CISSOID,在高溫和高可靠性的半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者,推出THEMIS和ATLAS,其功率晶體管驅(qū)動(dòng)器芯片組可令電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電源轉(zhuǎn)換器的效率更高。
THEMIS和ATLAS分別為控制器和晶體管的推挽功率驅(qū)動(dòng)階段。 ATLAS系統(tǒng)擁有2個(gè)不同渠道,每個(gè)功率晶體管的柵極能夠承受2A電流,總4A的能力。對(duì)于需要更高的功率,該解決方案具有可擴(kuò)展性,每個(gè)THEMIS可控制多達(dá)5個(gè)ATLAS電路,高達(dá)20A的電流來驅(qū)動(dòng)功率晶體管的柵,它通??梢栽?0納秒內(nèi)開/關(guān)碳化硅晶體管。一整套內(nèi)置保護(hù)功能,如欠壓鎖定,退飽檢測(cè),軟關(guān)斷和主動(dòng)米勒箝位都包括在內(nèi),促進(jìn)電氣設(shè)計(jì),降低材料清單。
像所有CISSOID產(chǎn)品,THEMIS和ATLAS都是保證在高達(dá)225℃中其工作壽命都比市場(chǎng)上任何現(xiàn)有的方案長(zhǎng)達(dá)十年以上。全賴此高可靠性,因此設(shè)計(jì)師可以將THEMIS 和ATLAS驅(qū)動(dòng)放置在碳化硅芯片旁,減少寄生電感到幾個(gè)nH的,從而降低開關(guān)損耗,因?yàn)檫^渡越快。更低的開關(guān)損耗允許增加功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率,從而減少了被動(dòng)元件的體積。
Pierre Delatte,首席技術(shù)官CISSOID強(qiáng)調(diào):“碳化硅的主要好處是功率轉(zhuǎn)換器開關(guān)能夠運(yùn)行更快的過渡時(shí)間,和一個(gè)比傳統(tǒng)的硅IGBT較高的工作溫度。這兩個(gè)特點(diǎn)帶來更高電源效率和降低冷卻的需要。然而,限制是來自于推動(dòng)碳化硅開關(guān)設(shè)備:
現(xiàn)有的解決方案過于復(fù)雜,而且必須分開放置,因?yàn)樵诔^150 ° C的溫度並可靠性會(huì)變差,即使SiC器件本身可承受更高的結(jié)溫。遠(yuǎn)程驅(qū)動(dòng)會(huì)帶來寄生電感而降低其性能。 THEMIS 和ATLAS將此問題解決: 它們可以被放置在電源開關(guān)的旁邊,便于電氣設(shè)計(jì),并充分利用碳化硅性能。電力電子和機(jī)械設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以專注于更高效率,更高功率密度,更小,更輕的系統(tǒng)簡(jiǎn)化冷卻,較高的工作溫度,以及更高的可靠性?!?/P>
CISSOID的新芯片組THEMIS / ATLAS將用於航空應(yīng)用中,在不影響其可靠性下減少重量和體積是必須事情:新一代的電動(dòng)執(zhí)行器取代傳統(tǒng)的液壓執(zhí)行器,以及電力轉(zhuǎn)換和發(fā)電系統(tǒng),可立即受益於THEMIS -ATLAS。同樣,在國(guó)防,鐵路,可再生能源和一般工業(yè)應(yīng)用,CISSOID的高功率密度方案是一項(xiàng)顛覆性技術(shù),將改變工程師對(duì)電源轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動(dòng)馬達(dá)的設(shè)計(jì)。
CISSOID的THEMIS和ATLAS集成電路邁向一個(gè)完全隔離的門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù),稱為HADES,將在未來幾個(gè)月內(nèi)推出。該芯片組是新一代電源轉(zhuǎn)換器,馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器和高功率密度模塊方案的首選。初步數(shù)據(jù)表可向CISSOID索取,CSOIC28封裝工程樣品將在2011年第一季度可供購(gòu)買。
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