的堆疊NAND閃存 V-NAND實(shí)現(xiàn)了具有最新第六代產(chǎn)品的128層單堆疊，并通過TLC實(shí)現(xiàn)了512 Gb（千兆位）容量。它計劃于2020年投放市場，并且正在針對在5年內(nèi)達(dá)到500層或更多層的堆棧
2019-11-25 09:52:31
6442 三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè)，計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后，于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。
2015-08-11 08:32:001030 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 作為對比，上一代 Intel SSD 660p 僅采用了 64 層 3D QLC NAND 。為了與西部數(shù)據(jù)（WD）爭搶上市，英特爾率先推出了 1TB 的版本，2TB 版本則要等到 2020 年 1 季度。
2019-11-26 16:32:051611 V-NAND 1Tb TLC達(dá)290層，已開始量產(chǎn)。根據(jù)規(guī)劃，2025年主流閃存廠商的產(chǎn)品都將進(jìn)入300層+，甚至400層以上。至于遠(yuǎn)期，到2030年閃存有望突破1000層。 ? 2024 年三星第9 代
2024-05-25 00:55:005554 
1080p視頻錄制。別忘了，三星GALAXY Grand還搭載一顆200萬像素的前置攝像頭?！ ∽詈?，三星GALAXY Grand其他規(guī)格還包括1GB運(yùn)行內(nèi)存，8GB的內(nèi)置存儲容量并支持SD擴(kuò)展，支持藍(lán)牙
2012-12-19 15:54:04
的存儲卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲卡產(chǎn)品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，還真不便宜！該款存儲卡起售價$199.99，對于一張存儲卡而言，這個定價可以算得
2015-12-16 11:31:26
請教大師們，三星ARM920T 的一個普通的寄存器容量有多大？比如說R0，R1
2013-09-01 19:04:11
三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹先生表示，三星不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，新一代的QLC產(chǎn)品成本可以降低60%，同時還推出了容量高達(dá)1Tb的V-NAND技術(shù)，速度將會達(dá)到1200Mbps。在市場應(yīng)用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
`三星事件引發(fā)手機(jī)安全新思考：墾鑫達(dá)報三星（墾鑫達(dá)注：NOTE7電池爆炸召回事件）已經(jīng)證實(shí)被召回機(jī)型為三星最新的智能手機(jī)NOTE 7 ,這是有關(guān)此前有報道三星一些設(shè)備發(fā)生爆炸。設(shè)備推出不到一個月
2016-09-03 12:45:17
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
，收購原裝字庫，回收三星CPU,收購三星拆機(jī)字庫，回收三星原裝IC,有貨速聯(lián)系，型號如下：KMK2U000VM-B604、KMK1U000VM-BA04、KAT007012B-BRTT
2021-08-20 19:11:25
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達(dá)到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
女性的最愛 三星粉色GALAXY Note上市手機(jī)之家資訊中心4月9日消息，三星向來有推出粉色經(jīng)典機(jī)型的習(xí)慣，如今這一顏色也用在了GALAXY Note上了，該機(jī)將于近期在香港上市，售價為5998
2012-04-13 18:49:11
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手冊說有Unique ID可以用，但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區(qū)域，可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02
` 【PConline 資訊】12英寸的平板真的會推出么？前段時間業(yè)內(nèi)人士的預(yù)測引來無數(shù)猜想。近日，taiwan《Digitimes (電子時報)》引述計算機(jī)產(chǎn)業(yè)上游供應(yīng)鏈消息稱，蘋果和三星均在計劃
2013-10-29 10:18:00
三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:041005 閃存巨頭再度發(fā)力：三星公司在本屆閃存記憶體峰會上連續(xù)公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64層3D NAND構(gòu)建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同時配合TLC（即三層單元）設(shè)計。
2016-08-19 15:57:111041 三維閃存“V-NAND”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了每芯片32GB（256Gbit）的大容量化。也就是運(yùn)用MLC（Multi Level Cell）技術(shù)的第三代V-NAND，嘗試在每個芯片內(nèi)垂直堆疊了48層存儲單元。
2016-10-31 17:57:241111 三星開始生產(chǎn)30TB SSD固態(tài)硬盤了，早在去年8月的時候就有了關(guān)于這款30TB SSD的各種消息，當(dāng)時的預(yù)計是在2017年發(fā)布。這款SSD的容量是最大磁盤驅(qū)動器容量的2倍以上，24個SSD可插入
