一季度,全球第二大記憶芯片制造商利潤創(chuàng)下2012年來的最大跌幅。公司預計DRAM芯片需求將從二季度起復蘇。 芯片銷售仍然疲弱, SK海力士一季度營業(yè)利潤同比下跌69%,創(chuàng)下2012年以來的最大
2019-04-25 18:25:10
4343 SK海力士開發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比,新款HBM2E擁有大約50%的帶寬和100%的額外容量。 該公司透露,SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:41
6584 據(jù)韓媒報道,SK海力士將在2020年進行一系列的人事調動和業(yè)務重組,其中會將DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門整合在一起,實現(xiàn)從開發(fā)、制造,以及業(yè)務的后期處理等統(tǒng)一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:00
4758 最新消息,SK海力士將在2020年消費電子展(CES)上推出兩款消費類PCIe NVMe SSD Gold P31和 Platinum P31。值得注意的是,新款SSD將首次搭載SK海力士128層
2019-12-30 15:57:39
4178 SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM,頻率、容量、能效和功能技術都達到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:40
8383 SK海力士今天正式發(fā)布了最新款的企業(yè)級SSDPE8000系列,包括PE8010、PE8030、PE8111三款型號,這也是其首款PCIe4.0SSD,無論存儲密度、容量還是性能都是世界一流的,甚至
2020-04-08 10:11:53
6532 SK海力士宣布開始量產(chǎn)業(yè)界最高容量的18GB LPDDR5 移動端DRAM產(chǎn)品。此次實現(xiàn)量產(chǎn)的產(chǎn)品將搭載于最高配置的旗艦智能手機,為高分辨率游戲與視頻處理需求提供最佳的性能體驗。公司預測此產(chǎn)品
2021-03-08 15:03:17
3190 ,隨即開始加強在中國晶圓代工事業(yè)的布局。而其中的重點,就是將 SK 海力士旗下負責晶圓代工的子公司 SK Hynix System IC,其為在南韓清州的代工廠設備出售給 SK 海力士與中國企業(yè)合資的公司,以持續(xù)進行該公司部屬中國的計劃。
2020-11-11 10:12:40
3651 極紫外(EUV)光刻技術將DRAM技術擴展到10nm以下,以及將內存和邏輯芯片整合到同一個設備中,以應對不斷增加的工作負載。 SK海力士首席執(zhí)行官李錫熙說:“我們正在改進DRAM和NAND各個領域的技術發(fā)展所需的材料和設計結構,并逐步解決可靠性問題。如果以此為基礎
2021-03-29 14:38:43
7477 據(jù)韓媒報導,SK海力士將向德國汽車零部件巨頭博世(Bosch)提供汽車存儲芯片。知情人士表示,SK海力士目前正在草擬獨家供應合同的草案。 ? 博世公司相關負責人去年曾參觀了SK海力士在韓國的工廠,并
2021-04-06 10:25:01
7589 4月16日消息 據(jù)悉,SK海力士正在與德國汽車巨頭博世公司(Bosch)洽談為其提供汽車存儲芯片的事宜。 ? 據(jù)稱,SK海力士已完成了符合博世要求規(guī)格的內存芯片的開發(fā)。與消費類設備中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:47
2906 。 ? 圖源:SK海力士官網(wǎng) ? SK海力士將這一進展定義為:意義非凡。 ? 激進的三星和SK海力士 在談論EUV DRAM是否非凡之前,我們先了解一些關聯(lián)技術。從原理上說,光刻技術就是利用光化學反應原理和化學、物理刻蝕方法將掩模板上的圖案傳遞到晶圓的工藝技術。近半個多世紀,半導
2021-07-13 06:36:58
3394 
SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com) 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:47
2155 
為由,將4家中國公司加入SDN名單。 ? 2. SK 海力士開發(fā)出世界首款12 層堆疊HBM3 DRAM ,已向客戶提供樣品 ? SK海力士20日宣布,再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM(內存
2023-04-20 10:22:19
1910 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,據(jù)韓媒報道,存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項HBS技術采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃,該技術將通過一種名為
2025-11-14 09:11:21
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2021-01-29 17:52:55
海力士反行業(yè)主流看法:今年DRAM芯片恐將過剩
2月9日消息,據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道,在DRAM芯片行業(yè)多數(shù)企業(yè)普遍看好今年市況之際,全球第二大DRAM芯片廠海力士卻發(fā)
2010-02-09 11:03:13
884 全球DRAM二哥海力士(Hynix)認為,DRAM產(chǎn)業(yè)下半年起開始復蘇。
2012-03-16 09:00:19
4669 據(jù)外媒報道,韓國SK海力士周四宣布,將在韓國和中國投資3.16萬億韓元(約合27億美元)以提高存儲芯片產(chǎn)能,抓住行業(yè)內需求增長的機遇。作為全球第二大存儲芯片制造商,SK海力士表示,將投資2.2萬億
2016-12-23 09:38:00
1056 世界第二大存儲芯片制造商SK海力士公司將花費31.6萬億韓元(約合1826.35億人民幣)提高產(chǎn)量,以滿足不斷增長的手機和計算機的存儲需求。作為蘋果和索尼的供應商,SK海力士公司星期四表示,將投資
2016-12-24 01:07:11
