除了5nm、4nm、3nm、2nm工藝進展和規(guī)劃，臺積電近日還公布了不少新的芯片封裝技術(shù)，畢竟隨著高性能計算需求的與日俱增、半導(dǎo)體工藝的日益復(fù)雜，單靠升級制程工藝已經(jīng)不能解決所有問題。

臺積電的CoWoS－S晶圓級封裝技術(shù)已經(jīng)使用了很多年，大大突破了光刻掩膜尺寸的限制，芯片越做越大，內(nèi)部封裝的小芯片也越來越多。

2016年的時候，臺積電做到了1．5倍于掩模尺寸的規(guī)模，單芯片內(nèi)部可封裝4顆HBM高帶寬內(nèi)存芯片，去年達(dá)成2x尺寸、6顆HBM，并計劃明年實現(xiàn)3x尺寸、8顆HBM。

根據(jù)臺積電最新公布的規(guī)劃，2023年的時候，他們將把芯片做到4倍于掩模尺寸的程度，內(nèi)部可以封裝多達(dá)12顆HBM，再加上主芯片就有13顆，而總面積估計可達(dá)驚人的3200平方毫米。

作為對比，NVIDIA安培架構(gòu)的GA100核心面積為826平方毫米，7nm工藝，540億晶體管，也不過它的大約四分之一。

HBM技術(shù)發(fā)展迅速，雖然還不確定2023年會是什么樣子，但無論容量還是帶寬都將超越很多人的想象，上百GB、TB／s應(yīng)該都不是事兒。

目前最先進的三星HBM2e已經(jīng)做到單顆12層堆疊，數(shù)據(jù)傳輸率3200MT／s，帶寬至少4．92TB／s。