2018-07-18 17:40:002663 近日三星推出了基于小型下一代小型（NGSFF）（*）的最高容量NVMe SSD - 一個8TB NF1 （**） SSD。
2018-07-18 10:53:002322 三星表示，這款512GB的閃存芯片專門面向移動設(shè)備開發(fā)，其中整合了八個多層存儲數(shù)據(jù)的V-NAND芯片。和過去三星256GB的芯片相比，雖然容量翻一倍，但是使用的空間卻相同。這給手機(jī)設(shè)計帶來了福音。
2017-12-06 11:03:441513 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 的一部分。此前我們曾評測過4TB 860PRO版本，今天繼續(xù)為大家?guī)?b class="flag-6" style="color: red">1TB容量評測。 三星860PRO 1TB SSD屬于850 PRO SSD的替代型號，他們的外觀和風(fēng)格基本一致，860 PRO主體
2018-02-15 06:11:0012758 位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是中國最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設(shè)備和其它消費(fèi)電子產(chǎn)品。
2018-02-09 10:18:468075 的10倍之多，用起來更放心，只不過4TB容量的SSD現(xiàn)階段售價太貴，1．1萬元的價格不是普通人能接受得了的。好在三星還提供了多種容量組合，需要兼顧容量、性能、價格的用戶可以考慮1TB容量的，目前售價2399元，比上代還要便宜一些，同時使用壽命是上代產(chǎn)品的4倍。
2018-06-04 09:42:0053847 三星電子今天發(fā)布了一款全新的SSD固態(tài)硬盤，型號“PM883”，最大特點(diǎn)是第一次用上了LPDDR4內(nèi)存作為緩存顆粒。PM883面向數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)中心市場，采用標(biāo)準(zhǔn)的2.5寸SATA規(guī)格，主控方案未知（估計是三星自家的），閃存是三星64層3D V-NAND顆粒，容量4TB、8TB兩種可選。
2018-06-26 16:07:0013654 三星電子今天宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動設(shè)備。據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 三星終于宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲芯片，聲稱其堆疊層數(shù)超過90層，可能指的是其96層，制造生產(chǎn)率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:002034 據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應(yīng)時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 三星電子有限公司今天宣布推出三星移動固態(tài)硬盤T5-全新的移動固態(tài)硬盤（PSSD），提升了外部存儲產(chǎn)品的性能標(biāo)準(zhǔn)。T5采用三星最新的64層V-NAND（垂直NAND）技術(shù)和緊湊耐用的設(shè)計，具有業(yè)界領(lǐng)先的傳輸速度和加密的數(shù)據(jù)安全性，使消費(fèi)者更輕松隨時隨地訪問其最有價值的數(shù)據(jù)。
2018-07-26 17:43:092951 此外，新的V-NAND數(shù)據(jù)寫入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進(jìn)了30%，讀取信號時間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節(jié)能，電壓從1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:001477 韓國業(yè)界最近指出，三星電子2019年的NAND Flash資本支出將達(dá)90億美元，預(yù)計將以韓國平澤、中國西安為主，擴(kuò)大高容量3D NAND生產(chǎn)規(guī)模，期望拉大與其它競爭對手間的差距。
2018-08-05 11:53:421632 三星電子也不甘示弱，早先已經(jīng)宣布量產(chǎn)96層堆疊第五代V-NAND閃存，并宣布會在年內(nèi)推出全球第一款32TB超大容量SSD。
2018-08-07 14:32:115170 很顯然從今年開始，廠商們都開始將目光轉(zhuǎn)向了QLC閃存，之前Intel就已經(jīng)推出了首款搭載QLC閃存的SSD，而現(xiàn)在三星也正式宣布量產(chǎn)首款搭載QLC閃存的SSD，這些SSD從1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三種規(guī)格。
2018-08-07 17:00:031359 供貨吃緊的時期，三星產(chǎn)能優(yōu)先滿足高速增長且利潤較高的企業(yè) SSD，由于 Z-NAND 在讀延遲上要比 V-NAND 低數(shù)倍，三星基于 Z-NAND 技術(shù)推出的 SZ985 系列 Z-SSD，讀延遲僅
2018-08-08 16:51:117721 
兩年前三星以 15.36TB 的數(shù)字，獲得世上最高容量 SSD 的稱號。今天這位置要讓出來。.. 給同門的新品 PM1643。這款 2.5 吋規(guī)格的 SSD 有著翻倍的容量和速度，達(dá) 30.72TB；讀寫速度分別為 2，100 MB/s 和 1，700 MB/s。
2018-08-13 11:53:004053 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521379 三星新一代860 QVO系列固態(tài)硬盤于今日上架美國官網(wǎng)，作為三星首款面向消費(fèi)者的QLC固態(tài)硬盤，它采用傳統(tǒng)的2.5寸盤規(guī)格，內(nèi)部為三星自主MJX主控、三星自產(chǎn)V-NAND QLC閃存顆粒，容量規(guī)格有1TB、2TB、4TB。1TB版本官方建議零售價149.99美元。
