2025 年12月16日,國(guó)產(chǎn) FPGA 自主創(chuàng)新引領(lǐng)者智多晶正式發(fā)布Seal 5000系列新品 ——SA5T-200 FPGA 芯片。作為深耕 FPGA 領(lǐng)域十余年的實(shí)力企業(yè),智多晶此次推出的重磅
2025-12-24 17:37:21
795 提升。 該太陽(yáng)能電池效率新紀(jì)錄的實(shí)現(xiàn)得益于超薄氧化硅隧道層與摻雜多晶硅鈍化接觸技術(shù)的應(yīng)用。公司表示,新型鈍化材料與金屬化工藝升級(jí)為此次太陽(yáng)能電池效率新紀(jì)錄提供了技術(shù)支持。 今年1月,晶科能源的鈣鈦礦-硅串聯(lián)太陽(yáng)能電池效率曾達(dá)到33.84%。公司預(yù)計(jì)
2025-12-22 17:24:35
404 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 當(dāng)碳化硅(SiC)功率模塊在新能源汽車(chē)與工業(yè)領(lǐng)域的滲透率持續(xù)攀升,一場(chǎng)關(guān)于性能與可靠性的博弈已然展開(kāi)。這種被譽(yù)為“第三代半導(dǎo)體核心”的材料,以其超快開(kāi)關(guān)速度和高壓運(yùn)行能力,正在
2025-12-21 07:46:00
9168 2025年12月4日晚,在深圳舉行的“2025行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮上,獎(jiǎng)項(xiàng)組委會(huì)正式揭曉“年度中國(guó)碳化硅器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”榜單。森國(guó)科憑借卓越的技術(shù)實(shí)力與市場(chǎng)表現(xiàn),與業(yè)內(nèi)其他九家杰出企業(yè)一同登臺(tái),獲此重要殊榮。
2025-12-16 11:18:46
285 瑞能半導(dǎo)體憑借在碳化硅功率器件領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新實(shí)力,再度榮獲由半導(dǎo)體行業(yè)知名媒體研究機(jī)構(gòu)【行家說(shuō)三代半】主辦的【2025行家極光獎(jiǎng)】的“年度中國(guó)碳化硅器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”稱(chēng)號(hào)。
2025-12-15 15:35:11
220 為沙子提取的高純度二氧化硅,經(jīng)化學(xué)氣相沉積(CVD)等工藝提純至“11個(gè)9”(99.999999999%)。 挑戰(zhàn):雜質(zhì)控制要求極高,微小顆粒即可導(dǎo)致芯片失效。 單晶硅錠生長(zhǎng) 直拉法(CZ法):將多晶硅熔化后,通過(guò)旋轉(zhuǎn)提拉單晶籽晶形成圓柱形硅錠(直徑
2025-11-17 11:50:20
326 近年來(lái),基于寬禁帶材料的器件技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅器件的實(shí)際工程應(yīng)用,受到了越來(lái)越廣泛的關(guān)注。相較傳統(tǒng)的硅基器件,碳化硅MOSFET具有較小的導(dǎo)通電阻以及很快的開(kāi)關(guān)速度,與硅IGBT相比,導(dǎo)通損耗
2025-11-05 08:22:00
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問(wèn)題猶如 “數(shù)字孤島”,制約著企業(yè)向高效、智能的運(yùn)營(yíng)模式跨越。而RFID(無(wú)線射頻識(shí)別)系統(tǒng)憑借 “非接觸式識(shí)別”“多標(biāo)簽同時(shí)讀取”“全生命周期數(shù)據(jù)記錄” 的核心優(yōu)勢(shì),正成為打通企業(yè)全鏈路數(shù)據(jù)、破解轉(zhuǎn)型難題的關(guān)鍵技術(shù)抓手,為制
2025-10-22 09:46:54
251 微測(cè)輻射熱計(jì)(Microbolometer)是一種基于MEMS工藝制造的非制冷型紅外傳感器,通過(guò)探測(cè)物體輻射的紅外線實(shí)現(xiàn)溫度測(cè)量與熱成像。其核心原理是利用熱敏材料(如氧化釩、多晶硅)的電阻隨溫度變化的特性,將紅外輻射能轉(zhuǎn)換為電信號(hào),最終形成熱圖像。
2025-10-22 09:11:56
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! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)! 傾
2025-10-18 21:22:45
