DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36
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最多的
DRAM有什么特點(diǎn)呢？它的工藝是什么情況？（通常所說的內(nèi)存就是
DRAM）答：1）
DRAM需要
進(jìn)行周期性的刷新操作，我們不應(yīng)將SRAM與只讀
存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因?yàn)?/div>
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
才會停止DRAM的投資。從目前各新興存儲器的技術(shù)進(jìn)展來看，讀寫速度都已紛紛進(jìn)入10ns的目標(biāo)區(qū)，而且不需要更新電流(refresh current)，對功耗問題大有好處。況且這些技術(shù)也都可以3D堆疊
2018-10-12 14:46:09
一種特定的類型：DRAM。DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）是一種基于充電電容器的存儲技術(shù)，實(shí)現(xiàn)起來非?？烨冶阋?。它還允許高密度。但是DRAM并非沒有缺陷。DRAM中的一位可以存儲為電容器上是否存在電荷
2020-09-25 08:01:20
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
第4章 存儲器教材課后思考題與習(xí)題：4.1解釋概念：主存、輔存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory主存：主存儲器
2021-07-26 08:08:39
技術(shù)的日趨成熟,存儲器價(jià)格會回穩(wěn).然而就DRAM市場來說,誰也不知道DRAM的供貨何時(shí)才會穩(wěn)定下來.再來看市場需求狀況,雖然有些存儲器市場分段的市場需求正在增長,但是這些分段的增長幅度并不高,可見主要的問題是來自于供給側(cè).
2019-07-16 08:50:19
內(nèi)部程序，其特點(diǎn)是價(jià)格便宜?！ ?、可編程的只讀存儲器（PROM）： 它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入，一旦寫入，只能讀出，而不能再進(jìn)行更改，這類存儲器現(xiàn)在也稱為OTP（Only Time
2017-10-24 14:31:49
更改內(nèi)部程序，其特點(diǎn)是價(jià)格便宜?！ ?、可編程的只讀存儲器（PROM）： 它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入，一旦寫入，只能讀出，而不能再進(jìn)行更改，這類存儲器現(xiàn)在也稱為OTP（Only
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
存儲器的帶寬信息。具體的，可以采用存儲器的SMART技術(shù)獲取存儲器的帶寬信息，上述帶寬信息可以包括存儲器的類型、存儲器的型號、存儲器的剩余帶寬、存儲器當(dāng)前的讀寫速率等。102、依據(jù)上述帶寬信息選取編碼
2019-11-15 15:44:06
存儲器可劃分為哪幾類？存儲器的層次結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？存儲器芯片與CPU芯片是怎樣進(jìn)行連接的？
2021-09-16 07:12:10
的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲在Flash/ROM中，初始這些存儲器地址是從0開始的，但這些存儲器的讀時(shí)間比SRAM/DRAM長，造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高，故一般在前面一段程序?qū)⒋a搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲器空間，將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0，重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運(yùn)行的目的。
2018-06-10 00:47:17
從個人電腦的角度看嵌入式開發(fā)板——小白學(xué)ARM（五）各種存儲器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開發(fā)板vs個人電腦各種存儲器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個合理
2019-08-16 07:06:12
。KeyStone 系列器件以該技術(shù)為構(gòu)建基礎(chǔ)，能夠進(jìn)一步將軟錯誤保護(hù)擴(kuò)展至存儲器的所有層級。圖 6 － 多內(nèi)核虛擬存儲器 層級系統(tǒng)中的存儲器控制器可支持多級保護(hù)，并可用于實(shí)現(xiàn)對代碼段進(jìn)行全面校正，并對數(shù)據(jù)空間
2011-08-13 15:45:42
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
先進(jìn)的傳感器技術(shù)和軟件技術(shù)。TDK通過提供高性能的復(fù)合型傳感器和創(chuàng)新型軟件組成的傳感器融合等，強(qiáng)勢支援無人機(jī)的技術(shù)革新和市場發(fā)展。 無人機(jī)是一種電動型無人航空器（UAV），市面上的主流產(chǎn)品為超過4個
2020-07-09 11:37:02
狀態(tài)取反寫入存儲器。如果讀出狀態(tài)不在車庫內(nèi)，則產(chǎn)生刷進(jìn)脈沖，在車庫內(nèi)刷出。大致思路是這樣，用74LS123進(jìn)行延時(shí)，延時(shí)信號觸發(fā)存儲器的讀寫端，數(shù)據(jù)通過74LS244傳輸，中間用74LS175固定和取反
2016-07-23 00:01:59
問：動態(tài)儲器和靜態(tài)存儲器有什么區(qū)別？答：當(dāng)然動態(tài)儲器(DRAM)與靜態(tài)存儲器(SRAM)除了速度外,它們的價(jià)格也是一個天一個地,依據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)計(jì),以降底產(chǎn)品成本,下面是它們的價(jià)紹.SRAM(靜態(tài)
2011-11-28 10:23:57
存儲器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲器的隨機(jī)訪存速度更快。經(jīng)過研究人員對浮柵存儲技術(shù)的堅(jiān)持不懈的研究，現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升，盡管如此，現(xiàn)在人們越來越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級到更小
2019-06-26 07:11:05
