19日,在東京舉行的 Samsung SSD Forum 2019 Tokyo會上。三星電子存儲器部門產(chǎn)品規(guī)劃團隊高級董事總經(jīng)理Jinman就所展示的解決方案進行了演講。 Jinman解釋說，該公司
2019-11-25 09:52:31
6442 三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè)，計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后，于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。
2015-08-11 08:32:001030 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 電子發(fā)燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 V-NAND 1Tb TLC達290層，已開始量產(chǎn)。根據(jù)規(guī)劃，2025年主流閃存廠商的產(chǎn)品都將進入300層+，甚至400層以上。至于遠期，到2030年閃存有望突破1000層。 ? 2024 年三星第9 代
2024-05-25 00:55:005554 
的話，英特爾預(yù)計在2017年二季度將實現(xiàn)144億美元的銷售額，而三星電子的銷售額預(yù)計將達到146億美元。因此如果存儲芯片的市場價格在二季度及余下時間里都能持續(xù)增長，三星電子將會取代英特爾成為全球最大
2019-04-24 17:17:53
三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹先生表示，三星不斷進行技術(shù)創(chuàng)新，新一代的QLC產(chǎn)品成本可以降低60%，同時還推出了容量高達1Tb的V-NAND技術(shù)，速度將會達到1200Mbps。在市場應(yīng)用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
務(wù)部，Samsung SDI，在美國底特律國際車展上發(fā)布了此款電動車電池的設(shè)計原型。三星SDI表示新電池密度更高，充飽電可供電動汽車行駛最遠達600公里；較之前的最高紀錄500公里，此款新電池足以甩開它們好幾個
2016-01-15 16:34:30
海力士也將在2021年中推出基于176層4D NAND新技術(shù)的UFS和SSD產(chǎn)品。而三星雖然還未宣布下一代產(chǎn)品具體層數(shù)，但是近期也在公開會議中表示，將在2021年量產(chǎn)第七代V-NAND，使用“雙堆棧
2022-01-26 08:35:58
NAND只需要提高堆棧層數(shù)，目前多種工藝架構(gòu)并存。從2013年三星推出了第一款24層SLC/MLC 3D V-NAND，到現(xiàn)在層數(shù)已經(jīng)邁進200+層，并即將進入300+層階段。目前，三星/西部數(shù)據(jù)
2024-12-17 17:34:06
歐電子長期全國回收品原裝存儲芯片：三星samsung，海力士SK hynix，現(xiàn)代hyniy，展訊SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
代V-NAND技術(shù)。據(jù)三星官方消息顯示，新款 V-NAND 運用三星電子有的“通道孔蝕刻”技術(shù)，向前代 9x 層單堆疊架構(gòu)增加了約 40% 單元。這是通過構(gòu)建由 136 層組成的導(dǎo)電模具堆棧，然后垂直
2020-03-19 14:04:57
三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 閃存巨頭再度發(fā)力：三星公司在本屆閃存記憶體峰會上連續(xù)公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64層3D NAND構(gòu)建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同時配合TLC（即三層單元）設(shè)計。
2016-08-19 15:57:111041 三維閃存“V-NAND”技術(shù)實現(xiàn)了每芯片32GB（256Gbit）的大容量化。也就是運用MLC（Multi Level Cell）技術(shù)的第三代V-NAND，嘗試在每個芯片內(nèi)垂直堆疊了48層存儲單元。
2016-10-31 17:57:241111 近日三星推出了基于小型下一代小型（NGSFF）（*）的最高容量NVMe SSD - 一個8TB NF1 （**） SSD。
2018-07-18 10:53:002322 三星表示，這款512GB的閃存芯片專門面向移動設(shè)備開發(fā)，其中整合了八個多層存儲數(shù)據(jù)的V-NAND芯片。和過去三星256GB的芯片相比，雖然容量翻一倍，但是使用的空間卻相同。這給手機設(shè)計帶來了福音。
2017-12-06 11:03:441513 據(jù)悉，東芝的第 6 座工廠（Fab 6）還沒有完工，東芝就宣布將在日本興建第7座NAND Flash工廠，韋德就是能在2018年與三星，Intel、及 SK 海力士進行實力競爭。94 層 V-NAND 閃存生產(chǎn)將會是東芝的下一個計劃。
2017-12-27 14:06:092171 三星的第3代動力電池能量密度是在550wh/L，相當于210—230wh/kg，已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)。下一代3.5代產(chǎn)品能量密度可以達到630 wh/L，預(yù)計在2019年量產(chǎn)。
2018-01-25 08:32:447127 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 的一部分。此前我們曾評測過4TB 860PRO版本，今天繼續(xù)為大家?guī)?b class="flag-6" style="color: red">1TB容量評測。 三星860PRO 1TB SSD屬于850 PRO SSD的替代型號，他們的外觀和風(fēng)格基本一致，860 PRO主體
