半導(dǎo)體利用 SiC 來(lái)減少能量損失并延長(zhǎng)太陽(yáng)能和風(fēng)能電力轉(zhuǎn)換器的使用壽命。SiC（碳化硅）由于其寬帶隙而用于高功率應(yīng)用。
2024-03-22 09:36:20
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半導(dǎo)體器件， 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET 驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度
2024-03-22 08:37:2528 
證監(jiān)會(huì)近日公開(kāi)披露，江蘇芯長(zhǎng)征微電子集團(tuán)股份有限公司（簡(jiǎn)稱“芯長(zhǎng)征”）已正式開(kāi)啟首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市的輔導(dǎo)備案工作。作為一家高新技術(shù)科技企業(yè)，芯長(zhǎng)征致力于新型功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與制造，其核心業(yè)務(wù)
2024-03-15 17:08:05408 近日，長(zhǎng)城汽車(chē)公司旗下的芯動(dòng)半導(dǎo)體與全球知名的半導(dǎo)體企業(yè)意法半導(dǎo)體在深圳簽署了重要的戰(zhàn)略合作協(xié)議，旨在穩(wěn)定SiC芯片的供應(yīng)，共同應(yīng)對(duì)新能源汽車(chē)市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的需求。這一合作不僅彰顯了長(zhǎng)城汽車(chē)在新能源領(lǐng)域的雄心壯志，也為公司的垂直整合戰(zhàn)略注入了新的動(dòng)力。
2024-03-15 10:03:43166 近日，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)芯動(dòng)半導(dǎo)體與國(guó)際知名半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體成功簽署碳化硅（SiC）芯片戰(zhàn)略合作協(xié)議。這一協(xié)議的達(dá)成，標(biāo)志著雙方在SiC功率模塊領(lǐng)域的合作邁出了堅(jiān)實(shí)的一步，將共同推動(dòng)SiC芯片在新能源汽車(chē)市場(chǎng)的廣泛應(yīng)用。
2024-03-15 09:44:4398 半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出第一個(gè)單片式集成電路時(shí)，事情開(kāi)始變得非常有趣了?？匆豢聪旅孢@張由計(jì)算機(jī)歷史博物館提供的照片，它展示了一些參與這一開(kāi)創(chuàng)性工作的早期先驅(qū)（我們稱其為八叛逆）。請(qǐng)注意，照片中的每個(gè)人都穿著夾克，打著
2024-03-13 16:52:37
蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車(chē)、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30228 想問(wèn)一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒(méi)有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
2023年，東芝半導(dǎo)體的功率器件銷(xiāo)售額估計(jì)約為1000億日元，其中35%用于汽車(chē)市場(chǎng)，20%用于工業(yè)市場(chǎng)。
2024-03-04 18:10:33307 江蘇芯長(zhǎng)征微電子集團(tuán)股份有限公司（簡(jiǎn)稱“芯長(zhǎng)征”）正式啟動(dòng)A股IPO進(jìn)程，并已向證監(jiān)會(huì)提交上市輔導(dǎo)備案報(bào)告。該公司是一家在新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域具有領(lǐng)先技術(shù)的高新技術(shù)企業(yè)，專(zhuān)注于IGBT、coolmos、SiC等芯片產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)以及IGBT模塊的封裝和測(cè)試。
2024-02-27 13:58:21298 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041017 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專(zhuān)業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)，同時(shí)，我們也開(kāi)展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT）的特點(diǎn)。IGBT被廣泛應(yīng)用于電力
2024-01-22 11:14:57273 今日（1月18日），意法半導(dǎo)體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:16254 
IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，常用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個(gè)器件構(gòu)成。它結(jié)合
2024-01-12 14:43:521677 半導(dǎo)體放電管是一種采用半導(dǎo)體工藝制成的PNPN結(jié)四層結(jié)構(gòu)器件，其伏安特性與晶閘管類(lèi)似，具有典型的開(kāi)關(guān)特性。當(dāng)浪涌電壓超過(guò)轉(zhuǎn)折的電壓VBO時(shí)，器件被導(dǎo)通，這時(shí)它呈現(xiàn)一般PN結(jié)二極管的正向電壓降（VF
2024-01-04 16:52:07
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 廣州廣汽部件有限公司是廣汽集團(tuán)全資子公司，在珠三角、長(zhǎng)三角和華中等地設(shè)有47家分公司以及1家技術(shù)中心，員工總數(shù)超過(guò)2萬(wàn)人。而其合作伙伴中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體則為中車(chē)時(shí)代電氣集團(tuán)全資子公司，在大功率晶閘管、IGCT、IGBT以及SiC器件及其組件方面擁有頂尖技術(shù)
2023-12-15 15:33:29308 12月14日，第三代半導(dǎo)體行家極光獎(jiǎng)在深圳重磅揭曉，派恩杰半導(dǎo)體榮膺“中國(guó)SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)。
2023-12-15 10:57:45466 功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
2023-12-15 09:54:25311 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 一、產(chǎn)品介紹 基于國(guó)內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)，半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大；對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛，而驅(qū)動(dòng)電源作為專(zhuān)為IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2023-12-13 16:36:19134 
