MIT團(tuán)隊(duì)提出一種垂直集成的BEOL堆疊架構(gòu)
近期發(fā)現(xiàn),通過在傳統(tǒng)CMOS芯片的后端工藝(BEOL)層添加額外的有源器件層,可將原本僅用于布線的區(qū)....
一文解讀微機(jī)電系統(tǒng)的基礎(chǔ)知識
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS,Micro-electro-mechanical System,亦稱微系統(tǒng)),....
陽極鍵合工藝的基本原理和關(guān)鍵參數(shù)
直接鍵合方式具備較高的對準(zhǔn)精度與穩(wěn)固的鍵合強(qiáng)度,能滿足高端器件的封裝需求,但該技術(shù)對晶圓表面的平整度....
晶體管輸出特性曲線的構(gòu)成與核心區(qū)域
晶體管的輸出特性曲線是半導(dǎo)體器件物理與芯片電路設(shè)計(jì)之間最關(guān)鍵的橋梁。這張圖表描繪了在固定柵極電壓下,....
簡單認(rèn)識3D SOI集成電路技術(shù)
在半導(dǎo)體技術(shù)邁向“后摩爾時(shí)代”的進(jìn)程中,3D集成電路(3D IC)憑借垂直堆疊架構(gòu)突破平面縮放限制,....
SOI晶圓片的結(jié)構(gòu)特性及表征技術(shù)
SOI晶圓片結(jié)構(gòu)特性由硅層厚度、BOX層厚度、Si-SiO?界面狀態(tài)及薄膜缺陷與應(yīng)力分布共同決定,其....
淺談SOI晶圓制造技術(shù)的四大成熟工藝體系
SOI晶圓片制造技術(shù)作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心分支,歷經(jīng)五十年技術(shù)沉淀與產(chǎn)業(yè)迭代,已形成以SIMOX、BS....
集成電路版圖設(shè)計(jì)的核心組成與關(guān)鍵步驟
在集成電路設(shè)計(jì)中,版圖(Layout)是芯片設(shè)計(jì)的核心環(huán)節(jié)之一,指芯片電路的物理實(shí)現(xiàn)圖。它描述了電路....
不同維度下半導(dǎo)體集成電路的分類體系
半導(dǎo)體集成電路的分類體系基于集成度、功能特性、器件結(jié)構(gòu)及應(yīng)用場景等多維度構(gòu)建,歷經(jīng)數(shù)十年發(fā)展已形成多....
半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)與核心摻雜工藝詳解
本文將聚焦半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、核心摻雜工藝,以及半導(dǎo)體二極管的工作原理——這些是理解復(fù)雜半導(dǎo)體器件的基....
半導(dǎo)體封裝框架的外部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
封裝框架的外部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),核心包含聯(lián)筋(Dambar)與假腳(False leads)兩大關(guān)鍵部分,以....
集成電路制造中Bosch工藝的關(guān)鍵作用和流程步驟
Bosch工藝,又稱交替?zhèn)缺阝g化深層硅蝕刻工藝,是一種在半導(dǎo)體制造中用于刻蝕硅片上特定材料層的先進(jìn)技....
淺談芯片驗(yàn)證方法的演進(jìn)過程
回溯 20 世紀(jì) 90 年代,當(dāng)時(shí)行業(yè)內(nèi)接觸的芯片主要包括 Z80、8031、8080/8086 等....
運(yùn)算放大器的核心組成與典型結(jié)構(gòu)
運(yùn)算放大器是模擬電路與混合信號電路的核心基礎(chǔ)模塊,其性能直接決定電子系統(tǒng)的信號處理精度與穩(wěn)定性。掌握....
晶圓接受測試的具體內(nèi)容與重要作用
在智能手機(jī)、電腦和自動(dòng)駕駛汽車等高科技產(chǎn)品的背后,隱藏著一項(xiàng)至關(guān)重要的半導(dǎo)體制造技術(shù)——晶圓接受測試....
芯片制造檢驗(yàn)工藝中的全數(shù)檢查
在IC芯片制造的檢驗(yàn)工藝中,全數(shù)檢查原則貫穿于關(guān)鍵工序的缺陷篩查,而老化測試作為可靠性驗(yàn)證的核心手段....