燒結(jié)銀:3D封裝中高功率密度和高密度互連的核心材料
2025-12-29 11:16:01
116 XCede HD高密度背板連接器:小尺寸大作為 在電子設(shè)備不斷向小型化、高性能發(fā)展的今天,背板連接器的性能和尺寸成為了設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素。XCede HD高密度背板連接器憑借其獨(dú)特的設(shè)計(jì)和出色的性能
2025-12-18 11:25:06
164 全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Kioxia Corporation今日宣布,已研發(fā)出具備高堆疊性的氧化物半導(dǎo)體溝道晶體管技術(shù),該技術(shù)將推動(dòng)高密度、低功耗3D DRAM的實(shí)際應(yīng)用。這項(xiàng)技術(shù)已于12月
2025-12-16 16:40:50
1037 Amphenol ICC 3000W EnergyEdge? X-treme 卡邊連接器:高功率與高密度的完美結(jié)合 在電子設(shè)備不斷向高功率、高密度方向發(fā)展的今天,連接器的性能和設(shè)計(jì)顯得尤為重要
2025-12-12 13:55:06
195 Amphenol ICC DDR5 SO - DIMM連接器:高速高密度的理想之選 在當(dāng)今高速發(fā)展的電子科技領(lǐng)域,內(nèi)存連接器的性能對(duì)于系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。Amphenol ICC推出
2025-12-12 11:15:12
314 景,下面我們來(lái)詳細(xì)了解一下。 文件下載: Amphenol Times Microwave Systems TF-047微型同軸電纜組件.pdf 產(chǎn)品概述 TF - 047 是一款多功能的微同軸電纜,有散裝和電纜組件兩種形式可供選擇,并且提供多種接口。它在緊湊的尺寸下,實(shí)現(xiàn)了高性能和高可靠性,為高密度應(yīng)用
2025-12-11 15:15:02
233 Amphenol FCI Basics DensiStak? 板對(duì)板連接器:高速高密度連接解決方案 在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,板對(duì)板連接器的性能對(duì)于設(shè)備的整體性能和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。今天,我們來(lái)深入
2025-12-11 09:40:15
351 設(shè)備的品質(zhì)與壽命。工程師們?cè)谶x型時(shí),常常面臨一個(gè)核心矛盾:如何在追求更高密度的同時(shí),確保連接的長(zhǎng)久穩(wěn)定與生產(chǎn)的高效可靠?近期,一款在內(nèi)部結(jié)構(gòu)、插拔體驗(yàn)和安全防護(hù)上
2025-12-09 16:52:20
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在AI芯片與高速通信芯片飛速發(fā)展的今天,先進(jìn)封裝技術(shù)已成為提升算力與系統(tǒng)性能的關(guān)鍵路徑。然而,伴隨芯片集成度的躍升,高密度互連線帶來(lái)的信號(hào)延遲、功耗上升、波形畸變、信號(hào)串?dāng)_以及電源噪聲等問(wèn)題日益凸顯,傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方法在應(yīng)對(duì)這些復(fù)雜挑戰(zhàn)時(shí)已面臨多重瓶頸。
2025-12-08 10:42:44
2646 數(shù)據(jù)中心、電信基礎(chǔ)設(shè)施和大型網(wǎng)絡(luò)每天都面臨著不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)需求。需要更快、更可靠和更高效的解決方案來(lái)滿足這些需求,這就是高密度光纖布線技術(shù)發(fā)揮作用的地方。這些布線解決方案節(jié)省了網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施
2025-12-02 10:28:03
292 2025年11月,英國(guó)濱??死祟D:高性能舌簧繼電器全球領(lǐng)導(dǎo)者Pickering Electronics擴(kuò)展了超高密度舌簧繼電器125系列。該系列提供業(yè)界最小的2 Form A 雙刀單擲(DPST)舌簧
2025-11-24 09:28:50
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面對(duì)全球光伏裝機(jī)量從1.5TW向75TW的爆發(fā)式增長(zhǎng),光伏產(chǎn)業(yè)正面臨嚴(yán)峻的銀資源短缺挑戰(zhàn)。這一問(wèn)題在目前主流的硅異質(zhì)結(jié)電池上尤為突出,其銀消耗量高達(dá)約17mg/W。同時(shí),被譽(yù)為下一代技術(shù)方向的鈣鈦礦
2025-11-24 09:03:35