2018-02-15 06:11:0012757 位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一，也是中國最先進的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設(shè)備和其它消費電子產(chǎn)品。
2018-02-09 10:18:468073 的10倍之多，用起來更放心，只不過4TB容量的SSD現(xiàn)階段售價太貴，1．1萬元的價格不是普通人能接受得了的。好在三星還提供了多種容量組合，需要兼顧容量、性能、價格的用戶可以考慮1TB容量的，目前售價2399元，比上代還要便宜一些，同時使用壽命是上代產(chǎn)品的4倍。
2018-06-04 09:42:0053847 在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產(chǎn)品。
2018-05-16 23:41:001196 三星電子今天發(fā)布了一款全新的SSD固態(tài)硬盤，型號“PM883”，最大特點是第一次用上了LPDDR4內(nèi)存作為緩存顆粒。PM883面向數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)中心市場，采用標準的2.5寸SATA規(guī)格，主控方案未知（估計是三星自家的），閃存是三星64層3D V-NAND顆粒，容量4TB、8TB兩種可選。
2018-06-26 16:07:0013654 三星電子今天宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動設(shè)備。據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 三星終于宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲芯片，聲稱其堆疊層數(shù)超過90層，可能指的是其96層，制造生產(chǎn)率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:002032 據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應(yīng)時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 三星17日宣布，量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲器顆粒，速率可達6,400Mbps，比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲器快了50%，同時功耗降低30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲器的測試。
2018-07-20 10:39:445216 近日，存儲芯片大廠三星正式宣布已開始量產(chǎn)96層堆疊、單Die 32GB容量的第五代V-NAND閃存芯片。同時，三星還正式發(fā)布了首款LPDDR5內(nèi)存芯片?？梢哉f，三星在存儲領(lǐng)域進一步拉開了與其他競爭對手的差距。
2018-07-22 08:52:4711170 
面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 三星電子有限公司今天宣布推出三星移動固態(tài)硬盤T5-全新的移動固態(tài)硬盤（PSSD），提升了外部存儲產(chǎn)品的性能標準。T5采用三星最新的64層V-NAND（垂直NAND）技術(shù)和緊湊耐用的設(shè)計，具有業(yè)界領(lǐng)先的傳輸速度和加密的數(shù)據(jù)安全性，使消費者更輕松隨時隨地訪問其最有價值的數(shù)據(jù)。
2018-07-26 17:43:092951 此外，新的V-NAND數(shù)據(jù)寫入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進了30%，讀取信號時間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節(jié)能，電壓從1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:001476 三星電子也不甘示弱，早先已經(jīng)宣布量產(chǎn)96層堆疊第五代V-NAND閃存，并宣布會在年內(nèi)推出全球第一款32TB超大容量SSD。
2018-08-07 14:32:115169 很顯然從今年開始，廠商們都開始將目光轉(zhuǎn)向了QLC閃存，之前Intel就已經(jīng)推出了首款搭載QLC閃存的SSD，而現(xiàn)在三星也正式宣布量產(chǎn)首款搭載QLC閃存的SSD，這些SSD從1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三種規(guī)格。
2018-08-07 17:00:031358 近日，存儲芯片大廠三星正式宣布已開始量產(chǎn)96層堆疊、單Die 32GB容量的第五代V-NAND閃存芯片。同時，三星還正式發(fā)布了首款LPDDR5內(nèi)存芯片。可以說，三星在存儲領(lǐng)域進一步拉開了與其他競爭對手的差距。
2018-08-17 14:52:2227792 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 經(jīng)過測試，三星UFS存儲卡（1TB）的隨機讀取速度達到了126.4MB/s，順序讀取速度達到了510.82MB/s，表現(xiàn)遠遠超過了傳統(tǒng)MicroSD卡。
2019-09-10 15:01:002790 三星新一代860 QVO系列固態(tài)硬盤于今日上架美國官網(wǎng)，作為三星首款面向消費者的QLC固態(tài)硬盤，它采用傳統(tǒng)的2.5寸盤規(guī)格，內(nèi)部為三星自主MJX主控、三星自產(chǎn)V-NAND QLC閃存顆粒，容量規(guī)格有1TB、2TB、4TB。1TB版本官方建議零售價149.99美元。
