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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>三星率先將HBM存儲芯片容量提至24GB

三星率先將HBM存儲芯片容量提至24GB

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2020-02-05 13:49:114064

三星新發(fā)布HBM2E存儲芯片,其代號Flashbolt

三星近日發(fā)布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片,HBM2E單顆最大容量為16GB,由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成,單個(gè)封裝可實(shí)現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:454645

三星電子預(yù)計(jì)今年5G存儲芯片需求將增長

據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,三星電子周預(yù)計(jì),由于數(shù)據(jù)中心投資增加和新應(yīng)用,5G和數(shù)據(jù)中心的存儲芯片需求將增加。
2020-03-18 14:26:322789

SK Hynix宣布HBM2E標(biāo)準(zhǔn)存儲器已投入量產(chǎn)

16GB/stack的容量。 HBM2E對HBM2標(biāo)準(zhǔn)型進(jìn)行了一些更新來提升性能,作為中代產(chǎn)品,能提供更高的時(shí)鐘速度,更高的密度(12層,最高可達(dá)24GB)。三星是第一個(gè)將16GB/satck
2020-09-10 14:39:012830

華為已完成存儲芯片的囤貨計(jì)劃,三星Q4凈利潤或?qū)⒊霈F(xiàn)大幅下跌

市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce預(yù)計(jì)四季度存儲芯片的價(jià)格將下跌10%,這對于全球存儲芯片行業(yè)老大三星來說顯然并非好消息,三星的凈利潤或因此而出現(xiàn)大幅下跌。
2020-10-09 11:52:302093

EEPROM存儲芯片AT24C02芯片手冊

EEPROM存儲芯片AT24C02芯片手冊(嵌入式開發(fā)培訓(xùn)需要學(xué)多久)-EEPROM存儲芯片AT24C02芯片手冊
2021-07-30 13:20:37184

三星存儲芯片需求持續(xù)強(qiáng)勁

三星存儲芯片需求持續(xù)強(qiáng)勁:近日,三星電子公司正式發(fā)布了第四季度的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)情況,根據(jù)三星公司發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示三星電子第四季度利潤有望創(chuàng)紀(jì)錄,三星電子的代工業(yè)務(wù)或?qū)@得未來2年的訂單。
2022-01-06 15:14:192127

SK首次提供24Gb DDR5樣品 美光推出全新20代PCI SSD

  SK海力士宣布提供業(yè)界內(nèi)DRAM單一芯片容量最大的24Gb DDR5樣品。24Gb DDR5產(chǎn)品采用了EUV工藝的第四代10納米級(1a)技術(shù),相較第二代10納米級(1y)DDR5產(chǎn)品單一芯片容量從16Gb提升至24Gb,從而改善了生產(chǎn)效率,其速度提升高達(dá)33%。
2022-03-29 17:20:522205

明年存儲芯片恐缺貨 三星、SK海力士齊力能否扭轉(zhuǎn)乾坤

業(yè)界認(rèn)為,三星雖維持資本支出計(jì)劃,但主要是強(qiáng)化DDR5等新世代高階存儲芯片生產(chǎn)。 隨著三星將焦點(diǎn)聚焦高階新世代產(chǎn)品,并釋出大幅減產(chǎn)信息,意味主流DDR4市況將更健康。
2023-05-24 11:37:23721

美光推出業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存

Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存,其帶寬超過
2023-07-28 11:36:401471

業(yè)界最快、容量最高的HBM?

來源:半導(dǎo)體芯科技編譯 業(yè)內(nèi)率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2,帶寬超過1.2TB/s,并通過先進(jìn)的1β工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)“卓越功效”。 美光科技已開始提供業(yè)界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:071470

三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3

有分析師爆料稱三星將成為英偉達(dá)的HBM3存儲芯片關(guān)鍵供應(yīng)商,三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3。
2023-09-01 09:46:5141378

存儲芯片減產(chǎn),AI芯片暴增!

