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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>CISSOID推出THEMIS和ATLAS碳化硅功率晶體管驅(qū)

CISSOID推出THEMIS和ATLAS碳化硅功率晶體管驅(qū)

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固態(tài)變壓器(SST)戰(zhàn)略藍(lán)圖與硬件重構(gòu):國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體的崛起之路

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在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)肖特基二極正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美(onsemi)的一款碳化硅肖特基二極——NDSH20120C - F155,深入探討它的特性、參數(shù)和應(yīng)用。
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2025-11-26 09:50:51557

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2025-11-24 09:00:23493

傾佳電子市場(chǎng)報(bào)告:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,分銷代理BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單,SiC碳化硅MOSFET功率模塊,SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽
2025-11-24 04:57:29242

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傾佳電子碳化硅MOSFET高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):核心原理與未來趨勢(shì)綜合技術(shù)評(píng)述

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2025-10-11 15:32:0337

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)、數(shù)據(jù)中心和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施日益增長(zhǎng)的需求。相比傳統(tǒng)的硅器件,碳化硅技術(shù)更具優(yōu)勢(shì),尤其是在功率轉(zhuǎn)換效率和熱敏感性方面。碳化硅對(duì)電子、電力行業(yè)的整體影響可帶來更強(qiáng)的盈利能力和可持續(xù)性。 來自兩家行業(yè)領(lǐng)先半導(dǎo)體
2025-10-02 17:25:001518

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替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介層,并最晚在2027年廣泛應(yīng)用。 ? 碳化硅過去的主力市場(chǎng)是功率器件,但功率器件市場(chǎng)需求增速存在瓶頸,從6英寸到8英寸的進(jìn)程花費(fèi)時(shí)間較長(zhǎng),除了技術(shù)原因之外,市場(chǎng)需求也是其中的關(guān)鍵。 ? 6英寸碳化硅襯底只能滿足兩副
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Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用

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SiC碳化硅功率半導(dǎo)體:電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的必然趨勢(shì)

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基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上,通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感,使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
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碳化硅功率器件的基本特性和主要類型

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的半導(dǎo)體材料,正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性,成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中不可或缺的重要組成部分。本文將探討碳化硅功率器件的性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域及未來發(fā)展趨勢(shì)。
2025-09-03 17:56:411427

數(shù)明半導(dǎo)體SiLM27531H柵極驅(qū)動(dòng)器在碳化硅器件中的應(yīng)用

碳化硅 MOSFET 憑借顯著的開關(guān)性能優(yōu)勢(shì),在許多大功率應(yīng)用中得到青睞。然而它的特性要求柵極驅(qū)動(dòng)電路有較高要求,以優(yōu)化碳化硅器件的開關(guān)性能。盡管碳化硅 MOSFET 并非難以驅(qū)動(dòng),但許多常見的驅(qū)動(dòng)器可能會(huì)導(dǎo)致開關(guān)性能下降。
2025-09-03 17:54:014441

碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽(yáng)能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
2025-08-29 14:38:016755

碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等產(chǎn)業(yè)的升級(jí)。
2025-08-27 16:17:431255

森國(guó)科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國(guó)科,推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級(jí)可靠性,為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154

Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級(jí)碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,專為嚴(yán)苛的汽車環(huán)境設(shè)計(jì)。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET,可在 185°C 下持續(xù)工作,助力動(dòng)力總成系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最大性能。
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【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的各向異性干擾問題

精確的測(cè)量技術(shù)支持。 引言 碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的物理化學(xué)性能,在高功率、高頻電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。晶圓總厚度變化(TTV
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基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
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碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性能
2025-07-15 15:00:19960

恩智浦推出全新1200 V、20 A碳化硅肖特基二極,助力工業(yè)電源應(yīng)用高效能量轉(zhuǎn)換

近日,知名半導(dǎo)體公司恩智浦(NXP)宣布推出兩款新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二極。這些新產(chǎn)品的推出旨在滿足日益增長(zhǎng)的工業(yè)電源應(yīng)用需求,特別是在超低功率損耗整流方面。這一創(chuàng)新不僅將
2025-07-15 09:58:39918

博世上海碳化硅功率半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室介紹

隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動(dòng)化、智能化轉(zhuǎn)型,碳化硅功率器件憑借其高效率、高功率密度和耐高溫特性,正成為下一代電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的核心技術(shù)。在此背景下,2025年1月,在上海正式設(shè)立碳化硅功率半導(dǎo)體研發(fā)與測(cè)試實(shí)驗(yàn)室,旨在面向本土市場(chǎng),提供領(lǐng)先的碳化硅產(chǎn)品研發(fā)、測(cè)試及驗(yàn)證能力,助力客戶高性能電驅(qū)產(chǎn)品落地。
2025-06-27 11:09:561064

EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
2025-06-25 09:13:14

基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC
2025-06-24 17:26:28492

SiC碳化硅MOSFET時(shí)代的驅(qū)動(dòng)供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

