扇出型封裝（fan－out packaging）是應(yīng)用于眾多移動(dòng)應(yīng)用的成熟技術(shù)。早期的半導(dǎo)體封裝一直是單芯片封裝，為支持功能增加導(dǎo)致布線密度越來(lái)越大的發(fā)展趨勢(shì)，要求更復(fù)雜的封裝、堆疊封裝（stacked packages）、系統(tǒng)級(jí)封裝（systems inpackage），同時(shí)還要滿足高性能。隨著技術(shù)的發(fā)展，扇出型封裝正在縮小成本與高性能之間的矛盾。無(wú)論是為滿足更小尺寸的需求使晶圓變薄，實(shí)現(xiàn)焊料成本的節(jié)約，還是作為重新布線層（redistribution－layer，RDL）首步工藝的工藝平臺(tái)，所有封裝均需要臨時(shí)鍵合（temporary bonding）。

臨時(shí)鍵合需要鍵合（bonding）和剝離（debonding）兩種工藝。從扇出型晶圓級(jí)封裝（fan－out wafer－level packaging，F(xiàn)oWLP）到功率器件，每種應(yīng)用在工藝溫度、機(jī)械應(yīng)力和熱預(yù)算等方面都有獨(dú)特的要求，因此確定合適的剝離技術(shù)比較困難。這里只是枚舉了幾個(gè)例子，實(shí)際情況更為復(fù)雜。我們將在本文中重點(diǎn)討論激光剝離（laser debonding）：如抗高溫更兼容的材料可應(yīng)用于哪些情況，激光剝離的特性適于哪些應(yīng)用等。

為了控制剝離帶來(lái)的熱輸入，紫外激光（UV lasers）常被用于剝離不同材料供應(yīng)商提供的不同臨時(shí)鍵合材料。為了確保最低的維護(hù)工作量，二極管泵浦固體激光器（diode－pumped solid－state，DPSS）可將高度工藝控制的光束整形光學(xué)（beam－shaping optics）與最低熱輸入相結(jié)合，不失為是一項(xiàng)正確的選擇。

圖1 Chipfirst扇出型晶圓級(jí)封裝制造工藝流程示意圖

圖2 Chiplast扇出型晶圓級(jí)封裝（又稱RDL first）制造工藝流程示意圖

扇出型晶圓級(jí)封裝（FoWLP）中臨時(shí)鍵合面臨的挑戰(zhàn)

FoWLP能在行業(yè)內(nèi)收獲巨大利益，一定程度上取決于其采用了載板（carrier），臨時(shí)鍵合材料對(duì)化學(xué)和熱兼容性的要求很高。某些聚酰亞胺符合這種嚴(yán)苛的環(huán)境，也適用于激光剝離。

盡管鍵合和剝離都是FoWLP的工藝，但兩者的需求差異很大。通過(guò)觀察各種應(yīng)用中不同的半導(dǎo)體工藝，顯然沒(méi)有任何一種剝離工藝解決方案可與所有的半導(dǎo)體工藝兼容，多個(gè)解決方案是必然選擇。這就是開(kāi)發(fā)出的各種各樣的剝離工藝（剝離技術(shù)是臨時(shí)鍵合的特征）至今仍都在使用的原因。

主流剝離技術(shù)的比較

最常見(jiàn)的方法有：熱滑動(dòng)剝離（thermal slide－off debonding）、機(jī)械剝離（mechanical debonding）和紫外激光剝離（UV laser debonding）。這三種方法均適用于大批量生產(chǎn)，在工藝兼容性方面差異巨大。

熱滑動(dòng)剝離（thermal slide－off debonding）是一種利用熱塑材料作為器件與載板晶圓（carrier wafer）之間粘合夾層（adhesive interlayer）的方法。該方法利用了熱塑材料的可逆熱特性，意味著在較高的溫度下，該材料的粘度會(huì)下降，從而能通過(guò)簡(jiǎn)單地滑動(dòng)兩邊的晶圓來(lái)完成剝離。熱剝離的特點(diǎn)是根據(jù)熱塑材料的溫度特性，使用范圍在130°C到350°C之間，因此在較高的溫度下就可完成鍵合與剝離。溫度穩(wěn)定性在很大程度上取決于機(jī)械應(yīng)力，我們可以觀察到這是由于熱塑材料在高溫下具有低粘度。

