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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>Cadence 發(fā)布面向 TSMC 3nm 工藝的 112G-ELR SerDes IP 展示

Cadence 發(fā)布面向 TSMC 3nm 工藝的 112G-ELR SerDes IP 展示

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2021-03-02 10:00:153643

TSMC350nm工藝庫(kù)是不是不太適合做LC-VCO???

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2021-06-24 08:06:46

ADC與DAC工藝節(jié)點(diǎn)案例分析

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2023-02-07 14:11:25

EDA輔助設(shè)計(jì)不得不提的 IP

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2020-06-15 08:03:59

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2018-10-18 14:57:217323

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新思科技(Synopsys)推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車(chē)級(jí)DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:232042

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Credo 在2016年展示了其獨(dú)特的28納米工藝節(jié)點(diǎn)下的混合訊號(hào)112G PAM4 SerDes技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗100G光模塊,并且快速地躍進(jìn)至16納米工藝結(jié)點(diǎn)來(lái)提供創(chuàng)新且互補(bǔ)的112G連接
2018-10-30 11:11:125979

Cadence推出通過(guò)硅驗(yàn)證的長(zhǎng)距離7nm 112G SerDes IP

端口,并有望在2020年成為主流技術(shù);而800G以太網(wǎng)端口將成為屆時(shí)的新技術(shù)。112G SerDes技術(shù)的數(shù)據(jù)速率是56G SerDes的兩倍,因此可以滿足機(jī)器學(xué)習(xí)和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等新興數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的爆炸式高速連接需求。
2018-11-16 16:39:397094

3nm!三星 GAA工藝超越 FinFET,領(lǐng)先臺(tái)積電

3nm!!!
2019-05-17 11:44:056784

三星發(fā)布3nm節(jié)點(diǎn)工藝!GAAFET!

三星的3nm工藝節(jié)點(diǎn)采用的GAAFET晶體管是什么?
2019-05-17 15:38:5412185

一圖看懂三星14nm工藝3nm工藝的區(qū)別

在上周的美國(guó)SFF晶圓代工論壇上,三星發(fā)布了新一代的邏輯工藝路線圖,2021年就要量產(chǎn)3nm工藝了,而且首發(fā)使用新一代GAA晶體管工藝,領(lǐng)先對(duì)手臺(tái)積電1年時(shí)間,領(lǐng)先Intel公司至少2-3年時(shí)間。
2019-05-20 16:43:4512335

三星用 GAA工藝挑戰(zhàn)物理極限 推進(jìn)3nm工藝

三星率先發(fā)布3nm工藝路線圖,領(lǐng)先于臺(tái)積電和英特爾。
2019-05-30 15:48:435336

三星發(fā)布新一代3nm閘極全環(huán)工藝 在GAA工藝上獲得領(lǐng)先地位

發(fā)布了新一代3nm閘極全環(huán)(GAA,Gate-All-Around)工藝。與7nm技術(shù)相比,三星的3GAE工藝將減少45%的面積,降低50%的功耗,提升35%的性能。三星表示第一批3nm芯片主要面向智能手機(jī)及其他移動(dòng)設(shè)備。
2019-05-30 15:53:464391

臺(tái)積電3nm晶圓廠敲定 未來(lái)2nm制程也在這

在先進(jìn)工藝路線圖上,臺(tái)積電的7nm去年量產(chǎn),7nm EUV工藝今年量產(chǎn),海思麒麟985、蘋(píng)果A13處理器會(huì)是首批用戶,明年則會(huì)進(jìn)入5nm節(jié)點(diǎn),2021年則會(huì)進(jìn)入3nm節(jié)點(diǎn),最終在2022年規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。
2019-06-13 14:49:483449

新思科技助力三星5nm/4nm/3nm工藝再加速

近日,全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布,面向三星7LPP(7nm Low Power Plus)和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破,這將為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:485070

行業(yè) | 新思科技將繼續(xù)與三星合作研發(fā)3nm工藝!