根據(jù)不同的誘因，常見(jiàn)的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過(guò)電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
儲(chǔ)能用更多的 IGBT 和 SiC，涉及到 DCDC 和 DCAC 兩個(gè)環(huán)節(jié)。兩種方案，光儲(chǔ)一體以及單獨(dú)儲(chǔ)能系統(tǒng)。獨(dú)立的儲(chǔ)能系統(tǒng)，功率半導(dǎo)體器件的用量是光伏的 1.5 倍左右。目前光儲(chǔ)一體可能占比超過(guò) 60-70%，單獨(dú)儲(chǔ)能系統(tǒng)占比 30%。
2023-12-07 13:49:21239 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗
2023-12-05 16:31:25240 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 、晶閘管等等，主要用于工業(yè)和電力系統(tǒng)（正因如此，早期才被稱為電力電子器件）后來(lái)，隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導(dǎo)體器件的迅速發(fā)展，現(xiàn)在功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)非常廣泛，在計(jì)算機(jī)、通行、消費(fèi)
2023-12-03 16:33:191135 
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車(chē)領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力釋放速度,車(chē)輛加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽車(chē)應(yīng)用中
2023-12-01 15:48:31
基于國(guó)內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)，半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大；對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛，而驅(qū)動(dòng)電源作為專(zhuān)為IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)能力的來(lái)源，市場(chǎng)潛力巨大。
2023-12-01 09:47:42211 
三菱電機(jī)公司宣布將與Nexperia B.V.結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同為電力電子市場(chǎng)開(kāi)發(fā)硅碳（SiC）功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其廣帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，這些芯片將用于Nexperia開(kāi)發(fā)SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09165 
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM）開(kāi)發(fā)出一款高輸出功率半導(dǎo)體激光二極管RLD90QZW3，非常適用于搭載測(cè)距和空間識(shí)別用LiDAR的工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的AGV（無(wú)人搬運(yùn)車(chē)）和服務(wù)機(jī)器人、消費(fèi)電子設(shè)備領(lǐng)域的掃地機(jī)器人等應(yīng)用。
2023-11-28 09:03:32309 
2023年11月，日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。
2023-11-25 16:50:53451 雖然是同一電力半導(dǎo)體公司，但是三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體的另一個(gè)焦點(diǎn)、電子電力半導(dǎo)體為中心的“各離散元件的組合”，高性能sic模塊產(chǎn)品的信賴性的性能提供業(yè)界名聲；onse半導(dǎo)體元件的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、認(rèn)證領(lǐng)域具有幾十年的豐富經(jīng)驗(yàn)。目前還提供高品質(zhì)的寬帶配件。
2023-11-24 12:28:54282 半導(dǎo)體分立器件是電子元器件中的重要組成部分，它們?cè)陔娮釉O(shè)備中發(fā)揮著重要的作用。本文將介紹半導(dǎo)體分立器件的基本概念、分類(lèi)、應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)。
2023-11-23 10:12:56792 
三菱電機(jī)今天宣布，將與安世半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體。
2023-11-15 15:25:52473 
SiC功率開(kāi)關(guān)，利用意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的第二代和第三代SiC MOSFET技術(shù)，確保低 RDS(開(kāi))值。這些器件
2023-11-14 15:48:49356 11月13日， 三菱電機(jī)株式會(huì)社（TOKYO：6503）宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，Nexperia將用于開(kāi)發(fā)SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:33456 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281269 點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見(jiàn)，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:02273 
本文將詳細(xì)介紹各大主機(jī)廠在SIC/IGBT模塊上的布局，以及現(xiàn)在的產(chǎn)能應(yīng)用情況等，探討車(chē)企大規(guī)模進(jìn)入功率半導(dǎo)體行業(yè)背后的原因，助力車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康持續(xù)發(fā)展。
2023-11-02 11:40:30296 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。
2023-10-27 11:40:052510 
如今，半導(dǎo)體元器件已成為電子應(yīng)用中不可或缺的一部分。半導(dǎo)體元器件的需求主要受生命周期較短的消費(fèi)電子影響。
2023-10-24 16:43:51604 能。?功率半導(dǎo)體芯片：如IGBT、FRD、MOSFET等等，傳統(tǒng)Si基和新興的第三代半導(dǎo)體SiC等，它們的特性受制于其本身的設(shè)計(jì)，同時(shí)也需要看于其搭配的封裝材料和
2023-10-24 09:45:033033 
解更多公司，建議查詢相關(guān)網(wǎng)站。 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化 SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化可以通過(guò)以下途徑實(shí)現(xiàn)： 與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)合作：尋找現(xiàn)有的使用SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的企業(yè)，與他們合作，共同研究開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，將技術(shù)轉(zhuǎn)化為商業(yè)化