性存儲器：指當(dāng)電源被關(guān)斷之后，數(shù)據(jù)隨即消失的存儲器（如.RAM隨機(jī)存儲器 ） 。這種存儲器的特點(diǎn)是一般采用CMOS技術(shù)，以降低功耗。并且采用并行方式傳輸數(shù)據(jù)，因而具有高速存取數(shù)據(jù)的能力。這種存儲器
2020-12-25 14:50:34
在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲器設(shè)計(jì)：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲器 SRAM——Static RAM(動態(tài)存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
據(jù)新華社7月2日報(bào)道，相變存儲器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱為下一代存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬量級市場化銷售，未來中國在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
的測試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文提出了一種多功能存儲器芯片的測試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，對各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口
2019-07-26 06:53:39
本文介紹了一種0．13微米CMOS T藝下FPGA中嵌入式存儲器模塊的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。
2021-04-09 06:02:09
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因?yàn)檫@種存儲器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣，才能實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設(shè)計(jì)呢？
2019-08-02 06:49:22
如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展存儲器的設(shè)計(jì)？
2021-10-28 08:08:51
特錯誤和檢測雙比特錯誤，但對雙比特以上的錯誤不能保證檢測。它克服了傳統(tǒng)奇偶校驗(yàn)只能檢出奇數(shù)位出錯、校驗(yàn)碼冗長、不能糾錯的局限性。文中在高速大容量固態(tài)存儲器的硬件結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，詳細(xì)介紹了ECC校驗(yàn)碼的生成規(guī)則以及ECC校驗(yàn)流程，以及如何利用固態(tài)存儲器進(jìn)行ECC算法分析與實(shí)現(xiàn)？
2019-07-31 06:47:09
Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動器？如何去設(shè)計(jì)Flash存儲器？
2021-04-27 06:20:01
擴(kuò)展存儲器讀寫實(shí)驗(yàn)的目的是什么？怎樣去設(shè)計(jì)一種擴(kuò)展存儲器讀寫的電路？擴(kuò)展存儲器讀寫實(shí)驗(yàn)的流程有哪些？
2021-07-14 07:04:49
本文提出了一個網(wǎng)絡(luò)存儲器的基本解決方案，實(shí)現(xiàn)了網(wǎng)絡(luò)存儲器的基本功能。
2021-04-26 06:50:19
TPMS技術(shù)及輪胎定位原理是什么？如何解決TPMS輪胎換位和調(diào)換輪胎時(shí)的重新定位問題？怎么實(shí)現(xiàn)外置編碼存儲器輪胎定位技術(shù)？
2021-05-14 06:13:50
?過去存儲器與晶圓代工業(yè)大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時(shí)代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器
2018-12-24 14:28:00
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態(tài)隨機(jī)存儲器（Dynamic RAM），“動態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
目前高級應(yīng)用要求新的存儲器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
2018-05-17 09:45:35
本文分別介紹了存儲器的分類、組成、層次結(jié)構(gòu)、常見存儲器及存儲器的選擇，最后描述了計(jì)算機(jī)存儲器的一些新技術(shù)。存儲器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)
2021-09-09 07:47:39
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢。在半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM
2022-11-17 16:58:07
網(wǎng)絡(luò)存儲器技術(shù)是如何產(chǎn)生的？怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲器？
2021-05-26 07:00:22
。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進(jìn)行寫入操作，而事實(shí)上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點(diǎn)。這些技術(shù)包括有EPROM(幾乎已經(jīng)廢止
2011-11-19 11:53:09
。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進(jìn)行寫入操作，而事實(shí)上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點(diǎn)。這些技術(shù)包括有EPROM(幾乎已經(jīng)廢止
2011-11-21 10:49:57
相變存儲器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 日前，存儲器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 FPGA中的存儲塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動態(tài)隨機(jī)訪問的存儲塊（DRAM），這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