3nm工藝相較于今年開(kāi)始量產(chǎn)的7nm EUV工藝更為先進(jìn),是下一代半導(dǎo)體加工工藝,可以進(jìn)一步減少芯片尺寸。
2019-07-25 15:13:563365

聯(lián)發(fā)科112G遠(yuǎn)程SerDes芯片可滿足特定需求

聯(lián)發(fā)科技(MediaTek)宣布,其ASIC服務(wù)將擴(kuò)展至112G遠(yuǎn)程(LR)SerDes IP芯片。MediaTek的112G 遠(yuǎn)程 SerDes采用經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證的7nm FinFET制程工藝,使數(shù)據(jù)中心能夠快速有效地處理大量特定類(lèi)型的數(shù)據(jù),從而提升計(jì)算速度。
2019-11-12 10:04:095958

MediaTek ASIC服務(wù)推出硅驗(yàn)證的7nm制程112G遠(yuǎn)程SerDes IP

MediaTek今日宣布,其ASIC服務(wù)將擴(kuò)展至112G遠(yuǎn)程(LR)SerDes IP芯片。MediaTek的112G 遠(yuǎn)程 SerDes采用經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證的7nm FinFET制程工藝,使數(shù)據(jù)中心能夠快速有效地處理大量特定類(lèi)型的數(shù)據(jù),從而提升計(jì)算速度。
2019-11-12 14:22:231354

臺(tái)積電將會(huì)為3nm工藝技術(shù)選擇什么線路

在2019年的日本SFF會(huì)議上,三星還公布了3nm工藝的具體指標(biāo),與現(xiàn)在的7nm工藝相比,3nm工藝可將核心面積減少45%,功耗降低50%,性能提升35%。
2020-02-06 14:54:431762

受疫情影響 三星3nm工藝量產(chǎn)或延期

近日,DigiTimes在一份報(bào)告中稱,三星3nm工藝量產(chǎn)時(shí)間可能已經(jīng)延期至2022年。
2020-04-07 08:39:492452

三星3nm工藝明年量產(chǎn)不太可能實(shí)現(xiàn)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,3nm工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn),三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝
2020-04-07 17:43:512632

三星3nm工藝投產(chǎn)延遲,新技術(shù)讓芯片功耗下降約50%

4月7日消息,在 5nm 工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,3nm 工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)。三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn) 3nm工藝。
2020-04-08 14:41:143230

臺(tái)積電3nm工藝正式宣布2022年量產(chǎn)

盡管2020年全球半導(dǎo)體行業(yè)會(huì)因?yàn)橐咔閷?dǎo)致下滑,但臺(tái)積電的業(yè)績(jī)不降反升,掌握著7nm、5nm先進(jìn)工藝的他們更受客戶青睞。今天的財(cái)報(bào)會(huì)上,臺(tái)積電也首次正式宣布3nm工藝詳情,預(yù)定在2022年下半年量產(chǎn)。
2020-04-17 08:59:214376

臺(tái)積電披露3nm工藝詳情:性能提升7%,能耗比提升15%

近日,臺(tái)積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情,其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2!
2020-04-20 14:58:143387

臺(tái)積電研發(fā)3nm工藝,計(jì)劃在2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年大規(guī)模投產(chǎn)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列的臺(tái)積電,正在研發(fā)更先進(jìn)的3nm和2nm工藝,其中3nm計(jì)劃在2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。
2020-09-26 09:41:062217

5nm3nm工藝將是臺(tái)積電未來(lái)幾年能帶來(lái)大量營(yíng)收的工藝

 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,臺(tái)積電是近幾年在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列的廠商,他們的5nm工藝在今年一季度大規(guī)模投產(chǎn),更先進(jìn)的3nm工藝也在按計(jì)劃推進(jìn),計(jì)劃2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。
2020-10-23 15:15:082497

臺(tái)積電正按計(jì)劃推進(jìn)3nm工藝在2022年下半年量產(chǎn)

11月25日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在今年一季度及二季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上,臺(tái)積電CEO魏哲家透露他們的3nm工藝進(jìn)展順利,計(jì)劃在2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。 而英文媒體
2020-11-25 13:52:562274