2018-11-30 14:08:012848 2019年1月23日 –三星電子有限公司今天推出了其非易失性存儲器（NVMe）SSD產(chǎn)品線的最新增強(qiáng)版三星970 EVO Plus。憑借業(yè)界領(lǐng)先的性能和高達(dá)2TB的超大容量，三星970 EVO
2019-01-25 09:04:323444 天字一號閃存企業(yè)三星電子今天（1月30日）宣布開始量產(chǎn)單芯片1TB容量的UFS存儲產(chǎn)品，主力用于智能手機(jī)。
2019-02-11 11:33:414436 
?c200 1TB microSDXC UHS-I 卡——全球容量最高的 microSD 卡，可提供一兆兆字節(jié) （1TB）1 高性能可移動存儲。c200 1TB microSD 卡是全球首款采用美光先進(jìn)
2019-02-26 17:26:511306 另一方面，市場經(jīng)過一定時間的供需調(diào)整，再加上2019年新一代的旗艦機(jī)產(chǎn)品紛紛推出，尤其是三星、華為、OPPO、小米等5G手機(jī)、折疊手機(jī)等引爆市場商機(jī)，且搭載的Mobile DRAM容量向12GB升級，NAND Flash容量提高到1TB，將對存儲芯片需求快速增加。
2019-02-27 15:57:314840 SK海力士宣布已向主要SSD（固態(tài)硬盤）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品，并開發(fā)了自己的QLC軟件算法和控制器，計劃擴(kuò)大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產(chǎn)品。
2019-07-25 15:08:544100 在2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨(dú)特的電路設(shè)計與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 8月6日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)250千兆字節(jié)（SATA）固態(tài)硬盤（SSD），該硬盤集成了該公司的第六代（1xx層）256Gb，適用于全球PC OEM的三位V-NAND。通過在短短13個月內(nèi)推出新一代V-NAND，三星已將批量生產(chǎn)周期縮短了四個月，同時確保了業(yè)界最高的性能，功效和制造生產(chǎn)率。
2019-08-07 17:10:553350 
目前，兩大韓系NAND Flash 廠商──三星及SK 海力士在之前就已經(jīng)公布了新NAND Flash 產(chǎn)品的發(fā)展規(guī)劃。其中，三星宣布推出136 層堆疊的第6 代V-NAND Flash 之外，SK
2019-08-15 09:05:123089 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進(jìn)一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04981 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進(jìn)一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-09 16:05:251778 美光宣布推出一系列全新micro SD存儲卡，稱為i300系列，其容量從32GB到1TB不等，以滿足視頻監(jiān)控市場和其他工業(yè)應(yīng)用的邊緣存儲需求，其中具有最大存儲容量的型號是美光i3001TB3microSDXC UHS-I，可容納1TB數(shù)據(jù)，是所有micro SD卡的最高容量。
2019-11-19 10:40:191625 660p 僅采用了 64 層 3D QLC NAND 。為了與西部數(shù)據(jù)（WD）爭搶上市，英特爾率先推出了 1TB 的版本，2TB 版本則要等到 2020 年 1 季度。
2019-11-26 15:20:383770 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481655 三星S10 Lite正面搭載20:9的6.7英寸Super AMOLED屏幕，屏幕分辨率為1080 X 2400，同時采用挖孔屏設(shè)計，開孔的位置位于屏幕頂部中央；搭載高通驍龍855移動平臺，輔以8GB+128GB內(nèi)存組合，支持最大1TB microSD卡拓展。
2019-12-20 11:40:173221 固態(tài)硬盤市場的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的，也是目前技術(shù)最強(qiáng)的，已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)達(dá)到了48層。
2019-12-22 11:19:011518 今日凌晨，XDA主編Max Winebach爆料稱，三星Galaxy S20 Ultra 5G將保留SD卡插槽，最高支持1TB存儲卡擴(kuò)展。
2020-01-14 14:15:2011161 
存儲公司Patriot宣布推出P300 Gen3 x4 NVMe M.2 SSD，容量從256GB到1TB。
2020-03-03 16:09:24991 從去年底到現(xiàn)在，NAND閃存價格止跌回升，連帶著SSD硬盤價格也上漲了不少，現(xiàn)在1TB容量的SSD全面回到了千元甚至更高價位。什么時候1TB SSD硬盤才能降到300多元呢？這還得再等等，需要第四代QLC閃存了。
2020-04-01 09:14:261332 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級 SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應(yīng)用設(shè)計的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導(dǎo)體制造商，其產(chǎn)品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:194477 長江存儲宣布推出致鈦系列PC005 Active NVMe 1TB版本消費(fèi)級固態(tài)硬盤（SSD），并于致鈦京東店鋪開啟預(yù)售，11月1日正式開售。預(yù)售期間，下單即可享受20元抵100元的定金膨脹活動