機(jī)械剝離（mechanical debonding）是一種高度依賴晶圓表面特性、臨時(shí)鍵合材料的粘附力和內(nèi)聚力的方法。對(duì)于大多數(shù)材料系統(tǒng)，均可使用機(jī)械釋放層（mechanical release layer）來(lái)實(shí)現(xiàn)可控剝離。機(jī)械剝離的主要特點(diǎn)是：可在室溫下處理，且強(qiáng)烈依賴機(jī)械應(yīng)力。由于機(jī)械剝離需要在臨時(shí)鍵合材料與晶圓間產(chǎn)生低粘附力才能成功剝離；因此，在FoWLP應(yīng)用中使用這種方法是有些困難的。這是因?yàn)镕oWLP工藝中產(chǎn)生的較高應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致自發(fā)性的剝離，甚至在減薄工藝中也會(huì)出現(xiàn)，這就會(huì)導(dǎo)致良率的急劇下滑。

激光剝離（laser debonding）是一種通過(guò)幾種不同的變量來(lái)實(shí)現(xiàn)剝離的技術(shù)。該方法的剝離機(jī)制依賴于：激光種類、臨時(shí)鍵合膠，以及用于該工藝的特定釋放層。紅外激光剝離依靠熱過(guò)程進(jìn)行工作：將光吸收并轉(zhuǎn)化為熱能，從而在鍵合界面內(nèi)產(chǎn)生高溫。紫外激光剝離則通常依靠化學(xué)過(guò)程進(jìn)行工作：使用光吸收的能量來(lái)破壞化學(xué)鍵。破壞聚合物的化學(xué)鍵會(huì)導(dǎo)致原始聚合物進(jìn)行分解。分解物包括氣體，就會(huì)增加鍵合界面的壓力，因而幫助剝離。由于在剝離工藝前，臨時(shí)鍵合膠對(duì)晶圓具有很高的粘附力，因此這種方法非常適用于FoWLP應(yīng)用中。

扇出型晶圓級(jí)封裝（FoWLP）應(yīng)用的優(yōu)化解決方案

據(jù)麥姆斯咨詢介紹，由于剝離過(guò)程中的熱輸入是有限的，因此紫外激光在FoWLP中更具優(yōu)勢(shì)。載板晶圓必須能通過(guò)紫外激光的穿透，以確保激光能量的有效利用，延長(zhǎng)載板晶圓的壽命。目前有兩種主要類型的紫外激光（全固態(tài)激光和準(zhǔn)分子激光），每種激光均可選多種波長(zhǎng)。波長(zhǎng)大于300nm的激光是最理想的選擇，出于以下兩個(gè)原因的考量：首先，市場(chǎng)可選用的激光剝離材料的波段可有效吸收和剝離高于300nm波長(zhǎng)的激光；其次，因?yàn)椴Ａ軌蛟谠摬ǘ畏秶鷥?nèi)實(shí)現(xiàn)高傳輸，即該波段激光允許采用標(biāo)準(zhǔn)玻璃晶圓作為載板。

由于全固態(tài)激光無(wú)需定期更換鹵素氣體，因此維護(hù)成本較低。而且功耗非常低，以每周工作7天、每天工作24小時(shí)的功耗來(lái)計(jì)算，全固態(tài)激光可運(yùn)行5年。此外，由于光學(xué)設(shè)置緊湊，對(duì)實(shí)現(xiàn)更小尺寸的引腳有利。圖3為全固態(tài)激光常見(jiàn)的高斯光束。

圖3 通常全固態(tài)激光要求高脈沖重疊。重疊區(qū)域表示激光剝離中所使用的輻射照射（radiant exposure），而紅色區(qū)域則表示不能用于剝離的能量