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新加坡國(guó)立大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在提升鈣鈦礦硅串聯(lián)太陽(yáng)能電池穩(wěn)定性方面取得突破。通過(guò)改良層間連接材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),該團(tuán)隊(duì)成功使電池在65攝氏度持續(xù)運(yùn)行1200小時(shí)后仍保持96%以上的初始性能。這項(xiàng)研究成果發(fā)表于《科學(xué)》雜志。
2025-11-22 11:46:03
537 固態(tài)疊層高分子電容(MLPC)作為替代MLCC的車載PCB高密度布局方案,具有體積小、容量大、ESR低、高頻特性好、安全性高等優(yōu)勢(shì),適用于高功耗芯片供電、車載充電機(jī)(OBC)、電池管理系統(tǒng)(BMS
2025-11-21 17:29:47
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全球連接與傳感領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE)近日宣布推出的高密度(HD)+ 金手指電源連接器是市場(chǎng)上可實(shí)現(xiàn)最高電流密度的金手指電源連接器,能夠支持高達(dá)3千瓦的電源功率,從而
2025-11-20 16:33:20
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 在鋰離子電池能量密度迭代的核心賽道中,納米硅碳復(fù)合負(fù)極憑借硅材料的高儲(chǔ)鋰潛力與碳材料的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,成為突破傳統(tǒng)石墨負(fù)極性能瓶頸的關(guān)鍵方向。這種通過(guò)納米尺度復(fù)合技術(shù)構(gòu)建的新型材料
2025-11-19 09:11:17
2274 Molex EMI濾波高密度D-Sub連接器為要求苛刻的電子系統(tǒng)中的電磁干擾 (EMI) 集成提供了可靠的解決方案。該高效系列采用標(biāo)準(zhǔn)、高密度和混合布局連接器,可增強(qiáng)信號(hào)完整性 (SI) 并符合監(jiān)管
2025-11-18 10:45:35
368 Molex MMC線纜組件有助于數(shù)據(jù)中心優(yōu)化空間和密度,以滿足AI驅(qū)動(dòng)的要求,并采用超小尺寸 (VSFF) 設(shè)計(jì),在相同占位面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高密度。106292系列線纜組件每個(gè)連接器有16或24根光纖
2025-11-17 11:23:41
584 ,適用于NAS服務(wù)器、家庭實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)、緊湊型工作站及小型企業(yè)服務(wù)器。該產(chǎn)品結(jié)合高密度存儲(chǔ)與ICYDOCK標(biāo)志性的免工具可拆卸式托盤設(shè)計(jì),支持快速熱插拔和便捷維護(hù),同
2025-11-14 14:25:50
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英康仕ESU-1B-838機(jī)架式工控機(jī),正是針對(duì)這類高密度接入場(chǎng)景的專業(yè)解決方案。本款工控機(jī)憑借16個(gè)串口與10路AI/DI+4路DO的硬件配置,在標(biāo)準(zhǔn)1U機(jī)箱內(nèi)實(shí)現(xiàn)了前所未有的接口密度,為數(shù)據(jù)采集與設(shè)備控制建立了優(yōu)勢(shì)。
2025-11-12 10:15:52
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根據(jù)參考信息,?沉金工藝(ENIG)? 是更適合高密度PCB的表面處理工藝?。以下是具體原因: 平整度優(yōu)勢(shì) 高密度PCB(如使用BGA、QFN等封裝)的焊盤多且密集,對(duì)表面平整度要求極高。噴錫工藝
2025-11-06 10:16:33
359 ,更加符合行業(yè)架構(gòu)要求。VITA 87連接器可容納大多數(shù)下一代高密度 端口和插接卡插槽,有12和24光纖選項(xiàng)可供選擇。這些連接器還符合全球VITA和SOSA標(biāo)準(zhǔn),保證可用性,并使用戶能夠放心地將這些
2025-11-04 09:25:28
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 在最近,海思光電發(fā)布了其全新的HI-ONE硅光引擎,這是基于其III-V光芯片、硅基半導(dǎo)體芯片技術(shù)和先進(jìn)光電封裝平臺(tái)能力,面向AI時(shí)代的高密度光電互連推出的新一代硅光引擎平臺(tái)
2025-10-27 06:50:00
5272 Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心,通過(guò)材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價(jià)值在于為工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
STMicroelectronics PWD5T60三相高密度功率驅(qū)動(dòng)器具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器和六個(gè)N溝道功率MOSFET。STMicroelectronics PWD5T60驅(qū)動(dòng)器非常適合用于風(fēng)扇、泵