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日前,國(guó)家發(fā)展改革委第31批新認(rèn)定國(guó)家企業(yè)技術(shù)中心完成授牌,四方光電股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“四方光電”)憑借在智能氣體傳感器和高端科學(xué)儀器領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新實(shí)力正式獲授牌。
2025-10-13 17:51:56
1187 業(yè)內(nèi)頂尖研究院所、頭部企業(yè)及產(chǎn)業(yè)鏈代表,聚焦“半導(dǎo)體光電技術(shù)、高功率激光應(yīng)用與智能制造技術(shù)、光通信技術(shù)、硅基光電子技術(shù)”四大核心議題,會(huì)議旨在搭建國(guó)際化的技術(shù)交流
2025-10-12 10:03:31
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相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 擁有更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于高開(kāi)關(guān)頻率場(chǎng)合時(shí)其開(kāi)關(guān)損耗隨著開(kāi)關(guān)頻率的增加亦快速增長(zhǎng)。 為進(jìn)一步提升碳化硅
2025-10-11 15:32:03
37 )、數(shù)據(jù)中心和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施日益增長(zhǎng)的需求。相比傳統(tǒng)的硅器件,碳化硅技術(shù)更具優(yōu)勢(shì),尤其是在功率轉(zhuǎn)換效率和熱敏感性方面。碳化硅對(duì)電子、電力行業(yè)的整體影響可帶來(lái)更強(qiáng)的盈利能力和可持續(xù)性。 來(lái)自?xún)杉倚袠I(yè)領(lǐng)先半導(dǎo)體
2025-10-02 17:25:00
1518 、EcoGaN?氮化鎵系列、硅基功率器件(含二極管、MOSFET、IGBT)以及豐富的應(yīng)用案例,憑借卓越的技術(shù)參數(shù)、創(chuàng)新的封裝設(shè)計(jì)和廣泛的應(yīng)用適配能力,引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。電子發(fā)燒友網(wǎng)作為受邀行業(yè)媒體,現(xiàn)場(chǎng)參觀走訪ROHM的展臺(tái),與技術(shù)人員深入交流。以下是記者了解的展示產(chǎn)品梳理。 碳化硅(SiC)模塊
2025-09-29 14:35:18
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替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介層,并最晚在2027年廣泛應(yīng)用。 ? 碳化硅過(guò)去的主力市場(chǎng)是功率器件,但功率器件市場(chǎng)需求增速存在瓶頸,從6英寸到8英寸的進(jìn)程花費(fèi)時(shí)間較長(zhǎng),除了技術(shù)原因之外,市場(chǎng)需求也是其中的關(guān)鍵。 ? 6英寸碳化硅襯底只能滿(mǎn)足兩副
2025-09-26 09:13:55
6423 再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色,二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來(lái)源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場(chǎng)景等方面。以下是具體分析:定義與來(lái)源差異普通晶圓:指全新生產(chǎn)的硅基材料,由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55
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天然沙子里富含二氧化硅(SiO?),人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅,以此制造集成電路。單晶硅對(duì)純度要求極高,需達(dá)到99.9999999%(即9個(gè)9)以上,且硅原子需按照金剛石結(jié)構(gòu)排列形成晶核。當(dāng)晶核的晶面取向一致時(shí),就能形成單晶硅;若晶面取向不同,則會(huì)形成多晶硅(Polysilicon)。
2025-09-17 16:13:57
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大家好呀!今天我們來(lái)聊聊一個(gè)非常實(shí)用的話題——如何在智多晶FPGA上使用MIPI接口。不管是做攝像頭圖像采集還是屏幕顯示控制,MIPI都是非常常見(jiàn)的接口標(biāo)準(zhǔn)。掌握了它,你的視頻項(xiàng)目開(kāi)發(fā)效率將大大提升!