2020-10-27 15:13:523746 SSD快12.7倍。 其提供256GB/512GB/1TB三種容量可選，售價分別為629元、1049元、1999元。 我們快科技以及拿到了1TB版本，下面為大家?guī)韴D賞。 外性方面，采用緊湊型M.2
2020-10-28 15:44:472773 容量高達(dá) 1TB 的 PRO Elite SDXC 閃存卡。對于攝影師等專業(yè)人士來說，顯然會感到極大的驚喜。 ? 這款 UHS-I 存儲卡的標(biāo)稱速度等級為 C10 / U3 / V30（支持 4K 視頻
2020-12-10 13:52:422163 當(dāng)市場中“TLC黨”和“MLC黨”還在爭論不休的時候，三星決然的將頂級980PRO SSD改用了TLC閃存，而入門級別的860EVO之后一直沒有新品，倒是接連推出了采用QLC閃存的860QVO
2021-01-04 10:03:319530 1 月 19 日消息 根據(jù)外媒 WinFuture 的消息，三星即將發(fā)布新款的 870 EVO SSD ，采用了 TLC 顆粒，SATA 3 接口，最高 4TB 容量。 IT之家了解到，三星 870
2021-01-19 17:52:314575 據(jù)外媒最新消息稱，iPhone 13將提供1TB容量版本，而目前iPhone 12 系列最高容量選擇為512GB。
2021-03-01 09:30:342048 據(jù)供應(yīng)鏈消息，今年 iPhone Pro 系列的最高存儲容量將從 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20892 從昨天蘋果發(fā)布的iPhone13系列新機(jī)來看，暫時只有iPhone 13 Pro和iPhone 13 Pro Max有1TB的內(nèi)存版本，售價分別是11999元和12999元。那么1TB到底是多少呢？
2021-09-16 10:46:3654681 iphone13promax價格1tb官網(wǎng)售價12999元起，這是蘋果13機(jī)型中最貴的一款機(jī)型，iphone13promax規(guī)格1tb版本主要適用于對儲存容量、屏幕方面有很大需求的用戶。畢竟容量越大，版本越高價格就越貴，iphone13promax 1TB價格真香！
2021-09-27 10:14:1925737 三星的UFS4.0閃存芯片采用全新第7代V-NAND技術(shù)，傳輸帶寬每通道達(dá)到23.2Gbps，相較UFS3.1提升一倍，順序讀取速度可以達(dá)到4200MB/s，同時順序?qū)懭胨俣纫蔡嵘?800MB/s
2022-05-05 10:45:274464 
市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求，更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案，有望成為未來存儲創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2022-11-07 10:33:551380 和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361626 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
2022-12-06 10:39:311027 基于先進(jìn)的5納米工藝控制器和第七代?V-NAND 技術(shù)，PM9C1a將個人計算機(jī)日常工作效率提升至新高度，同時，可處理高要求的計算和游戲任務(wù) 深圳2023年1月12日 /美通社/ -- 今日，三星
2023-01-12 21:32:101153 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 正式進(jìn)入中國市場。990 PRO系列屬于高性能PCIe【1】 4.0固態(tài)硬盤系列，采用三星第8代V-NAND技術(shù)和三星自研控制器。 990 PRO系列擁有強(qiáng)悍的速度和優(yōu)秀的功效，并且針對3D/4K圖形處理
2023-09-07 09:35:411163 
2023年9月6日三星電子宣布推出固態(tài)硬盤990 PRO系列4TB（萬億字節(jié)）產(chǎn)品，預(yù)計將于10月正式進(jìn)入中國市場。990 PRO系列屬于高性能PCIe【1】4.0固態(tài)硬盤系列，采用三星第8代V-NAND技術(shù)和三星自研控制器。
2023-09-07 09:44:151751 
在硬件設(shè)施方面，三星選用的是具有1RU機(jī)架大小的PB SSD v2存儲服務(wù)器。據(jù)悉，每個PB SSD v2服務(wù)器均配備1顆AMD EPYC處理器及16個EDSFF E3.S規(guī)制的固態(tài)硬盤，每個硬盤容量高達(dá)15.36TB。
2024-03-21 14:21:561556 據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層，但I(xiàn)T之家此前曾報道過，三星在學(xué)術(shù)會議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達(dá)3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391415 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591504 三星公司預(yù)計將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當(dāng)前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201500 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 據(jù)了解，日本存儲巨頭鎧俠于近日宣布推出全新第四代UFS 4.0閃存顆粒。該系列閃存包含256GB、512GB及1TB三種容量版本，主要面向高端智能手機(jī)等新一代移動設(shè)備領(lǐng)域。