2018-11-30 14:08:012848 天字一號閃存企業(yè)三星電子今天（1月30日）宣布開始量產(chǎn)單芯片1TB容量的UFS存儲產(chǎn)品，主力用于智能手機。
2019-02-11 11:33:414435 
96 層 3D NAND 四級單元（QLC）技術(shù)的 microSD 卡。1TB microSD 卡可以為消費者的手機和其他電子設(shè)備提供經(jīng)濟高效的存儲方案，實現(xiàn)流暢的 4K 視頻、圖片和游戲體驗。
2019-02-26 17:26:511306 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320 三星電子公布了全球首款單芯片1TB UFS2.1閃存，該款嵌入式閃存標志著智能存儲將邁入TB級別。
2019-07-03 11:15:34971 SK海力士宣布已向主要SSD（固態(tài)硬盤）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品，并開發(fā)了自己的QLC軟件算法和控制器，計劃擴大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產(chǎn)品。
2019-07-25 15:08:544098 在2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨特的電路設(shè)計與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 8月6日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)250千兆字節(jié)（SATA）固態(tài)硬盤（SSD），該硬盤集成了該公司的第六代（1xx層）256Gb，適用于全球PC OEM的三位V-NAND。通過在短短13個月內(nèi)推出新一代V-NAND，三星已將批量生產(chǎn)周期縮短了四個月，同時確保了業(yè)界最高的性能，功效和制造生產(chǎn)率。
2019-08-07 17:10:553350 
Galaxy Book S提供了13.3英寸的全高清觸控屏，采用8GB LPDDR4X內(nèi)存，最高512GB機身存儲，最多支持1TB的micro SD卡。這款筆記本電腦的電池42Wh，三星稱視頻播放時間長達23小時，這表明充滿電就能用一整天。該筆記本電腦還支持QC 2.0和PD 2.0快充。
2019-08-09 08:46:551648 三星發(fā)布全新企業(yè)級固態(tài)硬盤PM1733，該產(chǎn)品采用了三星自家研發(fā)的主控，搭配自家的第五代V-NAND閃存，單Die容量512Gb(64GB)，提供兩種不同規(guī)格，一個是2.5英寸雙U.2接口，另一個是PCIe接口。
2019-08-21 16:52:493293 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04981 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-09 16:05:251778 美光宣布推出一系列全新micro SD存儲卡，稱為i300系列，其容量從32GB到1TB不等，以滿足視頻監(jiān)控市場和其他工業(yè)應(yīng)用的邊緣存儲需求，其中具有最大存儲容量的型號是美光i3001TB3microSDXC UHS-I，可容納1TB數(shù)據(jù)，是所有micro SD卡的最高容量。
2019-11-19 10:40:191624 三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)250千兆字節(jié)（GB）SATA固態(tài)硬盤（SSD），該硬盤集成了該公司的第6代（1xx層）256千兆位（Gb）三位V- NAND。該公司已將SSD交付給全球PC制造商。
2019-11-22 17:07:39896 660p 僅采用了 64 層 3D QLC NAND 。為了與西部數(shù)據(jù)（WD）爭搶上市，英特爾率先推出了 1TB 的版本，2TB 版本則要等到 2020 年 1 季度。
2019-11-26 15:20:383769 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 三星S10 Lite正面搭載20:9的6.7英寸Super AMOLED屏幕，屏幕分辨率為1080 X 2400，同時采用挖孔屏設(shè)計，開孔的位置位于屏幕頂部中央；搭載高通驍龍855移動平臺，輔以8GB+128GB內(nèi)存組合，支持最大1TB microSD卡拓展。
2019-12-20 11:40:173221 固態(tài)硬盤市場的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的，也是目前技術(shù)最強的，已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)達到了48層。
2019-12-22 11:19:011517 今日凌晨，XDA主編Max Winebach爆料稱，三星Galaxy S20 Ultra 5G將保留SD卡插槽，最高支持1TB存儲卡擴展。
2020-01-14 14:15:2011160 
從去年底到現(xiàn)在，NAND閃存價格止跌回升，連帶著SSD硬盤價格也上漲了不少，現(xiàn)在1TB容量的SSD全面回到了千元甚至更高價位。什么時候1TB SSD硬盤才能降到300多元呢？這還得再等等，需要第四代QLC閃存了。
2020-04-01 09:14:261332 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級 SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應(yīng)用設(shè)計的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導(dǎo)體制造商，其產(chǎn)品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:194475 據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776 2020年11月4日，北京長江存儲致鈦系列PC005 Active NVMe 1TB版本消費級固態(tài)硬盤(SSD)，已經(jīng)于致鈦京東店鋪正式開售。本次NVMe 1TB版本的面世，讓廣大消費者能夠在享受