2025-09-11 09:37:25
897 全球碳化硅 (SiC) 技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司(美國(guó)紐約證券交易所上市代碼:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產(chǎn)品開(kāi)啟大規(guī)模商用。這一重要里程碑標(biāo)志著 Wolfspeed 加速行業(yè)從硅向碳化硅轉(zhuǎn)型的使命邁出關(guān)鍵一步。
2025-09-11 09:12:54
1414 近日,在深圳(福田)會(huì)展中心舉辦的ELEXCON 2025深圳國(guó)際電子展,吸引了全球400多家頂尖技術(shù)企業(yè)齊聚一堂,共同呈現(xiàn)全球電子產(chǎn)業(yè)的最新動(dòng)態(tài)與未來(lái)技術(shù)走向。在這場(chǎng)科技盛宴中,智多晶憑借其出色的產(chǎn)品品質(zhì)與創(chuàng)新能力,成為展會(huì)焦點(diǎn),吸引了眾多專(zhuān)業(yè)觀眾駐足交流。
2025-09-02 15:12:25
973 今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽(yáng)能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)充電器和電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
2025-08-29 14:38:01
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碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過(guò)300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等產(chǎn)業(yè)的升級(jí)。
2025-08-27 16:17:43
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能力和7A的漏極電流承受能力,采用SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))制造,提供可靠的開(kāi)關(guān)性能。其導(dǎo)通電阻為770mΩ @ VGS=10V,適用于各種需要高電壓
2025-08-27 14:43:06
極耐壓能力和7A的漏極電流能力,適合在嚴(yán)苛的高電壓環(huán)境中使用。其基于SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))制造,具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為750mΩ @
2025-08-27 14:01:53
和11A的漏極電流能力,專(zhuān)為高電壓、高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。它采用SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))制造,具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為370mΩ @ VGS=10
2025-08-27 11:13:21
的漏極-源極耐壓能力和高達(dá)5A的漏極電流承載能力。其基于SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))技術(shù)制造,具有穩(wěn)定的性能和較高的開(kāi)關(guān)效率。適用于需要高耐壓和可靠性的
2025-08-27 10:44:37
系統(tǒng)自帶的應(yīng)用市場(chǎng)中無(wú)法下載企業(yè)微信,卓易通中的無(wú)法用微信登錄,使用不了
2025-08-26 15:43:56
,正逐漸取代硅(Si)器件,在工業(yè)自動(dòng)化、電力電子、能源轉(zhuǎn)換等多領(lǐng)域中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。本文將深入分析碳化硅器件在工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、主要應(yīng)用場(chǎng)景及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì),幫助讀者全面了解SiC在工業(yè)領(lǐng)域的巨大潛力。
2025-08-25 14:10:30
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工程師朋友們注意啦!今天要給大家安利一項(xiàng)FPGA領(lǐng)域的黑科技——西安智多晶微電子推出的LLCR(LVDS Local Clock Receiving)技術(shù),使用本地PLL產(chǎn)生高速時(shí)鐘,通過(guò)相位跟蹤,對(duì)接收的LVDS信號(hào)進(jìn)行實(shí)時(shí)跟蹤,實(shí)現(xiàn)LVDS數(shù)據(jù)接收。
2025-08-25 09:17:21
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在 AI 基建中,碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性,成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸” 矛盾的核心材料。從數(shù)據(jù)中心的電源系統(tǒng)到邊緣 AI 設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行,派恩杰第四代碳化硅正深度滲透到 AI 基建的全鏈條。
2025-08-18 15:56:31
1137 為了滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)SerDes日益增漲和多樣化的要求。智多晶SerDes IP推出了2.0版本的升級(jí),本次升級(jí)相比1.0版本主要帶來(lái)了以下的變化。
2025-08-16 15:32:40
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持續(xù)高溫,電網(wǎng)負(fù)荷屢創(chuàng)新高。設(shè)備過(guò)熱引發(fā)故障風(fēng)險(xiǎn)激增,如何準(zhǔn)確防控?本文聚焦實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)技術(shù)如何破解高溫巡檢難題。