2025-10-20 13:55:53
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當(dāng)今時(shí)代,人們使用智能手機(jī)的頻率越來(lái)越高,續(xù)航能力已經(jīng)成為消費(fèi)者購(gòu)買智能手機(jī)需要考慮的重要指標(biāo)之一。隨著產(chǎn)業(yè)鏈的全面協(xié)同及技術(shù)突破,能量密度更高的硅負(fù)極電池帶來(lái)了大容量電池的爆發(fā),為手機(jī)續(xù)航帶來(lái)
2025-10-20 09:46:37
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用戶采用先進(jìn)的微納工藝從事太赫茲集成器件科研和開(kāi)發(fā)。在研發(fā)中經(jīng)常需要進(jìn)行繁復(fù)的高密度多物理量測(cè)量。用戶采用傳統(tǒng)分立儀器測(cè)試的困難在于高度依賴實(shí)驗(yàn)人員經(jīng)驗(yàn),缺乏標(biāo)準(zhǔn)化、自動(dòng)化試驗(yàn)平臺(tái)。
2025-10-18 11:22:31
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高密度配線架和中密度配線架的核心區(qū)別在于端口密度、空間利用率、應(yīng)用場(chǎng)景及管理效率,具體對(duì)比如下: 一、核心區(qū)別:端口密度與空間占用 示例: 高密度配線架:1U高度可容納96個(gè)LC雙工光纖端口(48芯
2025-10-11 09:56:16
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 2025年9月,國(guó)際光伏科研團(tuán)隊(duì)在《科學(xué)》雜志發(fā)布的最新研究成果猶如一劑強(qiáng)心針,宣告鈣鈦礦-硅疊層太陽(yáng)能電池的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程取得重大突破——通過(guò)在工業(yè)主流硅底電池的復(fù)雜紋理化結(jié)構(gòu)上
2025-09-20 02:01:00
1795 電池雖低成本且光管理優(yōu),卻受困于鈣鈦礦/C??界面鈍化難題。本研究用兼容工業(yè)紋理硅的混合兩步鈣鈦礦沉積法,引入PDAI處理鈣鈦礦表面,解決全紋理電池關(guān)鍵瓶頸(金字塔高度>
2025-09-12 09:03:51
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BCM56064A0KFSBG高密度端口支持: 通常支持大量高速端口(具體數(shù)量和速率取決于設(shè)計(jì))。線速轉(zhuǎn)發(fā): 在所有端口上實(shí)現(xiàn)無(wú)阻塞的線速L2/L3數(shù)據(jù)包轉(zhuǎn)發(fā)。高級(jí)交換特性: 支持豐富的二層(L2
2025-09-08 16:51:59
本文解析平尚科技高密度MLCC與功率電感集成方案,通過(guò)超薄堆疊MLCC、非晶磁粉電感及共腔封裝技術(shù),在8×8mm空間實(shí)現(xiàn)100μF+22μH的超緊湊設(shè)計(jì)。結(jié)合關(guān)節(jié)模組實(shí)測(cè)數(shù)據(jù),展示體積縮減78%、紋波降低76%的突破,并闡述激光微孔與真空焊接工藝對(duì)可靠性的保障。
2025-09-08 15:31:37
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電力電子器件作為現(xiàn)代能源轉(zhuǎn)換與功率控制的核心載體,正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)硅基器件向SiC等寬禁帶半導(dǎo)體器件的迭代升級(jí),功率二極管、IGBT、MOSFET等器件的集成化與高性能化發(fā)展,推動(dòng)著封裝技術(shù)向高密度集成、高可靠性與高效散熱方向突破。
2025-08-25 11:28:12
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《晶體硅光伏電池切割分片效率損失測(cè)試方法.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-08-09 16:01:49
0 隨著半導(dǎo)體封裝技術(shù)向微型化、高密度方向發(fā)展,晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging, WLP)已成為先進(jìn)封裝技術(shù)的重要代表。硅基WLP封裝因其優(yōu)異的電氣性能、小型化優(yōu)勢(shì)和高可靠性,在
2025-08-04 14:33:08
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,將空氣熱阻轉(zhuǎn)化為高效導(dǎo)熱通道- 性能倍增器:實(shí)驗(yàn)表明,優(yōu)質(zhì)導(dǎo)熱硅脂可使界面熱阻降低60%以上,同等散熱條件下功率器件溫度可顯著下降15-20℃,大幅延長(zhǎng)電子元件壽命 二、G500導(dǎo)熱硅脂:專為高密度
2025-08-04 09:12:14
有機(jī)硅三防漆是以有機(jī)硅聚合物為核心基礎(chǔ)材料,輔以填料、交聯(lián)劑、催化劑及溶劑配制而成的特種防護(hù)涂層。其設(shè)計(jì)目標(biāo)明確:為印刷電路板及其他電子元器件提供抵御濕氣、鹽霧、霉菌、灰塵、化學(xué)腐蝕及極端溫度等環(huán)境
