臺積電已穩(wěn)坐全球芯片代工行業(yè)老大的地位20多年，如今在先進工藝制程上取得領(lǐng)先優(yōu)勢，在芯片代工行業(yè)的地位更趨穩(wěn)固，似乎唯一可挑戰(zhàn)它的就只剩下三星，而三星能在芯片代工業(yè)務(wù)上持續(xù)投入與它在存儲芯片行業(yè)所擁有的優(yōu)勢市場地位有很大關(guān)系。
2018-09-19 08:43:40
4491 ）技術(shù)。 三星的創(chuàng)新被認為是大規(guī)模生產(chǎn)高性能芯片的最具挑戰(zhàn)性的封裝技術(shù)之一，因為它需要精確的精度才能通過具有60,000多個TSV孔的三維配置垂直互連12個DRAM芯片。 封裝的厚度（720um）與當(dāng)前的8層高帶寬存儲器（HBM2）產(chǎn)品相同，這在組件設(shè)計上是一項重大進步。這將
2019-10-08 16:32:236863 2020年2月，固態(tài)存儲協(xié)會(JEDEC)對外發(fā)布了第三版HBM2存儲標(biāo)準(zhǔn)JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:282441 三星最近打破了目前市場上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。
2012-09-21 10:14:521228 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲器龍頭三星電子，要是三星擴產(chǎn)，好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人，傳出決定擴產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15876 三星電子宣布推出了業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存。它是第二代Aquabolt的后繼產(chǎn)品，具有16GB的兩倍容量和3.2Gbps的更高穩(wěn)定傳輸速度。
2020-02-05 13:40:231654 記者從三星（中國）半導(dǎo)體有限公司獲悉，地處西安高新區(qū)的三星半導(dǎo)體存儲芯片一期項目一、二月份實現(xiàn)滿產(chǎn)生產(chǎn)，二期項目正按計劃推進。 據(jù)三星（中國）半導(dǎo)體有限公司副總裁池賢基介紹，受疫情影響，2月份公司曾
2020-03-10 08:30:005835 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:244378 
凈利潤下滑。 在全球智能手機市場，三星是手機市場的領(lǐng)導(dǎo)品牌，也是存儲芯片大廠。但是在AI服務(wù)器的HBM市場，三星落后于韓國SK海力士和美光科技。 Futurum統(tǒng)計，全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">HBM的需求中，英偉達占比高達七成，三星遲遲沒有拿到英偉達的認證，對近期的財報不利。
2025-07-09 00:19:007638 `這幾年以來，國內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴張
2018-10-12 14:46:09
三星在第三個國家建設(shè)相關(guān)工廠。對在中國設(shè)立生產(chǎn)基地的原因，三星方面稱，“中國IT領(lǐng)域非?；钴S，全世界V-NAND芯片有一半銷量在中國消化。在西安投產(chǎn)后，我們將就地供應(yīng)，希望獲得好的成績”?！ ‰m然韓國
2014-05-14 15:27:09
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國際學(xué)會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
的話，英特爾預(yù)計在2017年二季度將實現(xiàn)144億美元的銷售額，而三星電子的銷售額預(yù)計將達到146億美元。因此如果存儲芯片的市場價格在二季度及余下時間里都能持續(xù)增長，三星電子將會取代英特爾成為全球最大
2019-04-24 17:17:53
的IDE接口被SATA取代，主板上的PCI被PCIE取代，打印機的并口被USB取代。于是這2年里，三星提出了新一代的存儲芯片UFS以取代EMMC。其本質(zhì)仍然是micro controller
2016-08-16 16:30:57
公司店鋪鏈接https://shenzlu.cn.china.cn/?from=tui 公司QQ1784094773主要熱門現(xiàn)貨有 鎂光 三星 海力士 各類存儲芯片 歡迎廣大終端客戶前來咨詢問價
2019-01-10 14:40:29
原裝海力士三星存儲芯片，香港出貨，原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2
2020-02-13 14:35:59
對DRAM芯片的強勁需求將繼續(xù)超過供應(yīng)，因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會投產(chǎn)；此外，截至9月NAND閃存的需求則連續(xù)第六季超過供應(yīng)。供蘋果新手機使用的有機發(fā)光二極體（OLED）面板的銷售增長，也支撐了第四季獲利創(chuàng)紀錄新高的預(yù)期。
2017-10-13 16:56:04
, Parallel