臺(tái)積電宣布3nm Plus工藝將在2023年推出,消息稱蘋(píng)果將是3nm Plus工藝的首個(gè)客戶

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在 5nm 工藝今年一季度大規(guī)模量產(chǎn)、為蘋(píng)果等客戶代工相關(guān)的芯片之后,臺(tái)積電下一步的重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的 3nm 工藝,這一工藝的研發(fā)在按計(jì)劃推進(jìn),廠房在 11 月份就已經(jīng)建成。 而
2020-12-18 10:47:142498

臺(tái)積電3nm工藝:2022年量產(chǎn),蘋(píng)果A16芯片將首發(fā)

臺(tái)積電宣布,將會(huì)在 2023 年推出 3nm 工藝的增強(qiáng)版,命名為「3nm Plus」,首發(fā)客戶是蘋(píng)果。如果蘋(píng)果繼續(xù)一年一代芯片,那么到 2023 年使用 3nm Plus 工藝的,將會(huì)是蘋(píng)果「A17」。
2020-12-18 14:09:324106

臺(tái)積電宣布將在2023推3nm Plus工藝

日前,臺(tái)積電官方正式宣布,將在2023年推出3nm工藝的增強(qiáng)版,該工藝將被命名為“3nm Plus”,首發(fā)客戶依然是蘋(píng)果。按蘋(píng)果一年更新一代芯片的速度,屆時(shí)使用3nm Plus工藝的將是“A17”芯片。
2020-12-18 14:07:242747

臺(tái)積電3nm工藝將實(shí)現(xiàn)15%性能提升

2020年,市面上出現(xiàn)了大量5nm工藝的芯片,諸如蘋(píng)果A14仿生、麒麟9000以及驍龍888等旗艦芯片均采用5nm工藝。而根據(jù)最新的報(bào)道顯示,在批量生產(chǎn)5nm工藝芯片的同時(shí),臺(tái)積電也在研發(fā)更加先進(jìn)的3nm工藝,目前3nm工藝的研發(fā)正在有序進(jìn)行中。
2020-12-21 15:17:482475

蘋(píng)果已預(yù)定臺(tái)積電3nm產(chǎn)能

臺(tái)積電是目前少數(shù)幾家能生產(chǎn)5nm制程的半導(dǎo)體公司。根據(jù)此前的消息,除了5nm制程,臺(tái)積電還在研發(fā)最新的3nm工藝,而且研發(fā)工作已經(jīng)接近尾聲。近日,有知情人士透露,蘋(píng)果公司已預(yù)訂了臺(tái)積電3nm的產(chǎn)能,將來(lái)用于生產(chǎn)A系列芯片和M系列自研芯片。另外,還有傳言稱臺(tái)積電3nm工藝將用于制造A16芯片。
2020-12-23 10:41:422609

臺(tái)積電計(jì)劃今年3nm工藝將完成試生產(chǎn)

外媒報(bào)道,臺(tái)積電和三星在3nm工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)中遇到了不同卻關(guān)鍵的瓶頸。 因此,臺(tái)積電和三星將不得不推遲3nm工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)進(jìn)度。
2021-01-05 09:39:262359

臺(tái)積電研發(fā)3nm工藝遇阻

近日,外媒援引供應(yīng)鏈內(nèi)部消息稱,目前晶圓代工廠的兩大頭部企業(yè)臺(tái)積電和三星的3nm制程工藝均遭遇不同程度的挑戰(zhàn),因此,最終3nm芯片的量產(chǎn)可能會(huì)相應(yīng)的推遲。
2021-01-05 16:50:202727

臺(tái)積電3nm工藝將在2022年下半年批量生產(chǎn)

在1月15日舉行的法人說(shuō)明會(huì)上,臺(tái)積電透露了公司3nm工藝的研發(fā)情況。在今年下半年,臺(tái)積電3nm工藝將進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),并在2022年下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)。
2021-01-24 11:06:062861

Intel將部分芯片外包給臺(tái)積電 看上后者3nm工藝

據(jù)供應(yīng)鏈最新消息,Intel已經(jīng)決定將部分芯片外包給臺(tái)積電,而后者預(yù)計(jì)會(huì)在2022年使用其3nm工藝生產(chǎn)。 按照消息人士的說(shuō)法,臺(tái)積電定于2021年資本支出的250-280億美元中的大部分,預(yù)計(jì)超過(guò)
2021-01-27 10:33:242456

