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中科院半導(dǎo)體所

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半導(dǎo)體芯片鍵合技術(shù)概述

鍵合是芯片貼裝后,將半導(dǎo)體芯片與其封裝外殼、基板或中介層進(jìn)行電氣連接的工藝。它實(shí)現(xiàn)了芯片與外部世界之....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-20 15:36 ?150次閱讀
半導(dǎo)體芯片鍵合技術(shù)概述

淺談三維原子探針的跨領(lǐng)域應(yīng)用

原子探針斷層掃描(APT,也叫三維原子探針)是一種三維分析技術(shù),能看清原子級的成分分布,空間分辨率達(dá)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-20 15:33 ?72次閱讀
淺談三維原子探針的跨領(lǐng)域應(yīng)用

芯片可靠性面臨哪些挑戰(zhàn)

芯片可靠性是一門研究芯片如何在規(guī)定的時(shí)間和環(huán)境條件下保持正常功能的科學(xué)。它關(guān)注的核心不是芯片能否工作....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-20 15:32 ?78次閱讀
芯片可靠性面臨哪些挑戰(zhàn)

功率MOSFET器件的單脈沖雪崩能量參數(shù)解讀

在功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)與選型中,單脈沖雪崩能量(Single Pulse Avalanche ....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-20 15:28 ?2618次閱讀
功率MOSFET器件的單脈沖雪崩能量參數(shù)解讀

MIT團(tuán)隊(duì)提出一種垂直集成的BEOL堆疊架構(gòu)

近期發(fā)現(xiàn),通過在傳統(tǒng)CMOS芯片的后端工藝(BEOL)層添加額外的有源器件層,可將原本僅用于布線的區(qū)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-16 12:59 ?344次閱讀
MIT團(tuán)隊(duì)提出一種垂直集成的BEOL堆疊架構(gòu)

詳解芯片制造中的金屬中間層鍵合技術(shù)

金屬中間層鍵合技術(shù)涵蓋金屬熱壓鍵合、金屬共晶鍵合、焊料鍵合及瞬態(tài)液相(transient liqui....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-16 12:55 ?181次閱讀
詳解芯片制造中的金屬中間層鍵合技術(shù)

詳解芯片制造中的中間層鍵合技術(shù)

依據(jù)中間層所采用的材料不同,中間層鍵合可劃分為黏合劑鍵合與金屬中間層鍵合兩大類,下文將分別對其進(jìn)行詳....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-16 12:54 ?572次閱讀
詳解芯片制造中的中間層鍵合技術(shù)

一文解讀微機(jī)電系統(tǒng)的基礎(chǔ)知識

微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS,Micro-electro-mechanical System,亦稱微系統(tǒng)),....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-14 14:08 ?178次閱讀
一文解讀微機(jī)電系統(tǒng)的基礎(chǔ)知識

陽極鍵合工藝的基本原理和關(guān)鍵參數(shù)

直接鍵合方式具備較高的對準(zhǔn)精度與穩(wěn)固的鍵合強(qiáng)度,能滿足高端器件的封裝需求,但該技術(shù)對晶圓表面的平整度....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-14 14:04 ?268次閱讀
陽極鍵合工藝的基本原理和關(guān)鍵參數(shù)

晶體管輸出特性曲線的構(gòu)成與核心區(qū)域

晶體管的輸出特性曲線是半導(dǎo)體器件物理與芯片電路設(shè)計(jì)之間最關(guān)鍵的橋梁。這張圖表描繪了在固定柵極電壓下,....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-12 10:51 ?242次閱讀
晶體管輸出特性曲線的構(gòu)成與核心區(qū)域

超結(jié)MOSFET的基本結(jié)構(gòu)與工作原理

超結(jié)MOSFET(Super-Junction MOSFET,簡稱SJ-MOS)是一種在高壓功率半導(dǎo)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-04 15:01 ?2125次閱讀
超結(jié)MOSFET的基本結(jié)構(gòu)與工作原理

簡單認(rèn)識3D SOI集成電路技術(shù)

在半導(dǎo)體技術(shù)邁向“后摩爾時(shí)代”的進(jìn)程中,3D集成電路(3D IC)憑借垂直堆疊架構(gòu)突破平面縮放限制,....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 15:22 ?334次閱讀
簡單認(rèn)識3D SOI集成電路技術(shù)

SOI晶圓片的結(jié)構(gòu)特性及表征技術(shù)

SOI晶圓片結(jié)構(gòu)特性由硅層厚度、BOX層厚度、Si-SiO?界面狀態(tài)及薄膜缺陷與應(yīng)力分布共同決定,其....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 15:21 ?307次閱讀
SOI晶圓片的結(jié)構(gòu)特性及表征技術(shù)

Salicide自對準(zhǔn)硅化物工藝的定義和制造流程

Salicide(Self-Aligned Silicide,自對準(zhǔn)硅化物)是一種通過選擇性金屬沉積....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 15:18 ?566次閱讀
Salicide自對準(zhǔn)硅化物工藝的定義和制造流程

漏致勢壘降低效應(yīng)如何影響晶體管性能

隨著智能手機(jī)、電腦等電子設(shè)備不斷追求輕薄化,芯片中的晶體管尺寸已縮小至納米級(如3nm、2nm)。但....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 15:17 ?416次閱讀
漏致勢壘降低效應(yīng)如何影響晶體管性能