XIP：指代碼可以直接在芯片上執(zhí)行，無需先加載到RAM。
5. 行業(yè)現(xiàn)狀與趨勢
市場格局：
DRAM：高度集中，被 三星、SK海力士、美光 三大巨頭壟斷。
NAND Flash
2025-06-24 09:09:39
歐電子長期全國回收品原裝存儲芯片：三星samsung，海力士SK hynix，現(xiàn)代hyniy，展訊SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25
DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎？
2019-08-05 22:52:59
UltraScale+芯片將配備8GB HBM 2顯存，帶寬460GB/s，號稱是DDR4內(nèi)存帶寬的20倍，不過該芯片本身還是配有DDR4內(nèi)存，頻率2666Mbps?！ ≈档米⒁獾氖?，雖然賽靈思沒有公布8GB HBM
2016-12-07 15:54:22
三星2010存儲芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況
據(jù)國外媒體報道，全球最大的記憶體芯片制造商韓國三星電子周三表示，該公司目標(biāo)要在三年內(nèi)將半導(dǎo)體業(yè)
2009-11-02 16:09:22830 三星電子推出40納米級動態(tài)存儲芯片
據(jù)韓國《中央日報》報道，世界著名存儲芯片企業(yè)三星電子在全球率先推出40納米級32GB DRAM(動態(tài)隨機存取記
2010-04-07 12:36:051148 據(jù)國外媒體報道，消息人士周五透露，三星電子將不會向蘋果第一批發(fā)貨的新一代iPhone手機提供存儲芯片，原因是蘋果對三星電子的存儲芯片售價不滿。另有消息人士透露，蘋果將于下
2012-09-08 09:19:41713 云端的存儲解決方案并不是適用于所有的移動平臺用戶。最近，三星打破了目前市場上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。
2012-09-21 10:11:251273 19日，據(jù)外媒報，三星移動業(yè)務(wù)部表示，三星將考慮從競爭對手SK海力士購入移動存儲芯片，以確保Galaxy S系列重要機型芯片供應(yīng)。而從移動芯片穩(wěn)步增長趨勢，反映DRAM供應(yīng)市場緊俏前景。
2013-04-22 09:58:481060 7月28日消息，三星上周五表示，公司已量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這將是全球速度最快的嵌入式存儲芯片。三星將提供16GB、32GB、64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2013-07-29 09:56:171224 據(jù)外媒報道，三星電子本周二發(fā)布消息稱，公司將在韓國投資至少21.4萬億韓元（約合人民幣1266億元），以鞏固自己在存儲芯片和下一代智能手機領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。三星電子是目前世界上最大的存儲芯片制造商，今年第一季度，三星占據(jù)了全球存儲芯片營收的40.4%。
2017-07-04 16:07:381016 作為先進內(nèi)存技術(shù)的世界領(lǐng)導(dǎo)者（三星官方用語），三星電子在2017年7月18日宣布，它正在增加其8G版的高帶寬Memory-2（HBM2）的產(chǎn)量來滿足日益增長的市場需求，為人工智能、HPC（高性能計算）、更先進的圖形處理、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和企業(yè)服務(wù)器等應(yīng)用層面提供支持。
2017-07-23 04:47:281018 前不久我們曾報道，市面上目前幾乎所有的HBM2顯存顯卡（NVIDIA Tesla P100、AMD MI25、Vega FE等）采用的都是三星的顆粒，而非SK海力士。
2017-08-05 11:24:272175 2018年，全球范圍內(nèi)對DRAM存儲芯片的強勁需求將繼續(xù)超過供應(yīng)能力。三星，以及第二大廠商SK海力士的新工廠預(yù)計要到2019年才會投入運營。此外截止上月，NAND閃存芯片的需求已連續(xù)6個季度超過供應(yīng)量。
2017-10-14 09:08:004550 日前三星宣布第五代HBM 2顯存已經(jīng)著手生產(chǎn)了，將會進一步加快HBM 2顯存研發(fā)，新一代的“Aquabolt”采用了TSV硅穿孔方式，垂直堆疊了8塊1GB的HBM 2 Die，速度明顯提升至了2.4GHz水平。據(jù)悉，這是目前全球速度最快的HBM 2顯存。
2018-01-12 15:18:172383 三星將這款產(chǎn)品命名為Aquabolt，號稱目前最快的DRAM，其對應(yīng)的目標(biāo)客戶是超級計算機、人工智能以及顯卡。
2018-01-13 16:19:011436 HBM2是使用在SoC設(shè)計上的下一代內(nèi)存協(xié)定，可達到2Gb/s單一針腳帶寬、最高1024支針腳(PIN)，總帶寬256GB/s (Giga Byte per second)。1024針腳的HBM2