2023-10-18 16:14:30586 SiC 襯底是由 SiC 單晶材料制造 而成的晶圓片。襯底可以直接進(jìn)入 晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也 可以經(jīng)過(guò)外延加工，即在襯底上生 長(zhǎng)一層新的單晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:39
4 功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要多一塊區(qū)域，來(lái)承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒(méi)有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:21879 
提前確認(rèn)和驗(yàn)證電路是否按設(shè)計(jì)預(yù)期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續(xù)提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和 IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經(jīng)
2023-10-17 11:24:11257 ，是目前國(guó)內(nèi)IGBT領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。公司成功研發(fā)出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模塊，實(shí)現(xiàn)了進(jìn)口替代
2023-10-16 11:00:14
一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)專(zhuān)為以下測(cè)試需求研制： 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括：新能源汽車(chē)、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域，在
2023-10-07 10:12:26
機(jī)械保護(hù)和使用不同半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)的固態(tài)斷路器(SSCB)的優(yōu)缺點(diǎn)，還將討論為什么SiC固態(tài)斷路器日益受到人們青睞。一、保護(hù)電力基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備輸配電系統(tǒng)以及靈敏設(shè)備都
2023-09-26 17:59:09535 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
一、LED燈相關(guān)知識(shí)
LED Light Emitting Diode,即發(fā)光二極管，是一種半導(dǎo)體固體發(fā)光器件，它是利用固體半導(dǎo)體芯片作為發(fā)光材料，當(dāng)兩端加上正向電壓，半導(dǎo)體中的載流子發(fā)生復(fù)合
2023-09-25 06:36:25
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱，其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成，是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式開(kāi)關(guān)功率半導(dǎo)體器件，是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發(fā)展方向之一。
2023-09-22 16:54:103334 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25890 IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車(chē)領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力釋放速度, 車(chē)輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358 2023 年 9 月 11 日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-12 10:39:11591 解決方案·低壓伺服驅(qū)動(dòng)解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會(huì)議程
▌參會(huì)福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報(bào)名預(yù)約【意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2023
2023-09-11 15:43:36
ChatGPT變聰明了嗎？如何計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj
2023-09-09 08:16:11654 
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫(xiě)。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來(lái)作為半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，今天單說(shuō)IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:521084 
調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:24364 
積塔半導(dǎo)體技術(shù)的集成電路芯片制造企業(yè)作為模擬電路、功率器件生產(chǎn)技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)及制造聚焦于bcd， igbt/frd， sgt/mosfet， tvs， sic芯片等廣泛服務(wù)汽車(chē)電子、工業(yè)控制、電源管理、智能終端、乃至軌道交通、智能電網(wǎng)等尖端包括的應(yīng)用市場(chǎng)。
2023-09-04 11:30:21451 Transistor）都是半導(dǎo)體器件，用于控制電流和電壓。IGBT和MOSFET在功能和結(jié)構(gòu)上非常相似，但它們有一些不同之處。 1. 結(jié)構(gòu) IGBT是由三極管和場(chǎng)效應(yīng)管兩個(gè)半導(dǎo)體器件組成的復(fù)合型器件
2023-08-25 14:50:013233 一、什么是SiC半導(dǎo)體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬
2023-08-21 17:14:581144 
在汽車(chē)行業(yè)的應(yīng)用趨勢(shì)碳化硅（SiliconCarbide，簡(jiǎn)稱SiC）是一種重要的半導(dǎo)體材料，具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。在電動(dòng)汽車(chē)中，碳化硅功率器件的應(yīng)用主要為兩個(gè)方向，一個(gè)
2023-08-17 16:41:23816 
在功率電子領(lǐng)域，要論如今炙手可熱的器件，SiC要說(shuō)是第二，就沒(méi)有人敢說(shuō)第一了。隨著原有的Si基功率半導(dǎo)體器件逐漸接近其物理極限，由第三代SiC功率器件接棒來(lái)沖刺更高的性能，已經(jīng)是大勢(shì)所趨。 與傳統(tǒng)
2023-08-16 08:10:05270 
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