2025-07-24 16:04:34
698 
1.02-1.05,適用于超高密度算力集群。
? 冷板式液冷:適用于部分液冷改造場(chǎng)景,但散熱效率低于浸沒(méi)式。
? 硅光技術(shù)+液冷:硅光子(SiPh)可降低光模塊功耗,結(jié)合液冷可進(jìn)一步提升能效比。
易飛揚(yáng)作為光互連技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,率先布局浸沒(méi)液冷延長(zhǎng)器和硅光液冷光模塊,推動(dòng)數(shù)據(jù)中心向低碳、高密度方向發(fā)展。
2025-07-20 12:19:31
755 
Grid Array, BGA)焊點(diǎn)的高度、球徑和節(jié)距較大,對(duì)組件層級(jí)互連結(jié)構(gòu)的可靠性風(fēng)險(xiǎn)認(rèn)識(shí)不足,同時(shí)難以實(shí)現(xiàn)高密度BGA 失效預(yù)測(cè)。
2025-07-18 11:56:48
2207 
在科技飛速發(fā)展的今天,電子設(shè)備正以前所未有的速度迭代更新,從尖端工業(yè)控制系統(tǒng)到精密醫(yī)療成像設(shè)備,從高速通信基站到航空航天器,每一個(gè)領(lǐng)域都對(duì)電子設(shè)備的性能、可靠性和集成度提出了更高的要求。而在這些電子設(shè)備的背后,有一種核心組件正發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,那就是高密度互連線路板(HDI)。
2025-07-17 14:43:01
871 ? 每一次材料革命,都在重塑電子產(chǎn)業(yè)的未來(lái)。傳統(tǒng)MLCC的物理極限,正成為高端電子設(shè)備的性能瓶頸。 ?硅電容:被動(dòng)電子元件的革命性突破 硅電容(Silicon Capacitor)采用單晶硅襯底
2025-07-07 13:50:05
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感器2000次/秒的超高速采樣,支持多臺(tái)設(shè)備同時(shí)接入。
實(shí)時(shí)性、低延時(shí):平臺(tái)數(shù)據(jù)采集、分析、控制實(shí)時(shí)性。實(shí)現(xiàn)采樣數(shù)據(jù)無(wú)卡頓、無(wú)丟失,微秒級(jí)轉(zhuǎn)發(fā)、既時(shí)存儲(chǔ)、實(shí)時(shí)呈現(xiàn)。
高密度數(shù)據(jù)采集的突破性能力
海量數(shù)據(jù)
2025-06-19 14:51:40
Analog Devices Inc. ADGS2414D高密度開(kāi)關(guān)是八個(gè)獨(dú)立的單刀單擲(SPST)開(kāi)關(guān),采用4mmx5mm、30引腳LGA封裝。這些開(kāi)關(guān)可在印刷電路板空間受限或現(xiàn)有系統(tǒng)外形尺寸限制
2025-06-16 10:51:13
671 
高密度配線架與中密度配線架的核心區(qū)別體現(xiàn)在端口密度、空間利用率、應(yīng)用場(chǎng)景適配性、成本結(jié)構(gòu)及擴(kuò)展能力等方面,以下為具體分析: 一、端口密度與空間利用率 高密度配線架 端口密度:每單位空間(如1U機(jī)架
2025-06-13 10:18:58
698 MPO高密度光纖配線架的安裝需遵循標(biāo)準(zhǔn)化流程,結(jié)合設(shè)備特性和機(jī)房環(huán)境進(jìn)行操作。以下是分步驟的安裝方法及注意事項(xiàng): 一、安裝前準(zhǔn)備 環(huán)境檢查 確認(rèn)機(jī)房溫度(建議0℃~40℃)、濕度(10%~90
2025-06-12 10:22:42
791 高密度ARM服務(wù)器的散熱設(shè)計(jì)融合了硬件創(chuàng)新與系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化技術(shù),以應(yīng)對(duì)高集成度下的散熱挑戰(zhàn),具體方案如下: 一、核心散熱技術(shù)方案 高效散熱架構(gòu)? 液冷技術(shù)主導(dǎo)?:冷板式液冷方案通過(guò)直接接觸CPU/GPU
2025-06-09 09:19:38
662 
半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料,其表面性質(zhì)對(duì)器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),通過(guò)在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅(SiO?)層,顯著改善了硅材料的電學(xué)、化學(xué)和物理
2025-05-30 11:09:30
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圖1.多晶硅太陽(yáng)能電池的顯微鏡光學(xué)圖像。在此圖像上可以觀察到大塊的熔融和凝固的硅。 可再生能源,例如太陽(yáng)能,預(yù)計(jì)將在不久的將來(lái)發(fā)揮重要作用。為了將太陽(yáng)光的能量直接轉(zhuǎn)化為電能,硅太陽(yáng)能電池(晶體或多晶
2025-05-26 08:28:41