981 SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM,將應用于未來智能手機上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM,容量達 8GB。以 LPDDR4X 標準而言,SK 海力士新內存芯片密度是全球最高,功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12
941
受益于DRMA和NAND市場需求,SK海力士在存儲領域的地位大幅提升。據(jù)報道,SK海力士將會考慮在中國涉足芯片代工業(yè)務,設立一家合資工廠,為沒有半導體制造工廠的公司制造芯片
2017-12-20 15:40:48
1711 據(jù)市場分析,GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減,2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚,三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2,價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:53
1952 家存儲器大廠SK海力士(Hynix)也傳出消息,正在研發(fā)EUV技術來生產(chǎn)DRAM存儲器,未來有機會藉此將生產(chǎn)DRAM的成本降低。
2018-10-29 17:03:24
4026 )制程DRAM,目前傳出進入第三代10納米(1z)制程開發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進制程研發(fā)速度,追趕三星,預 ... 10納米級DRAM先進制程競爭
2018-11-12 18:04:02
533 11月12日消息,SK Hynix(SK海力士)宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:35
8288 SK海力士官方宣布,公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM內存顆粒,且是首款滿足JEDEC標準規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:49
5462 韓國存儲器廠 SK 海力士受惠于 DRAM 價格大漲,以及市況持續(xù)暢旺,去年第四季凈利幾乎翻兩倍。
2018-12-28 14:40:54
1160 
受到移動舍必需求鈍化、庫存屯積的影響,SK海力士主力產(chǎn)品DRAM的價格正急劇下跌,外界觀測指出,接連刷新營業(yè)利益紀錄的SK海力士,這次恐怕無法再締新猷。
2019-01-22 15:35:13
1058 據(jù)外媒消息,第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內存即DDR6的研發(fā),預期速率12Gb/s,也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:56
1098 4月18日,SK海力士半導體(中國)有限公司(下簡稱“SK海力士”)舉行主題為“芯的飛躍、芯的未來”的竣工儀式,宣布SK海力士二工廠項目竣工。
2019-04-19 16:30:37
3771 SK海力士近日宣布,將在提高第一代10nm級工藝(1xnm) DRAM內存芯片產(chǎn)能的同時,今年下半年開始銷售基于第二代10nm級工藝(1ynm)的內存芯片,并為下代內存做好準備。SK海力士首款
2019-05-14 10:40:00
3315 SK海力士日前宣布推出新一代企業(yè)級SSD硬盤,不過官方并沒有公布SSD硬盤的名稱,只知道是NVMe標準的,基于72層堆棧的3D TLC閃存,M.2版容量最大4TB,U.2容量可達8TB。
2019-06-21 09:14:58
3869 對于SK海力士而言,無錫工廠將承擔SK海力士存儲半導體生產(chǎn)總量的一半份額。
2019-06-21 08:44:40
4775 據(jù)外媒報道,由于DRAM內存芯片價格不斷下跌,近期又有華為事件的影響,SK海力士正在計劃推遲位于中國無錫的全球最先進內存芯片工廠的投產(chǎn)計劃。
2019-06-21 11:33:15
4426 據(jù)報道,由于中美貿(mào)易摩擦愈演愈烈,韓國內存芯片大廠SK海力士有意放緩在中國工廠的投產(chǎn)計劃。
2019-06-24 17:21:58
3526 海力士日前在一場會議上就公布了公司的規(guī)劃,預計在2030 年推出800+ 層的NAND Flash,屆時將可輕松打造出100 到200TB 容量的SSD。
2019-08-15 09:05:12
3089 說起韓國巨頭SK海力士,大家肯定都知道他家的NAND閃存、DRAM內存芯片,不過其實在早些年,SK海力士還做過零售SSD產(chǎn)品的,只不過一直沒有什么突破,就悄悄退出了,專心經(jīng)營上游芯片。
2019-08-16 09:03:22
3985 雖然封裝不易,但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器,而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49
1322 SK海力士所研發(fā)的行業(yè)內首個五代雙倍速率(DDR5) DRAM, 達到了電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(Joint Ele ctron Device Engineering Council,簡稱JEDEC) 標準, 這項技術正在DRAM市場開拓一片新天地。
2019-10-29 16:16:37
4434 SK 海力士公司宣布,其已成功開發(fā)出 1Znm 16GB DDR4 動態(tài)隨機存儲器(DRAM),創(chuàng)下了業(yè)內單芯最大密度的紀錄。與上一代 1Y nm 產(chǎn)品相比,其產(chǎn)能提升約 27%,因其無需昂貴的極紫外(EUV)光刻加持,因此更具成本競爭優(yōu)勢。
2019-11-19 11:08:21
941 SK海力士日前宣布推出新一代企業(yè)級SSD固態(tài)硬盤,不過并沒有公布新品SSD的名稱,有限的信息為支持NVMe協(xié)議,采用72層堆棧的3D TLC閃存,M.2版容量最大容量4 TB,U.2版最大容量可達8 TB。
2019-12-09 11:43:57
2304 本月DRAM現(xiàn)貨價格急漲,以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導體企業(yè)有望改善營收。
