CISSOID，在高溫和高可靠性的半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，推出THEMIS和ATLAS，其功率晶體管驅(qū)動器芯片組可令電機(jī)驅(qū)動器和電源轉(zhuǎn)換器的效率更高。

　　THEMIS和ATLAS分別為控制器和晶體管的推挽功率驅(qū)動階段。 ATLAS系統(tǒng)擁有2個不同渠道,每個功率晶體管的柵極能夠承受2A電流，總4A的能力。對于需要更高的功率，該解決方案具有可擴(kuò)展性，每個THEMIS可控制多達(dá)5個ATLAS電路，高達(dá)20A的電流來驅(qū)動功率晶體管的柵，它通?？梢栽?0納秒內(nèi)開/關(guān)碳化硅晶體管。一整套內(nèi)置保護(hù)功能，如欠壓鎖定，退飽檢測，軟關(guān)斷和主動米勒箝位都包括在內(nèi)，促進(jìn)電氣設(shè)計，降低材料清單。

　　像所有CISSOID產(chǎn)品，THEMIS和ATLAS都是保證在高達(dá)225℃中其工作壽命都比市場上任何現(xiàn)有的方案長達(dá)十年以上。全賴此高可靠性，因此設(shè)計師可以將THEMIS 和ATLAS驅(qū)動放置在碳化硅芯片旁，減少寄生電感到幾個nH的，從而降低開關(guān)損耗，因為過渡越快。更低的開關(guān)損耗允許增加功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率，從而減少了被動元件的體積。

　　Pierre Delatte，首席技術(shù)官CISSOID強(qiáng)調(diào)：“碳化硅的主要好處是功率轉(zhuǎn)換器開關(guān)能夠運(yùn)行更快的過渡時間，和一個比傳統(tǒng)的硅IGBT較高的工作溫度。這兩個特點帶來更高電源效率和降低冷卻的需要。然而，限制是來自于推動碳化硅開關(guān)設(shè)備：

　　現(xiàn)有的解決方案過于復(fù)雜，而且必須分開放置,因為在超過150 ° C的溫度並可靠性會變差，即使SiC器件本身可承受更高的結(jié)溫。遠(yuǎn)程驅(qū)動會帶來寄生電感而降低其性能。 THEMIS 和ATLAS將此問題解決: 它們可以被放置在電源開關(guān)的旁邊，便于電氣設(shè)計，并充分利用碳化硅性能。電力電子和機(jī)械設(shè)計人員現(xiàn)在可以專注于更高效率，更高功率密度，更小，更輕的系統(tǒng)簡化冷卻，較高的工作溫度，以及更高的可靠性。”

　　CISSOID的新芯片組THEMIS / ATLAS將用於航空應(yīng)用中，在不影響其可靠性下減少重量和體積是必須事情：新一代的電動執(zhí)行器取代傳統(tǒng)的液壓執(zhí)行器，以及電力轉(zhuǎn)換和發(fā)電系統(tǒng)，可立即受益於THEMIS -ATLAS。同樣，在國防，鐵路，可再生能源和一般工業(yè)應(yīng)用，CISSOID的高功率密度方案是一項顛覆性技術(shù)，將改變工程師對電源轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動馬達(dá)的設(shè)計。

　　CISSOID的THEMIS和ATLAS集成電路邁向一個完全隔離的門極驅(qū)動器技術(shù)，稱為HADES，將在未來幾個月內(nèi)推出。該芯片組是新一代電源轉(zhuǎn)換器，馬達(dá)驅(qū)動器和高功率密度模塊方案的首選。初步數(shù)據(jù)表可向CISSOID索取,CSOIC28封裝工程樣品將在2011年第一季度可供購買。