兩家公司的專知和技術(shù)相結(jié)合，加速了第二代低能耗植入設(shè)備CVRx Barostim neo的開發(fā)周期

　　應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）宣布，治療高血壓用專有有源植入技術(shù)的市場領(lǐng)先開發(fā)商CVRx正在使用安森美半導(dǎo)體的技術(shù)及制造服務(wù)。CVRx最近在歐洲推出第二代植入式降血壓用壓力感受器刺激設(shè)備——Barostim neo。

　　安森美半導(dǎo)體在設(shè)計及制造適合寬廣醫(yī)療應(yīng)用的模擬、數(shù)字及混合信號半導(dǎo)體方案方面積累的豐富經(jīng)驗，幫助CVRx在繁多的預(yù)生產(chǎn)測試中提供所要求的可靠性及器件性能。此外，CVRx使用安森美半導(dǎo)體的設(shè)計套件、知識產(chǎn)權(quán)（IP）以及布線和代工服務(wù)，壓縮了開發(fā)周期。

　　CVRx的Barostim neo包含3款安森美半導(dǎo)體器件，其中2款是定制專用集成電路（ASIC），包括一款高壓模擬C5工藝器件，及另一款使用安森美半導(dǎo)體I3T工藝制造、支持數(shù)字集成、結(jié)合了混合模擬及智能電源高壓結(jié)構(gòu)的數(shù)字控制ASIC。小巧的Barostim neo設(shè)備中包含的第3款安森美半導(dǎo)體器件是8兆比特（Mb）醫(yī)療存儲器專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品（ASSP）。3款器件均提供低能耗工作，以延長電池工作壽命，這要求對植入醫(yī)療設(shè)備殊為關(guān)鍵。

　　CVRx， Inc.研發(fā)及運營副總裁Joe DuPay說：“我們選擇安森美半導(dǎo)體來開發(fā)我們最新植入式高血壓治療設(shè)備有多重優(yōu)勢。通過結(jié)合我們的核心專知及技術(shù)與安森美半導(dǎo)體在要求嚴(yán)格的醫(yī)療半導(dǎo)體市場的專知、經(jīng)驗與產(chǎn)品長期支援，我們縮短了產(chǎn)品開發(fā)周期，同時設(shè)定了極低能耗及可靠設(shè)計的最高標(biāo)準(zhǔn)?！?/p>