據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士將在2020年進(jìn)行一系列的人事調(diào)動(dòng)和業(yè)務(wù)重組，其中會(huì)將DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門整合在一起，實(shí)現(xiàn)從開發(fā)、制造，以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:00
4758 2020年2月，固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)(JEDEC)對(duì)外發(fā)布了第三版HBM2存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:282441 討論購買存儲(chǔ)芯片的事宜。知情人士透露，SK海力士已經(jīng)完成了符合博世要求的規(guī)格的存儲(chǔ)芯片的開發(fā)。 ? 與消費(fèi)類設(shè)備中使用的DRAM相比，汽車中使用的DRAM需要保證更高的可靠性和更寬的激活溫度范圍。SK海力士開發(fā)的新DRAM遵循2018年制定的第二版ISO
2021-04-06 10:25:017589 4月16日消息 據(jù)悉，SK海力士正在與德國(guó)汽車巨頭博世公司（Bosch）洽談為其提供汽車存儲(chǔ)芯片的事宜。 ? 據(jù)稱，SK海力士已完成了符合博世要求規(guī)格的內(nèi)存芯片的開發(fā)。與消費(fèi)類設(shè)備中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472906 。 ? 圖源：SK海力士官網(wǎng) ? SK海力士將這一進(jìn)展定義為：意義非凡。 ? 激進(jìn)的三星和SK海力士 在談?wù)揈UV DRAM是否非凡之前，我們先了解一些關(guān)聯(lián)技術(shù)。從原理上說，光刻技術(shù)就是利用光化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法將掩模板上的圖案?jìng)鬟f到晶圓的工藝技術(shù)。近半個(gè)多世紀(jì)，半導(dǎo)
2021-07-13 06:36:583394 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）新型存儲(chǔ)HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:244378 
SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動(dòng) DRAM，將應(yīng)用于未來智能手機(jī)上。 海力士運(yùn)用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動(dòng) DRAM，容量達(dá) 8GB。以 LPDDR4X 標(biāo)準(zhǔn)而言，SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高，功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941 雖然封裝不易，但 HBM 存儲(chǔ)器依舊會(huì)被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請(qǐng)求。英偉達(dá)首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會(huì)在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:391894 
據(jù)業(yè)界透露，三星電子、sk海力士等存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)正在推進(jìn)hbm生產(chǎn)線的擴(kuò)張。兩家公司計(jì)劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計(jì)劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021508 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:471993 sk海力士表示：“以唯
一批量生產(chǎn)
hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)，成功
開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版
hbm3e。“將以
業(yè)界最大規(guī)模的
hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，從明年上半年開始批量生產(chǎn)
hbm3e，鞏固在針對(duì)ai的存儲(chǔ)器市場(chǎng)上的獨(dú)
一無二的地位?！?/div>
2023-08-21 09:21:491808 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴(kuò)展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平，SK海力士計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場(chǎng)無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:411676 與此同時(shí)，SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù)，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中，無需修改其設(shè)計(jì)或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:131515 meta是SK海力士的主要顧客之一，正在購買為構(gòu)建和擴(kuò)張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd （ssd）和服務(wù)器dram。據(jù)悉，對(duì)ai服務(wù)器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)器dram。
2023-08-30 10:03:331393 SK海力士稱，由于高性能半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品的市場(chǎng)需求增加，公司業(yè)績(jī)開始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動(dòng)DRAM等，銷售表現(xiàn)良好。因此與上一季度相比，營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)了24%，營(yíng)業(yè)虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:281270 SK海力士明年計(jì)劃的設(shè)施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場(chǎng)預(yù)期。證券界最初預(yù)測(cè)“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟(jì)挑戰(zhàn)，觀察人士預(yù)計(jì)嚴(yán)格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲(chǔ)半導(dǎo)體價(jià)格大幅下跌，SK海力士預(yù)計(jì)今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:051540 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購；此外，三星和SK海力士計(jì)劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進(jìn)一步加大對(duì)DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財(cái)報(bào)中，展現(xiàn)出強(qiáng)大的增長(zhǎng)勢(shì)頭。數(shù)據(jù)顯示，公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營(yíng)收較2022年分別增長(zhǎng)了4倍和5倍以上，成為推動(dòng)公司營(yíng)收增長(zhǎng)的主要力量。