2024-04-23 14:28:522421 作為九代V-NAND的核心技術(shù)，雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計算領(lǐng)域。據(jù)了解，三星計劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)
2024-04-28 10:08:011540 在技術(shù)層面，第九代V-NAND無疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實(shí)力。它采用了雙重堆疊技術(shù)，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上，再次實(shí)現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破，堆疊層數(shù)飆升至驚人的290層。
2024-04-28 16:02:241874 第九代V-NAND采用雙堆疊設(shè)計，將旗艦版V8閃存原先的236層進(jìn)一步增加至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計算設(shè)備領(lǐng)域。
2024-04-28 17:36:181369 據(jù)悉，Switch 2游戲機(jī)可能搭載由三星代工廠生產(chǎn)的SoC（英偉達(dá)Tegra T239芯片，采用三星7LPH工藝節(jié)點(diǎn)）。此外，任天堂還計劃采用三星第五代V-NAND存儲技術(shù)以及三星作為顯示面板供應(yīng)商。
2024-04-29 10:23:182172 據(jù)報道，三星Galaxy S24 Ultra已現(xiàn)身市場，其存儲版本分別有256GB、512GB及1TB三款，但內(nèi)存皆為12GB。然而，最新傳聞稱三星將于明年推出的Galaxy S25 Ultra或?qū)?nèi)存提升至16GB。
2024-05-10 14:25:371355 在人工智能（AI）技術(shù)日新月異的今天，數(shù)據(jù)中心對大容量固態(tài)硬盤（SSD）的需求呈現(xiàn)出前所未有的增長態(tài)勢。業(yè)內(nèi)最新消息顯示，由于NAND閃存供應(yīng)可能在下半年出現(xiàn)短缺，三星電子的V8-NAND技術(shù)正成為市場關(guān)注的焦點(diǎn)。
2024-07-01 10:11:121152 據(jù)韓國媒體最新報道，三星電子在其第9代V-NAND閃存技術(shù)中實(shí)現(xiàn)了重大突破，首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬（Mo）技術(shù)。這一創(chuàng)新標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的又一次技術(shù)飛躍。
2024-07-04 09:23:501262 microSD 存儲卡 PRO Plus 和 EVO Plus 采用三星先進(jìn)的 V-NAND 技術(shù)，可安全可靠地捕捉和存儲日常瞬間 性能提升后，順序讀取速度高達(dá) 180MB/s，傳輸速度達(dá)
2024-08-01 09:24:59700 
三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先，也預(yù)示著數(shù)據(jù)存儲市場即將迎來一場革命性的變革。
2024-09-12 16:27:311109 三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品，集成了多項(xiàng)前沿技術(shù)突破，標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構(gòu)的QLC V-NAND，通過創(chuàng)新的通道孔蝕刻技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的單元層數(shù)，為各類AI應(yīng)用提供了前所未有的內(nèi)存解決方案。
2024-09-23 14:53:521480 三星電子在車載存儲技術(shù)領(lǐng)域邁出了重要一步，正式宣布成功研發(fā)出業(yè)界首款基于其先進(jìn)第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。這一創(chuàng)新成果不僅標(biāo)志著三星在車載數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的深厚積累與前瞻布局，更為未來智能汽車的高性能、高效率數(shù)據(jù)存儲需求提供了強(qiáng)有力的支持。
2024-09-24 15:24:031104 b nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P，其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似，顯示出三星在半導(dǎo)體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。 據(jù)了解，在決定啟動D1B-P項(xiàng)目時，三星現(xiàn)有的12nm級DRAM工藝良率
2025-01-22 14:04:071411 還將進(jìn)一步邁出重要一步——建設(shè)第九代V-NAND(286層技術(shù))產(chǎn)線。 報道指出，為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，三星西安NAND廠將在今年上半年引入生產(chǎn)第九代V-NAND所需的新設(shè)備。這些先進(jìn)設(shè)備的導(dǎo)入，將為產(chǎn)線建設(shè)提供堅實(shí)的基礎(chǔ)，確保技術(shù)升級順利進(jìn)行。 據(jù)悉，三星西安NAND廠的目標(biāo)
2025-02-14 13:43:271092
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