2025-08-12 14:20:22
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Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,專(zhuān)為嚴(yán)苛的汽車(chē)環(huán)境設(shè)計(jì)。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET,可在 185°C 下持續(xù)工作,助力動(dòng)力總成系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最大性能。
2025-08-11 16:54:23
2327 在圖像與視頻處理領(lǐng)域,靈活、高效、低延遲的解決方案一直是行業(yè)追求的目標(biāo)。西安智多晶微電子有限公司推出的AXI視頻通訊DEMO方案,基于智多晶SA5Z-30-D1-8U213C FPGA器件,通過(guò)
2025-08-07 13:57:53
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電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()硅無(wú)光束肖特基二極管 - 成對(duì)和四成對(duì)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有硅無(wú)光束肖特基二極管 - 成對(duì)和四成對(duì)的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,硅無(wú)光束肖特基二極管
2025-07-14 18:33:30

硼摻雜氧化硅(SiO?:B)層;背面:N?O等離子體處理的n型多晶硅(poly-Si(n));單步共退火同步形成雙面結(jié)構(gòu),消除BSG清洗步驟。美能PL/EL一體機(jī)
2025-07-14 09:03:21
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在芯片的納米世界中,多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡(jiǎn)稱(chēng)Poly-Si) 。這種由無(wú)數(shù)微小硅晶粒組成的材料,憑借其可調(diào)的電學(xué)性能與卓越的工藝兼容性,成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的“多面手”。
2025-07-08 09:48:11
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為何化工企業(yè)偏愛(ài)GUTOR UPS?
2025-07-03 14:33:08
近日,“2025智多晶FPGA技術(shù)研討會(huì)”在武漢成功舉辦。本次交流會(huì)以“智繪新篇 晶質(zhì)領(lǐng)航”為主題,智多晶專(zhuān)業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)在會(huì)上揭曉了公司匠心打造的多款FPGA芯片新產(chǎn)品、多項(xiàng)新應(yīng)用方案。
2025-07-01 18:21:07
2533 TOPCon技術(shù)通過(guò)超薄SiO?和磷摻雜多晶硅(n?-poly-Si)層實(shí)現(xiàn)載流子選擇性傳輸,理論效率可達(dá)28.7%。然而,poly-Si層厚度存在矛盾:過(guò)厚層(>100nm)增加寄生吸收損失,過(guò)薄層(
2025-06-27 09:02:15
2880 
氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
2025-06-24 09:15:23
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隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)技術(shù)作為當(dāng)前太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的核心技術(shù)之一,憑借其優(yōu)異的背面鈍化性能,在工業(yè)生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)了廣泛應(yīng)用。然而,多晶硅薄膜材料固有的窄帶隙和高吸收系數(shù)特性,導(dǎo)致其在
2025-06-23 09:03:08
940 
碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC功率器件以其高效率、高溫耐受性
2025-06-18 17:24:24
1466 在FPGA設(shè)計(jì)中,PLL(鎖相環(huán))模塊作為核心時(shí)鐘管理單元,通過(guò)靈活的倍頻、分頻和相位調(diào)整功能,為系統(tǒng)提供多路高精度時(shí)鐘信號(hào)。它不僅解決了時(shí)序同步問(wèn)題,還能有效消除時(shí)鐘偏移,提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。本文將深入探討智多晶PLL在實(shí)際應(yīng)用中的關(guān)鍵注意事項(xiàng),幫助工程師規(guī)避常見(jiàn)設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)。
2025-06-13 16:37:44
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SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30
911 在 AI 賦能工程設(shè)計(jì)的時(shí)代浪潮中,智多晶率先邁出關(guān)鍵一步——智多晶正式宣布旗下 FPGA 設(shè)計(jì)工具 HqFpga 接入 DeepSeek 大模型,并推出 FPGA 設(shè)計(jì)專(zhuān)屬 AI 助手——晶小助!這是 FPGA 領(lǐng)域首次引入大模型 AI 助手,為 FPGA 工程師提供前所未有的智能交互體驗(yàn)。
2025-06-06 17:06:39
1283 VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅(SiO2)涂層上的使用。對(duì)于系統(tǒng)的參數(shù),我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀(VASE)概述。I.
