本內(nèi)容主要介紹了硅襯底LED芯片主要制造工藝，介紹了什么是led襯底，led襯底材料等方面的制作工藝知識(shí)
2011-11-03 17:45:13
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松下與比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）共同開發(fā)出了全自動(dòng)小型基因檢測(cè)芯片。利用該芯片，1小時(shí)即可完成基因檢測(cè)。
2013-02-20 10:14:542898 LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶圓生長(zhǎng)技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、硅（Si）、碳化硅（SiC）襯底材料以外，氧化鋅（ZnO）和氮化鎵（GaN）等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點(diǎn)。
2014-05-13 17:40:075181 正是由于“中國(guó)芯”硅襯底LED的諸多優(yōu)勢(shì)，目前三星等國(guó)際大公司以及LED行業(yè)幾大巨頭如飛利浦、歐司朗、CREE等都加大了對(duì)硅襯底LED技術(shù)的研發(fā)力度。面對(duì)國(guó)際企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)壓力，朱立秋建議，要保持先發(fā)優(yōu)勢(shì)，避免“起個(gè)大早趕個(gè)晚集”，提升中國(guó)原創(chuàng)技術(shù)自主品牌的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，已經(jīng)成為迫在眉睫的重要課題。
2016-03-08 10:52:294571 TFFC: 一般指經(jīng)過襯底剝離的薄膜LED芯片，做成倒裝結(jié)構(gòu)，稱為thin film flip chip，薄膜倒裝LED芯片或者去襯底倒裝LED芯片，簡(jiǎn)稱TFFC。
2021-08-10 10:16:4712920 
在所有金屬污染物中，鐵和銅被認(rèn)為是最有問題的。它們不僅可以很容易地從未優(yōu)化的工藝工具和低質(zhì)量的氣體和化學(xué)物質(zhì)轉(zhuǎn)移到晶片上，而旦還會(huì)大大降低硅器件的產(chǎn)量。用微波光電導(dǎo)衰減和表面光電壓研究了p型和n型硅
2021-12-15 09:28:143226 
SOI（silicon-on-insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)的核心設(shè)計(jì)，是在頂層硅與硅襯底之間引入一層氧化層，這層氧化層可將襯底硅與表面的硅器件層有效分隔（見圖 1）。
2025-09-22 16:17:006147 
硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
，通常將光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸線更好等特點(diǎn)，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">硅光芯片以硅作為集成芯片的襯底，所有能集成更多的光器件；在光模塊里面，光芯片的成本非常高，但隨著傳輸速率要求，晶
2020-11-04 07:49:15
?是提高性能和降低價(jià)值。硅襯底倒裝波LED芯片，效率會(huì)更高、工藝會(huì)更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā)，有望降低成本50%以上。 目前已開發(fā)出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進(jìn)工藝技術(shù)，光效
2014-01-24 16:08:55
問:為什么現(xiàn)在的CMOS工藝一般都是用P襯底而不是N襯底？?jī)烧哂惺裁磪^(qū)別?。看?為什么CMOS工藝采用P襯底，而不用N襯底？這主要從兩個(gè)方面來(lái)考慮：一個(gè)是材料和工藝問題；另一個(gè)是電氣性能問題。P型
2012-05-22 09:38:48
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢(shì)，采用硅來(lái)做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開發(fā)，開發(fā)板主MCU芯片型號(hào)N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
心存疑慮，根據(jù)imec在2025年VSLI研討會(huì)上的最新聲明，這家研究巨頭開發(fā)了一種全新的尖端叉片晶體管設(shè)計(jì)方法，解決了制造難題，這將推動(dòng)晶體管的未來(lái)持續(xù)發(fā)展。
叉片晶體管（Forksheet）是一種
2025-06-20 10:40:07
