看到了其前景并提前布局。AI推理也使得存儲HBM不再是唯一熱門，更多存儲芯片與AI推理芯片結(jié)合，擁有了市場機(jī)會。 ? 已經(jīng)有不少AI推理芯片、存算一體芯片將SRAM替代DRAM，從而獲得更快的訪問速度、更低的刷新延遲等。 ? 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Static
2025-03-03 08:51:57
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域主要用于存放應(yīng)用程序代碼和用戶數(shù)據(jù)，用戶可編程。
2、啟動程序存儲器，共 2.5KB，地址空間為 0x0010 0000 - 0x0010 09FF。該區(qū)域主要用于存儲 BootLoader 啟動程序，在芯片出廠時已編程，用戶不可更改。
2025-12-23 08:28:04
探索Littelfuse CH1P01xM電流傳感器：特性、應(yīng)用與設(shè)計要點 在電子工程師的日常工作中，電流傳感器是一個至關(guān)重要的元件。今天，我們就來深入了解一下Littelfuse的CH1P01xM
2025-12-15 15:25:05216 在存儲技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲器）以其獨特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點。
2025-12-15 14:39:04242 CW32F030 內(nèi)核為 32 位的 ARM? Cortex?-M0+ 微處理器，最大尋址空間為 4GB。芯片內(nèi)置的程序存儲器、數(shù)據(jù)存儲器、各外設(shè)及端口寄存器被統(tǒng)一編址在同一個 4GB 的線性
2025-12-11 07:03:49
SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器）是一種在通電狀態(tài)下可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失的存儲器件，無需刷新即可持續(xù)工作，因此具有高速讀寫、響應(yīng)及時的特點，廣泛應(yīng)用于對實時性要求高的場景。
2025-12-08 16:51:57442 
在計算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲器扮演著數(shù)據(jù)臨時存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44293 工作頻率為48MHz。內(nèi)置64KB Flash存儲器和8KB SRAM。工作溫度范圍為-40℃~105℃，工作電壓范圍2.0~5.5V。芯片支持sleep和stop兩種低功耗模式，其中stop模式最低電流
2025-12-06 13:18:58
概述CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用，可用來存儲應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。
芯片支持對 FLASH 存儲器的讀、擦除和寫操作，支持擦寫保護(hù)和讀保護(hù)。
芯片內(nèi)置 FLASH 編程
2025-12-05 08:22:19
在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）依然是計算系統(tǒng)中最核心的存儲組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲方案，但二者憑借成熟的設(shè)計與明確
2025-12-02 13:50:46868 在當(dāng)今高速發(fā)展的3C領(lǐng)域（計算機(jī)外設(shè)、通信及消費電子），對存儲器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器作為核心存儲部件，其性能表現(xiàn)直接影響設(shè)備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
2025-12-01 13:42:00253 在各類電子設(shè)備與嵌入式系統(tǒng)中，存儲器的性能與功耗表現(xiàn)直接影響著整體設(shè)計的穩(wěn)定與效率。低功耗SRAM，特別是異步SRAM系列，憑借其出色的能效比與高可靠性，正成為越來越多工業(yè)控制、通信設(shè)備及便攜終端中的關(guān)鍵部件。
2025-11-25 15:42:56271 
在各類存儲設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲器憑借其獨特的雙端口設(shè)計，在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44272 用戶可執(zhí)行的RAM 存儲器操作包括：讀操作、寫操作。
對RAM 的讀寫操作支持8bit、16bit 和32bit 三種位寬，用戶程序可以通過直接訪問絕對地址的方式完成讀寫，
但要注意讀寫的數(shù)據(jù)位寬
2025-11-21 07:46:52
在存儲技術(shù)快速演進(jìn)的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35244 型號：FZH120
廠商：深圳市方中禾科技有限公司（Premier Chip Limited）FZH120是一種存儲器交換LED顯示控制的驅(qū)動芯片，可以選擇多重的ROW/COM模式（32ROW
2025-11-20 11:40:44
在嵌入式存儲應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機(jī)存儲器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 CW32x030C8T7-LQFP48，對應(yīng)存儲 ( 從低地址開始 ) 的數(shù)據(jù)為：0x43
1.4 FLASH 容量寄存器
FLASH 容量寄存器存儲了芯片內(nèi)置 FLASH 存儲器的容量大小，其地址為 0x0001 2628
2025-11-19 08:03:41
智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和端側(cè)AI應(yīng)用快速發(fā)展，PSRAM偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器，正成為越來越多嵌入式系統(tǒng)的優(yōu)選方案，如何選擇一個高性能、小尺寸與低功耗的psram芯片是一個值得思考的問題。由EMI自主研發(fā)