2025-06-05 08:46:36
半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料,其表面性質(zhì)對(duì)器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),通過(guò)在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅(SiO?)層,顯著改善了硅材料的電學(xué)、化學(xué)和物理
2025-05-30 11:09:30
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源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率,自對(duì)準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝能夠同時(shí)減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻,降低接觸電阻,并縮短與柵相關(guān)的RC延遲。另外,它避免了
2025-05-28 17:30:04
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圖1.多晶硅太陽(yáng)能電池的顯微鏡光學(xué)圖像。在此圖像上可以觀察到大塊的熔融和凝固的硅。 可再生能源,例如太陽(yáng)能,預(yù)計(jì)將在不久的將來(lái)發(fā)揮重要作用。為了將太陽(yáng)光的能量直接轉(zhuǎn)化為電能,硅太陽(yáng)能電池(晶體或多晶
2025-05-26 08:28:41
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本文是作者2024年“第十八屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)”演講稿第二部分,第一部分請(qǐng)見(jiàn)《英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述(一)》。英飛凌SiC技術(shù)創(chuàng)新到豐富產(chǎn)品的四大支柱SiC
2025-05-19 17:32:02
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直拉硅單晶生長(zhǎng)的過(guò)程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長(zhǎng)為固態(tài)的單晶硅的過(guò)程,沒(méi)有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高,幾乎不會(huì)導(dǎo)電,沒(méi)有市場(chǎng)應(yīng)用價(jià)值,因此通過(guò)人為的摻雜進(jìn)行雜質(zhì)引入,我們可以改變、控制硅單晶的電阻率。
2025-05-09 13:58:54
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eSPI總線具有低功耗、管腳數(shù)量少、高效的數(shù)據(jù)傳輸?shù)葍?yōu)點(diǎn),常用于與EC、BMC、SIO等外設(shè)的通信,是PC中CPU與這些外設(shè)通信的主流協(xié)議。智多晶eSPI_Slave IP符合eSPI標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,支持相關(guān)協(xié)議屬性。
2025-05-08 16:44:56
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源互補(bǔ),能量永續(xù) 1.太陽(yáng)能板(光伏組件) 核心作用:將光能轉(zhuǎn)化為電能,是主要供能單元。 主流配置:材質(zhì):多晶硅 / 單晶硅(轉(zhuǎn)換效率 18%-22%,單晶硅更高),表面覆蓋低鐵超白鋼化玻璃(透光率>91.5%),抗沖擊強(qiáng)度達(dá) 24mm 冰雹
2025-04-28 09:57:28
1740 FIFO_Generator是智多晶設(shè)計(jì)的一款通用型FIFO IP。當(dāng)前發(fā)布的FIFO_Generator IP是2.0版本,相比之前的1.1版本主要新增了非等比輸入輸出數(shù)據(jù)位寬支持和異步FIFO跨時(shí)鐘級(jí)數(shù)配置功能。
2025-04-25 17:24:24
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隨著電力電子設(shè)備向高壓、高頻、高溫環(huán)境快速演進(jìn),傳統(tǒng)硅基整流橋已難以滿(mǎn)足嚴(yán)苛的性能需求。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率器件供應(yīng)商,廣東佳訊電子有限責(zé)任公司憑借自主研發(fā)的碳化硅整流橋與碳化硅軟橋技術(shù),成功突破材料與工藝瓶頸,為工業(yè)電源、新能源、航空航天等領(lǐng)域提供高效可靠的解決方案。
2025-04-24 17:07:19
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在芯片制造這一復(fù)雜且精妙的領(lǐng)域中,氮化硅(SiNx)占據(jù)著極為重要的地位,絕大多數(shù)芯片的生產(chǎn)都離不開(kāi)它的參與。從其構(gòu)成來(lái)看,氮化硅屬于無(wú)機(jī)化合物,由硅元素與氮元素共同組成。這種看似普通的元素組合,卻蘊(yùn)含著諸多獨(dú)特的性質(zhì),在芯片制造流程里發(fā)揮著不可替代的作用 。
2025-04-22 15:23:33
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在FPGA設(shè)計(jì)領(lǐng)域,西安智多晶微電子有限公司推出的LPC_Controller IP正逐漸嶄露頭角,為工程師們提供了強(qiáng)大的工具,助力他們?cè)跀?shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域大展身手。今天,就讓我們一同揭開(kāi)LPC_Controller IP的神秘面紗,探尋其獨(dú)特魅力。
2025-04-18 11:52:44
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本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來(lái)源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