庫存,但市場行情是否筑底眾說紛紜,整體產(chǎn)業(yè)回暖的跡象亦不明顯。 然而,在生成式AI對算力需求的帶動下,2023年初以來高帶寬內(nèi)存(HBM)在整個(gè)存儲芯片產(chǎn)業(yè)中可謂“這邊風(fēng)景獨(dú)好”。目前,三星、SK海力士、美光等存儲芯片大廠均在布
2023-09-08 10:36:161313

三星存儲芯片需求回暖!

美國消費(fèi)者新聞與商業(yè)頻道分析,這意味存儲芯片市場可能觸底回升。按這家媒體說法,三星電子是全球最大的動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片制造商。這家企業(yè)生產(chǎn)的存儲芯片廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)和電腦等設(shè)備。
2023-11-02 16:57:571597

三星目標(biāo)2025年主導(dǎo)汽車存儲市場 公布路線圖

根據(jù)三星公布的產(chǎn)品發(fā)展藍(lán)圖,到2024年將推出2gb24gb容量、最大68gb/s速度、每頻道帶寬為8.5gbps的561fbga形態(tài)的lpddr5x存儲器。此外,還將于2024年推出插拔車輛用ssd。容量512gb4tb,最大速度6.5gb。
2023-11-23 15:03:111459

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM,帶寬高達(dá)1280GB/s,容量達(dá)36G

“隨著AI行業(yè)對大容量HBM的需求日益增大,我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運(yùn)而生,”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道,“這個(gè)存儲方案是我們在人人工智能時(shí)代所推崇的HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示。”
2024-02-27 10:36:251877

三星開創(chuàng)性研發(fā)出12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲芯片,存儲容量高達(dá)36

三星在技術(shù)上采用了最新的熱壓力傳導(dǎo)性膜(TC NCF)技術(shù),成功維持了12層產(chǎn)品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致,滿足了現(xiàn)有的HBM封裝要求。
2024-02-27 16:37:451945

三星電子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM

三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實(shí)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀(jì)錄,不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力,也為整個(gè)存儲行業(yè)樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-03-08 10:04:421516

三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM

三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器(HBM)。
2024-03-08 10:10:511277

英偉達(dá)尋求從三星采購HBM芯片

英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系,計(jì)劃從后者采購高帶寬存儲HBM芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時(shí),三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士,后者已率先實(shí)現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:041287

三星電子HBM存儲技術(shù)進(jìn)展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市

據(jù)業(yè)內(nèi)透露,三星HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司,有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對英偉達(dá)的替代,這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:091917

三星電子力推AI存儲芯片和算力芯片競爭力提升

在 AI 存儲芯片方面,慶桂顯示三星組建了以DRAM產(chǎn)品與技術(shù)掌門人Hwang Sang-joon為首的HBM內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)素提升團(tuán)隊(duì),這是今年成立的第二支HBM專業(yè)隊(duì)伍。全力挽救因誤判市場導(dǎo)致業(yè)績下滑的局面。
2024-04-01 10:34:331300

三星與AMD達(dá)成HBM3E采購大單,總金額達(dá)4萬億韓元

三星方面表示,預(yù)計(jì)今年上半年將正式生產(chǎn)出HBM3E 12H內(nèi)存,而AMD則計(jì)劃于下半年開始生產(chǎn)相應(yīng)的AI加速卡。值得注意的是,三星HBM3E 12H內(nèi)存的全天候最大帶寬可達(dá)到驚人的1280GB/s,產(chǎn)品容量更是高達(dá)36GB。
2024-04-24 14:44:381196

三星Galaxy S25 Ultra 內(nèi)存將升級16GB

據(jù)報(bào)道,三星Galaxy S24 Ultra已現(xiàn)身市場,其存儲版本分別有256GB、512GB及1TB款,但內(nèi)存皆為12GB。然而,最新傳聞稱三星將于明年推出的Galaxy S25 Ultra或?qū)?nèi)存提升至16GB。
2024-05-10 14:25:371353

三星電子與SK海力士預(yù)測存儲芯片市場需求強(qiáng)烈,HBM產(chǎn)能售罄

全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預(yù)判,今年DRAM和高帶寬存儲器(HBM)價(jià)格將持續(xù)攀升,受益于市場對于高端芯片,尤其是人工智能相關(guān)芯片的強(qiáng)大需求。
2024-05-15 09:23:52983