2019-12-18 16:36:54
3205 根據(jù)TPU的報道,SK 海力士展示了LPDDR5原型內存解決方案,旨在為下一代5G智能手機和超便攜電腦提供更快的訪問速度。SK海力士表示,新款的LPDDR4X已經(jīng)將速度提高到4667MHz,LPDDR5將進一步提高,頻率從5500MHz起步。
2020-01-10 14:46:12
4525 在最近舉辦的CES 2020展會上,SK海力士展出了兩款新的高端SSD,分別是Gold P31、Platinum P31,最大特點采用了SK海力士自家的4D TLC NAND閃存。
2020-01-13 11:45:55
3583 SK海力士表示,為了應對以更小模塊尺寸實現(xiàn)較高分辨率的競爭,SK海力士旗下的“黑珍珠(Black Pearl)”系列新推出的4款1.0μm(微米)級圖像傳感器產(chǎn)品將像素尺寸從原來的1.12μm降低到1.0μm。
2020-03-30 14:21:23
5200 4月8日消息,近日,SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級 SSD-- PE8111,是針對讀取密集型應用設計的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導體制造商,其產(chǎn)品組合中包括 DRAM,NAND 閃存和控制器,以及 SSD 的全套技術。
2020-04-09 14:09:19
4475 據(jù)韓聯(lián)社報道,投資機構Eugene預測,由于受到新冠肺炎的影響,DRAM價格將在今年下半年下跌,且下修了SK海力士的目標股價。
2020-04-14 16:12:36
2860 據(jù)韓聯(lián)社報道,投資機構Eugene預測,由于受到新冠肺炎的影響,DRAM價格將在今年下半年下跌,且下修了SK海力士的目標股價。
2020-04-14 16:05:00
2999 這兩家韓國公司將于 9 月 15 日終止與華為的交易。 根據(jù)美國商務部的制裁方案,三星電子和 SK 海力士將從 15 日開始停止向華為供應半導體。不僅是存儲芯片,連 5G、移動通信 (AP)等系統(tǒng)芯片也將無法供應,華為的存儲芯片獲取將十分艱難。 不僅是手機
2020-09-15 16:41:40
2822 據(jù)路透社當?shù)貢r間19日報道援引知情人士稱,英特爾正準備將NAND芯片業(yè)務,以近100億美元的價格,出售給SK海力士。若交易達成,將使得SK海力士超越日本Kioxia,成為NAND內存市場的全球第二大廠商,并進一步縮小與行業(yè)領頭羊三星之間的差距。
2020-10-20 14:10:14
2309 雖然已經(jīng)將閃存業(yè)務出售給SK海力士,但是Intel還會繼續(xù)發(fā)展存儲芯片。日前的存儲峰會上,Intel推出了一系列SSD硬盤,包括670P、傲騰H20等,首發(fā)了144層TLC、QLC閃存,涵蓋消費級、企業(yè)級等多個市場。
2020-12-17 10:11:28
2736 據(jù)etnews報道,SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機,以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內在M16廠建設產(chǎn)線以生產(chǎn)下一代DRAM,不過并未透露
2021-01-20 18:19:20
2943 31億美元)建成了這座芯片工廠,工廠長336米,寬163米,高105米,相當于一座37層公寓的高度,是SK海力士目前最大的芯片工廠。
2021-02-02 15:00:15
2767 美元)建成了這座芯片工廠,工廠長336米,寬163米,高105米,相當于一座37層公寓的高度,是SK海力士目前最大的芯片工廠。 SK集團董事長崔泰源在頒獎典禮上稱,建造新工廠的決定在兩年前是十分大膽的,因為當時整個半導體存儲芯片市場正處于低迷,如今
2021-02-03 17:23:41
2264 。 據(jù)報道,SK海力士與ASML公司簽訂了一個超級大單,未來5年內將斥資4.8萬億韓元,約合43.4億美元購買EUV光刻機。 SK海力士在一份監(jiān)管文件中稱,這筆交易是為了實現(xiàn)下一代工藝芯片量產(chǎn)的目標。 ASML及SK海力士都沒有透露這么多資金到底購買了多少臺EUV光刻機,不過從之
2021-02-25 09:30:23
2709 SK海力士今天宣布,已經(jīng)開始量產(chǎn)18GB LPDDR5移動版內存,存儲密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:54
3203 達到 415 萬平方米,計劃主要生產(chǎn) DRAM 芯片,定于 2021 年第四季度開工,2025 年建成投產(chǎn)。這一大型工廠將包含四個晶圓加工廠,每個月產(chǎn)量為 80 萬片。 IT之家此前報道,SK 海力士近日表示,將在未來 10 年內開發(fā) 10nm 以下制程工藝的 DRAM 芯片,以及 600 層堆疊的
2021-04-13 11:29:49
2778 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內存芯片,可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:14
2672 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory)產(chǎn)品HBM31,公司不僅又一次創(chuàng)造歷史,更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領先地位。
2022-09-08 09:28:25
2219 繼SK海力士在去年11月推出的移動DRAM LPDDR5X*,將其性能提升成功開發(fā)出了LPDDR5T。本次產(chǎn)品的速度比現(xiàn)有產(chǎn)品快13%,運行速度高達9.6Gbps(Gb/s)。公司為了強調其超高速度特性,命名時在規(guī)格名稱“LPDDR5”上加以“Turbo(渦輪增壓)”作為了后綴。
2023-01-30 11:21:33
2449 SK海力士季度虧損創(chuàng)紀錄 sk海力士2022年財報難看 前一兩年還一直聽說內存條在不斷漲價的消息,現(xiàn)在突然就爆出消息SK海力士季度虧損創(chuàng)紀錄,看來大伙的日子都不太好過。 宏觀經(jīng)濟的下滑導致了很多需求
2023-02-01 16:52:12
3954 