2020-11-04 11:39:394102 1 月 19 日消息 根據(jù)外媒 WinFuture 的消息，三星即將發(fā)布新款的 870 EVO SSD ，采用了 TLC 顆粒，SATA 3 接口，最高 4TB 容量。 IT之家了解到，三星 870
2021-01-19 17:52:314572 據(jù)供應(yīng)鏈消息，今年 iPhone Pro 系列的最高存儲容量將從 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20892 官方發(fā)布 今日，三星宣布已開發(fā)出用于企業(yè)服務(wù)器的PM1743固態(tài)硬盤。PM1743固態(tài)硬盤擁有最新的PCIe 5.0接口和三星先進的第6代V-NAND閃存技術(shù)。
2021-12-30 11:57:363953 三星的UFS4.0閃存芯片采用全新第7代V-NAND技術(shù)，傳輸帶寬每通道達到23.2Gbps，相較UFS3.1提升一倍，順序讀取速度可以達到4200MB/s，同時順序?qū)懭胨俣纫蔡嵘?800MB/s
2022-05-05 10:45:274463 
而主要的 NAND 制造商正在競相增加垂直 3D NAND 門的數(shù)量，并推出了 1yyL 3D NAND 設(shè)備。例如，三星 V7 V-NAND、鎧俠和西部數(shù)據(jù)公司 (WDC) BiCS6、美光第 2 代 CTF CuA 和 SK 海力士第 2 和第 3 代 4D PUC NAND 。
2022-07-13 15:30:114733 市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求，更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案，有望成為未來存儲創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2022-11-07 10:33:551379 和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361624 三星采用 3D 縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。通過這項技術(shù)，三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度，使三星的存儲密度達到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25847 基于先進的5納米工藝控制器和第七代?V-NAND 技術(shù)，PM9C1a將個人計算機日常工作效率提升至新高度，同時，可處理高要求的計算和游戲任務(wù) 深圳2023年1月12日 /美通社/ -- 今日，三星
2023-01-12 21:32:101153 最近，三星集團援引業(yè)界有關(guān)負責(zé)人的話表示，計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 正式進入中國市場。990 PRO系列屬于高性能PCIe【1】 4.0固態(tài)硬盤系列，采用三星第8代V-NAND技術(shù)和三星自研控制器。 990 PRO系列擁有強悍的速度和優(yōu)秀的功效，并且針對3D/4K圖形處理
2023-09-07 09:35:411162 
2023年9月6日三星電子宣布推出固態(tài)硬盤990 PRO系列4TB（萬億字節(jié)）產(chǎn)品，預(yù)計將于10月正式進入中國市場。990 PRO系列屬于高性能PCIe【1】4.0固態(tài)硬盤系列，采用三星第8代V-NAND技術(shù)和三星自研控制器。
2023-09-07 09:44:151750 
2024年2月28日 - 三星電子今日宣布，已開始向客戶提供其256GB1 SD Express2 microSD存儲卡樣品，該款存儲卡順序讀取速度最高可達800MB/s，此外，1TB3 UHS-1 microSD存儲卡現(xiàn)已進入量產(chǎn)階段。
2024-02-28 10:38:341705 三星Display第8.6代OLED面板產(chǎn)線啟動設(shè)施導(dǎo)入 全球首條 三星Dispaly在OLED面板上加大了投入，據(jù)外媒報道，三星Display的第8.6代OLED面板產(chǎn)線已經(jīng)在3月10日啟動設(shè)施
2024-03-11 15:42:321582 據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達290層，但IT之家此前曾報道過，三星在學(xué)術(shù)會議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司預(yù)計將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201500 據(jù)相關(guān)業(yè)內(nèi)人士21日透露，近期三星電子NAND開工率已提高至90%，此前存儲行業(yè)衰退時三星開工率一度下降至60%。
2024-04-22 15:26:29967 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 作為九代V-NAND的核心技術(shù)，雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計算領(lǐng)域。據(jù)了解，三星計劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)
2024-04-28 10:08:011536 在技術(shù)層面，第九代V-NAND無疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實力。它采用了雙重堆疊技術(shù)，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上，再次實現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破，堆疊層數(shù)飆升至驚人的290層。
