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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術>SK海力士推出新款DRAM 將實現(xiàn)單一芯片標準內世界最大容量

SK海力士推出新款DRAM 將實現(xiàn)單一芯片標準內世界最大容量

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2021-03-08 14:41:543203

制造商SK海力士新建工廠的規(guī)劃獲得韓國政府批準

達到 415 萬平方米,計劃主要生產(chǎn) DRAM 芯片,定于 2021 年第四季度開工,2025 年建成投產(chǎn)。這大型工廠包含四個晶圓加工廠,每個月產(chǎn)量為 80 萬片。 IT之家此前報道,SK 海力士近日表示,將在未來 10 年內開發(fā) 10nm 以下制程工藝的 DRAM 芯片,以及 600 層堆疊的
2021-04-13 11:29:492778

SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第款HBM3 DRAM 內存芯片

韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第款HBM3 DRAM內存芯片,可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大容量。HBM3 DRAM內存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672

SK海力士向英偉達系統(tǒng)供應HBM3

SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory)產(chǎn)品HBM31,公司不僅又次創(chuàng)造歷史,更進步鞏固了SK海力士DRAM市場上的領先地位。
2022-09-08 09:28:252219

SK海力士推出全球最快移動DRAM——LPDDR5T

SK海力士在去年11月推出的移動DRAM LPDDR5X*,將其性能提升成功開發(fā)出了LPDDR5T。本次產(chǎn)品的速度比現(xiàn)有產(chǎn)品快13%,運行速度高達9.6Gbps(Gb/s)。公司為了強調其超高速度特性,命名時在規(guī)格名稱“LPDDR5”上加以“Turbo(渦輪增壓)”作為了后綴。
2023-01-30 11:21:332449

SK海力士季度虧損創(chuàng)紀錄 sk海力士2022年財報難看

SK海力士季度虧損創(chuàng)紀錄 sk海力士2022年財報難看 前一兩年還直聽說內存條在不斷漲價的消息,現(xiàn)在突然就爆出消息SK海力士季度虧損創(chuàng)紀錄,看來大伙的日子都不太好過。 宏觀經(jīng)濟的下滑導致了很多需求
2023-02-01 16:52:123954

反超SK海力士,美光躍居第二大DRAM供應商

Corp. 周四的數(shù)據(jù),美光科技在 1 月至 3 月期間獲得了了 27.2 億美元的 DRAM 銷售額,比上季度的 28.3 億美元下降了 8%。這家美國芯片制造商擊敗了 SK 海力士,后者的銷售額
2023-06-01 08:46:061184

SK海力士將為蘋果Vision Pro MR設備提供專用DRAM

為了實現(xiàn)功能,還必須適合用于輔助計算的dram。現(xiàn)有智能手機使用的移動dram的速度是有限的。sk海力士根據(jù)蘋果公司的要求,提供了最適合操作r1芯片dram。大幅增加了輸入/輸出(i/o)頻道的數(shù)量,可以數(shù)據(jù)迅速傳送到存儲器內外。
2023-07-12 09:39:561019

Meta、英偉達相繼拜訪SK海力士,要求額外供應DDR5/HBM

meta是SK海力士的主要顧客之,正在購買為構建和擴張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd (ssd)和服務器dram。據(jù)悉,對ai服務器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務器dram。
2023-08-30 10:03:331393

SK海力士官宣終止與華為的合作

近期,有關韓國SK海力士為華為提供關鍵芯片的消息引起了廣泛關注。據(jù)某拆解視頻顯示,華為最新款手機Mate60 Pro的存儲芯片上顯示著“SK海力士”標識,但未能獲取到有關存儲芯片核心信息的詳細資料。至于麒麟9000s芯片是否采用7nm或5nm工藝目前還沒有定論。
2023-09-18 16:58:033085

SK海力士資本支出大增,HBM是重點

SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元(76.2億美元),超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似,約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟挑戰(zhàn),觀察人士預計嚴格的管理措施延續(xù)到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌,SK海力士預計今年赤字超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:051540

傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉移,進步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

SK海力士計劃提升中國無錫工廠技術水平,推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

隨著全球半導體市場的復蘇,SK海力士認識到,為了保持市場地位,推出更高性能的DRAM產(chǎn)品是必要的。
2024-01-15 15:53:082080

SK海力士持續(xù)投資無錫的原因

無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:051539

SK海力士擴大對芯片投資

SK海力士正積極應對AI開發(fā)中關鍵組件HBM(高帶寬存儲器)日益增長的需求,為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出,公司正在韓國投入超過10億美元,以擴大和改進其芯片封裝技術。
2024-03-08 10:53:441798

SK海力士重組中國業(yè)務

SK海力士,作為全球知名的半導體公司,近期在中國業(yè)務方面進行了重大的戰(zhàn)略調整。據(jù)相關報道,SK海力士正在全面重組其在中國的業(yè)務布局,計劃關閉運營了長達17年的上海銷售公司,并將其業(yè)務重心全面轉移到無錫。這決策的背后,反映了SK海力士對于中國市場發(fā)展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:252163

SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲器HBM3E

HBM3E的推出,標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破,現(xiàn)有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844

剛剛!SK海力士出局!