認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無(wú)論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應(yīng)用都表現(xiàn)出色！帥呆了！至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN之間有什么區(qū)別？
2019-07-31 07:54:41
TG傳輸門電路中。當(dāng)C端接+5，C非端接0時(shí)。源極和襯底沒有連在一起，為什么當(dāng)輸入信號(hào)改變時(shí)，其導(dǎo)通程度怎么還會(huì)改變？導(dǎo)電程度不是由柵極和襯底間的電場(chǎng)決定的嗎？而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導(dǎo)通程度應(yīng)該與輸入信號(hào)變化無(wú)關(guān)??！而書上說起導(dǎo)通程度歲輸入信號(hào)的改變而改變？為什么?求詳細(xì)解釋！謝謝！
2012-03-29 22:51:18
晶體管連在一起。IMEC的方法則將SRAM單元的電源線埋在硅襯底內(nèi)，然后利用節(jié)省出來(lái)的空間使關(guān)鍵的互連線更寬，從而降低導(dǎo)線電阻。在仿真中采用這種方法的SRAM存儲(chǔ)單元的讀取速度比采用傳統(tǒng)方法的SRAM
2020-05-11 15:40:48
` 未來(lái)醫(yī)療電子的發(fā)展，勢(shì)必會(huì)需要具備能夠彎曲自如表面的新材料。為此，IMEC聲稱，已經(jīng)開發(fā)出一種能如皮膚般彎曲和伸展的電子電路?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IMEC位在根特大學(xué)(University of Ghent
2012-12-20 14:22:00
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現(xiàn)集成電路
2012-01-12 10:47:00
各位大佬，有沒有硅嘜陣列，或者硅嘜降噪的芯片不?就是有個(gè)芯片，或者方案，做了可以支持兩個(gè)MIC或者有算法在里面的
2021-04-23 10:21:47
的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)硅晶體管有兩種類型的損耗：傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。 功率晶體管是開關(guān)電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失，GaN 晶體管（取代舊的硅技術(shù)）的開發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注
2023-08-21 17:06:18
LED襯底目前主要是藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍(lán)寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低，但目前技術(shù)還不完善。 從LED成本上來(lái)看，用
2012-03-15 10:20:43
美國(guó)Sandia國(guó)家實(shí)驗(yàn)室開發(fā)的5層多晶硅表面硅MEMS集成工藝代表了這一方向的最高水平，它主要為軍方的項(xiàng)目提供表面加工服務(wù)。與CMOS集成的機(jī)電一體化技術(shù)發(fā)展：相對(duì)體硅工藝，表面工藝由于保持了襯底
2018-11-05 15:42:42
成功地在100G云數(shù)據(jù)中心內(nèi)部署，可以與傳統(tǒng)的“芯片和線纜”分離解決方案競(jìng)爭(zhēng)。預(yù)計(jì)硅光子將隨著云提供商過渡到下一個(gè)400G比特率時(shí)獲得市場(chǎng)份額。集成的硅光子平臺(tái)解決方案在波特率不斷提高的情況下，具有優(yōu)于
2020-12-05 10:33:44
IMEC推動(dòng)軟件定義無(wú)線電技術(shù)進(jìn)程，開發(fā)人員首次演示高速通用平臺(tái)
IMEC宣布一款可處理用于各類廣域網(wǎng)和局域網(wǎng)的一系列先進(jìn)的前向糾錯(cuò)技術(shù)的芯片。該歐洲研發(fā)小組意在推
2008-10-22 08:28:00883
晶體硅光電池 晶體硅光電池有單晶硅與多晶硅兩大類，用P型（或n型）硅襯底，通過磷（或硼）
2009-11-09 09:22:42966 藍(lán)寶石（Al2O3）,硅 (Si),碳化硅（SiC）LED襯底材料的選用比較
對(duì)于制作LED芯片來(lái)說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用
2009-11-17 09:39:205804 Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081491 硅襯底平面光波導(dǎo)開關(guān)原理圖