2025-04-15 10:27:43
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:導(dǎo)熱硅脂會(huì)導(dǎo)電嗎?A5: 普通硅脂/陶瓷硅脂:絕緣不導(dǎo)電,可安全使用。 含金屬硅脂:銀/銅粉可能導(dǎo)電,需確保硅脂僅覆蓋芯片表面,切勿接觸電路引腳。
四、使用小貼士1. 清潔舊硅脂:用酒精和無(wú)絨布
2025-04-14 14:58:20
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開(kāi)介紹,重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材料性能的影響,幫助讀者深入理解硅材料在先進(jìn)微納制造中的應(yīng)用與工藝演進(jìn)路徑。
2025-04-09 16:19:53
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多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡(jiǎn)稱(chēng)Poly)是由無(wú)數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅(如硅襯底)不同,多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間,晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:45
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在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊作為當(dāng)前市場(chǎng)上
2025-04-02 10:59:41
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本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:24
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今年,隨著《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(2024年本)》的推行,光伏行業(yè)在水資源管理方面迎來(lái)了更加明確且嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn):多晶硅項(xiàng)目的水重復(fù)利用率需不低于98%,新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目的水耗低于360噸/MWp且再生水使用率高于40%。
2025-03-21 11:08:56
840 在數(shù)字信號(hào)處理領(lǐng)域,F(xiàn)IR 濾波器憑借其穩(wěn)定性強(qiáng)、線性相位等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用于各類(lèi)信號(hào)處理場(chǎng)景。今天,就帶大家深入解讀西安智多晶微電子有限公司推出的FIR IP。
2025-03-20 17:08:01
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鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù),該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉(zhuǎn)機(jī)械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固,最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來(lái),為提升多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率,通過(guò)控制模具中熔體凝固過(guò)程的溫度,創(chuàng)造定向散熱條件,從而獲得定向柱狀晶組織。
2025-03-13 14:41:12
1126 碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),隨著國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)、成本及供應(yīng)鏈都日趨完善,國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅在
2025-03-13 11:12:48
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功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來(lái)趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)
2025-03-13 00:27:37
767 不同材料的刻蝕速率比,達(dá)到?>5:1?甚至更高的選擇比標(biāo)準(zhǔn)?。 一、核心價(jià)值與定義 l?精準(zhǔn)材料去除? 高選擇性蝕刻通過(guò)調(diào)整反應(yīng)條件,使目標(biāo)材料(如多晶硅、氮化硅)的刻蝕速率遠(yuǎn)高于掩膜或底層材料(如氧化硅、光刻膠),實(shí)現(xiàn)
2025-03-12 17:02:49
809 電力電子器件高度依賴(lài)于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅
2025-03-12 11:31:09
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中國(guó)碳化硅襯底材料從受制于人到實(shí)現(xiàn)自主突破的歷程,以及由此對(duì)國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的啟示,可以歸納為以下幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn):? 一、從壟斷到突破:中國(guó)碳化硅材料的逆襲之路 CREE(Wolfspeed
2025-03-05 07:27:05
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隨著全球能源需求的增長(zhǎng),開(kāi)發(fā)高效率太陽(yáng)能電池變得尤為重要。本文旨在開(kāi)發(fā)一種成本效益高且可擴(kuò)展的制備工藝,用于制造具有前側(cè)SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙面TOPCon太陽(yáng)能電池,并通過(guò)優(yōu)化工藝實(shí)現(xiàn)