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方面做了兩方面優(yōu)化,一方面外殼用普通的鈑金換成鋁合金,另一方面電芯換成高密度電芯,電池包重量由原來(lái)的11.3kg下降到8.9kg,降重22.4kg,降重21%。d、空間方面由于電芯體積變小,電池包整體
2025-05-19 19:40:51
產(chǎn)品集成11顆芯片,58個(gè)無(wú)源元件,采用雙面陶瓷管殼作為載體,進(jìn)行雙層芯片疊裝和組裝,實(shí)現(xiàn)高密度集成。殼體工藝采用高溫多層陶瓷共燒工藝,可以最大限度地增加布線密度和縮短互連線長(zhǎng)度,從而提高組件密度
2025-05-14 10:49:47
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鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)能電池因其理論效率超40%而成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。然而,透明電極的光學(xué)損失(如反射與寄生吸收)嚴(yán)重限制了短路電流密度JSC的提升。傳統(tǒng)單層透明導(dǎo)電氧化物(TCO)如IZO(鋅摻雜
2025-05-07 09:03:42
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瘧疾曾一度在委內(nèi)瑞拉銷聲匿跡,但如今正卷土重來(lái)。研究人員已經(jīng)訓(xùn)練出一個(gè)模型來(lái)幫助檢測(cè)這種傳染病。
2025-04-25 09:58:34
813 鈣鈦礦/硅串聯(lián)電池是突破硅單結(jié)效率極限(29.5%)的理想方案,但工業(yè)硅片表面粗糙性導(dǎo)致的漏電問(wèn)題亟待解決。本研究提出一種新型復(fù)合結(jié)設(shè)計(jì),利用n摻雜C??與p摻雜TaTm的有機(jī)異質(zhì)結(jié),通過(guò)低橫向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性
2025-04-25 09:02:18
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在我的這個(gè)電路圖里,可控硅一直處于開(kāi)啟狀態(tài),沒(méi)有給單片機(jī)信號(hào),試著換一下可控硅的方向,也沒(méi)有效果。請(qǐng)各位大佬幫忙看一下是不是電路圖那里出問(wèn)題了。
2025-04-21 15:46:54
在人工智能(AI)驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)業(yè)革命浪潮中,數(shù)據(jù)中心正迎來(lái)深刻變革。面對(duì)迅猛增長(zhǎng)的人工智能算力需求,部署高密度AI集群已成為數(shù)據(jù)中心發(fā)展的必然選擇。
2025-04-19 16:54:13
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在電子封裝領(lǐng)域,BGA(Ball Grid Array)封裝因其高密度、高性能的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于集成電路和芯片模塊中。然而,BGA焊球的機(jī)械強(qiáng)度直接影響到器件的可靠性和使用壽命,因此焊球推力測(cè)試
2025-04-18 11:10:54
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全球正致力于提升鈣鈦礦光伏電池的效率,其中疊層太陽(yáng)能電池(TSCs)因其高效率、低熱損耗和易于集成成為研究熱點(diǎn)。本研究采用美能絨面反射儀RTIS等先進(jìn)表征手段,系統(tǒng)分析了雙面鈣鈦礦/硅疊層電池的優(yōu)化
2025-04-16 09:05:53
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近日,隆基自主研發(fā)的太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率再獲關(guān)鍵性突破,將單結(jié)晶硅光伏電池的極限探索推向新高度。
2025-04-15 14:56:27
864 可以用牙膏、黃油替代嗎?A3:絕對(duì)不行! 牙膏:含水分和研磨劑,短期可能有效,但干燥后導(dǎo)熱性驟降,且可能腐蝕金屬。 黃油/油脂:高溫下易融化流失,絕緣性差,可能引發(fā)短路甚至火災(zāi)。
Q4:導(dǎo)熱硅脂
2025-04-14 14:58:20
本文聚焦高密度系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù),闡述其定義、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景及技術(shù)發(fā)展,分析該技術(shù)在熱應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力、電磁干擾下的可靠性問(wèn)題及失效機(jī)理,探討可靠性提升策略,并展望其未來(lái)發(fā)展趨勢(shì),旨在為該領(lǐng)域的研究與應(yīng)用提供參考。
2025-04-14 13:49:36
