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標(biāo)簽 > MOSFET
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號處理的場合上,也有越來越多模擬信號處理的集成電路可以用MOSFET來實現(xiàn)。
AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET,專為高功率應(yīng)用能效優(yōu)化而生
日前,集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商 Alpha and Omega Semiconductor Limited(...
電源管理芯片是在電子設(shè)備系統(tǒng)中擔(dān)負(fù)起對電能的變換、分配、檢測及其他電能管理的職責(zé)的芯片.主要負(fù)責(zé)識別CPU供電幅值,產(chǎn)生相應(yīng)的短矩波,推動后級電路進(jìn)行功率輸出。
2025-04-29 標(biāo)簽:MOSFET電子設(shè)備調(diào)制技術(shù) 822 0
LM74610-Q1 0.48V 至 42V、零 IQ 汽車?yán)硐攵O管控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74610-Q1 是一款控制器器件,可與 N 溝道 MOSFET 配合使用。 反極性保護(hù)電路。它旨在驅(qū)動外部 MOSFET 以模擬 與電源串聯(lián)時的理...
LM74670-Q1 具有 70uA 柵極驅(qū)動的 0.48V 至 42V、零 IQ 汽車類理想二極管整流器控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74670-Q1 是一款控制器器件,可與交流發(fā)電機全橋或半橋整流器架構(gòu)中的 N 溝道 MOSFET 一起使用。它旨在驅(qū)動外部 MOSFET 以模擬理...
TPS22925 具有輸出放電的 3.6V、3A、9.2mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22925 產(chǎn)品系列由四個器件組成:TPS22925B、TPS22925BN、TPS22925C、 和 TPS22925CN。每個器件都是一個具有...
TPS22918 具有可調(diào)上升時間和可調(diào)輸出放電的 5.5V、2A、52mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22918 是一款單通道負(fù)載開關(guān),具有可配置的上升時間和可配置的快速輸出放電。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 1 V 至 5.5 V...
2025-05-10 標(biāo)簽:MOSFET封裝負(fù)載開關(guān) 169 0
TPS22975 具有可調(diào)上升時間、可選輸出放電和熱關(guān)斷功能的 5.7V、6A、16mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22975 產(chǎn)品系列由兩個器件組成:TPS22975 和 TPS22975N。每個器件都是一個單通道負(fù)載開關(guān),可提供可配置的上升時間,以最大限度地...
2025-05-10 標(biāo)簽:MOSFET電阻器負(fù)載開關(guān) 135 0
TPS22990 5.5V、10A、3.9mΩ 負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時間、電源正常和可選輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22990 產(chǎn)品系列由兩個器件組成:TPS22990 和 TPS22990N。每個器件都是一個 3.9mΩ 單通道負(fù)載開關(guān),具有受控和可調(diào)導(dǎo)通功能...
TPS22918-Q1 1 通道、5.5V、2A、52mΩ 汽車負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時間和可調(diào)輸出放電功能數(shù)據(jù)手冊
TPS22918-Q1 是一款單通道負(fù)載開關(guān),具有可配置的上升時間和可配置的快速輸出放電功能。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 1 V 至 ...
2025-05-10 標(biāo)簽:MOSFET封裝負(fù)載開關(guān) 132 0
TPS22976 2 通道、5.7V、6A、14mΩ 負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時間和可選輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22976 產(chǎn)品系列由三個器件組成:TPS22976、TPS22976A 和 TPS22976N。每個器件都是一個具有受控導(dǎo)通功能的雙通道負(fù)載開關(guān)...
2318AI N溝道增強型MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 13 0
60N02D N溝道增強型MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 16 0
3401MI P溝道增強型MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFETp溝道 30 0
TX4208 24W輸出升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器中文手冊立即下載
類別:IC中文資料 2025-04-16 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC轉(zhuǎn)換器 56 0
LT9435SQ N溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 75 0
Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200 V碳化硅MOSFET
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級碳化硅(SiC) MOSFET,其RDS(on)值分別...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 260 0
圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430
圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、D...
近日,基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升,封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 206 0
龍騰半導(dǎo)體榮膺陜西省半導(dǎo)體協(xié)會20周年突出貢獻(xiàn)單位
此前,4月27日至28日,2025西部半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇暨陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會成立20周年大會在西安盛大召開,龍騰半導(dǎo)體受邀參會。
AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET,專為高功率應(yīng)用能效優(yōu)化而生
日前,集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商 Alpha and Omega Semiconductor Limited(...
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET...
AI人工智能崛起:高性能MOSFET如何重塑能效架構(gòu)
本文將聚焦AI對數(shù)據(jù)中心架構(gòu)的影響,以及這些變化對服務(wù)器和機架技術(shù)的意義。具體而言,我們將探討轉(zhuǎn)向48V架構(gòu)如何提升數(shù)據(jù)中心能效,以及高性能硅基MOSF...
新潔能Gen.4超結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹
超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計,在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū),形成“超級結(jié)”單元,通過電荷補償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高壓器件,其核...
2025-05-06 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體新潔能 212 0
SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動電壓的限制源于柵氧可靠性與器件性能之間的權(quán)衡
碳化硅(SiC)MOSFET的Vgs正負(fù)驅(qū)動電壓限制的根本原因源于其柵氧化層(通常為SiO?)的電場耐受能力和界面特性,需在柵氧可靠性與器件性能之間進(jìn)行...
基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢
BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech...
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