2018-01-23 14:40:2031219 據(jù)市場分析，GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減，2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚，三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2，價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531952 當(dāng)然中國的存儲芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲芯片企業(yè)，長江存儲當(dāng)下準(zhǔn)備投產(chǎn)的為32層NAND flash而韓國三星去年就開始大規(guī)模投產(chǎn)64層NAND flash，長江存儲希望在未來兩三年實現(xiàn)64層NAND flash的技術(shù)突破，將技術(shù)差距縮短到兩年內(nèi)。
2018-04-17 09:37:1944620 。
存儲芯片主要有NAND flash、DRAM，在全球NAND flash市場份額前五名分別為三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士，市場份額分別為38.0%、17.1%、16.1%、11.5
2018-04-18 09:12:376932 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報道，三星悄悄啟動了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天公開業(yè)界第一款異構(gòu)系統(tǒng)級封裝（SiP，System-in-Package）器件，集成了來自SK Hynix的堆疊寬帶存儲器（HBM2）以及高性能
2018-08-16 11:15:001622 近日臺積電新任董事長劉德音接受采訪的時候暗示有意進入存儲芯片行業(yè)，甚至表示“不排除收購一家內(nèi)存芯片公司”，這意味著它將與存儲芯片的老大三星形成更激烈的競爭，對于三星來說它在存儲芯片行業(yè)正逐漸面臨眾狼圍攻的局面。
2018-09-20 16:38:001877 當(dāng)前全球存儲芯片主要是DRAM和NAND Flash，三星占有DRAM約45%的市場份額，在NAND Flash市場則占有近四成的市場份額，并且其在技術(shù)方面也具有優(yōu)勢，引領(lǐng)著行業(yè)的技術(shù)發(fā)展。
2018-09-21 15:02:351765 在高通在香港舉行的4G / 5G峰會上，三星宣布將于2019年起推行UFS 3.0存儲芯片的商用進程，2020年推行LPDDR5運行內(nèi)存芯片的商用進程，以適應(yīng)5G網(wǎng)絡(luò)的普及和發(fā)展。據(jù)悉，三星推出
2018-10-26 10:34:526105 據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，三星在DRAM芯片市場占有46%左右的市場份額，在NAND Flash市場占有近四成的市場份額；而NAND Flash存儲芯片從2016年大漲至去年，DRAM則從2016年漲至今
2018-11-05 16:31:564306 關(guān)鍵詞：三星 , 存儲 來源：36氪 三星電子剛剛結(jié)束了一個上升周期。 半導(dǎo)體市場研究機構(gòu) IC Insights 本周發(fā)布的最新報告顯示，由于存儲芯片（主要包括DRAM和NAND閃存）市場景氣周期
2019-03-20 00:56:01358 
三星電子在一季報中預(yù)計二季度存儲芯片市場整體疲軟，盡管需求會有所改善，但價格很可能延續(xù)當(dāng)前跌勢。
2019-05-06 09:57:223151 由于存儲芯片的價格波動很大，三星電子正在尋求通過擴大更高附加值，來減少公司對存儲芯片市場的嚴重依賴。
2019-05-29 17:06:491176 三星最新宣布，已開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲芯片，三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-07-02 11:46:151133 半導(dǎo)體市場研究機構(gòu) IC Insights 本周發(fā)布的最新報告顯示，由于存儲芯片（主要包括DRAM和NAND閃存）市場景氣周期結(jié)束，三星電子在2019年的營收可能會下降19.7%。
2019-07-12 16:39:32744 雖然日本限制關(guān)鍵科技原料出口至韓國，對業(yè)界投下震撼彈，但三星電子（Samsung Electronics Co.）表明，目前并無減產(chǎn)DRAM等存儲器芯片的打算，還說日本出口限制令的沖擊難以估算，只能盡量把傷害降到最低。
2019-08-03 11:55:384645 三星宣布，已開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲芯片，三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-10-18 14:30:401575 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。