臺(tái)積電3nm工藝制程超過(guò)預(yù)期,進(jìn)度將會(huì)提前

在ISSCC 2021國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上,臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音公布了該公司的最新工藝進(jìn)展情況,指出3nm工藝超過(guò)預(yù)期,進(jìn)度將會(huì)提前。
2021-02-19 11:58:411882

臺(tái)積電3nm工藝進(jìn)度超前 EUV工藝獲突破:直奔1nm

在ISSCC 2021國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上,臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音公布了該公司的最新工藝進(jìn)展情況,指出3nm工藝超過(guò)預(yù)期,進(jìn)度將會(huì)提前。 不過(guò)劉德音沒(méi)有公布3nm工藝到底如何超前的,按照他們公布的信息
2021-02-19 15:13:402778

基于臺(tái)積電5nm制程工藝 112G SerDes連接芯片發(fā)布

中的蘋(píng)果M1 SoC,現(xiàn)在這個(gè)列表中又新添一名成員,它就是基于臺(tái)積電5nm制程工藝 112G SerDes連接芯片。近日,Marvell宣布了其基于DSP的112G SerDes解決方案的授權(quán)。 現(xiàn)代
2021-04-19 16:40:593158

楷登電子發(fā)布PCIe 6.0規(guī)范Cadence IP

中國(guó)上海,2021 年 10 月 22 日——楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)宣布發(fā)布支持 TSMC N5 工藝的 PCI Express(PCIe)6.0 規(guī)范
2021-10-26 14:28:005070

楷登電子數(shù)字和模擬流程獲TSMC N3和N4工藝技術(shù)認(rèn)證

)宣布,其數(shù)字和定制/模擬流程已獲得 TSMC N3 和 N4 工藝技術(shù)認(rèn)證,支持最新的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)。通過(guò)持續(xù)合作,CadenceTSMC 發(fā)布TSMC N3 和 N
2021-10-26 15:10:583128

三星電子3nm良品率才10%-20%,大大低于預(yù)期

三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期,三星電子3nm制程工藝的良品率,才到10%-20%,遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo)。
2022-04-20 10:43:132740

Cadence提供集成PHY和控制器 IP完整子系統(tǒng)

楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)今日宣布,眾多領(lǐng)先的半導(dǎo)體和系統(tǒng)客戶已成功采用面向 TSMC 5nm 制程技術(shù)的全系列 Cadence? 設(shè)計(jì) IP 產(chǎn)品。
2022-06-24 14:52:462634

蘋(píng)果M2 Pro和M3芯片將會(huì)采用臺(tái)積電3nm工藝?蘋(píng)果或許沒(méi)那么好心

今日,據(jù)DIGITIMES科技網(wǎng)報(bào)道稱,蘋(píng)果的M2 Pro和M3芯片將會(huì)采用臺(tái)積電3nm制程工藝。 據(jù)了解,臺(tái)積電將于今年下半年正式量產(chǎn)3nm芯片,而蘋(píng)果已經(jīng)為其M2 Pro和M3芯片預(yù)定好了臺(tái)積電
2022-06-29 16:34:043230

成功彎道超車(chē)!三星明天將開(kāi)始量產(chǎn)3nm工藝,搶先臺(tái)積電一步占領(lǐng)市場(chǎng)

今日,據(jù)媒體報(bào)道,三星的3nm制程芯片將在明天開(kāi)始量產(chǎn)。 作為晶圓代工界常年第二的三星,一度被臺(tái)積電壓一頭,超越臺(tái)積電也成為了三星的一個(gè)目標(biāo)。這次三星把目光集中在了3nm工藝上,不僅要搶在臺(tái)積電前面
2022-06-29 17:01:531839

三星3nm芯片開(kāi)始量產(chǎn),采用GAA晶體管,提升巨大

日前,三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息,今天上午,三星官方宣布已經(jīng)開(kāi)始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱,其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國(guó)華城工廠開(kāi)始量產(chǎn)。 現(xiàn)在全球
2022-06-30 16:36:272953

2nm、3nm制程什么意思

nm指的是納米,2nm、3nm就是2納米和3納米,而建2nm3nm廠指的就是建造一座制造2納米芯片和3納米芯片的工廠!
2022-07-01 15:57:2432943