2010-03-20 11:36:271478 最近，德州儀器(TI)正式對(duì)外宣布，率先在業(yè)內(nèi)開發(fā)出完整型藍(lán)牙低功耗(BLE)單模式芯片CC2540，主要面向消費(fèi)類
2010-11-18 09:41:224399 LED襯底材料有哪些種類
對(duì)于制作LED芯片來(lái)說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要
2011-01-05 09:10:255117 在硅基集成光通信元件領(lǐng)域中居領(lǐng)先地位的SiFotonics，又成功開發(fā)出世界上第一款基于CMOS技術(shù)、應(yīng)用于光通信的10Gbps單片光接收器集成芯片。
2011-04-14 11:54:462304 歐洲微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC（比利時(shí)魯汶）日前宣布，已發(fā)布了一個(gè)早期版本的邏輯工藝開發(fā)套件（PDK），這是業(yè)界第一款用以解決14納米節(jié)點(diǎn)邏輯工藝的開發(fā)工具包，IMEC表示。
2012-03-09 08:54:161355 據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道，美國(guó)哥倫比亞大學(xué)一項(xiàng)新研究證明石墨烯具有卓越的非線性光學(xué)性能，并據(jù)此開發(fā)出一種石墨烯-硅光電混合芯片。這種硅與石墨烯的結(jié)合，讓人們離超低功耗光
2012-07-19 09:25:353175 比利時(shí)微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開發(fā)出一種納米級(jí)的氧化鋁鉿電介質(zhì)（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質(zhì)可用于平面 NAND Flash 結(jié)構(gòu)中，并可望推動(dòng)NAND flash在20nm及其以下先進(jìn)制程進(jìn)一步微縮。
2013-06-26 09:37:041526 南昌大學(xué)江風(fēng)益團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)硅襯底LED技術(shù)，使中國(guó)成為世界上繼日美之后第三個(gè)掌握藍(lán)光LED自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)技術(shù)的國(guó)家。這項(xiàng)高新技術(shù)和成功產(chǎn)業(yè)化，獲得了2015年度國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)，硅襯底時(shí)代隨即到來(lái)。
2016-05-11 16:38:437399 傳感器芯片。根據(jù)在布魯塞爾舉行的年度IMEC技術(shù)論壇（ITF Brussels 2016）上公布的協(xié)議，英飛凌與IMEC將攜手開發(fā)針對(duì)汽車?yán)走_(dá)應(yīng)用的高度集成型CMOS工藝79 GHz傳感器芯片。
2016-06-01 10:41:071002 芯片是五面發(fā)光的，通常需要將將芯片置于支架內(nèi)，反光杯的開口面積遠(yuǎn)大于芯片發(fā)光面積，導(dǎo)致單位面積光通量低，芯片表面顏色均勻性非常差，芯片正上方偏藍(lán)，而外圈偏黃。 基于氮化鎵的藍(lán)/白光LED的芯片結(jié)構(gòu)強(qiáng)烈依賴于所用的襯底材料。目前大部分廠商采用藍(lán)寶石作為襯底材料
2016-11-05 08:19:158606 美國(guó)北達(dá)卡他州立大學(xué)（NDSU）的研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種嵌入超薄無(wú)源RFID芯片在紙或其他柔性基板的方法。該方法可以生產(chǎn)出具備RFID功能的紙張，比傳統(tǒng)的打印標(biāo)簽或其它任何形式的RFID標(biāo)簽都更節(jié)省
2017-12-07 14:32:01372 IMEC和ADI的目標(biāo)為開發(fā)具全新感測(cè)功能，或感測(cè)功能大幅提升的低功耗設(shè)備。雙方長(zhǎng)期以來(lái)已合作開發(fā)高性能、低功耗、高成本效益的電路和系統(tǒng)，目前則在共同進(jìn)行兩項(xiàng)研發(fā)計(jì)劃。
2017-12-12 15:44:327120 2015年，首個(gè)旨在克服芯片電信號(hào)傳輸瓶頸的主要成果誕生。該研究小組在《自然》雜志上發(fā)表的另外一篇論文中對(duì)成果進(jìn)行了闡述。但是，這一方案只能應(yīng)用于少量最先進(jìn)的微電子芯片中，無(wú)法適用于目前最流行的采用塊狀硅襯底的芯片。
2018-04-26 16:03:064904 歐洲微電子中心IMEC與硬蛋科技近日簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將在深圳成立IMEC硬蛋微電子創(chuàng)新中心。
2018-05-11 14:47:555126 