2025-11-18 17:24:35255 在現(xiàn)代高性能電子系統(tǒng)中，存儲器的讀寫速度往往是影響整體性能的關(guān)鍵因素之一。同步SRAM（Synchronous Static Random Access Memory）正是在這一需求下發(fā)展起來的重要
2025-11-18 11:13:01242 CW32x030C8T7-LQFP48，對應(yīng)存儲 ( 從低地址開始 ) 的數(shù)據(jù)為：0x43
1.4 FLASH 容量寄存器
FLASH 容量寄存器存儲了芯片內(nèi)置 FLASH 存儲器的容量大小，其地址為 0x0001 2628
2025-11-18 06:35:51
01產(chǎn)業(yè)鏈全景圖02存儲芯片定義存儲芯片也叫半導(dǎo)體存儲器，是電子設(shè)備里負(fù)責(zé)存數(shù)據(jù)、讀數(shù)據(jù)的關(guān)鍵零件。半導(dǎo)體產(chǎn)品主要有四大類：分立器件、光電器件、傳感器、集成電路。像存儲芯片、邏輯芯片、微處理芯片這些
2025-11-17 16:35:402721 
在處理器性能持續(xù)攀升的今天，存儲系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關(guān)鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲單元，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）承擔(dān)著高速緩存的重要角色，其性能直接影響數(shù)據(jù)處理效率。當(dāng)前
2025-11-12 13:58:08455 片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
●● 主 FLASH 存儲器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨特的設(shè)計使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04497 在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲器的選擇往往成為設(shè)計成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨有的錯誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM存儲芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48285 遠(yuǎn)大于串行接口。以一個簡單的4Mb SRAM為例，其與控制器連接最多可能需要43個引腳，這在追求緊湊設(shè)計的現(xiàn)代電子設(shè)備中成為了重要考量因素。 在芯片設(shè)計領(lǐng)域，嵌入式SRAM目前已經(jīng)占據(jù)了控制器空間的90%。更為重要的是，嵌入式SRAM的制程縮小速
2025-10-26 17:25:18835 在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實現(xiàn)了高速、可靠與長壽命的統(tǒng)一，是存儲技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲功能的高效芯片。QSPI（四線串行外設(shè)接口）是一種高速串行通信接口，用于連接外部設(shè)備；而PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器）則結(jié)合了快速隨機(jī)訪問與動態(tài)存儲的特性。
2025-10-23 15:40:17379 PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲器，主要是因為其采用類SRAM的接口協(xié)議：只需要提供地址和讀寫命令就可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)存取，無需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制器定期刷新數(shù)據(jù)單元。
2025-10-23 14:29:00296 本篇將詳細(xì)介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實現(xiàn)SRAM的讀寫測試。SRAM是一種非易失性存儲器，具有高速讀取和寫入的特點。在FPGA中實現(xiàn)SRAM讀寫測試，包括設(shè)計SRAM接口模塊
2025-10-22 17:21:384118 
CIU32D695x8 ARM Cortex-M0+ 32-bit MCU，64KB Flash ，6KB SRAM ， DMA ，2x UART ， I2C ，2x SPI ， Timers
2025-10-20 11:37:02801 
M24C64X-DRE的工作電源電壓范圍為1.7V至5.5V，時鐘頻率高達(dá)1MHz，環(huán)境工作溫度范圍為-40°C至+105°C。該電子擦除可編程只讀存儲器 (EEPROM) 提供一個額外的8位芯片使能寄存器
2025-10-15 09:37:46521 
Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM是隨機(jī)存取存儲器器件，可通過兼容串行外設(shè)接口 (SPI) 的串行總線訪問。SRAM
2025-10-09 11:16:59540 Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM是可以通過串行外設(shè)接口 (SPI) 兼容總線訪問的隨機(jī)存取存儲器器件。該SRAM
2025-10-09 11:12:55559 PT5F2307 是一款 51 內(nèi)核的觸控 A/D 型 8 位 MCU，內(nèi)置 16K*8bit FLASH、內(nèi)部 256*8bitSRAM、外部 512*8bit SRAM、觸控檢測、12 位
2025-09-15 16:42:30
0
CAB320M17XM3XM半橋1700 V320 A3.5 mΩGen 3175 °C80 x 53 x 19 mm工業(yè)
CAB400M12XM3XM半橋1200 V400 A4 mΩGen 3
2025-09-11 09:48:08