臺(tái)積電2nm3nm制程工藝

臺(tái)積電首度推出采用GAAFET技術(shù)的2nm制程工藝,將于2025年量產(chǎn),其采用FinFlex技術(shù)的3nm制程工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)。
2022-07-04 18:13:314079

3nm工藝指的是什么 3nm工藝是極限了嗎

3nm工藝是繼5nm技術(shù)之后的下一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn),臺(tái)積電、三星都已經(jīng)宣布了3nm的研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃,預(yù)計(jì)可在2022年實(shí)現(xiàn)。
2022-07-07 09:44:0431031

Intel CEO基辛格再度訪問(wèn)臺(tái)積電,將要就3nm工藝事宜展開(kāi)會(huì)談

近日,有消息稱Intel的CEO基辛格將于8月份再度前往臺(tái)積電,雙方計(jì)劃就3nm相關(guān)事宜展開(kāi)討論。 此前intel放出的IDM2.0戰(zhàn)略計(jì)劃圖中有著3nm工藝出現(xiàn),而intel目前并沒(méi)有獨(dú)立
2022-07-11 17:26:551968

能耗降低30%,臺(tái)積電3nm工藝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)?官方表示不評(píng)論傳聞

上個(gè)月底,三星完成了3nm工藝的量產(chǎn),正式領(lǐng)先了臺(tái)積電一步,但是收到的訂單卻并沒(méi)有想象中那么多,蘋(píng)果、高通、AMD等大客戶都在等待臺(tái)積電的3nm工藝。 日前,有消息傳出臺(tái)積電的3nm工藝已經(jīng)開(kāi)始在
2022-07-22 17:55:322689

5nm 112Gbps最新一代SerDes IP時(shí)鐘設(shè)計(jì)詳解

112Gbps SerDes設(shè)計(jì)將根據(jù)應(yīng)用情況在各種配置中被采用。下圖展示了長(zhǎng)距離(LR)、中距離(MR)、極短距離(VSR)和超短距離(XSR)拓?fù)?,其?b class="flag-6" style="color: red">112G信令路徑在每個(gè)拓?fù)渲卸纪怀鲲@示。
2022-07-27 15:05:162595

蘋(píng)果iPhone 15系列僅Pro版使用3nm工藝A17芯片

  蘋(píng)果的A17處理器采用臺(tái)積電的3nm工藝制造,該工藝使用當(dāng)前成熟的FinFET而不是GAA技術(shù),與三星的3nm工藝相比,GAA技術(shù)略顯保守。臺(tái)積電相信目前的FinFET工藝具有更好的成本和能效。
2022-08-18 10:03:374484

三星在3nm率先使用GAA 是否更具競(jìng)爭(zhēng)力

而在臺(tái)積電3nm量產(chǎn)之前,三星已經(jīng)在今年6月30日宣布,其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝,在當(dāng)日開(kāi)始初步生產(chǎn)芯片,據(jù)外媒報(bào)道,三星電子采用3nm工藝代工的首批芯片,定于7月25日出貨。臺(tái)積電、三星的3nm之爭(zhēng)似乎已經(jīng)拉開(kāi)帷幕。
2022-08-18 11:57:192174

第二代有人用了!臺(tái)積電最新3nm工藝首顆芯片流片

是ZeusCORE100,涵蓋支持了800G以太網(wǎng)、OIF 112G-CEI, PCIe 6.0和CXL3.0等多項(xiàng)前沿標(biāo)準(zhǔn),致力于服務(wù)下一代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器。 回到工藝本身,N3E實(shí)際上是臺(tái)積電的第二代3nm,性能相比
2022-10-27 10:03:562099

Cadence宣布推出性能領(lǐng)先的22Gbps GDDR6 IP并在TSMC N5工藝上通過(guò)硅驗(yàn)證

Cadence 致力于擴(kuò)大我們的 IP 產(chǎn)品組合,以滿足客戶不斷變化的設(shè)計(jì)要求??蛻衄F(xiàn)在可以信心滿滿地在 TSMC N5 工藝節(jié)點(diǎn)上利用 Cadence GDDR6 設(shè)計(jì) IP 實(shí)現(xiàn)更高的帶寬。
2022-11-22 10:24:511758