Sila Technologies和Angstron Materials開發(fā)出一種新的鋰硅電池技術(shù)，在未來(lái)短短幾年內(nèi)，它可以讓手機(jī)、汽車、智能手表電池的電量增加30%甚至更多，這種電池很快就可以
2018-06-13 11:43:003129 從結(jié)構(gòu)圖中看出，si襯底芯片為倒裝薄膜結(jié)構(gòu)，從下至上依次為背面Au電極、si基板、粘接金屬、金屬反射鏡（P歐姆電極）、GaN外延層、粗化表面和Au電極。這種結(jié)構(gòu)芯片電流垂直分布，襯底熱導(dǎo)率高，可靠性高；發(fā)光層背面為金屬反射鏡，表面有粗化結(jié)構(gòu)，取光效率高。
2018-08-17 15:11:394640 顯示技術(shù)。作為全球硅襯底GaN基LED技術(shù)的領(lǐng)跑者，晶能光電最近也將目光投向了Micro LED。
2018-08-27 17:37:127860 據(jù)外媒報(bào)道，日本Dowa Electronics Corporation日前表示，已經(jīng)開發(fā)出1300 nm波段的近紅外芯片。
2018-09-14 16:06:175759 基于硅的光學(xué)相控陣（OPA）芯片作為使用激光的三維圖像傳感器LiDAR的下一代一直頗受關(guān)注。該芯片基于硅，小尺寸，以電控制光的方向，能夠?qū)崿F(xiàn)在水平方向上掃描，但是目前若要改變激光波長(zhǎng)以實(shí)現(xiàn)垂直方向上的掃描，還有技術(shù)難度。
2019-02-11 15:42:501658 MIT的研究人員開發(fā)出一種新型 “光子” 芯片，它使用光而不是電，并且在此過程中消耗相對(duì)較少的功率。
2019-06-12 09:23:464516 、Si，因此形成了三條不同的技術(shù)路線。從當(dāng)前LED用襯底行業(yè)發(fā)展來(lái)看，藍(lán)寶石襯底仍為L(zhǎng)ED襯底主流，硅襯底綜合性價(jià)比高，有望引領(lǐng)市場(chǎng)，同時(shí)，在LED下游應(yīng)用領(lǐng)域市場(chǎng)平穩(wěn)增長(zhǎng)的拉動(dòng)下，上游LED襯底材料需求將持續(xù)增長(zhǎng)。
2019-07-30 15:14:034226 芯、Fabrinet等也都是這個(gè)領(lǐng)域不可或缺的參與者。除了這些獨(dú)立的廠商外，思科和華為，甚至谷歌和Facebook這些原本客戶的加入，讓硅光芯片這個(gè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)更為激烈。
2019-08-29 10:38:548309 
比利時(shí)魯汶（ChipWire） - 消費(fèi)電子和半導(dǎo)體巨頭皇家飛利浦電子公司研究機(jī)構(gòu)飛利浦研究院將開放位于這里的獨(dú)立微電子研究與開發(fā)中心Interuniversity Microelectronics
2019-08-12 17:56:104137 Mattson Technology Inc.表示，它正與歐洲IMEC合作位于比利時(shí)魯汶的微電子研發(fā)中心共同開發(fā)新的光刻膠和殘留物去除工藝。
2019-08-13 10:15:1011184 IMEC提出了一種扇形晶圓級(jí)封裝的新方法，可滿足更高密度，更高帶寬的芯片到芯片連接的需求。 IMEC的高級(jí)研發(fā)工程師Arnita Podpod和IMEC Fellow及3D系統(tǒng)集成計(jì)劃的項(xiàng)目總監(jiān)Eric Beyne介紹了該技術(shù)，討論了主要的挑戰(zhàn)和價(jià)值，并列出了潛在的應(yīng)用。
2019-08-16 07:36:004809 
本周，ARM和臺(tái)積電宣布，基于臺(tái)積電最先進(jìn)的CoWoS晶圓級(jí)封裝技術(shù)，開發(fā)出7nm驗(yàn)證芯片（Chiplet小芯片）。
2019-09-29 15:44:023317 紅外探測(cè)器應(yīng)用非常廣泛，而imec的新技術(shù)將極大地?cái)U(kuò)展其應(yīng)用可能，包括安防監(jiān)視、生物識(shí)別、虛擬/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（VR/AR）、機(jī)器視覺以及工業(yè)自動(dòng)化等。
2019-11-09 10:05:501346 日前，英國(guó)Micro LED公司Plessey發(fā)布新聞稿稱，宣布開發(fā)出世界上首個(gè)硅基InGaN紅光LED。
2019-12-07 10:15:092185 2月28日，美國(guó)泛林公司宣布與ASML阿斯麥、IMEC比利時(shí)微電子中心合作開發(fā)了新的EUV光刻技術(shù)，不僅提高了EUV光刻的良率、分辨率及產(chǎn)能，還將光刻膠的用量最多降至原來(lái)的1/10，大幅降低了成本。
2020-02-29 11:20:583930 硅光芯片是將硅光材料和器件通過特殊工藝制造的集成電路，主要由光源、調(diào)制器、探測(cè)器、無(wú)源波導(dǎo)器件等組成，將多種光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸帶寬更高等特點(diǎn)，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">硅光
