碳化硅功率器件市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 繼續(xù)其在碳化硅功率器件向主流功率應(yīng)用的推廣。與硅功率器件相比,科銳先進(jìn)的碳化硅技術(shù)可降低系統(tǒng)成本、提高可靠性,并為能源效率建立新的標(biāo)準(zhǔn)??其J公司最新推出的1200V Z-Rec? 碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品均采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-252 D-Pak表面貼裝封裝,提供額定電流分別為2A,5A,8A 和 10A的表面貼裝器件??其J公司是目前世界上首家提供使用D-Pak表面貼裝封裝的可應(yīng)用于全范圍額定電流的商用1200V碳化硅肖特基二極管制造商。如太陽能微型逆變器等系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在能擁有更多的選擇來研發(fā)出更小、更輕以及成本更低的電源轉(zhuǎn)換電路。新型表面貼裝器件以更小的 PCB 尺寸和面積,并具備與科銳 TO-220 肖特基二極管相同的性能。
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科銳副總裁兼功率和射頻 (RF) 產(chǎn)品研發(fā)部門總經(jīng)理 Cengiz Balkas 指出:“這些新型碳化硅肖特基二極管表面貼裝器件能夠以更小的尺寸和更低的板載實(shí)現(xiàn)包括零反向恢復(fù)損耗、不受溫度影響的開關(guān)、在更高頻率下工作并能夠支持低電磁干擾(EMI)信號(hào)、以及更高的浪涌額定值和電子雪崩性能等優(yōu)點(diǎn)。額定電流為2A的新型器件充分發(fā)揮碳化硅材料本身的優(yōu)勢(shì),非常適合于較低功率的應(yīng)用,能夠提供最佳的性能及成本選擇。此外,具有相同尺寸和節(jié)約成本的8A 和 10A 器件則適用于更高功率的應(yīng)用中。”
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Balkas 進(jìn)一步指出:“在高效功率電子系統(tǒng)中使用碳化硅功率器件,能夠具有以更少的器件數(shù)量實(shí)現(xiàn)更高的額定電流和額定電壓等顯著設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)。通過減少器件數(shù)量,設(shè)計(jì)人員能夠降低整體系統(tǒng)成本的同時(shí),提高整體系統(tǒng)可靠性和實(shí)現(xiàn)最高效率。在全碳化硅設(shè)計(jì)中配合科銳最新系列1200V碳化硅MOSFET使用時(shí),這些肖特基二極管使得高功率電子系統(tǒng)成為可能,其開關(guān)頻率較傳統(tǒng)以硅為材料的解決方案可高出5倍至8倍。在更高的開關(guān)頻率下可使用較小磁性和電容性的元件,從而可以縮減系統(tǒng)體積、降低重量和成本。”
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科銳C4D02120E系列肖特基二極管的額定電流/電壓為2A/1200V;C4D05120E系列肖特基二極管的額定電流/ 電壓為5A/1200V;C4D08120E系列肖特基二極管的額定電流/電壓為8A/1200V;C4D10120E系列肖特基二極管的額定電流為10A/1200V。所有C4DXX120E器件的工作結(jié)溫為-55°C 至 +175°C。
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科銳C4DXX120E表面貼裝肖特基二極管已經(jīng)發(fā)布并完全具備生產(chǎn)使用資格。欲了解器件的供貨情況,敬請(qǐng)與科銳聯(lián)系。
科銳推出新型碳化硅肖特基二極管
- 二極管(177146)
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897肖特基二極管在開關(guān)電源中的作用
肖特基二極管是一種由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘層為基礎(chǔ)制成的二極管,也可稱為肖特基勢(shì)壘二極管,屬于金屬半導(dǎo)體結(jié)型二極管。作為一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件,其主要特點(diǎn)是正向?qū)▔航敌?、反向恢?fù)時(shí)間短和開關(guān)損耗小,因此廣泛應(yīng)用在變頻器、開關(guān)電源、模塊電源、驅(qū)動(dòng)電路等場(chǎng)合。
2025-05-06 17:45:47
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SiC二極管和SiC MOSFET的優(yōu)勢(shì)
和高溫環(huán)境的電子器件中。SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET(絕緣柵雙極晶體管)便是其典型代表。本文將探討這兩種器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。
2025-04-17 16:20:38
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997PI超快速Q(mào)speed H系列二極管可替代碳化硅元件
PI的超快速Q(mào)speed H系列二極管現(xiàn)可達(dá)到650V以及高達(dá)30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復(fù)電荷(Qrr)。它們是碳化硅(SiC)二極管的理想替代品,可提供與其相當(dāng)?shù)男屎碗妷航殿~性能,同時(shí)具有硅二極管的價(jià)格優(yōu)勢(shì)和供應(yīng)保證。
2025-03-27 13:46:55
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SiC MOSFET與肖特基勢(shì)壘二極管的完美結(jié)合,提升電力轉(zhuǎn)換性能
使用反向并聯(lián)的肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進(jìn)展。SiC
2025-03-20 11:16:59
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輸出二極管選?。上螺d)
的封裝首先我們的清楚二極管的類型有一下幾種1、普通二極管2、快恢復(fù)二極管3、超快恢復(fù)二極管4、肖特基二極管優(yōu)缺點(diǎn):1、普通二極管的特性都是單一導(dǎo)通,是一個(gè)用 P
2025-03-04 14:02:49
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0SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過了 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行等特性,正向電壓具有
2025-02-28 18:21:04
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SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
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SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 通過 AEC-Q101 認(rèn)證 TO-220-2 封裝 超快速開關(guān) 零反向恢復(fù)電流 高頻運(yùn)行 正向
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SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 通過 AEC-Q101 認(rèn)證 超快速開關(guān) TO-252-2 封裝 零反向恢復(fù)電流 高頻運(yùn)行 正向電壓具有正溫度系數(shù) 高浪涌電
2025-02-28 17:12:48
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SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象
器件能力的企業(yè)之所以面臨被淘汰的風(fēng)險(xiǎn),主要源于以下多維度原因: ? ? 1. 碳化硅二極管技術(shù)門檻低導(dǎo)致市場(chǎng)同質(zhì)化與價(jià)格戰(zhàn) 碳化硅二極管(如肖特基二極管)技術(shù)相對(duì)成熟,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,進(jìn)入門檻較低。國內(nèi)眾多企業(yè)涌入這一領(lǐng)域,導(dǎo)致產(chǎn)能過剩
2025-02-28 10:34:31
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752SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 通過 AEC-Q101 認(rèn)證 超快速開關(guān) TO-263-2 封裝 零反向恢復(fù)電流 高頻運(yùn)行 正向電壓具有正溫度系
2025-02-27 18:25:13
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SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