2024-01-26 16:32:241697 無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:051539 據(jù)可靠消息來源透露，英偉達(dá)與SK海力士已開始就2025年第一季度的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）供應(yīng)量進(jìn)行協(xié)調(diào)。這一合作的背后，是雙方對(duì)未來技術(shù)趨勢(shì)的共同預(yù)見和市場(chǎng)需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:431497 韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士計(jì)劃在美國(guó)印第安納州投資興建一座先進(jìn)封裝工廠，專注于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片。這一舉措旨在與英偉達(dá)（NVIDIA）的AI GPU進(jìn)行深度整合，共同推動(dòng)美國(guó)本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:291946 在嚴(yán)格的9個(gè)開發(fā)階段后，當(dāng)前流程全部完成，步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項(xiàng)目完結(jié)正是達(dá)產(chǎn)升能的標(biāo)志，這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達(dá)交付的條件。SK海力士計(jì)劃3月獲取英偉達(dá)對(duì)終品質(zhì)量的認(rèn)可，同步啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:051429 在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲(chǔ)器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長(zhǎng)達(dá)半年的性能評(píng)估。這一里程碑的達(dá)成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，并計(jì)劃在下個(gè)月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:081739 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對(duì)此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場(chǎng)對(duì) HBM 存儲(chǔ)的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以期更好地滿足市場(chǎng)需求，保護(hù)其市場(chǎng)占有率。
2024-02-23 14:12:001306 近日，全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開發(fā)，并且已經(jīng)通過了英偉達(dá)
2024-02-25 11:22:211656 SK海力士正積極應(yīng)對(duì)AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）日益增長(zhǎng)的需求，為此公司正加大在先進(jìn)芯片封裝方面的投入。SK海力士負(fù)責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長(zhǎng)明確指出，公司正在韓國(guó)投入超過10億美元，以擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:441798 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn)，將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:211675 HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達(dá)發(fā)送了樣品。此前有消息稱，英偉達(dá)已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預(yù)付款，供應(yīng)下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進(jìn)12層
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士表示，憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲(chǔ)器發(fā)展的領(lǐng)先地位，以及與臺(tái)積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ)，該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合IC設(shè)計(jì)廠、晶圓代工廠及存儲(chǔ)器廠的技術(shù)資源，SK海力士將進(jìn)一步提升存儲(chǔ)器產(chǎn)品性能，實(shí)現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:041153 自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開始，該公司將轉(zhuǎn)用臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:071374 4 月 19 日消息，SK 海力士宣布和臺(tái)積電簽署諒解備忘錄（MOU），推進(jìn) HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術(shù)，目標(biāo)在 2026 年投產(chǎn) HBM4。 根據(jù)雙方簽署的諒解備忘錄，兩家公司初期目標(biāo)是改善
2024-04-20 08:36:51492 HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺(tái)積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191392 SK海力士最近透露，預(yù)計(jì)其HBM銷售額今年將“占其DRAM芯片銷售額的兩位數(shù)百分比”。
2024-04-29 10:50:411195 
SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正在積極考慮建設(shè)一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計(jì)劃的推遲，以及對(duì)今年內(nèi)存芯片需求大幅增長(zhǎng)的預(yù)測(cè)。
2024-05-06 10:52:02982 SK海力士宣布，計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議，原本預(yù)計(jì)HBM4內(nèi)存要等到2026年才會(huì)問世。
