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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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UCC27425-Q1 具有反相/同相輸入的汽車類 4A/4A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC2742x-Q1 系列器件是高速雙通道 MOSFET 驅(qū)動器,能夠向容性負(fù)載提供較大的峰值電流。提供兩種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng):雙反相和雙同相驅(qū)動器。它們采...
UCC27423-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 4A/4A 雙通道柵極驅(qū)動器,帶反相輸入數(shù)據(jù)手冊
UCC27423 和 UCC27424 高速 MOSFET 驅(qū)動器可在 電容負(fù)載。提供兩種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng) – 雙反相和雙同相 司機(jī)。UCC27424熱增強(qiáng)...
UCC27321-Q1 具有反相輸入和分離輸出的汽車類 9A/9A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC2732x-Q1 系列高速驅(qū)動器采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局,可提供 9A 的峰值驅(qū)動電流。這些驅(qū)動器可以驅(qū)動大型 MOSFET,適用于由于高 dV/dt...
LM5112-Q1系列 具有 4V UVLO 和專用輸入接地的汽車類 7A/3A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5112 器件 MOSFET 柵極驅(qū)動器采用微型 6 引腳 WSON 封裝(相當(dāng)于 SOT-23 封裝)或 8 引腳裸露焊盤 MSOP 封裝,可提供...
SM72295 具有集成電流感應(yīng)放大器的 3A、100V 全橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
SM72295 設(shè)計(jì)用于在全橋中驅(qū)動 4 個分立的 N 型 MOSFET 配置。驅(qū)動器提供 3A 峰值電流,可實(shí)現(xiàn)快速高效的開關(guān)和集成 高速自舉二極管。...
2025-05-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制電路 300 0
UCC27322-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 9-A/9-A 單通道柵極驅(qū)動器,具有分離輸出和使能功能數(shù)據(jù)手冊
UCC27322 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局,可提供 9 A 的峰值驅(qū)動電流。這些驅(qū)動器可以驅(qū)動最大的 MOSFET,適用于由于高 dV/dt 轉(zhuǎn)換而需要極高...
SM74101 3-A/7-A 單通道柵極驅(qū)動器,帶輸入接地?cái)?shù)據(jù)手冊
SM74101 MOSFET 柵極驅(qū)動器在微型 WSON-6 中提供高峰值柵極驅(qū)動電流 封裝(相當(dāng)于 SOT23 的封裝),具有更高的高頻所需的功率耗散...
SM74104 具有 8V UVLO 和自適應(yīng)延遲的 1.8A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
SM74104 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) 采用同步降壓配置的側(cè)面 N 溝道 MOSFET。浮動高側(cè)驅(qū)動器是 能夠在高達(dá) 100V 的電源電壓...
2025-05-20 標(biāo)簽:電容器MOSFET電平轉(zhuǎn)換器 301 0
UCC27211 具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 4A、120V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27211 驅(qū)動器基于流行的 UCC27201 MOSFET 驅(qū)動器,但提供了幾項(xiàng)顯著的性能改進(jìn)。峰值輸出上拉和下拉電流已增加到 3.7A 拉電流...
UCC27524 具有 5V UVLO、使能和 1ns 延遲匹配的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27524 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動器器件,能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。該 UCC27524 增加了直接在輸...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 475 0
TPS28225-Q1 具有 4V UVLO 的汽車類 4A、27V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS28225-Q1 是一款高速驅(qū)動器,適用于具有自適應(yīng)死區(qū)時間控制的 N 溝道互補(bǔ)驅(qū)動功率 MOSFET。該驅(qū)動器經(jīng)過優(yōu)化,適用于各種大電流、單相和...
LM5114系列 具有 4V UVLO 和分離輸出的 7.6A/1.3A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5114 設(shè)計(jì)用于驅(qū)動升壓型配置中的低側(cè) MOSFET 或驅(qū)動 隔離拓?fù)渲械拇渭壨?MOSFET。具有強(qiáng)大的灌電流能力, LM5114 可以并聯(lián)驅(qū)...
UCC27517 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動器,具有 5V UVLO 和 13ns prop 延遲,采用 SOT-23 封裝數(shù)據(jù)手冊
UCC27516 和 UCC27517 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以 有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 411 0
UCC27526 具有 5V UVLO、使能和雙 TTL 輸入的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC2752x 系列器件是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件,能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 電源開關(guān)。UCC2752x 采用一種從本質(zhì)上就將...
UCC27519 具有 5V UVLO、使能和 CMOS 輸入的 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27518 和 UCC27519 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以 有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 320 0
LM5134系列 具有 4V UVLO 和互補(bǔ)導(dǎo)頻輸出的 7.6A/4.5A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5134 是一款能夠吸收和拉出 7.6A 電流的高速單通道低側(cè)驅(qū)動器 和 4.5A 峰值電流。LM5134 具有反相和同相輸入,可為用戶提供 在控制...
UCC27516 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動器,采用 SON 封裝數(shù)據(jù)手冊
UCC27516 和 UCC27517 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以 有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 325 0
UCC27523 具有 5V UVLO、反相輸入和使能功能的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC2752x 系列器件是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件,能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 電源開關(guān)。UCC2752x 采用一種從本質(zhì)上就將...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 266 0
UCC27525 具有 5V UVLO、使能和反相/同相輸入的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC2752x 系列器件是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件,能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 電源開關(guān)。UCC2752x 采用一種從本質(zhì)上就將...
UCC27512 采用 SON 封裝的具有 5V UVLO 和分離輸出的 4A/8A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27511 和 UCC27512 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以 有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 244 0
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