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標(biāo)簽 > 封裝技術(shù)
所謂“封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例,實(shí)際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內(nèi)核的大小和面貌,而是CPU內(nèi)核等元件經(jīng)過(guò)封裝后的產(chǎn)品。
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將一個(gè)請(qǐng)求封裝為一個(gè)對(duì)象,從而讓我們可用不同的請(qǐng)求對(duì)客戶進(jìn)行參數(shù)化;
2023-06-07 標(biāo)簽:封裝技術(shù) 716 0
半導(dǎo)體封裝已從傳統(tǒng)的 1D PCB 設(shè)計(jì)發(fā)展到晶圓級(jí)的尖端 3D 混合鍵合。這一進(jìn)步允許互連間距在個(gè)位數(shù)微米范圍內(nèi),帶寬高達(dá) 1000 GB/s,同時(shí)保...
先進(jìn)封裝技術(shù)如何助力實(shí)現(xiàn)工業(yè)4.0?
工業(yè) 4.0 工廠幾乎在每個(gè)制造過(guò)程中都將電子控制和監(jiān)控與有線或無(wú)線連接相結(jié)合。在多數(shù)情況下,需要將電子模塊安裝到狹小空間內(nèi),而這些空間最初并非出于容納...
隨著人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用的快速發(fā)展,對(duì)計(jì)算能力的需求不斷增加。傳統(tǒng)的2D芯片設(shè)計(jì)方法在滿足這些性能需求方面已達(dá)到極限。使用2.5D硅中介層和3D封裝技...
隨著電子封裝技術(shù)的發(fā)展,表面貼片技術(shù)和元件封裝技術(shù)迅速發(fā)展。貼片元件的封裝種類達(dá)萬(wàn)種以上,貼片機(jī)通過(guò)光學(xué)視覺(jué)系統(tǒng)對(duì)貼片元件進(jìn)行識(shí)別和檢測(cè)與對(duì)中。根據(jù)封裝...
氮化鎵的市場(chǎng)在哪些領(lǐng)域?封裝技術(shù)是怎樣的?
氮化鎵(GaN)作為一種寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、導(dǎo)熱系數(shù)高、開(kāi)關(guān)頻率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。 其中,高開(kāi)關(guān)頻率意味著應(yīng)用電路...
全面剖析倒裝芯片封裝技術(shù)的內(nèi)在機(jī)制、特性優(yōu)勢(shì)、面臨的挑戰(zhàn)及未來(lái)走向
半導(dǎo)體技術(shù)的日新月異,正引領(lǐng)著集成電路封裝工藝的不斷革新與進(jìn)步。其中,倒裝芯片(Flip Chip)封裝技術(shù)作為一種前沿的封裝工藝,正逐漸占據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)...
封裝技術(shù)開(kāi)發(fā)要點(diǎn):不同模型下的瞬態(tài)響應(yīng)分析
在封裝開(kāi)發(fā)中,如何正確使用數(shù)據(jù)表的熱特性參數(shù)以做出設(shè)計(jì)決策經(jīng)常存在一定的誤區(qū)。之前我們討論了穩(wěn)態(tài)數(shù)據(jù)和瞬態(tài)數(shù)據(jù)的解讀與多輸入瞬態(tài)模型,今天我們將繼續(xù)分析...
2023-05-08 標(biāo)簽:仿真器封裝技術(shù)瞬態(tài)響應(yīng) 669 0
將一個(gè)或多個(gè)IC芯片用適宜的材料封裝起來(lái),并使芯片的焊區(qū)與.封裝的外引腳用引線鍵合(WB)、載帶自動(dòng)鍵合(TAB)和倒裝芯片鍵合(FCB)連接起來(lái),使之...
華為麒麟9905G的芯片面積約113平方毫米,片12英寸硅片上大約可生產(chǎn)600顆芯片。每顆芯片上大約集成了103億只晶體管。
2023-10-10 標(biāo)簽:芯片芯片設(shè)計(jì)封裝技術(shù) 644 0
先進(jìn)封裝Chiplet的優(yōu)缺點(diǎn)
先進(jìn)封裝是對(duì)應(yīng)于先進(jìn)圓晶制程而衍生出來(lái)的概念,一般指將不同系統(tǒng)集成到同一封裝內(nèi)以實(shí)現(xiàn)更高效系統(tǒng)效率的封裝技術(shù)。
半導(dǎo)體激光器陣列的應(yīng)用已基本覆蓋了整個(gè)光電子領(lǐng)域,成為當(dāng)今光電子科學(xué)的重要技術(shù)。本文介紹了半導(dǎo)體激光器陣列的發(fā)展及其應(yīng)用,著重闡述了半導(dǎo)體激光器陣列的封...
3D硅堆疊和先進(jìn)封裝技術(shù)之3DFabric
Fab 6 是臺(tái)積電首個(gè)一體式先進(jìn)封裝測(cè)試工廠,是臺(tái)積電不斷增加的封裝投資的一部分。該晶圓廠已準(zhǔn)備好量產(chǎn)臺(tái)積電 SoIC 封裝技術(shù)。請(qǐng)記住,當(dāng)臺(tái)積電說(shuō)量...
將一個(gè)或多個(gè)IC芯片用適宜的材料封裝起來(lái),并使芯片的焊區(qū)與封裝的外引腳用引線鍵合(WB)、載帶自動(dòng)鍵合(TAB)和倒裝芯片鍵合(FCB)連接起來(lái),使之成...
Vishay突破性封裝技術(shù)DFN3820A的優(yōu)勢(shì)
隨著自動(dòng)駕駛技術(shù)的興起,汽車配備的系統(tǒng)越來(lái)越復(fù)雜,所需的電子組件也轉(zhuǎn)向要求極致的小型化及穩(wěn)定高效的性能,在此條件下,封裝技術(shù)扮演著關(guān)鍵角色。
現(xiàn)代電力電子正面臨著提高效率,同時(shí)減小系統(tǒng)尺寸和成本的巨大需求,適用于廣泛的領(lǐng)域,包括電動(dòng)汽車、可再生能源、工業(yè)電機(jī)和發(fā)電機(jī)以及配電網(wǎng)應(yīng)用。為了跟上這種...
隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng),光儲(chǔ)充一體化市場(chǎng)為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢(shì)引領(lǐng)下,碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)...
高端性能封裝主要以追求最優(yōu)化計(jì)算性能為目的,其結(jié)構(gòu)主要以 UHD FO、2.5D 和 3D 先進(jìn)封裝為 主。在上述封裝結(jié)構(gòu)中,決定封裝形式的主要因素為 ...
多芯片封裝在現(xiàn)代半導(dǎo)體領(lǐng)域至關(guān)重要,主要分為平面多芯片封裝和多芯片堆疊封裝。多芯片堆疊封裝又細(xì)分為多芯片3D堆疊引線鍵合封裝、3D堆疊引線鍵合和倒裝異質(zhì)...
射頻系統(tǒng)先進(jìn)封裝技術(shù)研究進(jìn)展
通信、雷達(dá)和微波測(cè)量等領(lǐng)域電子信息裝備迅速發(fā)展, 對(duì)射頻系統(tǒng)提出了微型化、集成化和多樣化等迫切需求。先進(jìn)封裝技術(shù)可以將不同材料、不同工藝和不同功能的器件...
2025-05-21 標(biāo)簽:封裝技術(shù)射頻系統(tǒng)先進(jìn)封裝 580 0
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