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光纖高密度ODF(Optical Distribution Frame,光纖配線架) 是一種用于光纖通信系統(tǒng)中,專門設(shè)計(jì)用于高效管理和分配大量光纖線路的設(shè)備。它通過(guò)高密度設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了光纖線路的集中化
2025-04-14 11:08:00
1582 (Fraunhofer ISE, CalLab)第三方獨(dú)立認(rèn)證,最高電池效率達(dá)到31.1%,不僅創(chuàng)造了大面積疊層太陽(yáng)電池效率新的世界紀(jì)錄,而且首次在210mm工業(yè)級(jí)電池尺寸上實(shí)現(xiàn)超過(guò)31%的電池效率,第32次創(chuàng)造和刷新世界紀(jì)錄,也標(biāo)志著天合光能在鈣鈦礦晶體硅疊層技術(shù)領(lǐng)域從電池效率到組件功率的全面突破。
2025-04-11 15:50:32
789 二次回流工藝因高密度封裝需求、混合元件焊接剛需及制造經(jīng)濟(jì)性提升而普及,主要應(yīng)用于消費(fèi)電子芯片堆疊、服務(wù)器多 Die 整合、汽車電子混合焊接、大尺寸背光模組、陶瓷 LED 與制冷芯片等場(chǎng)景。專用錫膏
2025-04-11 11:41:04
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多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡(jiǎn)稱Poly)是由無(wú)數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅(如硅襯底)不同,多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間,晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:45
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本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:24
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在AI與云計(jì)算的深度融合中,高密度、低功耗特性正成為技術(shù)創(chuàng)新的核心驅(qū)動(dòng)力,主要體現(xiàn)在以下方面: 一、云計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施的能效優(yōu)化 存儲(chǔ)與計(jì)算密度提升? 華為新一代OceanStor Pacific全閃
2025-04-01 08:25:05
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/(m·K)以下硅脂,而高密度芯片(如GPU)需5 W/(m·K)以上復(fù)合材料。 2. 關(guān)注環(huán)境適配性 戶外設(shè)備優(yōu)先選擇耐UV、抗老化的無(wú)硅油墊片;柔性屏設(shè)備需石墨烯或彈性硅膠材料。 3. 優(yōu)化工藝成本
2025-03-28 15:24:26
一、核心定義與技術(shù)原理 MPO(Multi-fiber Push On)高密度光纖配線架是一種專為多芯光纖連接設(shè)計(jì)的配線設(shè)備,通過(guò)單個(gè)連接器集成多根光纖(如12芯、24芯),實(shí)現(xiàn)高密度、高效率的光纖
2025-03-26 10:11:00
1438 808W,成為全球首塊功率突破800W門檻的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸光伏組件產(chǎn)品,創(chuàng)造了新的世界紀(jì)錄,在鈣鈦礦/晶體硅疊層技術(shù)領(lǐng)域具有劃時(shí)代意義。
2025-03-24 17:14:28
943 本文研究了背接觸(BC)太陽(yáng)能電池在組件封裝過(guò)程中的電池到組件(CTM)比率,這是光伏行業(yè)中一個(gè)創(chuàng)新且日益重要的研究焦點(diǎn)。通過(guò)比較雙面電池和背接觸電池組件的CTM損失因素,研究揭示了晶體硅太陽(yáng)能電池
2025-03-24 09:02:03
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、阻抗不匹配、電磁干擾(EMI)成為關(guān)鍵。捷多邦采用高密度互連(HDI)**工藝,通過(guò)精密布線設(shè)計(jì),減少信號(hào)干擾,提升PCB的電氣性能。 1. 高密度布線(HDI)如何減少串?dāng)_? 串?dāng)_(Crosstalk)是指相鄰信號(hào)線之間的電磁干擾,可能導(dǎo)致信號(hào)畸變。捷多
2025-03-21 17:33:46
781 1U 144芯高密度光纖配線架是專為數(shù)據(jù)中心、電信機(jī)房等高密度布線場(chǎng)景設(shè)計(jì)的緊湊型光纖管理解決方案。其核心特點(diǎn)在于超小空間(1U)與高容量(144芯)的平衡,以下為詳細(xì)說(shuō)明: 核心特性 空間效率
2025-03-21 09:57:30