摘要: 針對(duì)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時(shí)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)的問(wèn)題，設(shè)計(jì)了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個(gè)區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。
2023-08-08 09:45:12619 
隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，芯片集成度不斷提高，封裝尺寸越來(lái)越小，半導(dǎo)體器件面臨著更高的熱應(yīng)力挑戰(zhàn)。結(jié)溫過(guò)高不僅降低了器件的電氣性能，而且增加了金屬遷移率和其他退化變化，從而導(dǎo)致芯片老化加速、故障率
2023-08-07 15:18:381967 
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031978 
近年來(lái)薩科微半導(dǎo)體發(fā)展神速，在掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)的基礎(chǔ)上，薩科微slkor投入大量精力和資金，推出了IGBT和電源管理芯片等系列高端產(chǎn)品。薩科微副總經(jīng)理賀俊駒介紹，在功率器件應(yīng)用市場(chǎng)
2023-07-31 11:14:43404 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035049 
今年以來(lái)，國(guó)外某些國(guó)家仍然在拉動(dòng)其盟友在對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行打擊，意味著國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體的進(jìn)程將進(jìn)一步加速。如今在國(guó)內(nèi)，是否有純國(guó)產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠家的產(chǎn)品型號(hào)值得推薦呢？
2023-07-14 10:29:28408 
MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導(dǎo)體器件，且都屬于電壓控制器件。
2023-07-07 09:15:451490 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia (安世半導(dǎo)體)今日宣布，將憑借600 V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場(chǎng)，而30A NGW30T60M3DF將打響進(jìn)軍市場(chǎng)的第一炮
2023-07-05 16:34:291053 IGBT作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，其作用類(lèi)似于人類(lèi)的心臟，能夠根據(jù)裝置中的信號(hào)指令來(lái)調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的。因此，IGBT
2023-06-25 15:37:321286 
科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長(zhǎng)速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績(jī)。2023年4月，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通并進(jìn)入中試線生產(chǎn)，打破了國(guó)際在寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。
2023-06-25 14:47:29342 這種向電氣化的轉(zhuǎn)變?nèi)找鏇Q定了汽車(chē)功率半導(dǎo)體的整體市場(chǎng)需求。最初，汽車(chē)電源市場(chǎng)由硅 IGBT 和 MOSFET 主導(dǎo)，SiC 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙半導(dǎo)體的機(jī)會(huì)僅限于特斯拉等早期采用者。
2023-06-20 15:18:19239 
從應(yīng)用角度對(duì)常用半導(dǎo)體元件模型作總結(jié)。
2023-05-22 09:40:37874 
特瑞仕半導(dǎo)體是專(zhuān)注于電源IC的模擬CMOS專(zhuān)業(yè)集團(tuán)，Phenitec Semiconductor是特瑞仕半導(dǎo)體的子公司，此產(chǎn)品是由Phenitec Semiconductor開(kāi)發(fā)的SiC SBD芯片搭載于多功能TO-220AC封裝投放市場(chǎng)。
2023-05-16 11:32:28190 半導(dǎo)體廠Onsemi于今年四月底宣布與中國(guó)吉利汽車(chē)集團(tuán)旗下的極氪汽車(chē)簽署SiC功率元件LTSA(Long-Term Supply Agreement)，極氪車(chē)款未來(lái)將藉由搭載Onsemi提供
2023-05-16 08:42:16250 據(jù)統(tǒng)計(jì)，IGBT、MOS管、電源管理IC等在儲(chǔ)能逆變器里占比高、數(shù)量多，是必不可少的半導(dǎo)體器件。
2023-05-08 15:46:30862 
）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432099 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 14:23:581287 及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
評(píng)估，以改善動(dòng)態(tài)特性和可靠性，并開(kāi)發(fā)有助于實(shí)現(xiàn)碳中和的更具吸引力的高性能功率半導(dǎo)體器件。新研發(fā)的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級(jí)SiC MOSFET特性對(duì)比
2023-04-11 15:29:18
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件
2023-04-07 10:30:21728 IGBT器件研制的障礙。為解決這一瓶頸問(wèn)題，近年來(lái)，國(guó)內(nèi)外專(zhuān)家學(xué)者們也將關(guān)注的焦點(diǎn)放在了IGBT模塊的熱失效分析方面。熱阻這一表征半導(dǎo)體器件熱傳導(dǎo)的參量也成了熱失
2023-04-04 10:14:09965 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，IGBT 被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。
2023-03-30 10:58:011094 近年來(lái)，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。
2023-03-28 10:00:302031 IGBT、MCU、以及SIC會(huì)是接下來(lái)新能源汽車(chē)智能化比較長(zhǎng)期的需求點(diǎn)，根據(jù)特斯拉Model3的車(chē)型用量來(lái)看，單車(chē)使用IGBT是84顆，或者48顆Sic MOsfet（技術(shù)更優(yōu)），MCU的供應(yīng)商是意法半導(dǎo)體，基本可以結(jié)論，Sic和IGBT會(huì)是未來(lái)的重點(diǎn)方向。
2023-03-24 10:18:36630
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