淺談SOI晶圓制造技術(shù)的四大成熟工藝體系

SOI晶圓片制造技術(shù)作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心分支,歷經(jīng)五十年技術(shù)沉淀與產(chǎn)業(yè)迭代,已形成以SIMOX、BS....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 15:15 ?350次閱讀
淺談SOI晶圓制造技術(shù)的四大成熟工藝體系

集成電路版圖設(shè)計(jì)的核心組成與關(guān)鍵步驟

在集成電路設(shè)計(jì)中,版圖(Layout)是芯片設(shè)計(jì)的核心環(huán)節(jié)之一,指芯片電路的物理實(shí)現(xiàn)圖。它描述了電路....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 15:12 ?391次閱讀
集成電路版圖設(shè)計(jì)的核心組成與關(guān)鍵步驟

DRAM組織結(jié)構(gòu)和讀取原理介紹

DRAM 被組織成層次化的陣列,總共由數(shù)十億個(gè) DRAM 單元組成,每個(gè)單元存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 15:10 ?1820次閱讀
DRAM組織結(jié)構(gòu)和讀取原理介紹

不同維度下半導(dǎo)體集成電路的分類體系

半導(dǎo)體集成電路的分類體系基于集成度、功能特性、器件結(jié)構(gòu)及應(yīng)用場景等多維度構(gòu)建,歷經(jīng)數(shù)十年發(fā)展已形成多....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 15:08 ?408次閱讀
不同維度下半導(dǎo)體集成電路的分類體系

半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)與核心摻雜工藝詳解

本文將聚焦半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、核心摻雜工藝,以及半導(dǎo)體二極管的工作原理——這些是理解復(fù)雜半導(dǎo)體器件的基....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 15:05 ?833次閱讀
半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)與核心摻雜工藝詳解

半導(dǎo)體封裝框架的外部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

封裝框架的外部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),核心包含聯(lián)筋(Dambar)與假腳(False leads)兩大關(guān)鍵部分,以....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 15:03 ?313次閱讀
半導(dǎo)體封裝框架的外部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

集成電路制造中Bosch工藝的關(guān)鍵作用和流程步驟

Bosch工藝,又稱交替?zhèn)缺阝g化深層硅蝕刻工藝,是一種在半導(dǎo)體制造中用于刻蝕硅片上特定材料層的先進(jìn)技....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 14:59 ?373次閱讀
集成電路制造中Bosch工藝的關(guān)鍵作用和流程步驟

射頻電路中Ft和Fmax的概念和建模方法

Ft(電流增益截止頻率) 和 Fmax(最高振蕩頻率) 是兩個(gè)關(guān)鍵的頻率品質(zhì)因數(shù),用于衡量晶體管處理....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 14:57 ?409次閱讀
射頻電路中Ft和Fmax的概念和建模方法

詳解NMOS晶體管的工作過程

在每一顆芯片的內(nèi)部,數(shù)十億個(gè)晶體管如同高速開合的微型水閘,構(gòu)成數(shù)字世界的最小邏輯單元。以NMOS為例....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-10 15:17 ?734次閱讀
詳解NMOS晶體管的工作過程

淺談芯片驗(yàn)證方法的演進(jìn)過程

回溯 20 世紀(jì) 90 年代,當(dāng)時(shí)行業(yè)內(nèi)接觸的芯片主要包括 Z80、8031、8080/8086 等....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-10 15:14 ?477次閱讀
淺談芯片驗(yàn)證方法的演進(jìn)過程

運(yùn)算放大器的核心組成與典型結(jié)構(gòu)

運(yùn)算放大器是模擬電路與混合信號電路的核心基礎(chǔ)模塊,其性能直接決定電子系統(tǒng)的信號處理精度與穩(wěn)定性。掌握....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-10 15:11 ?4393次閱讀
運(yùn)算放大器的核心組成與典型結(jié)構(gòu)

晶圓接受測試的具體內(nèi)容與重要作用

在智能手機(jī)、電腦和自動(dòng)駕駛汽車等高科技產(chǎn)品的背后,隱藏著一項(xiàng)至關(guān)重要的半導(dǎo)體制造技術(shù)——晶圓接受測試....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-10 15:08 ?541次閱讀
晶圓接受測試的具體內(nèi)容與重要作用

功函數(shù)在芯片制造中的核心作用

在我們手中的智能手機(jī)和電腦核心,躺著一塊精密的芯片。芯片的核心,是數(shù)十億個(gè)名為“晶體管”的微觀開關(guān)。....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-03 16:58 ?837次閱讀
功函數(shù)在芯片制造中的核心作用

芯片制造檢驗(yàn)工藝中的全數(shù)檢查

在IC芯片制造的檢驗(yàn)工藝中,全數(shù)檢查原則貫穿于關(guān)鍵工序的缺陷篩查,而老化測試作為可靠性驗(yàn)證的核心手段....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-03 16:55 ?770次閱讀
芯片制造檢驗(yàn)工藝中的全數(shù)檢查

半導(dǎo)體制造中的多層芯片封裝技術(shù)

在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,已知合格芯片(KGD)作為多層芯片封裝(MCP)的核心支撐單元,其價(jià)值在于通過封裝....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-03 16:51 ?1989次閱讀
半導(dǎo)體制造中的多層芯片封裝技術(shù)