2020-06-11 09:02:1918989 據(jù)外國(guó)媒體報(bào)道，韓國(guó)政府在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周一公布了人工智能相關(guān)技術(shù)的發(fā)展目標(biāo)，并力爭(zhēng)在10年內(nèi)開發(fā)出50款A(yù)I芯片。
2020-10-19 17:01:352113 LED生產(chǎn)面臨的一個(gè)挑戰(zhàn)是很難用硅制造它們，這意味著傳感器必須與它所嵌入的設(shè)備分開制造。隨著麻省理工學(xué)院電子學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室的一項(xiàng)突破，這種情況可能會(huì)發(fā)生改變。在實(shí)驗(yàn)室里，研究人員能夠制造出一種完全集成LED的硅芯片。
2020-12-16 10:50:22687 日本關(guān)西學(xué)院大學(xué)和豐田通商于3月1日宣布，他們已開發(fā)出“動(dòng)態(tài)AGE-ing”技術(shù)，這是一種表面納米控制工藝技術(shù)，可以消除使SiC襯底上的半導(dǎo)體性能變差的缺陷。
2021-03-06 10:20:083930 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了
2021-04-21 09:55:205390 
分享了IMEC登上《自然·光子學(xué)》的研究項(xiàng)目和英特爾的硅光子學(xué)器件研究成果。 硅光子學(xué)是基于硅芯片的光子學(xué)技術(shù)，通過光波導(dǎo)傳輸數(shù)據(jù)，而非傳統(tǒng)集成電路中用銅互連線傳輸電信號(hào)，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的數(shù)據(jù)速率，也不存在電磁干擾問題，可以降低芯
2021-04-21 16:22:334991 瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）基礎(chǔ)科學(xué)學(xué)院的Tobias Kippenberg教授帶領(lǐng)的科學(xué)家團(tuán)隊(duì)已經(jīng)開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術(shù)，得到了創(chuàng)記錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:393272 近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術(shù)，得到了創(chuàng)紀(jì)錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。相關(guān)研究在《自然—通訊》上發(fā)表。
2021-05-24 10:43:386263 IMEC表示，計(jì)劃于今年下半年開放新平臺(tái)，為產(chǎn)品原型提供服務(wù)，旨在加速硅光子在光學(xué)互連、激光雷達(dá)和生物醫(yī)學(xué)傳感等成本敏感型應(yīng)用的推廣。其實(shí)，2020年3月，IMEC就與CST Global完成了初步工作，原計(jì)劃于今年上半年開始提供這項(xiàng)服務(wù)。
2021-06-15 11:17:113690 、光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡和原子力顯微鏡相結(jié)合，研究了KOH/IPA蝕刻對(duì)紋理表面形態(tài)和粗糙度的影響。結(jié)果表明，在80℃以下的溫度下，IPA濃度對(duì)（001）-單晶晶體表面粗糙度的影響最強(qiáng)。高于該值時(shí)，在硅襯底上顯示出溫度引起裂紋。氫氧化鉀：
2022-01-11 14:41:581824 
IBM宣布已開發(fā)出全球首個(gè)2nm工藝的半導(dǎo)體芯片,采用三層GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，首次使用底介電隔離通道，其潛在性能和電池續(xù)航能力都將得到巨大的提升。
2022-07-04 12:22:561653 、MICLEDI等國(guó)際企業(yè)都在專注于硅襯底Micro LED的開發(fā)。在國(guó)內(nèi)，以晶能光電為產(chǎn)業(yè)界代表，硅襯底Micro LED技術(shù)開發(fā)同樣匯聚了強(qiáng)
2022-08-17 12:25:421759 常規(guī)的絕緣層上硅 (Silicon on Insulator, SOI）是通過注氧隔離 (Separation by Implanted Oxygen, SIMOX)、智能切割 （Smart Cut） 等方法在體硅襯底中引入絕緣層，從而達(dá)到表層硅與襯底硅電學(xué)隔離的目的的。