2025-03-03 09:02:29
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硅片,作為制造硅半導(dǎo)體電路的基礎(chǔ),源自高純度的硅材料。這一過(guò)程中,多晶硅被熔融并摻入特定的硅晶體種子,隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶硅棒。經(jīng)過(guò)精細(xì)的研磨、拋光及切片步驟,這些硅棒被轉(zhuǎn)化為硅片,業(yè)界通常稱(chēng)之為晶圓,其中8英寸和12英寸規(guī)格在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)線中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2025-03-01 14:34:51
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在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢(shì)中,驅(qū)動(dòng)隔離供電方案的性能與成本成為關(guān)鍵制約因素?;景雽?dǎo)體的 BTP1521P 和 BTP1521F 通過(guò)技術(shù)整合與設(shè)計(jì)創(chuàng)新,完美適配SiC器件的需求,成為推動(dòng)硅基向碳化硅升級(jí)的核心驅(qū)動(dòng)方案。
2025-03-01 10:16:09
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隨著B(niǎo)ASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶(hù)已經(jīng)開(kāi)始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶(hù)從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
2025-03-01 08:53:44
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器件能力的企業(yè)之所以面臨被淘汰的風(fēng)險(xiǎn),主要源于以下多維度原因: ? ? 1. 碳化硅二極管技術(shù)門(mén)檻低導(dǎo)致市場(chǎng)同質(zhì)化與價(jià)格戰(zhàn) 碳化硅二極管(如肖特基二極管)技術(shù)相對(duì)成熟,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,進(jìn)入門(mén)檻較低。國(guó)內(nèi)眾多企業(yè)涌入這一領(lǐng)域,導(dǎo)致產(chǎn)能過(guò)剩
2025-02-28 10:34:31
752 n-TOPCon太陽(yáng)能電池因其獨(dú)特的超薄二氧化硅(SiOx)層和n+多晶硅(poly-Si)層而受到關(guān)注,這種設(shè)計(jì)有助于實(shí)現(xiàn)低復(fù)合電流密度(J0)和降低接觸電阻(ρc)。激光增強(qiáng)接觸優(yōu)化(LECO
2025-02-26 09:02:58
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隨著全球能源需求的快速增長(zhǎng)和對(duì)可再生能源的重視,電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過(guò)程中,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)越的性能,正在逐步取代傳統(tǒng)硅(Si
2025-02-25 13:50:11
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設(shè)計(jì)?:硅脂(底層)+ 硅膠片(中層)+ 金屬均熱板(上層)l ?邊緣補(bǔ)強(qiáng)?:大面積硅膠片四周用高導(dǎo)熱系數(shù)硅脂填充 經(jīng)濟(jì)性?xún)?yōu)化:l 高價(jià)值設(shè)備 → 選用相變硅脂(使用壽命延長(zhǎng)50%)l 批量生產(chǎn) → 定制
2025-02-24 14:38:13
器件設(shè)計(jì)公司正在加速被市場(chǎng)拋棄:碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司出現(xiàn)倒閉潮,這是是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果。結(jié)合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務(wù)動(dòng)態(tài),可從以下維度分析這一趨勢(shì): 1. 技術(shù)壁壘與產(chǎn)能競(jìng)賽:頭部企業(yè)構(gòu)建護(hù)城河 技術(shù)門(mén)檻高企 :碳化硅
2025-02-24 14:04:38
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:碳化硅的比剛度是傳統(tǒng)玻璃的4倍,相同口徑下重量?jī)H為四分之一,適合航天器減重需求。2.熱穩(wěn)定性:導(dǎo)熱系數(shù)比玻璃高兩個(gè)數(shù)量級(jí),溫控難度大幅降低,適應(yīng)太空極端溫差環(huán)境
2025-02-22 14:40:37
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本文作者:Brandon Becker,安森美(onsemi)電源解決方案事業(yè)部 (PSG) 營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理 電力電子器件高度依賴(lài)于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT
2025-02-22 13:55:37
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本文介紹了單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì),它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來(lái)的顯著益處之一,便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場(chǎng)的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:05