臺(tái)積電3nm制程工藝正式量產(chǎn) 已舉行量產(chǎn)及產(chǎn)能擴(kuò)張儀式

來(lái)源:TechWeb 近日,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,正如此前所報(bào)道的一樣,晶圓代工商臺(tái)積電,在他們旗下的晶圓十八廠,舉行了3nm制程工藝的量產(chǎn)及產(chǎn)能擴(kuò)張儀式,宣布3nm制程工藝以可觀的良品率成功量產(chǎn)。 從臺(tái)
2022-12-30 17:13:111656

iPhone 16 Pro機(jī)型或?qū)⒋钶d3nm工藝的A18仿生芯片

iPhone 16 Pro機(jī)型將運(yùn)行在臺(tái)積電基于3nm工藝的A18仿生芯片,并配備LPDDR5X內(nèi)存。
2023-01-07 10:36:372844

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:25:461

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:31:220

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-03-16 19:31:340

IP_數(shù)據(jù)表(Z-3):GPIO for TSMC 16nm FF+

IP_數(shù)據(jù)表(Z-3):GPIO for TSMC 16nm FF+
2023-03-16 19:34:181

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:35:091

Cadence成功流片基于臺(tái)積電N3E工藝的16G UCIe先進(jìn)封裝 IP

來(lái)源:Cadence楷登 2023年4月26日,楷登電子近日宣布基于臺(tái)積電 3nm(N3E)工藝技術(shù)的 Cadence? 16G UCIe? 2.5D 先進(jìn)封裝 IP 成功流片。該 IP 采用臺(tái)積電
2023-04-27 16:35:401377

Cadence發(fā)布基于臺(tái)積電N4P工藝112G超長(zhǎng)距離SerDes IP

楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)今日發(fā)布基于臺(tái)積電 N4P 工藝112G 超長(zhǎng)距離(112G-ELR)SerDes IP,該 IP 適用于超大規(guī)模 ASIC
2023-04-28 10:07:362903

Cadence發(fā)布基于Integrity 3D-IC平臺(tái)的新設(shè)計(jì)流程,以支持TSMC 3Dblox?標(biāo)準(zhǔn)

楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布推出基于 Cadence Integrity 3D-IC 平臺(tái)的新設(shè)計(jì)流程,以支持 TSMC 3Dblox 標(biāo)準(zhǔn)。TSMC
2023-05-09 09:42:091750

Cadence數(shù)字和定制/模擬設(shè)計(jì)流程獲得TSMC最新N3E和N2工藝技術(shù)認(rèn)證

楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布,Cadence 數(shù)字和定制/模擬設(shè)計(jì)流程已通過(guò) TSMC N3E 和 N2 先進(jìn)工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)認(rèn)證。兩家公司還發(fā)布
2023-05-09 10:09:232046

Cadence發(fā)布面向TSMC 3nm工藝112G-ELR SerDes IP展示

3nm 時(shí)代來(lái)臨了!Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會(huì)期間發(fā)布面向臺(tái)積電 3nm 工藝(N3E)的 112G 超長(zhǎng)距離(112G-ELRSerDes IP 展示,這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產(chǎn)品的新成員。
2023-05-19 15:23:071735

Cadence發(fā)布面向TSMC 3nm 工藝112G-ELR SerDes IP 展示

3nm 時(shí)代來(lái)臨了!Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會(huì)期間發(fā)布面向臺(tái)積電 3nm 工藝(N3E)的 112G 超長(zhǎng)距離(112G-ELRSerDes IP 展示,這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產(chǎn)品的新成員。
2023-07-10 09:26:201241

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:411

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:17:540

IP_數(shù)據(jù)表(Z-3):GPIO for TSMC 16nm FF+

IP_數(shù)據(jù)表(Z-3):GPIO for TSMC 16nm FF+
2023-07-06 20:20:311

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:221

三星3nm GAA正式商業(yè)量產(chǎn)

一篇拆解報(bào)告,稱比特微電子的Whatsminer M56S++礦機(jī)所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發(fā)現(xiàn)證實(shí)了三星3nm GAA技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-07-21 16:03:572290

蘋(píng)果拒絕為3nm工藝缺陷買(mǎi)單 臺(tái)積電3nm按良率收費(fèi)!