三星HBM芯片遇阻英偉達(dá)測試

近日,三星電子最新的高帶寬內(nèi)存(HBM芯片在英偉達(dá)測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露,芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達(dá)標(biāo),影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108

英偉達(dá)否認(rèn)三星HBM未通過測試

英偉達(dá)公司CEO黃仁勛近日就有關(guān)三星HBM(高帶寬內(nèi)存)的傳聞進(jìn)行了澄清。他明確表示,英偉達(dá)仍在認(rèn)證三星提供的HBM內(nèi)存,并否認(rèn)了三星HBM未通過英偉達(dá)任何測試的傳聞。
2024-06-06 10:06:531101

三星電子存儲芯片漲價(jià),AI需求激增振業(yè)績預(yù)期

在全球科技產(chǎn)業(yè)持續(xù)革新的背景下,人工智能(AI)技術(shù)的快速發(fā)展對存儲芯片行業(yè)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。隨著AI需求激增,存儲芯片領(lǐng)域的競爭進(jìn)一步加劇,而三星電子作為行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè),其業(yè)績預(yù)期也隨之迎來了積極的變化。
2024-06-27 14:36:051405

三星電子面臨史上最大規(guī)模罷工,存儲芯片市場漲價(jià)潮持續(xù)

全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)近期陷入了前所未有的勞資爭端之中,其工會成員于本周一開始了一場為期天的罷工行動,旨在向管理層施壓,要求提高工資待遇。此次罷工不僅考驗(yàn)著這家韓國科技巨頭的內(nèi)部穩(wěn)定,也間接影響著全球存儲芯片市場的供應(yīng)格局。
2024-07-09 10:12:011227

三星電子存儲芯片價(jià)格大幅上調(diào),中國市場面臨挑戰(zhàn)與機(jī)遇

近日,三星電子宣布了一項(xiàng)重大市場決策,計(jì)劃在第季度對其DRAM和NAND閃存存儲芯片進(jìn)行15%-20%的價(jià)格調(diào)整。這一舉措背后,是人工智能領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?b class="flag-6" style="color: red">存儲芯片需求的急劇攀升,預(yù)示著存儲芯片市場正迎來新一輪的價(jià)格上漲周期。
2024-07-18 09:50:251233

今日看點(diǎn)丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星HBM3e先進(jìn)芯片今年量產(chǎn)

1. 三星HBM3e 先進(jìn)芯片今年量產(chǎn),營收貢獻(xiàn)將增長60% ? 三星電子公司計(jì)劃今年開始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲器(HBM芯片HBM3e,并迅速提高其對營收的貢獻(xiàn)。三星電子表示,該公司預(yù)計(jì)其
2024-08-01 11:08:111376

三星HBM3e芯片量產(chǎn)在即,營收貢獻(xiàn)將飆升

三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃,即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器(HBM芯片HBM3e的量產(chǎn)工作,并預(yù)期這一先進(jìn)產(chǎn)品將顯著提升公司的營收貢獻(xiàn)。據(jù)三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053

三星否認(rèn)HBM3E芯片通過英偉達(dá)測試

近日,有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達(dá)測試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子迅速對此傳聞進(jìn)行了回應(yīng),明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。
2024-08-08 10:06:021161

三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達(dá)訂單,SK海力士霸主地位受撼動

進(jìn)入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品)已順利通過英偉達(dá)嚴(yán)格測試。然而,三星迅速澄清,表示這一報(bào)道與事實(shí)相去甚遠(yuǎn),強(qiáng)調(diào)目前質(zhì)量測試
2024-08-23 15:02:561635

TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過英偉達(dá)驗(yàn)證,8Hi版本正式出貨

9月4日最新資訊,據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告透露,三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程,并正式啟動了HBM3E 8Hi(即24GB容量版本)的出貨,該產(chǎn)品主要面向英偉達(dá)H200系列應(yīng)用。同時(shí),三星電子還積極推進(jìn)Blackwell系列的驗(yàn)證工作,預(yù)示著更先進(jìn)技術(shù)的穩(wěn)步前行。
2024-09-04 15:57:091772