Corp. 周四的數(shù)據(jù),美光科技在 1 月至 3 月期間獲得了了 27.2 億美元的 DRAM 銷售額,比上一季度的 28.3 億美元下降了 8%。這家美國芯片制造商擊敗了 SK 海力士,后者的銷售額
2023-06-01 08:46:06
1184 為了實現(xiàn)這一功能,還必須適合用于輔助計算的dram。現(xiàn)有智能手機使用的移動dram的速度是有限的。sk海力士根據(jù)蘋果公司的要求,提供了最適合操作r1芯片的dram。大幅增加了輸入/輸出(i/o)頻道的數(shù)量,可以將數(shù)據(jù)迅速傳送到存儲器內外。
2023-07-12 09:39:56
1019 meta是SK海力士的主要顧客之一,正在購買為構建和擴張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd (ssd)和服務器dram。據(jù)悉,對ai服務器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務器dram。
2023-08-30 10:03:33
1393 近期,有關韓國SK海力士為華為提供關鍵芯片的消息引起了廣泛關注。據(jù)某拆解視頻顯示,華為最新款手機Mate60 Pro的存儲芯片上顯示著“SK海力士”標識,但未能獲取到有關存儲芯片核心信息的詳細資料。至于麒麟9000s芯片是否采用7nm或5nm工藝目前還沒有定論。
2023-09-18 16:58:03
3085 SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元(76.2億美元),超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似,約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟挑戰(zhàn),觀察人士預計嚴格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌,SK海力士預計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:05
1540 數(shù)據(jù)顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉移,進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22
1580 隨著全球半導體市場的復蘇,SK海力士認識到,為了保持市場地位,推出更高性能的DRAM產(chǎn)品是必要的。
2024-01-15 15:53:08
2080 無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:05
1539 SK海力士正積極應對AI開發(fā)中關鍵組件HBM(高帶寬存儲器)日益增長的需求,為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出,公司正在韓國投入超過10億美元,以擴大和改進其芯片封裝技術。
2024-03-08 10:53:44
1798 SK海力士,作為全球知名的半導體公司,近期在中國業(yè)務方面進行了重大的戰(zhàn)略調整。據(jù)相關報道,SK海力士正在全面重組其在中國的業(yè)務布局,計劃關閉運營了長達17年的上海銷售公司,并將其業(yè)務重心全面轉移到無錫。這一決策的背后,反映了SK海力士對于中國市場發(fā)展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:25
2163 HBM3E的推出,標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53
1844 在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款,供應下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:08
1225 SK海力士表示,憑借其在AI應用領域存儲器發(fā)展的領先地位,以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領域的深厚合作基礎,該公司有信心持續(xù)引領HBM技術創(chuàng)新。通過整合IC設計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術資源,SK海力士將進一步提升存儲器產(chǎn)品性能,實現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:04
1153 SK海力士最近透露,預計其HBM銷售額今年將“占其DRAM芯片銷售額的兩位數(shù)百分比”。
2024-04-29 10:50:41
1195 
SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正在積極考慮建設一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計劃的推遲,以及對今年內存芯片需求大幅增長的預測。
2024-05-06 10:52:02
982 今日,SK海力士公司宣布了一項革命性的技術突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(On-Device)AI應用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產(chǎn)品的推出,標志著SK海力士在閃存技術領域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:30
1175 在智能手機技術日新月異的今天,SK海力士再次引領行業(yè)潮流,成功推出新一代移動端NAND閃存解決方案——ZUFS 4.0。這款專為端側AI手機優(yōu)化的閃存產(chǎn)品,無疑將為用戶帶來前所未有的使用體驗。
2024-05-11 10:14:19
1068 近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產(chǎn)下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEOL),確保基礎芯片的質量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產(chǎn)品的最終品質與可靠性。
2024-05-20 09:18:46