2024-05-06 15:10:211338 SK海力士近日宣布，其高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績(jī)主要?dú)w功于人工智能（AI）技術(shù)的蓬勃發(fā)展，極大地推動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927 業(yè)界傳出，全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存，下半年起將停止供應(yīng)DDR3利基型DRAM，引起市場(chǎng)搶貨潮，導(dǎo)致近期DDR3價(jià)格飆漲，最高漲幅達(dá)二成，且下半年報(bào)價(jià)還會(huì)再上揚(yáng)。
2024-05-14 10:31:58877 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國(guó)際存儲(chǔ)研討會(huì)上，由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。SK海力士計(jì)劃從2026年開始，提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲(chǔ)器HBM4E。這一消息表明，SK海力士在HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 近日，SK海力士與臺(tái)積電宣布達(dá)成合作，計(jì)劃量產(chǎn)下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。在這項(xiàng)合作中，臺(tái)積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝（FEOL）和后續(xù)布線工藝（BEOL），確?；A(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負(fù)責(zé)晶圓測(cè)試和HBM的堆疊工作，確保產(chǎn)品的最終品質(zhì)與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055 早在今年3月份，韓國(guó)媒體DealSite報(bào)道中指出，全球HBM存儲(chǔ)器的平均良率約為65%。據(jù)此來看，SK海力士在近期對(duì)HBM3E存儲(chǔ)器的生產(chǎn)工藝進(jìn)行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:301079 據(jù)報(bào)道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888 然而，全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷，其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場(chǎng)80%份額，是Nvidia HBM3內(nèi)存獨(dú)家供應(yīng)商，且已于今年3月啟動(dòng)HBM3E量產(chǎn)。
2024-05-28 09:40:311726 SK海力士正引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入新時(shí)代，開發(fā)了一種融合計(jì)算與通信功能的下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。這一創(chuàng)新戰(zhàn)略旨在鞏固其在HBM市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位，同時(shí)進(jìn)一步拉大與后來者的差距。
2024-05-29 14:11:401164 SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲(chǔ)設(shè)備，意欲打造集計(jì)算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)于一身的新型HBM產(chǎn)品，進(jìn)而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 16:41:271061 瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出，SK海力士的HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起，每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營(yíng)收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè)，SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄，顯示其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求。
2024-05-30 10:27:221511 SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐，計(jì)劃在其第6代（1c工藝，約10nm）DRAM的生產(chǎn)中，首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠（MOR）。這一突破性的應(yīng)用標(biāo)志著MOR技術(shù)正式進(jìn)入DRAM量產(chǎn)工藝。
2024-05-30 11:02:581506 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)起云涌的當(dāng)下，SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內(nèi)部消息透露，該公司正積極擴(kuò)大其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模，以應(yīng)對(duì)當(dāng)前市場(chǎng)對(duì)HBM（高帶寬內(nèi)存）及DDR5 DRAM不斷增長(zhǎng)的需求。
2024-06-17 16:30:501183 在6月17日傳來的最新消息中，全球知名的半導(dǎo)體制造商SK海力士正積極布局，大力擴(kuò)展其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模。這一舉措旨在應(yīng)對(duì)日益增長(zhǎng)的高帶寬內(nèi)存（HBM）和DDR5 DRAM的市場(chǎng)需求，進(jìn)一步鞏固其在存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-06-17 16:50:021580 據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，為了應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)高性能HBM3E（高帶寬內(nèi)存第三代增強(qiáng)版）內(nèi)存的激增需求，全球知名半導(dǎo)體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。這一戰(zhàn)略決策旨在確保公司能夠穩(wěn)定供應(yīng)高質(zhì)量?jī)?nèi)存產(chǎn)品，同時(shí)進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
2024-06-18 16:25:571084 ）提交了一份關(guān)于3D DRAM（三維動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的詳細(xì)研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領(lǐng)域取得的顯著進(jìn)展，更向世界展示了其在這一未來存儲(chǔ)技術(shù)上的堅(jiān)定決心與卓越實(shí)力。