ISSI IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb（512K×16）高速異步SRAM，采用55ns訪問速度、2.5V~3.6V寬電壓設(shè)計，支持-40℃~85℃工業(yè)級溫度范圍，適用于車載導(dǎo)航、工業(yè)控制及通信設(shè)備等高可靠性場景。
2025-09-04 10:00:00533 
Texas Instruments TLC696x2/4/8TLC696x2/4/8-Q1背光驅(qū)動器是與TLC696x0/TLC696x0-Q1（掃描MOSFET控制器，可實現(xiàn)2/4/8時分多路復(fù)用
2025-08-21 14:54:59877 
，工作頻率高達(dá) 32MHz。片內(nèi)集成64KByte Flash 和 8KByte SRAM存儲器。PY32F003有著豐富的外設(shè)接口：多路USART、SPI、I2C，5個16 位定時器，1個12位
2025-08-21 11:50:09
，工作頻率高達(dá) 32MHz。片內(nèi)集成64KByte Flash 和 8KByte SRAM存儲器。PY32F003有著豐富的外設(shè)接口：多路USART、SPI、I2C，5個16 位定時器，1個12位
2025-08-19 15:46:51676 
Keysight MSOS204A是德MSOS204A存儲器示波器2GHz keysight是德MSOS204A存儲器示波器， S 系列示波器配備 2 GHz 存儲器、15 英寸 XGA
2025-08-12 15:48:29
60V耐壓5A大電流國產(chǎn)SL3075異步降壓芯片
?一、核心特性與行業(yè)定位?
SL3075作為國產(chǎn)高性能異步降壓轉(zhuǎn)換器，憑借4.5-65V超寬輸入電壓范圍和5A連續(xù)輸出電流能力，在工業(yè)電源、通信設(shè)備
2025-08-05 15:04:56
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。其核心設(shè)計是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 Texas Instruments TPSM8287A1xM DC/DC電源模塊結(jié)合了差分遙感和I^2^C接口。TPSM8287A1xM引腳對引腳直流/直流電源模塊集成了同步降壓轉(zhuǎn)換器、電感器和輸入電容器，簡化了設(shè)計、減少了外部元件并節(jié)省了PCB面積。薄型緊湊設(shè)計用于由標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝設(shè)備進(jìn)行組裝。
2025-07-15 09:27:31491 
近日，紫光國芯自主研發(fā)的PSRAM（低功耗偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器）芯片系列產(chǎn)品正式發(fā)布，并同步上線天貓官方旗艦店。此次上新的PSRAM產(chǎn)品兼容業(yè)界主流接口協(xié)議Xccela，容量覆蓋32Mb，64Mb
2025-07-01 16:42:501443 )、SRAM (靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。
非易失性存儲器：斷電后數(shù)據(jù)能長期保存。
特點：速度相對慢（但也有高速類型），用作數(shù)據(jù)的“永久或半永久倉庫”。
代表：NAND Flash (閃存)、NOR
2025-06-24 09:09:39
文檔主要介紹國產(chǎn)可重復(fù)擦寫語音芯片 KT148A。其為 32 位 DSP 語音芯片，采用 SOP8 封裝，內(nèi)置 420KByte 語音空間，支持 420 秒語音存儲和多段語音播放，可直驅(qū) 0.5W
2025-06-23 14:14:09962 
:另外,PMS15A/PMS150C還提供一種16 位的硬件計數(shù)器、一個8位的硬件PWM生成器和一個通用型比較器?；咎匦?b class="flag-6" style="color: red">存儲器：- PMS150C 具有 1KW OTP 程序存儲器和 64 字節(jié)數(shù)
2025-06-23 09:00:55
貞光科技作為業(yè)內(nèi)知名的車規(guī)及工業(yè)元器件供應(yīng)商，現(xiàn)已成為紫光國芯存儲芯片的授權(quán)代理商。在半導(dǎo)體存儲芯片國產(chǎn)化的關(guān)鍵時期，這一合作為推動DRAM等關(guān)鍵器件的國產(chǎn)替代開辟了新的渠道。紫光國芯在存儲芯片領(lǐng)域
2025-06-13 15:41:271298 
QPI。SDR（單倍數(shù)據(jù)率） 操作，時鐘頻率最高達(dá) 133MHz（32字節(jié)回環(huán)突發(fā)模式，VDD=3.0V±10%）。容量與組織64Mb（8M × 8位） 存儲空
2025-06-06 15:01:36
近期，芯片燒錄領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)推出其燒錄軟件的重大版本更新。在新版本發(fā)布之際，公司同步宣布新增多款兼容芯片型號，其中包括旺宏電子開發(fā)的MX25U51245G串行NOR閃存存儲器。該芯片已成功完成
2025-05-20 16:27:37619 
ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN通信端口，支持
2025-05-12 16:08:28889 
在全球供應(yīng)鏈緊張和國產(chǎn)替代需求推動下，國產(chǎn)存儲芯片產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，形成設(shè)計到封測一體化的完整生態(tài)。北京君正、兆易創(chuàng)新、紫光國芯、東芯股份、普冉股份和佰維存儲等六大上市公司在NOR/NANDFlash
2025-05-12 16:01:114743 
? ? ? ?MCU的存儲器層次結(jié)構(gòu)通過整合不同性能與功能的存儲單元，優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次： 一、寄存器層（最高速） 定位?：集成于CPU內(nèi)核中，直接參與運算
2025-05-09 10:21:09618 在半導(dǎo)體存儲器測試中，測試圖形（Test Pattern）是檢測故障、驗證可靠性的核心工具。根據(jù)測試序列長度與存儲單元數(shù)N的關(guān)系，測試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