三星預(yù)測HBM需求2025年翻倍增長

三星電子近期發(fā)布預(yù)測,指出全球HBM(高帶寬內(nèi)存)需求正迎來爆發(fā)式增長。據(jù)三星估算,到2025年,全球HBM需求量將躍升至250億GB,較今年預(yù)測的120億GB實(shí)現(xiàn)翻番,這主要得益于人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展對高性能內(nèi)存的迫切需求。
2024-09-27 14:44:291023

三星發(fā)布業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM

近日,存儲芯片巨頭三星電子宣布了一項(xiàng)重大突破:成功開發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達(dá)到了業(yè)界最高水平,更在速度上實(shí)現(xiàn)了顯著提升,成為下一代AI計(jì)算應(yīng)用的理想解決方案。
2024-10-18 16:58:431425

三星推出業(yè)界首款24Gb(3GB)GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片

三星推出了業(yè)內(nèi)首款24Gb(即3GB)GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片,其超高速度可達(dá)42.5Gbps,專為下一代圖形處理單元(GPU)打造。據(jù)三星介紹,得益于多項(xiàng)改進(jìn)與更新,該芯片相比前代在密度上提升
2024-10-22 15:13:373216

三星電子或向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)HBM

近日,韓國三星電子公司透露了一個(gè)引人矚目的消息,有可能在不久的將來向美國的人工智能巨頭英偉達(dá)提供其先進(jìn)的高帶寬存儲器(HBM)。這一消息無疑為科技界帶來了新的期待。 值得一的是,三星電子在HBM
2024-11-04 10:39:39786

英偉達(dá)加速認(rèn)證三星新型AI存儲芯片

近日,英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛近日在接受采訪時(shí)透露,英偉達(dá)正在全力加速對三星最新推出的AI存儲芯片——HBM3E的認(rèn)證進(jìn)程。這一舉措標(biāo)志著英偉達(dá)在AI存儲技術(shù)上的又一次重要布局。 據(jù)黃仁勛介紹,英偉達(dá)
2024-11-26 10:22:171129

英特爾2025上半年將推24GB顯存銳炫B580顯卡

近日,據(jù)最新報(bào)道,英特爾計(jì)劃在2025年上半年推出其全新獨(dú)立顯卡產(chǎn)品——銳炫B580 24GB。這款顯卡將采用英特爾的“Battlemage”架構(gòu),配備高達(dá)24GB的顯存容量,以滿足用戶對高性能圖形
2025-01-03 10:46:462463

突破堆疊瓶頸:三星電子擬于16層HBM導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)

成為了全球存儲芯片巨頭們角逐的焦點(diǎn)。三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),一直致力于推動 HBM 技術(shù)的革新。近日有消息傳出,三星電子準(zhǔn)備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合技術(shù),這一舉措無疑將在存儲芯片領(lǐng)域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術(shù)背景:HBM 發(fā)展的必然趨
2025-07-24 17:31:16632

三星、美光斷供存儲芯片,PCB為何沒動靜?核心在“需求不重疊”

三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)引發(fā)的存儲芯片荒,雖攪動國內(nèi)芯片市場,但對 PCB 行業(yè)的影響卻遠(yuǎn)小于預(yù)期。這場 “無關(guān)聯(lián)” 的核心,并非 PCB 行業(yè)抗風(fēng)險(xiǎn)能力強(qiáng),而是 PCB 的需求結(jié)構(gòu)與存儲芯片
2025-11-08 16:17:001012

存儲芯片大反彈,三星一季度利潤暴漲近10倍

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)近日,三星電子公布了其2024年第一季度的財(cái)報(bào)預(yù)估數(shù)據(jù),顯示利潤有大幅增長,漲幅近10倍。巨大漲幅的原因主要在于半導(dǎo)體價(jià)格,尤其是存儲芯片價(jià)格的大反彈,這讓三星一舉扭轉(zhuǎn)
2024-04-08 00:17:004277

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