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標(biāo)簽 > TSV
TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通過(guò)硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,目前被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)最先進(jìn)的技術(shù)之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進(jìn)展。
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硅通孔(TSV)技術(shù)借助硅晶圓內(nèi)部的垂直金屬通孔,達(dá)成芯片間的直接電互連。相較于傳統(tǒng)引線鍵合等互連方案,TSV 技術(shù)的核心優(yōu)勢(shì)在于顯著縮短互連路徑(較引...
硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技術(shù)是一種通過(guò)在硅介質(zhì)層中制作垂直導(dǎo)通孔并填充導(dǎo)電材料來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片間垂直互連的先進(jìn)封裝技術(shù)。
TSV和TGV產(chǎn)品在切割上的不同難點(diǎn)
技術(shù)區(qū)別TSV硅通孔(ThroughSiliconVia),指連接硅晶圓兩面并與硅襯底和其他通孔絕緣的電互連結(jié)構(gòu)。硅中介層有TSV的集成是最常見(jiàn)的一種2...
在三維集成電路設(shè)計(jì)中,TSV(硅通孔)技術(shù)通過(guò)垂直互連顯著提升了系統(tǒng)集成密度與性能,但其物理尺寸效應(yīng)與寄生參數(shù)對(duì)互連特性的影響已成為設(shè)計(jì)優(yōu)化的核心挑戰(zhàn)。
構(gòu)建適用于三維集成系統(tǒng)的互連線長(zhǎng)分布模型
在三維集成電路設(shè)計(jì)中,TSV技術(shù)通過(guò)垂直互連顯著優(yōu)化了互連線長(zhǎng)分布特性。基于倫特定律的經(jīng)典分析框架,可構(gòu)建適用于三維集成系統(tǒng)的互連線長(zhǎng)分布模型。
在 MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))中,銅(Cu)因優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)和機(jī)械性能,成為一種重要的金屬材料,廣泛應(yīng)用于電極、互連、結(jié)構(gòu)層等關(guān)鍵部件。
2025-08-12 標(biāo)簽:mems微機(jī)電系統(tǒng)TSV 496 0
聊聊倒裝芯片凸點(diǎn)(Bump)制作的發(fā)展史
凸點(diǎn)(Bump)是倒裝芯片的“神經(jīng)末梢”,其從金凸點(diǎn)到Cu-Cu鍵合的演變,推動(dòng)了芯片從平面互連向3D集成的跨越。未來(lái),隨著間距縮小至亞微米級(jí)、材料與工...
本文主要講述TSV工藝中的硅晶圓減薄與銅平坦化。 硅晶圓減薄與銅平坦化作為 TSV 三維集成技術(shù)的核心環(huán)節(jié),主要應(yīng)用于含銅 TSV 互連的減薄芯片制造流...
TSV技術(shù)的關(guān)鍵工藝和應(yīng)用領(lǐng)域
2.5D/3D封裝技術(shù)作為當(dāng)前前沿的先進(jìn)封裝工藝,實(shí)現(xiàn)方案豐富多樣,會(huì)根據(jù)不同應(yīng)用需求和技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)調(diào)整,涵蓋芯片減薄、芯片鍵合、引線鍵合、倒裝鍵合、T...
類別:測(cè)試測(cè)量論文 2017-11-22 標(biāo)簽:TSVCAN-WAS 1.4k 0
根據(jù)TONTI圖將離散幾何法應(yīng)用TSV力場(chǎng)耦合問(wèn)題立即下載
類別:電力論文網(wǎng) 2017-10-28 標(biāo)簽:TSV 1.4k 0
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-12-07 標(biāo)簽:TSV硅通孔3D封裝 2.7k 0
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-12-07 標(biāo)簽:3DTSV硅通孔 1.8k 0
日月光最新推出FOCoS-Bridge TSV技術(shù)
日月光半導(dǎo)體最新推出FOCoS-Bridge TSV技術(shù),利用硅通孔提供更短供電路徑,實(shí)現(xiàn)更高 I/O 密度與更好散熱性能,滿足AI/HPC對(duì)高帶寬與高...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)TSV(Through Silicon Via)即硅通孔技術(shù),是通過(guò)在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通,實(shí)現(xiàn)芯片...
正式投產(chǎn)!天成先進(jìn)12英寸晶圓級(jí)TSV立體集成生產(chǎn)線
來(lái)源:天成先進(jìn) 2024年12月30日,天成先進(jìn)12英寸晶圓級(jí)TSV立體集成生產(chǎn)線正式投產(chǎn)! 本次投產(chǎn)聚焦三大類型,共計(jì)六款產(chǎn)品,產(chǎn)品基于天成先進(jìn)“九重...
TSV 三維封裝技術(shù)特點(diǎn)鮮明、性能好、前景廣闊, 是未來(lái)發(fā)展方向,但是 TSV 堆疊芯片這種結(jié)構(gòu)和工 藝復(fù)雜性的提高,為三維封裝的可靠性控制帶來(lái)了 挑戰(zhàn)...
先進(jìn)封裝中互連工藝凸塊、RDL、TSV、混合鍵合的新進(jìn)展
談一談先進(jìn)封裝中的互連工藝,包括凸塊、RDL、TSV、混合鍵合,有哪些新進(jìn)展?可以說(shuō),互連工藝是先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在市場(chǎng)需求的推動(dòng)下,傳統(tǒng)封裝不斷...
2024-11-21 標(biāo)簽:SiP半導(dǎo)體封裝TSV 4k 0
天成先進(jìn)發(fā)布“九重”先進(jìn)封裝技術(shù)平臺(tái),12英寸晶圓級(jí)TSV立體集成生產(chǎn)線通線
“方寸無(wú)垠 恒然天成 ”。在科技的廣袤星空中,先進(jìn)封裝如一顆璀璨的新星,散發(fā)著獨(dú)特而迷人的光芒。2.5D/3D TSV 技術(shù)就像是一位神奇的建筑師,在微...
共讀好書(shū) 周曉陽(yáng) (安靠封裝測(cè)試上海有限公司) 摘要: 微電子技術(shù)的不斷進(jìn)步使得電子信息系統(tǒng)朝著多功能化、小型化與低成本的方向全面發(fā)展。其中封裝工藝正扮...
開(kāi)啟高性能芯片新紀(jì)元:TSV與TGV技術(shù)解析
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的二維平面集成方式已經(jīng)逐漸接近其物理極限。為了滿足日益增長(zhǎng)的性能需求,同時(shí)克服二維集成的瓶頸,三維集成技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。其中,...
TSV 制程關(guān)鍵工藝設(shè)備技術(shù)及發(fā)展
共讀好書(shū) 魏紅軍 段晉勝 (中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所) 摘要: 論述了 TSV 技術(shù)發(fā)展面臨的設(shè)備問(wèn)題,并重點(diǎn)介紹了深硅刻蝕、 CVD/PVD 沉...
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