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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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ISO5452 5.7kVrms,2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,帶分割輸出數(shù)據(jù)手冊(cè)
ISO5452 是一款 5.7kV RMS 增強(qiáng)型隔離式柵驅(qū)動(dòng)器,適用于具有分離輸出、OUTH 和 OUTL 的 IGBT 和 MOSFET,可提供 2...
LM5109B-Q1 具有 8V UVLO 和高抗噪能力的汽車類 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5109B-Q1 是一款高性價(jià)比的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng) 高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET,采用同步降壓或半橋配置。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá)...
UCC27211A-Q1 具有 8V UVLO 和負(fù)電壓處理能力的汽車類 4A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27211A-Q1 器件驅(qū)動(dòng)器基于流行的 UCC27201 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器;但是,該設(shè)備提供了幾項(xiàng)重要的性能改進(jìn)。 峰值輸出上拉和下拉...
2025-05-19 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器整流二極管 266 0
ISO5451-Q1 具有主動(dòng)保護(hù)功能的汽車級(jí) 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
ISO5451-Q1 的電壓為 5.7kV ~RMS~ ,用于 IGBT 和 MOSFET 的增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 2.5A 拉電流和 5A 灌...
ISO5452-Q1 汽車5.7kVrms 2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
ISO5452-Q1 的電壓為 5.7 kV ~RMS~ ,用于 IGBT 和 MOSFET 的增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有分離輸出 OUTH 和 OU...
溝道有效遷移率(μeff)是CMOS器件性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)測(cè)量方法在高k介質(zhì)、漏電介質(zhì)與高速應(yīng)用中易出現(xiàn)誤差。本文介紹了UFSP(Ultra-Fast...
ISO5852S-Q1 汽車5.7kVrms 2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
ISO5852S-Q1 器件的電壓為 5.7kV ~RMS~ ,用于 IGBT 和 MOSFET 的增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有分離輸出 OUTH 和 ...
UCC21521 5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21521 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和...
UCC20520 5.7-kVrms, 4-A/6-A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC20520 是一款隔離式單輸入、雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IG...
ISO5852S-EP 5.7kVrms,2.5A/5A 增強(qiáng)型 1 通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
ISO5852S-EP 器件的電壓為 5.7kV ~RMS~ 、增強(qiáng)型隔離柵極 用于具有分離輸出、OUTH 和 OUTL 的 IGBT 和 MOSFET...
LM5113-Q1系列 用于 GaNFET 的汽車級(jí) 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5113-Q1 旨在以同步降壓、升壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)汽車應(yīng)用中的高壓側(cè)和低壓側(cè)增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET 或硅 MOSFET。該器件具有集成的 ...
LMG1205 適用于GaNFET和MOSFET的1.2A、5A、90V、具有 5V UVLO 的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
該 LMG1205 設(shè)計(jì)用于在同步降壓、升壓或半橋配置中驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè)增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件具有集成的 100V 自舉二極管以及用...
UCC27524A1-Q1 具有 5V UVLO 和負(fù)輸入電壓處理能力的汽車類 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27524A1-Q1 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。UCC27524A1-Q1...
UCC5320 3k/5kVrms、2A/2A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,UVLO 以 GND 或分離輸出為基準(zhǔn)數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC53x0 是單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器系列,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。...
UCC27212 具有 5V UVLO 和負(fù)電壓處理能力的 4A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2是一款由Texas Instruments(TI)生產(chǎn)的V、3.7A/.A半橋驅(qū)動(dòng)器,具有5V欠壓鎖定(UVLO)功能。該驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)N溝...
2025-05-19 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器UVLO 295 0
UCC27212A-Q1 具有 5V UVLO 的汽車級(jí) 4A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27212A-Q1 器件驅(qū)動(dòng)器基于流行的 UCC27211 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。此外,UCC27212A-Q1 提供高達(dá) 5V 的擴(kuò)展工作范圍,...
2025-05-19 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器額定電壓 269 0
UCC27712 帶互鎖的 1.8-A/2.8-A、620V 半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27712 是一款 620V 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 1.8A 拉電流和 2.8A 灌電流,旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 或 IGBT。 ...
UCC5390 3kVrms/5kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC53x0 是單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器系列,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。...
UCC27712-Q1 具有互鎖功能的汽車級(jí) 1.8A/2.8A、620V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27712-Q1 是一款 620V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 1.8A 拉電流和 2.8A 灌電流,旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 或 IGBT...
UCC21520-Q1 具有雙輸入、禁用、死區(qū)時(shí)間的汽車類 4A、6A、5.7kVRMS 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21520-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、I...
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