2025-05-07 09:33:371223 
多軸控制器可使用國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20（MB85RS2MT）
2025-05-06 09:47:26585 
TPS51216 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-28 11:09:05663 
UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)與使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法， 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-04-16 16:04:56
的存儲器映射表，可以看到RA6M5芯片內(nèi)部的存儲器被映射到這一整塊4G（0 ~0xFFFF FFFF）的地址空間中。我們還可以看到，除了寄存器和SRAM、Flash的地址空間區(qū)域以外，還存在著其他類型
2025-04-16 15:52:091375 
非易失性存儲器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機(jī)、個人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241333 便攜式醫(yī)療鐵電存儲器SF25C20(FM25V20A)的替換方案
2025-04-07 09:46:03626 
人工智能與高性能計算（HPC）正以空前的速度發(fā)展，將動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時代日益增長的需求，業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲技術(shù)的新興存儲技術(shù)。
2025-04-03 09:40:411709 ，512k 位（64KB）OTP 程序存儲器，32M 位（4MB）FLASH 語音存儲器，2k 位（256B）SRAM 。支持 5.8KHz 采樣時 1080 秒或 23KHz 采樣時 276 秒語音存儲。內(nèi)置 R/C Trim（1%）、1 組 PWM 和 1 組 DAC，4 個 GPIO，低
2025-04-02 18:03:430 和頻率測量值，可用來測量直流電壓、交流電壓、直流電流、交流電流、2線電阻、4線電阻、電容、二極管、連通性、頻率、周期、溫度等，存儲器最多可存儲200萬個讀數(shù)；同時支持 LAN、USB 、GPIB等通訊接口，兼容主流的通訊協(xié)議便于用戶組建自動化測試系統(tǒng)。
2025-04-01 13:15:56
替換FM25V20A醫(yī)療物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備可使用鐵電存儲器SF25C20
2025-03-28 10:31:41716 
)、電擦除可編程ROM(EEPROM)等類型。
靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)
靜態(tài)隨機(jī)存儲器是一種隨機(jī)存儲器，只要芯片保持通電，它里面的數(shù)據(jù)就一直保持不變，直至它接收到數(shù)據(jù)寫入命令，里面的數(shù)據(jù)被改寫后，才
2025-03-23 09:47:39
兼容FM25V20A/MB85RS2MT，國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20助聽器應(yīng)用方案
2025-03-20 09:55:16675 
特性64 千比特鐵電隨機(jī)存取存儲器（F - RAM），邏輯上組織為 8K×8高達(dá) 100 萬億次（\(10^{14}\)）讀 / 寫耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限（詳見 “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
AD7581 是一款微處理器兼容的 8 位、8 通道、存儲器緩沖數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，采用單芯片 CMOS 芯片。它由一個 8 位逐次逼近型 A/D 轉(zhuǎn)換器、一個 8 通道多路復(fù)用器、8×8 雙端口 RAM
2025-03-17 10:39:29
RZ/A1M 系列微處理器單元（MPU）功能齊全，配備運行頻率為 400MHz 的 Arm? Cortex?-A9 內(nèi)核以及 5MB的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）。憑借 5MB 的片上
2025-03-11 15:04:111127 
RZ/A1L 系列微處理器（MPU）采用了運行頻率達(dá) 400MHz 的 Arm? Cortex? - A9 內(nèi)核，并配備 3MB的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）。憑借這 3MB 的片上 SRAM
2025-03-10 16:14:20977 
AP8000所支持。 STM8AF52A8T汽車級8位微控制器，提供從32Kbyte至128Kbyte的非易失性存儲器，并集成了真正的數(shù)據(jù)EEPROM。STM8AF52A8T具備CAN接口。STM8A
2025-03-07 15:16:16949 
本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-03-07 10:52:47
CPU 和片上存儲器內(nèi)置 ESP32-DOWD-V3 或 ESP32-DOWDR2-V3 芯片，Xtensa 雙核 32 位 LX6 微處理器，最高 240MHz 時鐘頻率448KB ROM
2025-03-06 19:42:35
一、概述SF19A2890芯片是矽昌通信打造的一款國產(chǎn)高性能高集成度Wi-FiAP路由芯片，內(nèi)部集成了高性能雙核處理器、2x2802.11a/b/g/nWi-Fi收發(fā)器
2025-02-28 12:09:113329 
DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡稱DS199x）是堅固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲器和可選的計時功能為存儲和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06821 