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SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
/DC轉(zhuǎn)換器等,滿足多種電子設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換需求。 *附件:SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn) 超快開關(guān)速度
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SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS測(cè)試等特性。 *附件:SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
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Vishay推出多款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管,提升高頻應(yīng)用效率
40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V,QC僅為56 nC 威世科技宣布,推出16款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅(SiC)肖特基
2025-02-27 12:49:35
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SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS測(cè)試等特性。 *附件:SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性
2025-02-26 18:01:16
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SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS測(cè)試等特性。 *附件:SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性
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SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、全隔離封裝便于直接散熱以及 100% UIS 測(cè)試等特性。 *附件:SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 符合
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SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
的電源轉(zhuǎn)換需求。 *附件:SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn) 超快開關(guān)速度 零反向恢復(fù)電流
2025-02-26 17:07:13
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SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn) 超快開關(guān)速度 零反向恢復(fù)電流 適用于高頻
2025-02-26 16:54:52
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SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
:SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 超快開關(guān)速度 零反向恢復(fù)電流 適用于高頻操作 正向電壓
2025-02-25 18:13:42
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SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
:SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn) 超快開關(guān)速度 零反向恢復(fù)電流 適用于高頻操作
2025-02-25 17:44:07
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SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特點(diǎn) 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn) 超快開關(guān)速度 零反向恢復(fù)電流 適用于高頻操作 正向電壓具有正
2025-02-25 17:03:23
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SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
轉(zhuǎn)換器。 碳化硅(SiC)屬于第三代半導(dǎo)體,派恩杰獨(dú)有的SiC 肖特基二極管結(jié)構(gòu)相比于傳統(tǒng)Si肖特基二極管具有更高的耐
2025-02-25 16:01:30
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SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。 碳化硅(SiC)屬于第三代半導(dǎo)體,派恩杰獨(dú)有的SiC 肖特基二極管結(jié)構(gòu)相比于傳統(tǒng)Si肖特基二極管具有
2025-02-25 15:44:15
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快恢復(fù)二極管與肖特基二極管的異同點(diǎn)解析
在電力電子和開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,快恢復(fù)二極管和肖特基二極管是兩類高頻應(yīng)用中的核心器件。盡管兩者均用于整流和開關(guān)場(chǎng)景,但其工作原理、性能特點(diǎn)及適用場(chǎng)景存在顯著差異。一、結(jié)構(gòu)差異快恢復(fù)二極管(FRD)結(jié)構(gòu)
2025-02-24 15:37:56
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PSC2065L碳化硅肖特基二極管在TO247 R2P應(yīng)用
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC2065L碳化硅肖特基二極管在TO247 R2P應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-14 15:21:32
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0PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 16:09:58
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0為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管
?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管 在科技政策與法規(guī)的推動(dòng)下,半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)深刻的變革。隨著對(duì)高效能、低能耗電子設(shè)備需求的不斷增長,BASiC基本公司
2025-02-06 11:51:05
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采用 MPS SiC 二極管最大程度地降低高頻開關(guān)模式電源的損耗
(Si) 二極管而言,這些開關(guān)損耗來自二極管關(guān)斷時(shí)二極管結(jié)內(nèi)存儲(chǔ)的電荷產(chǎn)生的反向恢復(fù)電流。要將這些損耗降到最低,通常需要一個(gè)具有更高平均正向電流的 Si 二極管,但這會(huì)導(dǎo)致更大的尺寸和更高的成本。 在 CCM PFC 電路中,碳化硅 (SiC) 二極管是更好的選擇,因其反向恢復(fù)電流本質(zhì)上只是
2025-01-26 22:27:00
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MBR40150CT肖特基二極管規(guī)格參數(shù)詳情
肖特基二極管(Schottky diode), 肖特基二極管的物理結(jié)構(gòu)基于金屬- N 型半導(dǎo)體結(jié),因而具有很低的正向壓降和極快的開關(guān)速度。
2025-01-24 15:54:44
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整流二極管與穩(wěn)壓二極管的區(qū)別
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,半導(dǎo)體二極管是不可或缺的基礎(chǔ)元件之一。它們以其獨(dú)特的單向?qū)щ娞匦?,在各種電路中發(fā)揮著重要作用。整流二極管和穩(wěn)壓二極管是兩種常見的二極管類型,它們雖然都屬于二極管家族,但在功能、結(jié)構(gòu)
2025-01-14 18:11:08
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評(píng)論