根據(jù)外媒報(bào)道,據(jù)稱臺(tái)積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%。不過(guò)根據(jù)獨(dú)家條款,該公司僅向蘋(píng)果收取良品芯片的費(fèi)用!
2023-08-08 15:59:271872

臺(tái)積電3nm月產(chǎn)能明年將增至10萬(wàn)片

臺(tái)積電推出了世界上第一個(gè)3nm智能手機(jī)芯片apple a17 pro,該芯片也用于新款iphone 15 pro。據(jù)悉,tsmc到2023年為止,將只批量生產(chǎn)蘋(píng)果的3nm工藝
2023-09-25 14:25:281392

Cadence擴(kuò)大TSMC N3E制程IP產(chǎn)品組合,推出新一代224G-LR SerDes IP,助力超大規(guī)模SoC設(shè)計(jì)

● ?112G-ELR SerDesTSMC N3E 制程上的硅結(jié)果實(shí)現(xiàn)了最佳 PPA ● ?多個(gè) Cadence IP 測(cè)試芯片在 TSMC N3E 制程上成功流片,包括 PCIe 6.0 和 5.0
2023-09-26 10:10:011655

高通或成為臺(tái)積電3nm制程的第三家客戶

蘋(píng)果已經(jīng)發(fā)布了基于臺(tái)積電3nm制程的A17 Pro處理器。最近,有消息稱,高通的下一代5G旗艦芯片也將采用臺(tái)積電3nm制程,并預(yù)計(jì)會(huì)在10月下旬公布,成為臺(tái)積電3nm制程的第三個(gè)客戶,可能是高通驍龍8 Gen3
2023-09-26 16:51:312546

Cadence 榮獲四項(xiàng) 2023 TSMC OIP 年度合作伙伴大獎(jiǎng)

IP 設(shè)計(jì)解決方案獲得了 TSMC 頒發(fā)的四項(xiàng) Open Innovation Platform (OIP)年度合作伙伴大獎(jiǎng)。 這些獎(jiǎng)項(xiàng)旨在表彰 Cadence 在聯(lián)合開(kāi)發(fā) N2 和 N3
2023-10-23 11:55:021280

全球首顆3nm電腦來(lái)了!蘋(píng)果Mac電腦正式進(jìn)入3nm時(shí)代

前兩代M1和M2系列芯片均采用5nm制程工藝,而M3系列芯片的發(fā)布,標(biāo)志著蘋(píng)果Mac電腦正式進(jìn)入3nm時(shí)代。 3nm利用先進(jìn)的EUV(極紫外光刻)技術(shù),可制造極小的晶體管,一根頭發(fā)的橫截面就能容納兩百萬(wàn)個(gè)晶體管。蘋(píng)果用這些晶體管來(lái)優(yōu)化新款芯片的每個(gè)組件。
2023-11-07 12:39:131461

臺(tái)積電3nm工藝預(yù)計(jì)2024年產(chǎn)量達(dá)80%

據(jù)悉,2024年臺(tái)積電的第二代3nm工藝(稱為N3E)有望得到更廣泛運(yùn)用。此前只有蘋(píng)果有能力訂購(gòu)第一代N3B高端晶圓。經(jīng)過(guò)解決工藝難題及提升產(chǎn)量后,臺(tái)積電推出經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的3nm版型,吸引更多企業(yè)采用。
2024-01-03 14:15:171715

臺(tái)積電3nm工藝產(chǎn)能緊俏,蘋(píng)果等四巨頭瓜分

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,近期全球芯片制造巨頭臺(tái)積電面臨了3nm系列工藝產(chǎn)能的激烈競(jìng)爭(zhēng)。據(jù)悉,蘋(píng)果、高通、英偉達(dá)和AMD這四大科技巨頭已經(jīng)率先瓜分完了臺(tái)積電當(dāng)前的3nm系列工藝產(chǎn)能,導(dǎo)致其他廠商不得不排隊(duì)競(jìng)購(gòu),目前相關(guān)訂單已經(jīng)排至2026年。
2024-06-12 10:47:461263

