該DRV8262是一款寬電壓、高功率、H橋電機驅(qū)動器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。該器件集成了兩個 H 橋，用于驅(qū)動一個或兩個直流電機或一個雙極步進電機。該DRV8262在雙 H 橋模式下支持高達 16A 的峰值電流，在單 H 橋模式下支持高達 32A 的峰值電流。該器件還集成了電流檢測和調(diào)節(jié)、電流檢測輸出和保護電路。

高側(cè) MOSFET 上的集成電流檢測允許驅(qū)動器在啟動和高負載事件期間調(diào)節(jié)電機電流。電流限制可以通過可調(diào)節(jié)的外部基準電壓源進行設(shè)置。該器件還為每個 H 橋提供與電機電流成正比的輸出電流。集成傳感消除了對分流電阻器的需求，從而減少了電路板面積和系統(tǒng)成本。

提供低功耗睡眠模式以實現(xiàn)超低靜態(tài)電流。為電源欠壓鎖定 （UVLO）、電荷泵欠壓 （CPUV）、輸出過流 （OCP） 和器件過熱 （OTSD） 提供內(nèi)部保護功能。
*附件：drv8262.pdf

特性

• • 單或雙 H 橋電機驅(qū)動器
  • 驅(qū)動一個或兩個有刷直流電機
  • 一個步進電機
  • 一個或兩個熱電冷卻器 （TEC）
• 4.5V 至 60V 工作電源電壓范圍
• 低 RDS（ON）：
  • 100mΩ HS + LS（雙 H 橋）
  • 50mΩ HS + LS（單 H 橋）
• 高輸出電流能力：
  • 雙 H 橋（24V，25 °C）：
    • 8A 峰值，采用 DDW 封裝
    • 16A 峰值，采用 DDV 封裝
  • 單 H 橋（24V，25 °C）：
    • 16A 峰值，采用 DDW 封裝
    • 32A 峰值，采用 DDV 封裝
• 可編程作接口 -
  • 相位/使能 （PH/EN）
  • PWM（輸入/輸入）
• 集成電流檢測和調(diào)節(jié)
  • 用于高側(cè)MOSFET的電流檢測
  • 每個 H 橋的檢測輸出 （IPROPI）
  • ± 最大電流下 4% 的檢測精度
• 獨立邏輯電源電壓 （VCC）
• 可配置的關(guān)斷時間PWM斬波
  • 7、16、24 或 32μs
• 可編程故障恢復(fù)方法
• 支持 1.8V、3.3V、5.0V 邏輯輸入
• 低電流睡眠模式 （3μA）
• 保護功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 電荷泵欠壓 （CPUV）
  • 過流保護 （OCP）
  • 熱關(guān)斷 （OTSD）
  • 故障條件輸出 （nFAULT）

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?

• ?型號?：DRV8262，60V單/雙H橋電機驅(qū)動器，集成電流檢測輸出。
• ?版本?：SLVSFV5C（2023年7月發(fā)布，2025年7月修訂）。
• ?應(yīng)用領(lǐng)域?：
  • 有刷直流電機、步進電機、熱電制冷器（TEC）。
  • 工業(yè)自動化、醫(yī)療設(shè)備、ATM機、機器人等。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?電壓范圍?：4.5V至60V工作電壓。
• ?輸出電流能力?：
  • ?雙H橋模式?：8A（DDW封裝）/16A（DDV封裝）峰值電流。
  • ?單H橋模式?：16A（DDW）/32A（DDV）峰值電流。
• ?低導(dǎo)通電阻?：
  • 雙H橋：100mΩ（高邊+低邊）；單H橋：50mΩ。
• ?集成電流檢測?：
  • 高邊MOSFET電流鏡像輸出（IPROPI引腳），精度±4%。
• ?保護功能?：
  • 欠壓鎖定（UVLO）、過流保護（OCP）、熱關(guān)斷（OTSD）、故障輸出（nFAULT）。
• ?低功耗模式?：睡眠模式電流僅3μA。

?3. 功能描述?

• ?工作模式?：
  • ?雙H橋?：驅(qū)動2個有刷電機或1個步進電機。
  • ?單H橋?：并聯(lián)輸出，支持更高電流負載。
• ?控制接口?：
  • 支持PWM（IN/IN）或相位/使能（PH/EN）模式，通過MODE1/MODE2引腳配置。
• ?電流調(diào)節(jié)?：
  • 通過VREF引腳和外部電阻（RIPROPI）設(shè)置電流斬波閾值（ITRIP）。
• ?衰減模式?：
  • 支持慢衰減、混合衰減（30%快衰減）、智能動態(tài)衰減（自動優(yōu)化）。

?4. 封裝與熱管理?

• ?封裝選項?：
  • ?DDW?：底部散熱焊盤HTSSOP-44（14mm×6.1mm）。
  • ?DDV?：頂部散熱焊盤HTSSOP-44（支持外接散熱器）。
• ?熱性能?：
  • DDW封裝RθJA為22.2°C/W（4層PCB），需優(yōu)化布局以降低溫升。

?5. 典型應(yīng)用?

• ?有刷電機驅(qū)動?：支持雙向控制，集成電流反饋。
• ?步進電機驅(qū)動?：雙H橋模式，支持微步進和動態(tài)衰減。
• ?TEC驅(qū)動?：LC濾波降低紋波，IPROPI實現(xiàn)閉環(huán)控制。

?6. 設(shè)計注意事項?

• ?布局建議?：
  • VM引腳就近放置0.01μF陶瓷電容和 bulk電容。
  • 散熱焊盤需充分連接至地平面（多via設(shè)計）。
• ?功率損耗計算?：
  • 傳導(dǎo)損耗（RDS(ON)）、開關(guān)損耗（tRF）、靜態(tài)損耗（IVM）需綜合評估。