉(zhuǎn)崗至 AI 存儲(chǔ)器領(lǐng)域 。SK
2025-03-06 18:26:16
1080 近年來(lái),SK海力士屢獲創(chuàng)新成果,這些成就皆得益于“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神(One Team Spirit)”。無(wú)論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績(jī)、開(kāi)發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品,還是躍升成為全球頂級(jí)面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商,這些
2025-05-23 13:54:36
1015 SK海力士在鞏固其面向AI的存儲(chǔ)器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面,HBM1無(wú)疑發(fā)揮了決定性作用。無(wú)論是率先開(kāi)發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:02
1667 SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存(NAND Flash,以下簡(jiǎn)稱(chēng)NAND
2025-07-10 11:37:59
1509
評(píng)論