臺(tái)積電3nm工藝穩(wěn)坐釣魚(yú)臺(tái),三星因良率問(wèn)題遇冷

近日,全球芯片代工領(lǐng)域掀起了不小的波瀾。據(jù)媒體報(bào)道,臺(tái)積電在3nm制程的芯片代工價(jià)格上調(diào)5%之后,依然收獲了供不應(yīng)求的訂單局面。而與此同時(shí),韓國(guó)的三星電子在3nm工藝上卻遭遇了前所未有的尷尬,其3nm工藝至今未能獲得任何大客戶的青睞。
2024-06-22 14:23:431704

Cadence展示完整的PCIe 7.0 IP解決方案

十多年來(lái),Cadence 對(duì) PCIe 技術(shù)的堅(jiān)定承諾和支持,在業(yè)界有目共睹。我們深知強(qiáng)大 PCIe 生態(tài)系統(tǒng)的重要性,并感謝 PCI-SIG 提供的平臺(tái)。在 PCI-SIG 開(kāi)發(fā)者大會(huì)迎來(lái) 32 周年之際,Cadence布面向 HPC/AI 市場(chǎng)推出完整的 PCIe 7.0 IP 解決方案。
2024-08-29 09:14:571716

臺(tái)積電3nm制程需求激增,全年?duì)I收預(yù)期上調(diào)

臺(tái)積電近期迎來(lái)3nm制程技術(shù)的出貨高潮,預(yù)示著其在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位進(jìn)一步鞏固。隨著蘋(píng)果iPhone 16系列新機(jī)發(fā)布,預(yù)計(jì)搭載的A18系列處理器將采用臺(tái)積電3nm工藝,這一消息直接推動(dòng)了臺(tái)積電3nm制程的訂單量激增,為臺(tái)積電帶來(lái)了新一輪的出貨熱潮。
2024-09-10 16:56:381271

聯(lián)發(fā)科將發(fā)布安卓陣營(yíng)首顆3nm芯片

聯(lián)發(fā)科正式宣告,將于10月9日盛大揭幕其新一代MediaTek天璣旗艦芯片發(fā)布會(huì),屆時(shí)將震撼推出天璣9400移動(dòng)平臺(tái)。這款芯片不僅是聯(lián)發(fā)科迄今為止最為強(qiáng)大的手機(jī)處理器,更標(biāo)志著安卓陣營(yíng)正式邁入3nm工藝時(shí)代,成為業(yè)界首顆采用臺(tái)積電尖端3nm制程的安卓芯片。
2024-09-24 15:15:321312

臺(tái)積電產(chǎn)能爆棚:3nm與5nm工藝供不應(yīng)求

臺(tái)積電近期成為了高性能芯片代工領(lǐng)域的明星企業(yè),其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息,臺(tái)積電的3nm和5nm工藝產(chǎn)能利用率均達(dá)到了極高水平,其中3nm將達(dá)到100%,而5nm更是突破了100%的界限,達(dá)到了101%,實(shí)現(xiàn)了超負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)。
2024-11-14 14:20:011388

消息稱臺(tái)積電3nm、5nm和CoWoS工藝漲價(jià),即日起效!

)計(jì)劃從2025年1月起對(duì)3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲,最高漲幅20% 其中,對(duì)3nm、5nm等先進(jìn)制程技術(shù)訂單漲價(jià),漲幅在3%到8%之間,而AI相關(guān)高性能計(jì)算產(chǎn)品的訂單漲幅可能高達(dá)8%到10%。此外,臺(tái)積電還計(jì)劃對(duì)CoWoS先進(jìn)封裝服務(wù)進(jìn)行漲
2025-01-03 10:35:351087

性能殺手锏!臺(tái)積電3nm工藝迭代,新一代手機(jī)芯片交戰(zhàn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)近日消息,聯(lián)發(fā)科、高通新一波5G手機(jī)旗艦芯片將于第四季推出,兩大廠新芯片都以臺(tái)積電3nm制程生產(chǎn),近期進(jìn)入投片階段。 ? 在臺(tái)積電3nm制程加持之下,天璣9400的各
2024-07-09 00:19:007125

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