紫外激光剝離對(duì)輻射能量有閾值要求，這意味著在輻射照射特定值以上發(fā)生剝離。在圖3中，重疊區(qū)表示輻射照射適于剝離。低于或高于該值的能量（圖中紅色區(qū)域）均不能剝離，通常就轉(zhuǎn)化為熱能，這就會(huì)導(dǎo)致碳化和產(chǎn)生粒子。由于在高斯分布邊緣的激光束缺少足夠的能量，所以必須有一定的脈沖重疊，這時(shí)額外的變量?jī)?yōu)化是必須的，以便在沒(méi)有碳化時(shí)成功剝離。此外，光束中心的多余能量會(huì)導(dǎo)致碳化。高斯分布的光束不適合限制剝離中的熱效應(yīng)。

通過(guò)使用專用光學(xué)裝置進(jìn)行光束整形，高斯光束可被整形成近top hat光束。通過(guò)使用這種光學(xué)裝置，可得到用于剝離的重復(fù)性好的光束，形貌與圖4中top hat光束相似（在此基礎(chǔ)上，光束的形狀不會(huì)隨時(shí)間而改變），從而限制熱輸入。與這種激光的高脈沖重復(fù)率相結(jié)合，就可實(shí)現(xiàn)更嚴(yán)格的工藝控制，并且能夠掃描固定晶圓的表面，從而實(shí)現(xiàn)剝離工藝的高產(chǎn)出。圖5描繪了掃描過(guò)程，與準(zhǔn)分子激光相比，晶圓固定在靜止的載臺(tái)上，激光點(diǎn)由晶圓上方的掃描振鏡（galvo scanner）控制，整個(gè)剝離過(guò)程速度較快，可以實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)出。

圖4 先進(jìn)的紫外激光解決方案，利用光束整形光學(xué)將高重復(fù)性掃描與激光能量效率相結(jié)合。在重疊區(qū)域中，用于剝離的輻射照射效率非常高

圖5 EVG激光剝離解決方案，是將全固態(tài)激光與光束整形光學(xué)結(jié)合起來(lái)，以實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)出的可控過(guò)程

如圖6所示，測(cè)試晶圓被用于確定剝離的最佳輻射照射值。即使是top hat光束，為減少熱效應(yīng)，輻射照射值接近于剝離閾值是非常重要的。盡管如此，較少的重疊部分也是必要的，因?yàn)榕R時(shí)鍵合材料與晶圓間的粘附力非常高。

圖6 用于激光剝離的測(cè)試晶圓，不同的軌道代表了不同激光的剝離效果

未來(lái)扇出型晶圓級(jí)封裝（FoWLP）的臨時(shí)鍵合

超薄扇出堆疊型封裝（FoWLP），也被稱為層疊封裝（Package on package，PoP），由于此類封裝能大幅提高器件密度，目前已被納入多種應(yīng)用的技術(shù)路線圖之中。然而，未來(lái)PoP對(duì)重新建構(gòu)晶圓（reconstituted wafers）要求厚度更薄，這將為臨時(shí)鍵合帶來(lái)更多挑戰(zhàn)。例如，由注塑（molded）晶圓與載板晶圓堆疊組成的臨時(shí)鍵合晶圓的彎曲度（bow）必須最小化，以確保減薄均勻。最大總厚度變化（TTV）的規(guī)范也會(huì)根據(jù)最終晶圓的厚度變得更嚴(yán)格。對(duì)于不同的3D應(yīng)用，涉及連線的問(wèn)題，如選擇“via first”還是“via last”，在PoP中也變得多了起來(lái)。雖然有多個(gè)工藝可選，但沒(méi)有哪家扇出型封裝企業(yè)已具備標(biāo)準(zhǔn)的工藝流程。

總結(jié)

由于紫外激光可在室溫下進(jìn)行剝離，且可以使用化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的材料，因此紫外激光剝離是一種既適用于chip first，也適用于chip last（或RDL－first）扇出型晶圓級(jí)封裝（FoWLP）的方法。本文介紹的紫外激光剝離解決方案不僅結(jié)合了全固態(tài)激光的優(yōu)點(diǎn)，具有維護(hù)成本低、功耗低的優(yōu)點(diǎn)，由于特殊的光束整形光學(xué)，還實(shí)現(xiàn)了高脈沖頻率與高空間控制的結(jié)合。