780 鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù),該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉(zhuǎn)機(jī)械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固,最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來(lái),為提升多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率,通過(guò)控制模具中熔體凝固過(guò)程的溫度,創(chuàng)造定向散熱條件,從而獲得定向柱狀晶組織。
2025-03-13 14:41:12
1129 本文介紹了硅的導(dǎo)熱系數(shù)的特性與影響導(dǎo)熱系數(shù)的因素。
2025-03-12 15:27:25
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在現(xiàn)代電子設(shè)備中,PCB芯片封裝技術(shù)如同一位精巧的建筑師,在方寸之間搭建起芯片與外部世界的橋梁。捷多邦小編認(rèn)為,這項(xiàng)技術(shù)不僅關(guān)乎電子產(chǎn)品的性能,更直接影響著設(shè)備的可靠性和成本。 芯片封裝是將裸露
2025-03-10 15:06:51
683 高密度封裝技術(shù)在近些年迅猛發(fā)展,同時(shí)也給失效分析過(guò)程帶來(lái)新的挑戰(zhàn)。常規(guī)的失效分析手段難以滿足結(jié)構(gòu)復(fù)雜、線寬微小的高密度封裝分析需求,需要針對(duì)具體分析對(duì)象對(duì)分析手法進(jìn)行調(diào)整和改進(jìn)。
2025-03-05 11:07:53
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硅作為半導(dǎo)體材料在集成電路應(yīng)用中的核心地位無(wú)可爭(zhēng)議,然而,隨著科技的進(jìn)步和器件特征尺寸的不斷縮小,硅集成電路技術(shù)正面臨著一系列挑戰(zhàn),本文分述如下:1.硅集成電路的優(yōu)勢(shì)與地位;2.硅材料對(duì)CPU性能的影響;3.硅材料的技術(shù)革新。
2025-03-03 09:21:49
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隨著全球能源需求的增長(zhǎng),開(kāi)發(fā)高效率太陽(yáng)能電池變得尤為重要。本文旨在開(kāi)發(fā)一種成本效益高且可擴(kuò)展的制備工藝,用于制造具有前側(cè)SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙面TOPCon太陽(yáng)能電池,并通過(guò)優(yōu)化工藝實(shí)現(xiàn)
2025-03-03 09:02:29
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本文介紹了硅光芯片的發(fā)展歷史,詳細(xì)介紹了硅光通信技術(shù)的原理和幾個(gè)基本結(jié)構(gòu)單元。
2025-02-26 17:31:39
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隨著超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的迅速崛起,其復(fù)雜性與日俱增。高密度光連接器逐漸成為提升整體資源效率的核心關(guān)鍵,旨在助力實(shí)現(xiàn)更快部署、優(yōu)化運(yùn)營(yíng)并確?;A(chǔ)設(shè)施在未來(lái)繼續(xù)保持領(lǐng)先。 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Synergy
2025-02-25 11:57:03
1433 UCC28782 是一款用于 USB Type C? PD 應(yīng)用的高密度有源鉗位反激式 (ACF) 控制器,通過(guò)在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)恢復(fù)漏感能量和自適應(yīng) ZVS 跟蹤,效率超過(guò) 93%。
最大頻率
2025-02-25 09:24:49
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設(shè)計(jì)?:硅脂(底層)+ 硅膠片(中層)+ 金屬均熱板(上層)l ?邊緣補(bǔ)強(qiáng)?:大面積硅膠片四周用高導(dǎo)熱系數(shù)硅脂填充 經(jīng)濟(jì)性優(yōu)化:l 高價(jià)值設(shè)備 → 選用相變硅脂(使用壽命延長(zhǎng)50%)l 批量生產(chǎn) → 定制
2025-02-24 14:38:13
MF系列干簧繼電器具備超高密度,其表面尺寸在SANYU產(chǎn)品線中是最小的,僅為4.35mm x 4.35mm。這種尺寸允許您滿足集成電路行業(yè)的KGD需求:通過(guò)在8英寸板上安裝500個(gè)繼電器和在12英寸
2025-02-17 13:40:48
存儲(chǔ)正在進(jìn)行著哪些變革。 上期我們對(duì)QLC SSD、TLC SSD以及HDD分別進(jìn)行了優(yōu)勢(shì)對(duì)比,并得出了成本分析。本期將重點(diǎn)介紹QLC SSD在設(shè)計(jì)上存在的諸多挑戰(zhàn)及解決之道。 更大的內(nèi)部扇區(qū)尺寸 從硬件設(shè)計(jì)及成本上考慮,高密度QLC SSD存儲(chǔ)容量增加時(shí),其配置的DRAM容量通
2025-02-17 11:35:22