1055 在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內存的合約價環(huán)比上漲,這一上漲主要歸因于地震影響美光內存產(chǎn)能,進而推動了通用內存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:49
1035 瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:22
1511 SK海力士在半導體領域再次邁出創(chuàng)新步伐,計劃在其第6代(1c工藝,約10nm)DRAM的生產(chǎn)中,首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠(MOR)。這一突破性的應用標志著MOR技術正式進入DRAM量產(chǎn)工藝。
2024-05-30 11:02:58
1506 )提交了一份關于3D DRAM(三維動態(tài)隨機存取存儲器)的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領域取得的顯著進展,更向世界展示了其在這一未來存儲技術上的堅定決心與卓越實力。
2024-06-24 15:35:29
1746 在全球半導體技術的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一突破性的進展引起了業(yè)界的廣泛關注。
2024-06-27 10:50:22
1473 據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀一項重要財務戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購英特爾相應業(yè)務后成立的獨立美國子公司,承載著SK海力士在存儲解決方案領域的重要布局。
2024-07-30 17:35:40
2332 近日,據(jù)外媒報道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調15%至20%,這一舉動在業(yè)界引起了廣泛關注。供應鏈內部人士透露,此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴張,對DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:46
1516 SK海力士近日宣布了一項重要計劃,即開發(fā)采用4F2結構(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標志著SK海力士在DRAM制造領域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:43
1670 SK 海力士,作為全球知名的半導體巨頭,近期宣布了一項重要的擴產(chǎn)計劃,旨在通過擴大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模,顯著提升其DRAM內存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報道,SK 海力士已積極與上游設備供應商合作,訂購了關鍵生產(chǎn)設備,以加速提升M16晶圓廠在HBM(高帶寬內存)及通用DRAM內存方面的生產(chǎn)能力。
2024-08-16 17:32:24
1920 SK海力士宣布了一項重大技術突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著SK海力士在半導體存儲技術領域的領先地位。
2024-08-29 16:39:15
1255 SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段,批量生產(chǎn)業(yè)界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內存技術上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄,為全球人工智能領域的發(fā)展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41
878 今日,半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術里程碑,該公司已成功在全球范圍內率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?;a(chǎn),此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:31
1987 限的產(chǎn)能轉向更高端的產(chǎn)品線,如人工智能用存儲器及先進DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術研發(fā)和生產(chǎn)有關。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品,該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:18
1277 據(jù)外媒最新報道,韓國兩大存儲芯片巨頭三星電子與SK海力士已正式結盟,共同致力于推動LPDDR6的存內計算(Processing In Memory,簡稱PIM)產(chǎn)品的標準化進程。此舉旨在加速人工智能
2024-12-03 10:42:50
1350 存儲芯片,并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。 ? 由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM,SK 海力士肯定會調整其 DRAM 產(chǎn)能預測。這家公司計劃
2024-12-21 15:16:46
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SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內存(HBM)的DRAM產(chǎn)能,目標是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片,這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達外,其他領先人工智能(AI)芯片公司需求激增的積極回應。
2025-01-07 16:39:09
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