2020-02-05 13:49:114064 三星近日發(fā)布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片，HBM2E單顆最大容量為16GB，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成，單個封裝可實現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:454645 3月10日下午，三星（中國）半導(dǎo)體有限公司高端存儲芯片二期第一階段項目產(chǎn)品正式下線上市。據(jù)了解，三星（中國）半導(dǎo)體有限公司生產(chǎn)的主要產(chǎn)品為3DV-Nand閃存芯片，目前產(chǎn)品通過韓國總部遠銷歐美
2020-03-12 14:15:122941 據(jù)韓聯(lián)社報道，三星電子周三預(yù)計，由于數(shù)據(jù)中心投資增加和新應(yīng)用，5G和數(shù)據(jù)中心的存儲芯片需求將增加。
2020-03-18 14:26:322789 電子DRAM芯片產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁指出，隨著以EUV技術(shù)所生產(chǎn)出的新型DRAM芯片量產(chǎn)，展示著三星對提供革命性的DRAM芯片解決方案以支援全球IT客戶需求的承諾。這項重大進展也說明了三星將如何透過即時開發(fā)高端制程技術(shù)來生產(chǎn)高端存儲器芯片市場的下一代產(chǎn)品，繼續(xù)
2020-04-03 15:47:511320 全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。
2020-07-03 08:42:19870 16GB/stack的容量。 HBM2E對HBM2標(biāo)準(zhǔn)型進行了一些更新來提升性能，作為中代產(chǎn)品，能提供更高的時鐘速度，更高的密度（12層，最高可達24GB）。三星是第一個將16GB/satck
2020-09-10 14:39:012830 市調(diào)機構(gòu)TrendForce預(yù)計四季度存儲芯片的價格將下跌10％，這對于全球存儲芯片行業(yè)老大三星來說顯然并非好消息，三星的凈利潤或因此而出現(xiàn)大幅下跌。
2020-10-09 11:52:302093 和 HBM2 內(nèi)存技術(shù)，而這次的 HBM-PIM 則是在 HBM 芯片上集成了 AI 處理器的功能，這也是業(yè)界第一個高帶寬內(nèi)存（HBM）集成人工智能（AI）處理能力的芯片。 三星關(guān)于 HBM
2021-02-18 09:12:322714 三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力，使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:462591 三星存儲芯片需求持續(xù)強勁：近日，三星電子公司正式發(fā)布了第四季度的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)情況，根據(jù)三星公司發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示三星電子第四季度利潤有望創(chuàng)紀錄，三星電子的代工業(yè)務(wù)或?qū)@得未來2年的訂單。
2022-01-06 15:14:192127 業(yè)界認為，三星雖維持資本支出計劃，但主要是強化DDR5等新世代高階存儲芯片生產(chǎn)。 隨著三星將焦點聚焦高階新世代產(chǎn)品，并釋出大幅減產(chǎn)信息，意味主流DDR4市況將更健康。
2023-05-24 11:37:23721 有分析師爆料稱三星將成為英偉達的HBM3存儲芯片關(guān)鍵供應(yīng)商，三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達供應(yīng)HBM3。
2023-09-01 09:46:5141378 有傳聞稱，三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu，但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉，hbm可以將多個dram垂直連接起來，提高數(shù)據(jù)處理速度，因此，現(xiàn)金dram僅用一個芯片就可以儲存與整個hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:321571 庫存，但市場行情是否筑底眾說紛紜，整體產(chǎn)業(yè)回暖的跡象亦不明顯。 然而，在生成式AI對算力需求的帶動下，2023年初以來高帶寬內(nèi)存(HBM)在整個存儲芯片產(chǎn)業(yè)中可謂“這邊風(fēng)景獨好”。目前，三星、SK海力士、美光等存儲芯片大廠均在布
2023-09-08 10:36:161313 日前有消息稱，存儲芯片領(lǐng)域正在迎來一輪明顯的復(fù)蘇，特別是移動DRAM芯片銷售行業(yè)。
2023-09-14 10:42:471744 三星電子在此次會議上表示：“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級dram，目前正在開發(fā)的11納米級dram將提供業(yè)界最高密度?！绷硗?，三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計劃為一個芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720 美國消費者新聞與商業(yè)頻道分析，這意味存儲芯片市場可能觸底回升。按這家媒體說法，三星電子是全球最大的動態(tài)隨機存取存儲芯片制造商。這家企業(yè)生產(chǎn)的存儲芯片廣泛應(yīng)用于智能手機和電腦等設(shè)備。