2024-06-24 15:35:291746 在科技日新月異的今天，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，其技術(shù)革新一直備受矚目。近日，據(jù)業(yè)界權(quán)威消息源透露，韓國(guó)兩大DRAM芯片巨頭——三星和SK海力士，都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486 在全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實(shí)力與創(chuàng)新能力。近日，在美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果，其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一突破性的進(jìn)展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-27 10:50:221473 雄心勃勃的宣言無疑給當(dāng)前HBM市場(chǎng)的兩大主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手——SK海力士和三星帶來了不小的競(jìng)爭(zhēng)壓力，尤其是SK海力士，作為韓國(guó)DRAM行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，正嚴(yán)陣以待，積極調(diào)整策略以應(yīng)對(duì)美光的挑戰(zhàn)。
2024-07-03 09:28:591061 在人工智能與大數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的時(shí)代浪潮中，SK海力士正以前所未有的速度調(diào)整戰(zhàn)略，全力擁抱高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)的蓬勃機(jī)遇。據(jù)韓國(guó)權(quán)威媒體最新報(bào)道，SK海力士PKG技術(shù)開發(fā)副總裁Moon Ki-il在近期
2024-07-08 11:54:491125 在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息，該公司計(jì)劃于2026年在其高性能內(nèi)存（High Bandwidth Memory, HBM）的生產(chǎn)過程中引入混合鍵合技術(shù)，這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在封裝技術(shù)上的重大突破，也預(yù)示著全球半導(dǎo)體行業(yè)將迎來新一輪的技術(shù)革新。
2024-07-17 09:58:191366 在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中，SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正積極探索前沿技術(shù)，以推動(dòng)高帶寬內(nèi)存（HBM）的進(jìn)一步演進(jìn)。據(jù)最新業(yè)界消息，SK海力士正著手評(píng)估將無助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產(chǎn)品的生產(chǎn)中，這一舉措標(biāo)志著公司在追求更高性能、更小尺寸內(nèi)存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:471889 ）合作展開深入?yún)f(xié)商。這一合作旨在通過整合雙方優(yōu)勢(shì)資源，進(jìn)一步提升SK海力士在高性能內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-07-18 09:42:511223 在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，宣布將采用臺(tái)積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的持續(xù)深耕，也預(yù)示著HBM內(nèi)存技術(shù)即將邁入一個(gè)全新的發(fā)展階段。
2024-07-18 09:47:531329 近日，國(guó)際知名評(píng)級(jí)機(jī)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)普爾全球評(píng)級(jí)（S&P Global Ratings）宣布了一項(xiàng)重要決策，將SK海力士的長(zhǎng)期發(fā)行人信用及發(fā)行評(píng)級(jí)從BBB-提升至BBB，并維持穩(wěn)定的評(píng)級(jí)展望。此次上調(diào)評(píng)級(jí)，主要基于SK海力士在高性能內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的顯著“主導(dǎo)地位”以及全球內(nèi)存市場(chǎng)的積極復(fù)蘇趨勢(shì)。
2024-08-08 09:48:321042 近日，據(jù)外媒報(bào)道，SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價(jià)格上調(diào)15%至20%，這一舉動(dòng)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應(yīng)鏈內(nèi)部人士透露，此次漲價(jià)的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張，對(duì)DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:461516 SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃，即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)（垂直柵）的DRAM。這一決策緊跟其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星的步伐，標(biāo)志著SK海力士在DRAM制造領(lǐng)域的新探索。SK海力士研究員表示，隨著極紫外（EUV
2024-08-14 17:06:431670 SK 海力士，作為全球知名的半導(dǎo)體巨頭，近期宣布了一項(xiàng)重要的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，旨在通過擴(kuò)大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模，顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報(bào)道，SK 海力士已積極與上游設(shè)備供應(yīng)商合作，訂購了關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備，以加速提升M16晶圓廠在HBM（高帶寬內(nèi)存）及通用DRAM內(nèi)存方面的生產(chǎn)能力。
2024-08-16 17:32:241920 在人工智能浪潮的推動(dòng)下，SK海力士再次展現(xiàn)其技術(shù)前瞻性與創(chuàng)新實(shí)力。公司副社長(zhǎng)柳成洙（Ryu Seong-su）近日宣布了一項(xiàng)重大研發(fā)計(jì)劃，旨在打造一款性能遠(yuǎn)超現(xiàn)有水平的HBM（高帶寬內(nèi)存）。據(jù)透露，這款新一代HBM產(chǎn)品的性能目標(biāo)直指當(dāng)前同類產(chǎn)品的20至30倍，無疑將在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域掀起一場(chǎng)革命。
