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標(biāo)簽 > 晶體
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隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和性能要求的日益提高,應(yīng)變工程半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)在現(xiàn)代電子器件中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。準(zhǔn)確表征這些復(fù)雜結(jié)構(gòu)中的晶體缺陷對于理解材料性能...
晶體的定義與特性晶體是一種在自然界中廣泛存在的物質(zhì)形態(tài),它由原子、分子或離子按照一定的規(guī)律在三維空間中周期性重復(fù)排列形成。這種有序的排列方式賦予了晶體獨(dú)...
微管是SiC晶體中極為有害的缺陷,哪怕數(shù)量極少,也會(huì)對SiC器件的性能產(chǎn)生毀滅性打擊。在傳統(tǒng)物理氣相傳輸法(PVT)生長SiC單晶時(shí),微管極易形成,并且...
愛普生FC1610BN晶體在健康監(jiān)測手環(huán)的應(yīng)用
隨著人們對健康管理重視程度的不斷提升,健康監(jiān)測手環(huán)以其便捷性和實(shí)用性,成為眾多用戶實(shí)時(shí)掌握自身健康狀況的重要設(shè)備。從心率監(jiān)測、睡眠分析到運(yùn)動(dòng)數(shù)據(jù)記錄,每...
SiC的物理特性決定了其生長難度。在常壓環(huán)境下,SiC并無熔點(diǎn),一旦溫度攀升至2000℃以上,便會(huì)直接發(fā)生氣化分解現(xiàn)象。從理論層面預(yù)測,只有在壓強(qiáng)高達(dá)1...
解析PPLN晶體在量子技術(shù)加速商業(yè)化的關(guān)鍵作用(二):產(chǎn)品應(yīng)用
非線性晶體,尤其是PPLN晶體,以其優(yōu)異的性能在量子技術(shù)領(lǐng)域扮演著重要角色?,F(xiàn)在,讓我們轉(zhuǎn)向?qū)嶋H應(yīng)用,看看這些科研單位和公司是如何利用PPLN晶體的,并...
解析PPLN晶體在量子技術(shù)快速商業(yè)化的關(guān)鍵作用(一):應(yīng)用技術(shù)
量子技術(shù),曾經(jīng)似乎是僅存在于科幻小說中的天方夜譚,但如今逐漸深入到我們的日常中改善我們的生活。而在前端的科研領(lǐng)域,量子技術(shù)同樣令人興奮,影響也將越來越顯...
2025-02-10 標(biāo)簽:晶體量子技術(shù)量子系統(tǒng) 401 0
常用日系1.6*1.0*0.5mm尺寸的32.768kHz晶體介紹
32.768kHz晶體有什么用呢?32.768kHz是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的頻率,32.768kHz的時(shí)鐘晶振產(chǎn)生的振蕩信號經(jīng)過石英鐘內(nèi)部分頻器進(jìn)行15次分頻后得到...
全面解析電子背散射衍射技術(shù):原理、應(yīng)用與未來趨勢
EBSD技術(shù)概述電子背散射衍射(EBSD)是一種尖端的材料分析技術(shù),它依托于高能電子與材料表面晶體結(jié)構(gòu)的交互作用,通過捕捉和解析由此產(chǎn)生的背散射電子的衍...
微觀結(jié)構(gòu)的重要性在材料科學(xué)領(lǐng)域,組織結(jié)構(gòu)是指構(gòu)成材料的微觀結(jié)構(gòu),這些結(jié)構(gòu)包括但不限于晶粒的大小、形狀、分布以及晶粒的取向等。這些微觀特征直接影響材料的宏...
在電子制造領(lǐng)域,錫須是一種常見的物理現(xiàn)象,表現(xiàn)為在錫質(zhì)表面自發(fā)生長的細(xì)長晶體。這些晶體類似于晶須,能在多種金屬表面形成,但以錫、鎘、鋅等金屬最為常見。錫...
電子背散射衍射晶體學(xué)織構(gòu)分析與數(shù)據(jù)處理
晶體的取向,即晶體坐標(biāo)系(CCS)相對于樣品坐標(biāo)系(SCS)的定位,對于理解材料的物理和化學(xué)性質(zhì)具有決定性的作用。晶體取向不僅影響材料的力學(xué)性能,如強(qiáng)度...
2025-01-07 標(biāo)簽:晶體材料數(shù)據(jù)處理 688 0
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