2023-11-02 16:57:571597 由于人工智能技術(shù)所需的高端存儲芯片（如DDR5和HBM）的需求持續(xù)增長，第二季度DRAM產(chǎn)品的出貨量已超出預(yù)期。在第四季度，DS部門將專注于銷售高附加值產(chǎn)品，如HBM3等。
2023-11-02 17:17:321483 據(jù)gartner稱，人工智能芯片市場規(guī)模有望從今年的534億美元增長到2027年的1194億美元。但在hbm和ddr5 dram等先進存儲芯片市場上，三星落后于競爭企業(yè)。
2023-11-30 09:42:18875 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，由于DRAM、NAND等存儲半導(dǎo)體市場嚴重低迷，三星電子和SK海力士這兩家全球主要的存儲芯片制造商已向韓國的一些存儲半導(dǎo)體零部件供應(yīng)商提出降價要求。
2024-01-19 14:52:051659 三星電子，全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商，近日宣布在美國設(shè)立新的研究實驗室，專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個實驗室將隸屬于總部位于美國硅谷的Device Solutions America (DSA)，負責(zé)三星在美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)。
2024-01-30 10:48:461306 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:001583 三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀錄，不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力，也為整個存儲行業(yè)樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-03-08 10:04:421516 三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器（HBM）。
2024-03-08 10:10:511277 英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系，計劃從后者采購高帶寬存儲（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時，三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士，后者已率先實現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:041287 據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代，這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:091917 在 AI 存儲芯片方面，慶桂顯示三星組建了以DRAM產(chǎn)品與技術(shù)掌門人Hwang Sang-joon為首的HBM內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)素提升團隊，這是今年成立的第二支HBM專業(yè)隊伍。全力挽救因誤判市場導(dǎo)致業(yè)績下滑的局面。
2024-04-01 10:34:331300 臺灣東部花蓮地區(qū)4月3日發(fā)生強烈地震之后，美光、SK海力士、
三星紛紛暫停
存儲芯片報價，
三星雖未受直接影響，卻暫時停止出貨以待上級指示。據(jù)了解，盡管
三家主要
DRAM供應(yīng)商尚未宣布后續(xù)漲價安排，不過
業(yè)界預(yù)期地震后
存儲器產(chǎn)品價格或?qū)⒋蠓扰噬?/div>
2024-04-10 09:30:411085 全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預(yù)判，今年DRAM和高帶寬存儲器（HBM）價格將持續(xù)攀升，受益于市場對于高端芯片，尤其是人工智能相關(guān)芯片的強大需求。
2024-05-15 09:23:52983 近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達標(biāo)，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108 值得注意的是，早年對HBM技術(shù)表現(xiàn)出濃厚興趣的三星，與英偉達共同研發(fā)了HBM及HBM2系列產(chǎn)品，然而銷售初期市場反應(yīng)冷淡，導(dǎo)致持續(xù)虧損。
2024-05-29 15:50:00932 在科技日新月異的今天，DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）作為計算機系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，其技術(shù)革新一直備受矚目。近日，據(jù)業(yè)界權(quán)威消息源透露，韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星和SK海力士，都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486 在當(dāng)前的半導(dǎo)體存儲芯片市場中，一個引人注目的趨勢正在悄然成形。業(yè)界專家紛紛指出，隨著高帶寬存儲（HBM）等先進DRAM技術(shù)的投資熱潮，通用型DRAM（Dynamic Random-Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器）的供應(yīng)可能會陷入短缺的境地。