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2025-06-19 16:57:201227

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑

在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來了替代其市場(chǎng)份額的重大機(jī)遇。
2025-06-19 16:43:27782

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC功率器件以其高效率、高溫耐受性
2025-06-18 17:24:241466

碳化硅在多種應(yīng)用場(chǎng)景中的影響

對(duì)碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí),需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識(shí),幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)高效且可靠的解決方案。
2025-06-13 09:34:061290

碳化硅MOSFET全橋模塊在出口型高端逆變焊機(jī)中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)

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2025-06-09 17:22:53857

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)

傳統(tǒng)IGBT,成為高效節(jié)能解決方案的核心引擎。這場(chǎng)變革不僅意味著能效的躍升,更將重塑產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局。 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)
2025-06-09 07:07:17727

基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

亞非拉市場(chǎng)工商業(yè)儲(chǔ)能破局之道:基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代
2025-06-08 11:13:471096

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911

碳化硅功率器件在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

隨著全球汽車行業(yè)向電動(dòng)化、智能化和輕量化的快速轉(zhuǎn)型,碳化硅(SiC)功率器件以其優(yōu)越的性能,正日益成為汽車電子領(lǐng)域的重要組成部分。特別是在電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)的各類應(yīng)用中,SiC
2025-05-29 17:32:311082

全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起

從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)碳化硅崛起:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的范式突破與全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu) 一、Wolfspeed的隕落:技術(shù)霸權(quán)崩塌的深層邏輯 作為碳化硅(SiC)領(lǐng)域的先驅(qū),Wolfspeed
2025-05-21 09:49:401085

碳化硅芯片正在占領(lǐng)電動(dòng)汽車市場(chǎng)

在純電動(dòng)汽車的眾多電子系統(tǒng)中,功率電子設(shè)備是核心所在,而半導(dǎo)體在其能源管理中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,確保能源的高效使用。由碳化硅制成的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)更是能將電動(dòng)出行的效率提升到
2025-05-19 14:42:37895

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單,SiC
2025-05-18 14:52:081323

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC
2025-05-10 13:38:19860

基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡會(huì)展中心盛大開幕。基本半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動(dòng)解決方案盛裝亮相,并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:101116

34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)的推薦方案

34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)推薦方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅
2025-05-04 13:23:07838

基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

MOSFET單,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源,電力電子
2025-05-04 09:42:31740

基于國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

茜 微信&手機(jī):13266663313 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片
2025-05-03 10:45:12561

碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加,能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實(shí)現(xiàn)低碳經(jīng)濟(jì)的重要一環(huán)。碳化硅(SiC)功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能,正逐漸成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備的選擇,特別是在能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。本文將深入探討碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)。
2025-04-27 14:13:32899

寬帶隙WBG功率晶體管的性能測(cè)試與挑戰(zhàn)

功率電子技術(shù)的快速發(fā)展,得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步,尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比,這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導(dǎo)率和更快的開關(guān)速度。這些特性使得功率
2025-04-23 11:36:00780

碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討碳化硅功率器件的特點(diǎn)及其應(yīng)用現(xiàn)狀。
2025-04-21 17:55:031081

傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動(dòng)供電與米勒鉗位解決方案

SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動(dòng)供電與米勒鉗位解決方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅
2025-04-21 09:21:56868

碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢(shì)

在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢(shì)。
2025-04-09 18:02:041275

麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用

碳化硅(SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)速度以及更優(yōu)
2025-04-08 16:00:57

先進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體封裝:技術(shù)突破與行業(yè)變革

本文聚焦于先進(jìn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體封裝技術(shù),闡述其基本概念、關(guān)鍵技術(shù)、面臨挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢(shì)。碳化硅功率半導(dǎo)體憑借低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在移動(dòng)應(yīng)用功率密度提升的背景下
2025-04-08 11:40:331493

碳化硅VS硅基IGBT:誰才是功率半導(dǎo)體之王?

在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊作為當(dāng)前市場(chǎng)上
2025-04-02 10:59:415531

東升西降:從Wolfspeed危機(jī)看全球SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

Wolfspeed作為全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè),其股價(jià)暴跌(單日跌幅超50%)、財(cái)務(wù)困境與德國(guó)30億歐元項(xiàng)目擱淺危機(jī),折射出歐美與中國(guó)在SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈競(jìng)爭(zhēng)中
2025-03-31 18:03:08982

派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品

3月28日,在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會(huì)——汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)展覽會(huì)圓滿落幕,本次會(huì)上,派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品,吸引了新能源汽車、工業(yè)
2025-03-29 09:10:551741

比亞迪推出全新一代車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片

在3月17日的超級(jí)e平臺(tái)技術(shù)發(fā)布會(huì)上,比亞迪發(fā)布了劃時(shí)代超級(jí)e平臺(tái),推出閃充電池、3萬轉(zhuǎn)電機(jī)和全新一代車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片,核心三電全維升級(jí),搭配全球首個(gè)電動(dòng)車全域千伏架構(gòu),刷新多項(xiàng)全球之最。
2025-03-24 17:10:051601