在這個科技飛速進(jìn)步的時(shí)代，技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者（即革新者）們正面臨著技術(shù)革新所帶來的困境。一方面，技術(shù)革新為公司贏得市場立足點(diǎn)，以及擴(kuò)大市場份額的機(jī)會。但另一方面，隨著市場的成熟，這個加速公司成長的競爭
2017-11-17 17:36:51686 存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 和美光均采用IDM模式繼續(xù)保持壟斷地位，合計(jì)市占率超過95%，國產(chǎn)廠商開始積極布局，2018年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，有望逐步改變當(dāng)前產(chǎn)業(yè)格局。DRAM消費(fèi)產(chǎn)品中，移動終端、服務(wù)器和PC依舊占據(jù)頭三名，合計(jì)占比86%，未來將繼續(xù)拉動DRAM消費(fèi)增長。
2018-05-17 10:12:003074 DRAM技術(shù)上取得的進(jìn)步伴隨著多內(nèi)核處理器的出現(xiàn)、新的操作系統(tǒng)，以及跨多種不同運(yùn)算平臺和應(yīng)用的越來越多的不同要求，包括服務(wù)器、工作站、海量存儲系統(tǒng)、超級計(jì)算機(jī)、臺式電腦和筆記本電腦和外設(shè)。存儲器技術(shù)
2020-05-21 07:52:006238 
3G提高了通信速度，4G改變了我們的生活，5G時(shí)代則因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)的革命性，整個社會形態(tài)與商業(yè)形態(tài)都被深刻影響，對于芯片封裝測試領(lǐng)域同樣也帶來了許多新的技術(shù)革新。
2018-12-04 16:30:364583 盡管ㄧ些新存儲器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來，但在這競爭激烈的市場，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術(shù)的列表。然而，無論哪一個技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846 
隨著福建晉華和合肥長鑫兩大陣營投入研發(fā) DRAM 技術(shù)，若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn)，西安紫光國芯的DRAM設(shè)計(jì)實(shí)力恐與這兩家再度拉大，合并紫光國芯后的紫光存儲要如何進(jìn)行大整合，以發(fā)揮集團(tuán)的存儲戰(zhàn)力，還待時(shí)間觀察。
2019-02-25 10:22:499118 ，也能有效避免因室內(nèi)外溫差過大引起的身體不適。與此同時(shí)，空調(diào)廠家紛紛在空調(diào)的出風(fēng)方面進(jìn)行技術(shù)革新，用技術(shù)手段不斷提升用戶使用體驗(yàn)。
2019-05-23 16:43:58630 作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 了這樣的領(lǐng)導(dǎo)品牌?；谠趶N電行業(yè)深耕幾十載所積淀的技術(shù)力量,蘇泊爾持續(xù)進(jìn)行技術(shù)革新,以多款擁有不俗市場表現(xiàn)的靜音破壁機(jī),帶領(lǐng)破壁機(jī)行業(yè)從野蠻增長逐漸轉(zhuǎn)型為高速有序增長。 今年夏天,蘇泊爾上市了行業(yè)首款創(chuàng)新多維靜音技術(shù)破壁
2019-08-20 22:19:14756 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時(shí)代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742 業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 據(jù)近日報(bào)道，面對存儲器半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場低迷，三星電子，SK海力士，鎂光企圖通過新舊世代的產(chǎn)品交替，克服危機(jī)。
2019-10-25 10:22:53632 據(jù)臺媒報(bào)道，由于第一季度表現(xiàn)良好，加上存儲器產(chǎn)業(yè)下半年需求有望升溫，臺灣存儲器模組廠宇瞻股價(jià)一路高漲15.9%。
2020-03-08 18:32:312079 電子DRAM芯片產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁指出，隨著以EUV技術(shù)所生產(chǎn)出的新型DRAM芯片量產(chǎn)，展示著三星對提供革命性的DRAM芯片解決方案以支援全球IT客戶需求的承諾。這項(xiàng)重大進(jìn)展也說明了三星將如何透過即時(shí)開發(fā)高端制程技術(shù)來生產(chǎn)高端存儲器芯片市場的下一代產(chǎn)品，繼續(xù)
2020-04-03 15:47:511009 良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級別進(jìn)行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲器技術(shù)的制造和測試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:16847 
獨(dú)立存儲器市場和相關(guān)技術(shù)的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444025 
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-11 15:11:293686 
最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 最新消息，據(jù)日本共同社報(bào)道，美光科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本美光存儲器公司”，已于16日在該市廣島工廠啟動最尖端DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）的量產(chǎn)。 據(jù)悉，量產(chǎn)的最新產(chǎn)品
2022-11-28 10:40:52914 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。先進(jìn)的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39547 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲在其中的信息會丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 國產(chǎn)深海萬米六維力傳感器引領(lǐng)卡脖子技術(shù)革新
2024-02-20 16:09:00193 
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