2024-06-26 11:46:262041 在全球科技產(chǎn)業(yè)持續(xù)革新的背景下，人工智能（AI）技術(shù)的快速發(fā)展對存儲芯片行業(yè)產(chǎn)生了深遠的影響。隨著AI需求激增，存儲芯片領(lǐng)域的競爭進一步加劇，而三星電子作為行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，其業(yè)績預(yù)期也隨之迎來了積極的變化。
2024-06-27 14:36:051405 在全球人工智能（AI）技術(shù)持續(xù)升溫的背景下，韓國兩大存儲芯片巨頭——三星電子與SK海力士正積極調(diào)整生產(chǎn)策略，以應(yīng)對日益增長且多樣化的存儲需求。據(jù)韓國媒體最新報道，這兩家公司正分別在其位于平澤和無錫
2024-07-08 12:54:091248 近日，三星電子宣布了一項重大市場決策，計劃在第三季度對其DRAM和NAND閃存存儲芯片進行15%-20%的價格調(diào)整。這一舉措背后，是人工智能領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?b class="flag-6" style="color: red">存儲芯片需求的急劇攀升，預(yù)示著存儲芯片市場正迎來新一輪的價格上漲周期。
2024-07-18 09:50:251233 進入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過英偉達嚴格測試。然而，三星迅速澄清，表示這一報道與事實相去甚遠，強調(diào)目前質(zhì)量測試
2024-08-23 15:02:561635 近日，存儲芯片巨頭三星電子宣布了一項重大突破：成功開發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達到了業(yè)界最高水平，更在速度上實現(xiàn)了顯著提升，成為下一代AI計算應(yīng)用的理想解決方案。
2024-10-18 16:58:431425 三星電子正面臨嚴峻挑戰(zhàn)，特別是在其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域。除了代工業(yè)務(wù)停滯的問題，該公司在高帶寬存儲器（HBM）市場的競爭力也引發(fā)了廣泛關(guān)注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，為了提升在HBM領(lǐng)域的競爭力，三星可能會著手重新設(shè)計部分1a DRAM電路。
2024-10-22 14:37:411371 三星推出了業(yè)內(nèi)首款24Gb（即3GB）GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片，其超高速度可達42.5Gbps，專為下一代圖形處理單元（GPU）打造。據(jù)三星介紹，得益于多項改進與更新，該芯片相比前代在密度上提升
2024-10-22 15:13:373216 近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達提供HBM3E量產(chǎn)供應(yīng)的絆腳石。
2024-10-23 17:15:101255 正在積極考慮從三星采購8層和12層的HBM3E存儲芯片。這一新型存儲芯片以其卓越的性能和高效的能源利用，備受業(yè)界矚目。英偉達若能夠成功引入這款芯片，無疑將為其AI產(chǎn)品提供更為強勁的動力。 值得注意的是，目前英偉達主要從韓國競爭對手
2024-11-26 10:22:171129 據(jù)韓國媒體報道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對設(shè)計進行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511343 成為了全球存儲芯片巨頭們角逐的焦點。三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，一直致力于推動 HBM 技術(shù)的革新。近日有消息傳出，三星電子準(zhǔn)備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合技術(shù)，這一舉措無疑將在存儲芯片領(lǐng)域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術(shù)背景：HBM 發(fā)展的必然趨
2025-07-24 17:31:16632 
三星、美光暫停 DDR5 報價引發(fā)的存儲芯片荒，雖攪動國內(nèi)芯片市場，但對 PCB 行業(yè)的影響卻遠小于預(yù)期。這場 “無關(guān)聯(lián)” 的核心，并非 PCB 行業(yè)抗風(fēng)險能力強，而是 PCB 的需求結(jié)構(gòu)與存儲芯片
2025-11-08 16:17:001012 已全部加載完成
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