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM31智能功率模塊(IPM)系列。
2025-03-19 14:31:281103

碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A

碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),隨著國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)、成本及供應(yīng)鏈都日趨完善,國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅
2025-03-13 11:12:481577

全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)
2025-03-13 00:27:37767

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
2025-03-12 11:31:09896

2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年

2025年被廣泛視為碳化硅(SiC)器件在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的元年,在于國(guó)產(chǎn)SiC(碳化硅)單和模塊價(jià)格首次低于進(jìn)口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)單管及模塊
2025-03-07 09:17:271316

博世碳化硅功率模塊生產(chǎn)基地落成

近日,博世汽車電子中國(guó)區(qū)(ME-CN)在蘇州五廠建成碳化硅(SiC)功率模塊生產(chǎn)基地,并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標(biāo)志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領(lǐng)域邁出了重要一步,也進(jìn)一步提升了本土市場(chǎng)的響應(yīng)速度,增強(qiáng)了博世智能出行集團(tuán)的競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-03-06 18:09:291113

SiC碳化硅二極公司成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

結(jié)合國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),SiC碳化硅二極公司已經(jīng)成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象,比如2024已經(jīng)有超過兩家SiC碳化硅二極公司破產(chǎn)清算,僅有碳化硅二極
2025-02-28 10:34:31752

碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)有哪些

隨著可再生能源的崛起和電動(dòng)汽車的普及,全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)域中嶄露頭角
2025-02-26 11:03:291399

碳化硅功率器件的特性和應(yīng)用

隨著全球能源需求的快速增長(zhǎng)和對(duì)可再生能源的重視,電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過程中,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)越的性能,正在逐步取代傳統(tǒng)硅(Si
2025-02-25 13:50:111606

國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

碳化硅行業(yè)觀察:國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來,碳化硅(SiC)功率器件市場(chǎng)雖高速增長(zhǎng),但行業(yè)集中度快速提升,2024年以來多家SiC器件設(shè)計(jì)公司接連倒閉,國(guó)內(nèi)碳化硅功率
2025-02-24 14:04:38933

Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析

本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?;谠?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案,重新
2025-02-19 11:35:411716

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅
2025-02-13 21:56:24913

碳化硅戶用工商業(yè)50kW光伏并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)方案

自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單全面取代IGBT單的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住6
2025-02-13 12:17:11731

BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件
2025-02-12 06:41:45947

5G電源應(yīng)用碳化硅B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET

碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC
2025-02-10 09:37:55745

高頻電鍍電源國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比

模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單全面取代IGBT單的必然趨勢(shì)! 傾
2025-02-09 20:17:291126

納微半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081231

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法介紹

碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 14:34:481658

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。
2025-02-05 13:49:121950

碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,碳化硅功率器件在高密度和高功率應(yīng)用中會(huì)
2025-02-03 14:22:001255

碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析碳化硅功率器件的封裝技術(shù),從封裝材料選擇、焊接技術(shù)、熱管理技術(shù)、電氣連接技術(shù)和封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等多個(gè)方面展開探討。
2025-02-03 14:21:001292

碳化硅的缺陷分析與解決方案

。 碳化硅的主要缺陷類型 微管缺陷 :微管是碳化硅晶體生長(zhǎng)過程中最常見的缺陷之一,它們會(huì)形成垂直于晶體生長(zhǎng)方向的空管,影響電子器件的電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率。 位錯(cuò)缺陷 :位錯(cuò)是晶體結(jié)構(gòu)中的線缺陷,它們會(huì)破壞晶體的周期性
2025-01-24 09:17:142515

碳化硅的耐高溫性能

、高強(qiáng)度和高耐磨性。它由硅和碳原子以1:1的比例組成,形成一種穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)。碳化硅晶體結(jié)構(gòu)賦予了它許多獨(dú)特的性質(zhì),其中最引人注目的是其耐高溫能力。 2. 耐高溫性能 碳化硅的耐高溫性能主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 2.1 高熔點(diǎn) 碳化
2025-01-24 09:15:483084

碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力、高擊穿電場(chǎng)和高飽和電子漂移速度等物理特性。這些特性使得碳化硅能夠承受高溫、高壓、高頻等苛刻環(huán)境,同時(shí)保持較高的電學(xué)性能。 二、碳化硅在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用 功率器件 : 碳化硅功率器件具
2025-01-23 17:09:352663

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅(SiC)是一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的材料,這些性質(zhì)使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導(dǎo)體行業(yè) 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。由于其寬帶隙特性,SiC基半導(dǎo)體器件能夠在
2025-01-23 17:06:132592

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28

產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

*附件:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40

安森美完成對(duì)Qorvo碳化硅JFET技術(shù)的收購(gòu)

安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)Qorvo碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。
2025-01-16 16:30:061082

碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢(shì)逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中,碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394

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