2024-08-21 10:51:11904 SK海力士宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(jí)（1c）工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著SK海力士在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-29 16:39:151255 自豪地宣布，SK 海力士當(dāng)前市場(chǎng)上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E，已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，而更進(jìn)一步的是，公司即將在本月底邁入一個(gè)新的里程碑，正式啟動(dòng)12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段，批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄，為全球人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。
2024-09-26 14:24:41878 今日，半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項(xiàng)業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑，該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產(chǎn)，此舉不僅將HBM存儲(chǔ)器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度，更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:311987 在9月25日（當(dāng)?shù)貢r(shí)間）于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉會(huì)議中心舉行的一場(chǎng)半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)上，SK海力士發(fā)布的一項(xiàng)關(guān)于其高帶寬內(nèi)存（HBM）的驚人數(shù)據(jù)——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關(guān)注。這一數(shù)據(jù)揭示了SK海力士在HBM生產(chǎn)效率上的巨大優(yōu)勢(shì)。
2024-10-08 16:19:321679 韓國(guó)大型財(cái)團(tuán)SK集團(tuán)的董事長(zhǎng)崔泰源在周一的采訪中透露，英偉達(dá)的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團(tuán)旗下的存儲(chǔ)芯片制造巨頭SK海力士提出要求，希望其能提前六個(gè)月推出下一代高帶寬存儲(chǔ)產(chǎn)品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001707 近日，韓國(guó)SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)透露了一項(xiàng)重要信息，即英偉達(dá)公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項(xiàng)特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個(gè)月供應(yīng)其下一代高帶寬內(nèi)存芯片，這款芯片被命名為HBM
2024-11-05 10:52:481202 近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域
2024-11-05 15:01:201231 限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線，如人工智能用存儲(chǔ)器及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點(diǎn)發(fā)展高端存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日，該公司對(duì)外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品，該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達(dá)到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 在近日舉行的SK AI峰會(huì)上，韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動(dòng)中，SK hynix（SK海力士）透露了一項(xiàng)令人矚目的新產(chǎn)品計(jì)劃。據(jù)悉，該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品，這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達(dá)48GB，將為用戶帶來前所未有的存儲(chǔ)體驗(yàn)。
2024-11-14 18:20:201364 存儲(chǔ)芯片，并將其應(yīng)用到一家大型科技公司的 AI 計(jì)算芯片上。SK 海力士預(yù)計(jì)將在明年下半年供應(yīng)該芯片。 ? 由于需要同時(shí)向英偉達(dá)和博通供應(yīng) HBM，SK 海力士肯定會(huì)調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預(yù)測(cè)。這家公司計(jì)劃
2024-12-21 15:16:46915 
堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 SK海力士的這一舉措，無疑將在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中掀起波瀾。16Hi HBM3E內(nèi)存作為業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)產(chǎn)品，其量產(chǎn)將有望推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步。通過加速量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，SK海力士不僅展現(xiàn)了其在技術(shù)創(chuàng)新方面的實(shí)力，也彰顯了其對(duì)于市場(chǎng)需求變化
2024-12-26 14:46:241050 SK海力士今年計(jì)劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存（HBM）的DRAM產(chǎn)能，目標(biāo)是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片，這一增幅達(dá)到了70%。此舉被視為該公司對(duì)除最大客戶英偉達(dá)外，其他領(lǐng)先人工智能（AI）芯片公司需求激增的積極回應(yīng)。
2025-01-07 16:39:091310 SK海力士在鞏固其面向AI的存儲(chǔ)器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲(chǔ)器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道，三星華城17號(hào)產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時(shí)，美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E。至此，高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534 
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