存儲容量：8KB（8K x 8）
程序存儲器類型：閃存
EEPROM 容量：640 x 8
RAM 大?。?K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：2.95V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D
2025-02-20 17:53:42
特點4Gb雙數(shù)據(jù)速率3（DDR3（L））DRAM是一種高速CMOS SDRAM，包含4294967296位。它內(nèi)部配置為八進(jìn)制存儲體DRAM。4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存儲體
2025-02-20 11:44:07
旋轉(zhuǎn)編碼器選用國產(chǎn)鐵電存儲器(?SF24C512)的5個理由
2025-02-20 09:42:03906 ? 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）是現(xiàn)代計算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個人計算機(jī)、服務(wù)器、移動設(shè)備及高性能計算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進(jìn)，并分析
2025-02-14 10:24:401444 
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22
特點FM24C16D提供16384位串行電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM），組織為2048個8字每個位，具有128位UID和16字節(jié)安全性部門。該設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化，可用于多種場合工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用低
2025-02-13 14:49:06
? 非易失性存儲器是一種應(yīng)用于計算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲裝置（存儲器），其特點是在沒有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲器的類型、特點及用途。 什么是非易失性存儲器
2025-02-13 12:42:142470 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091167
數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲器進(jìn)行接收
2025-02-11 06:01:54
產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器），專為高速數(shù)據(jù)存儲和處理而設(shè)計。該器件具有快速的訪問時間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，廣泛應(yīng)用
2025-02-09 22:38:10
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:513961 
在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲器（Flash Memory）以其獨特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機(jī)存取存儲器（RAM）與只讀存儲器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探討閃速存儲器的歸屬問題，即它是否屬于RAM或ROM，同時詳細(xì)闡述閃速存儲器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:001590 閃速存儲器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM（可擦除可編程只讀存儲器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）在擦除數(shù)據(jù)時，往往需要較長的時間，且操作相對繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲器的一種常見應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001449 高速緩沖存儲器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說的主存儲器（RAM）有所不同。在計算機(jī)存儲體系中，Cache位于CPU和主存儲器之間，用于存儲CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令，以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:003395 舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29953 特點16-Kbit 鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久性 100 萬億次（1014）讀/寫 ? 151 年數(shù)據(jù)保留期（請參閱數(shù)據(jù)保留期
2025-01-16 14:14:37
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用
2025-01-16 10:17:061232 
1GB DDR3
8GB eMMC
-40℃~+85℃
開發(fā)板配置型號
產(chǎn)品型號主芯片內(nèi)存存儲器工作溫度
MYD-YM90G -8E1D-100-I
DR1M90GEG484
1GB DDR3
8
2025-01-10 14:32:38
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-302：ADSP-BF53x Blackfin處理器與NAND FLASH存儲器的接口.pdf》資料免費下載
2025-01-07 14:03:230
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