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本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖,gate就是柵極,柵極由最開(kāi)始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
2025-02-08 11:22:46
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,如何實(shí)現(xiàn)高效又經(jīng)濟(jì)的生產(chǎn)? 多晶金剛石散熱片的制備工藝 哈爾濱工業(yè)大學(xué)團(tuán)隊(duì)采用 MPCVD技術(shù),在真空環(huán)境中通過(guò)微波激發(fā)氣體(氫氣、甲烷、氮?dú)猓屘荚釉?b class="flag-6" style="color: red">硅襯底上“生長(zhǎng)”成金剛石。 關(guān)鍵突破: 甲烷濃度:降低甲烷比例(從
2025-02-07 10:47:44
1892 引言
碳化硅(SiC)外延晶片因其卓越的物理和化學(xué)特性,在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。在SiC外延晶片的制備過(guò)程中,硅面貼膜是一道關(guān)鍵步驟,用于保護(hù)外延層免受機(jī)械損傷和污染。然而
2025-02-07 09:55:37
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可以看出, SiH4提供的是Si源,N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應(yīng)溫度較高,氫原子往往從氮化硅薄膜中去除,因此反應(yīng)物中氫的含量較低。氮化硅中主要由硅和氮元素組成。而PECVD反應(yīng)
2025-02-07 09:44:14
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Poly-SEs技術(shù)通過(guò)在電池的正面和背面形成具有選擇性的多晶硅層,有效降低了電池的寄生吸收和接觸電阻,同時(shí)提供了優(yōu)異的電流收集能力。在n型TOPCon太陽(yáng)能電池中,Poly-SEs的應(yīng)用尤為重要
2025-02-06 13:59:42
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多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱(chēng);而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。
2025-02-05 13:49:12
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VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅(SiO2)涂層上的使用。對(duì)于系統(tǒng)的參數(shù),我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀(VASE)概述。I.
2025-02-05 09:35:38
最后一期我們主要介紹智多晶DDR Controller使用時(shí)的注意事項(xiàng)。
2025-01-24 11:14:14
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、高強(qiáng)度和高耐磨性。它由硅和碳原子以1:1的比例組成,形成一種穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)賦予了它許多獨(dú)特的性質(zhì),其中最引人注目的是其耐高溫能力。 2. 耐高溫性能 碳化硅的耐高溫性能主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 2.1 高熔點(diǎn) 碳化
2025-01-24 09:15:48
3084 在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,材料的選擇對(duì)于器件的性能至關(guān)重要。硅(Si)作為最常用的半導(dǎo)體材料,已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而,隨著電子器件對(duì)性能要求的不斷提高,碳化硅(SiC)作為一種新型半導(dǎo)體材料
2025-01-23 17:13:03
2589 碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì): 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:35
2663 上時(shí),光子與半導(dǎo)體材料中的電子相互作用,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),這些電子和空穴在電場(chǎng)的作用下定向移動(dòng),從而形成電流。 ? ?光伏電池的主要材料是硅,根據(jù)硅材料的不同,可分為單晶硅、多晶硅和非晶硅光伏電池。單晶硅光伏電池具有
2025-01-23 14:22:00
1141 本期主要介紹智多晶DDR Controller的常見(jiàn)應(yīng)用領(lǐng)域、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、各模塊功能、配置界面、配置參數(shù)等內(nèi)容。
2025-01-23 10:29:54
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過(guò)去一年中,智多晶人攜手拼搏、攻堅(jiān)克難,共同促進(jìn)產(chǎn)品升級(jí)推廣。在合作伙伴和業(yè)界同仁們的關(guān)注與支持中,我們?cè)诟鼜V闊的舞臺(tái)上展示智多晶的FPGA技術(shù)。這一年,智多晶的業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)了良好增長(zhǎng),
2025-01-21 17:15:43
1152 模擬的關(guān)鍵部件是來(lái)自參考文獻(xiàn)[1]的線性錐形硅波導(dǎo)(160 nm至500 nm寬度變化超過(guò)100 um長(zhǎng)度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波導(dǎo)中(注意:使用的尺寸減小了(1.5 umx1.5
2025-01-08 08:51:53
評(píng)論