2022-10-12 09:09:263458 相比于橫向功率電子器件，GaN縱向功率器件能提供更高的功率密度/晶圓利用率、更好的動(dòng)態(tài)特性、更佳的熱管理，而大尺寸、低成本的硅襯底GaN縱向功率電子器件吸引了國(guó)內(nèi)外眾多科研團(tuán)隊(duì)的目光，近些年已取得了重要進(jìn)展。
2022-12-15 16:25:351894 在其擴(kuò)展路線圖中，imec 為芯片技術(shù)的未來(lái)提出了一條替代路徑，在架構(gòu)、材料、晶體管的新基本結(jié)構(gòu)以及……范式轉(zhuǎn)變方面進(jìn)行了根本性的改變。到 2036 年，imec 路線圖將使我們從 7 nm 到 0.2 nm 或 2 ?ngstr?m，保持兩到兩年半的介紹速度。
2023-02-06 16:01:521790 硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264975 
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:342743 
硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:36:082354 砷化鎵芯片和硅基芯片的最大區(qū)別是：硅基芯片是進(jìn)行物理刻蝕線路工藝（凹刻），可以5-100納米工藝，而砷化鎵芯片采取的工藝是多層化學(xué)堆砌線路（凸堆），線路線寬40-100納米。所以，能做硅基芯片的公司是做不了砷化鎵芯片的。
2023-02-20 16:53:1010760 imec指出，IC制造衍生的二氧化碳排放量預(yù)計(jì)在未來(lái)10年增長(zhǎng)4倍，一來(lái)是先進(jìn)制程技術(shù)漸趨復(fù)雜，二來(lái)晶圓總產(chǎn)量增加; 為逆轉(zhuǎn)未來(lái)局勢(shì)，領(lǐng)先業(yè)界的半導(dǎo)體大廠已承諾在2030至2050年前達(dá)到碳中和或凈零。
2023-03-20 09:58:311553 IMEC IMEC總部設(shè)在比利時(shí)魯汶（Leuven, Belgium）,雇員超過一千七百名，包括超過三百五十名常駐研究員及客座研究員。IMEC有一條0.13微米8寸試生產(chǎn)線并已通過ISO9001認(rèn)證。
2023-05-22 16:19:161859 
在之前的技術(shù)文章中，介紹了驅(qū)動(dòng)芯片的概覽和PN結(jié)隔離(JI)技術(shù)，本文會(huì)繼續(xù)介紹英飛凌的絕緣體上硅（SOI）驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)。高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)經(jīng)過長(zhǎng)期的發(fā)展，走向了絕緣體上硅
2022-04-02 09:51:322509 
硅光芯片是通過標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝將硅光材料和器件集成在一起的集成光路，主要由光源、調(diào)制器、探測(cè)器、無(wú)源波導(dǎo)器件等組成，并且將光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片具有集成度高、成本低、傳輸更好等特點(diǎn)。在
2022-07-26 09:36:572067 
日本電產(chǎn)三協(xié)成功研發(fā)出使用圓柱形硅凝膠的觸覺設(shè)備，該圓柱形硅凝膠是三協(xié)的自主產(chǎn)品。
2022-12-07 17:04:041328 
近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:442195 這篇筆記介紹MEMS型硅光芯片封裝的一則最新進(jìn)展，瑞典皇家理工學(xué)院KTH研究組聯(lián)合洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院EPFL、愛爾蘭的Tyndall、IMEC等多個(gè)機(jī)構(gòu)，共同開發(fā)了MEMS硅光芯片晶圓級(jí)的氣密封裝技術(shù)(hermetic sealing)。
2023-09-19 09:32:394832 
LED技術(shù)開發(fā)及應(yīng)用》的報(bào)告，介紹了硅襯底GaN基紫外LED的的技術(shù)特點(diǎn)以及應(yīng)用新方向。 紫外LED主要分為：UVA LED(320nm-410nm)，UVB(280nm-320nm),UVC
2023-09-19 11:11:288675 “硅光芯片并非取代傳統(tǒng)的集成電路技術(shù)，而是在后摩爾時(shí)代，幫助集成電路擴(kuò)充其技術(shù)功能。此外，由于硅光芯片是基于硅晶圓開發(fā)出的光子集成芯片，因此硅光芯片所需的制造設(shè)備和技術(shù)與傳統(tǒng)集成電路基本一致，技術(shù)遷移成本較低，這也成為了硅光芯片得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)?！崩钪救A說。
2023-10-08 11:40:282437 
SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實(shí)際的結(jié)構(gòu)是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄的硅層，這種結(jié)構(gòu)將有源硅層與襯底的硅層分開。而在傳統(tǒng)的硅制程中，芯片直接在硅襯底上形成，沒有使用絕緣體層。
2023-10-10 18:14:036763 
硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用?；?b class="flag-6" style="color: red">硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化開發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構(gòu)尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:311827 
根據(jù)專利摘要，芯片及其芯片制造方法。芯片包括芯片本體（10）。芯片本體（10）包括：襯底（101）、器件層（102）和多孔硅結(jié)構(gòu)，器件層（102）位于襯底（101）；多孔硅結(jié)構(gòu)設(shè)置于襯底（101）上，多孔硅結(jié)構(gòu)用于與化學(xué)開蓋溶液反應(yīng)以破壞芯片本體（10）。
2023-10-20 10:19:311383 
據(jù)報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:127883 該團(tuán)隊(duì)在 2021 年 1.6T 硅光互連芯片的基礎(chǔ)上，運(yùn)用先進(jìn)的光電協(xié)同設(shè)計(jì)仿真方法，開發(fā)出適配硅光的單路超 200G driver 和 TIA 芯片，同時(shí)攻克了硅基光電三維堆疊封裝工藝難題，形成了完整的硅光芯片 3D 芯粒集成方案。
2024-05-10 11:43:251619 imec專注于半導(dǎo)體前沿技術(shù)的研發(fā)創(chuàng)新，其客戶群體涵蓋了全球知名的半導(dǎo)體制造商如臺(tái)積電、聯(lián)電、聯(lián)發(fā)科、韓國(guó)三星及美國(guó)英特爾等。同時(shí)，imec也是歐盟推動(dòng)芯片自給自足計(jì)劃的關(guān)鍵力量。
2024-05-23 08:45:181071 材料差異： 硅光芯片主要使用硅作為材料，而傳統(tǒng)芯片則使用硅晶體。硅光芯片利用硅的光學(xué)特性，而傳統(tǒng)芯片則利用硅的電學(xué)特性。 功能差異： 硅光芯片主要用于光通信、光計(jì)算等領(lǐng)域，可以實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的傳輸、處理
2024-07-12 09:33:1012384 比利時(shí)微電子研究中心（imec）近期在量子計(jì)算領(lǐng)域取得了重大突破，成功在12英寸CMOS平臺(tái)上制造出了具有創(chuàng)紀(jì)錄低電荷噪聲的Si MOS量子點(diǎn)。這一里程碑式的成就不僅展示了imec在量子技術(shù)前沿的領(lǐng)先地位，更為大規(guī)模硅基量子計(jì)算機(jī)的實(shí)現(xiàn)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2024-08-07 11:37:161187 作為全球燒結(jié)銀的領(lǐng)航者，善仁新材重“芯“出發(fā)，再次開發(fā)出引領(lǐng)燒結(jié)銀行業(yè)的革命----推出裸硅芯片的無(wú)壓燒結(jié)銀AS9332，此款燒結(jié)銀得到客戶的廣泛認(rèn)可。
2024-10-29 18:16:541185 的加工過程中，TTV控制是至關(guān)重要的一環(huán)。
二、硅棒安裝機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)原理
為了有效控制碳化硅襯底的TTV，我們?cè)O(shè)計(jì)了一種新型的硅棒安裝機(jī)構(gòu)。該機(jī)構(gòu)通過精確控制硅棒的定
2024-12-26 09:51:54465 
多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡(jiǎn)稱Poly）是由無(wú)數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅（如硅襯底）不同，多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間，晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:453617 
從早期的平面 CMOS 工藝到先進(jìn)的 FinFET，p 型襯底在集成電路設(shè)計(jì)中持續(xù)被廣泛采用。為什么集成電路的制造更偏向于P型硅？
2025-05-16 14:58:301012 
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