在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款,供應下代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:081225

SK海力士聯(lián)手臺積電推出HBM4,引領下DRAM創(chuàng)新

SK海力士表示,憑借其在AI應用領域存儲器發(fā)展的領先地位,以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領域的深厚合作基礎,該公司有信心持續(xù)引領HBM技術創(chuàng)新。通過整合IC設計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術資源,SK海力士步提升存儲器產(chǎn)品性能,實現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:041153

SK海力士:預計其HBM銷售額今年有望超過20億美元!

SK海力士最近透露,預計其HBM銷售額今年“占其DRAM芯片銷售額的兩位數(shù)百分比”。
2024-04-29 10:50:411195

SK海力士考慮新建DRAM工廠

SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正在積極考慮建設家新的DRAM工廠。這決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計劃的推遲,以及對今年內存芯片需求大幅增長的預測。
2024-05-06 10:52:02982

SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

今日,SK海力士公司宣布了項革命性的技術突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(On-Device)AI應用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產(chǎn)品的推出,標志著SK海力士在閃存技術領域的又次飛躍。
2024-05-09 11:00:301175

SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案

在智能手機技術日新月異的今天,SK海力士再次引領行業(yè)潮流,成功推出新一代移動端NAND閃存解決方案——ZUFS 4.0。這款專為端側AI手機優(yōu)化的閃存產(chǎn)品,無疑將為用戶帶來前所未有的使用體驗。
2024-05-11 10:14:191068

SK海力士與臺積電攜手量產(chǎn)下代HBM

近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產(chǎn)下代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEOL),確保基礎芯片的質量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產(chǎn)品的最終品質與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055

三星、SK海力士DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內存的合約價環(huán)比上漲,這上漲主要歸因于地震影響美光內存產(chǎn)能,進而推動了通用內存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起,每年貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221511

SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術于DRAM生產(chǎn)

SK海力士在半導體領域再次邁出創(chuàng)新步伐,計劃在其第6代(1c工藝,約10nm)DRAM的生產(chǎn)中,首次采用Inpria的下代金屬氧化物光刻膠(MOR)。這突破性的應用標志著MOR技術正式進入DRAM量產(chǎn)工藝。
2024-05-30 11:02:581506

SK海力士五層堆疊的3D DRAM生產(chǎn)良率達到56.1%

)提交了份關于3D DRAM(三維動態(tài)隨機存取存儲器)的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領域取得的顯著進展,更向世界展示了其在這未來存儲技術上的堅定決心與卓越實力。
2024-06-24 15:35:291746

SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%

在全球半導體技術的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這突破性的進展引起了業(yè)界的廣泛關注。
2024-06-27 10:50:221473

SK海力士考慮讓Solidigm在美上市融資

據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀項重要財務戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購英特爾相應業(yè)務后成立的獨立美國子公司,承載著SK海力士在存儲解決方案領域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332

SK海力士DDR5芯片價格或大幅上漲

近日,據(jù)外媒報道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調15%至20%,這舉動在業(yè)界引起了廣泛關注。供應鏈內部人士透露,此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴張,對DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:461516

SK海力士轉向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了項重要計劃,即開發(fā)采用4F2結構(垂直柵)的DRAM。這決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標志著SK海力士DRAM制造領域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:431670

SK海力士M16晶圓廠擴產(chǎn),DRAM產(chǎn)能將增18%

SK 海力士,作為全球知名的半導體巨頭,近期宣布了項重要的擴產(chǎn)計劃,旨在通過擴大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模,顯著提升其DRAM內存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報道,SK 海力士已積極與上游設備供應商合作,訂購了關鍵生產(chǎn)設備,以加速提升M16晶圓廠在HBM(高帶寬內存)及通用DRAM內存方面的生產(chǎn)能力。
2024-08-16 17:32:241920

SK海力士開發(fā)出第六代10納米級DDR5 DRAM

SK海力士宣布了項重大技術突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這里程碑式的成就標志著SK海力士在半導體存儲技術領域的領先地位。
2024-08-29 16:39:151255

SK海力士開始先進人工智能芯片生產(chǎn)

SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段,批量生產(chǎn)業(yè)界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內存技術上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄,為全球人工智能領域的發(fā)展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41878

SK海力士引領未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術格局

今日,半導體巨頭SK海力士震撼宣布了項業(yè)界矚目的技術里程碑,該公司已成功在全球范圍率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?;a(chǎn),此舉不僅HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:311987

SK海力士調整生產(chǎn)策略,聚焦高端存儲技術

限的產(chǎn)能轉向更高端的產(chǎn)品線,如人工智能用存儲器及先進DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術研發(fā)和生產(chǎn)有關。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品,該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達到了業(yè)界最高水平。這成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277

三星與SK海力士攜手推進LPDDR6-PIM產(chǎn)品標準

據(jù)外媒最新報道,韓國兩大存儲芯片巨頭三星電子與SK海力士已正式結盟,共同致力于推動LPDDR6的存計算(Processing In Memory,簡稱PIM)產(chǎn)品的標準化進程。此舉旨在加速人工智能
2024-12-03 10:42:501350

SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴大到 16~17 萬片

存儲芯片,并將其應用到家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。 ? 由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM,SK 海力士肯定會調整其 DRAM 產(chǎn)能預測。這家公司計劃
2024-12-21 15:16:46915

SK海力士增產(chǎn)HBM DRAM,應對AI芯片市場旺盛需求

SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內存(HBM)的DRAM產(chǎn)能,目標是每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片,這增幅達到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達外,其他領先人工智能(AI)芯片公司需求激增的積極回應。
2025-01-07 16:39:091310

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