2024-04-28 16:02:241874 第九代V-NAND采用雙堆疊設(shè)計，將旗艦版V8閃存原先的236層進一步增加至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計算設(shè)備領(lǐng)域。
2024-04-28 17:36:181369 據(jù)悉，Switch 2游戲機可能搭載由三星代工廠生產(chǎn)的SoC（英偉達Tegra T239芯片，采用三星7LPH工藝節(jié)點）。此外，任天堂還計劃采用三星第五代V-NAND存儲技術(shù)以及三星作為顯示面板供應(yīng)商。
2024-04-29 10:23:182172 在人工智能（AI）技術(shù)日新月異的今天，數(shù)據(jù)中心對大容量固態(tài)硬盤（SSD）的需求呈現(xiàn)出前所未有的增長態(tài)勢。業(yè)內(nèi)最新消息顯示，由于NAND閃存供應(yīng)可能在下半年出現(xiàn)短缺，三星電子的V8-NAND技術(shù)正成為市場關(guān)注的焦點。
2024-07-01 10:11:121151 據(jù)韓國媒體最新報道，三星電子在其第9代V-NAND閃存技術(shù)中實現(xiàn)了重大突破，首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬（Mo）技術(shù)。這一創(chuàng)新標志著三星在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的又一次技術(shù)飛躍。
2024-07-04 09:23:501262 160MB/s，可輕松處理較大文件 韓國首爾--2024年7月31日--三星電子宣布推出1 TB大容量microSD存儲卡PRO Plus和EVO Plus。PRO Plus和EVO Plus采用三星第八代
2024-08-01 09:24:59699 
三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅實一步，據(jù)業(yè)界消息透露，該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器（HBM4）的流片工作。這一舉措標志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實現(xiàn)12層HBM4產(chǎn)品的量產(chǎn)做足準備。
2024-08-22 17:19:071465 三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標志著三星在存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先，也預(yù)示著數(shù)據(jù)存儲市場即將迎來一場革命性的變革。
2024-09-12 16:27:311108 三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品，集成了多項前沿技術(shù)突破，標志著數(shù)據(jù)存儲性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構(gòu)的QLC V-NAND，通過創(chuàng)新的通道孔蝕刻技術(shù)，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的單元層數(shù)，為各類AI應(yīng)用提供了前所未有的內(nèi)存解決方案。
2024-09-23 14:53:521479 三星電子在車載存儲技術(shù)領(lǐng)域邁出了重要一步，正式宣布成功研發(fā)出業(yè)界首款基于其先進第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。這一創(chuàng)新成果不僅標志著三星在車載數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的深厚積累與前瞻布局，更為未來智能汽車的高性能、高效率數(shù)據(jù)存儲需求提供了強有力的支持。
2024-09-24 15:24:031104 9月26日，三星電子震撼發(fā)布了其旗艦級固態(tài)硬盤新品——990 EVO Plus，該產(chǎn)品標志著存儲技術(shù)的新里程碑。融合了三星自研的第8代V-NAND尖端技術(shù)與突破性的5納米主控芯片，990 EVO Plus在性能與效率上樹立了新的標桿。
2024-09-26 17:06:272684 1. 三星顯示計劃繼續(xù)出售第8 代LCD 設(shè)備，全面轉(zhuǎn)向OLED ? 據(jù)韓媒報道，韓國面板大廠三星顯示計劃繼續(xù)出售第8代液晶顯示器（LCD）設(shè)備，此次計劃出售的設(shè)備包括L8-1-2和L8
2024-12-19 11:07:45722 近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護自身盈利能力而采取的重要措施。 當前，全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面，預(yù)計今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24867 還將進一步邁出重要一步——建設(shè)第九代V-NAND(286層技術(shù))產(chǎn)線。 報道指出，為了實現(xiàn)這一目標，三星西安NAND廠將在今年上半年引入生產(chǎn)第九代V-NAND所需的新設(shè)備。這些先進設(shè)備的導(dǎo)入，將為產(chǎn)線建設(shè)提供堅實的基礎(chǔ)，確保技術(shù)升級順利進行。 據(jù)悉，三星西安NAND廠的目標
2025-02-14 13:43:271090
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