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隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,芯片集成度和性能要求日益提升。傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已經(jīng)難以滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的需求,因此,高密度3-D封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。3-D封裝技術(shù)通過(guò)垂直堆疊多個(gè)芯片或芯片層,實(shí)現(xiàn)前所未有的集成密度和性能提升,成為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。
2025-02-13 11:34:38
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在開(kāi)關(guān)模式電源中使用 GaN 開(kāi)關(guān)是一種相對(duì)較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況,提到了所面臨的挑戰(zhàn),并展望了 GaN 作為硅的替代方案在開(kāi)關(guān)模式電源
2025-02-11 13:44:55
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如何選擇適合的晶硅切割液用潤(rùn)濕劑
兼容性 :要與晶硅切割液的主要成分,如聚乙二醇等高分子聚合物充分相容,不產(chǎn)生分層、沉淀等現(xiàn)象,保證切割液體系穩(wěn)定。
切割性能提升 :所選潤(rùn)濕劑需能增強(qiáng)
2025-02-07 10:06:58
Poly-SEs技術(shù)通過(guò)在電池的正面和背面形成具有選擇性的多晶硅層,有效降低了電池的寄生吸收和接觸電阻,同時(shí)提供了優(yōu)異的電流收集能力。在n型TOPCon太陽(yáng)能電池中,Poly-SEs的應(yīng)用尤為重要
2025-02-06 13:59:42
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高密度400W DC/DC電源模塊,集成平面變壓器和半橋GaN IC.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 15:39:53
12 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AI革命的高密度電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 15:03:32
1 在鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)能電池中,使用硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)太陽(yáng)能電池作為底部電池是實(shí)現(xiàn)高效率的最有前景的方法之一。目前,大多數(shù)高效疊層太陽(yáng)能電池使用厚的浮區(qū)(FZ)底部電池,這在工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)中并不
2025-01-17 09:03:38
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高密度互連(HDI)PCB因其細(xì)線、更緊密的空間和更密集的布線等特點(diǎn),在現(xiàn)代電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。 一、HDI PCB具有以下顯著優(yōu)勢(shì): 細(xì)線和高密度布線:允許更快的電氣連接,同時(shí)減少了PCB
2025-01-10 17:00:00
1533 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN77-適用于大電流應(yīng)用的高效率、高密度多相轉(zhuǎn)換器.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-08 14:26:18
0 umx105 um),以便達(dá)到更快的模擬時(shí)間)
?為了精確模擬線性錐形硅波導(dǎo),錐形的網(wǎng)格尺寸應(yīng)該要設(shè)置密度大一些,因此在這種情況下使用不均勻的網(wǎng)格。
?光源在時(shí)域中設(shè)置為CW(= 1.55 um),在空間域
2025-01-08 08:51:53
?)認(rèn)證,最高組件窗口效率達(dá)到25.44%,創(chuàng)造了大面積HJT組件窗口效率的世界紀(jì)錄,這是天合光能第30次創(chuàng)造和刷新世界紀(jì)錄,也是目前正背面接觸結(jié)構(gòu)晶體硅組件的最高紀(jì)錄,創(chuàng)造了單結(jié)晶體硅太陽(yáng)電池組件光電轉(zhuǎn)換效率的世界紀(jì)錄。
2025-01-06 15:02:20
1206 硅電容是一種采用了硅作為材料,通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)制造的電容,和當(dāng)前的先進(jìn)封裝非常適配
2025-01-06 11:56:48
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評(píng)論