日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:33
2029 本文通過分析低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的等效電路來計(jì)算如何合理的選取RGATE電阻的阻值,既要保持MOS管的良好開關(guān)性能,還要有效抑制振鈴的產(chǎn)生。
2024-02-26 18:14:34
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Diodes 公司推出 DGD0579U 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。這款高頻裝置內(nèi)建自舉式二極管,能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)兩個(gè)通常用于控制馬達(dá)及 DC-DC 電力傳輸?shù)?N 通道 MOSFET。
2022-02-24 17:56:53
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:LFUS)是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)
2024-05-23 11:23:22
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多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣部推出高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器IXD2012NTR,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用半橋配置的N溝道MOSFET或IGBT
2025-05-14 11:22:30
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新型柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路集成了自舉二極管和電阻器,有助于簡化無刷電機(jī)、電動(dòng)工具和DC-DC轉(zhuǎn)換器的高速設(shè)計(jì) ? 伊利諾伊州羅斯蒙特,2025年6月3日 —Littelfuse公司(NASDAQ
2025-06-03 17:30:42
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MIC4414YFT EV,MIC4414評(píng)估板是一款低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于在低側(cè)開關(guān)應(yīng)用中切換N溝道增強(qiáng)型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器具有短延遲和高峰值電流
2020-04-16 10:14:10
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
180度?! 「叨?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)器 高端驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)浮動(dòng)低RDS(ON)N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電源和下沉柵極電流的最大輸出電阻為5Ω。低輸出電阻允許驅(qū)動(dòng)器在3nF負(fù)載下有20ns的上升和下降時(shí)間。高壓側(cè)
2020-07-21 15:49:18
CRT彩電存儲(chǔ)器IX0715CE的代換資料下載內(nèi)容包括:IX0715CE引腳電壓值
2021-03-24 07:34:26
到低壓側(cè)的柵極MOSFET(LGATE)。轉(zhuǎn)換器的輸出電壓為然后受到低邊MOSFET閾值的限制為微處理器提供一些保護(hù),如果在初始啟動(dòng)期間,MOSFET短路。這些驅(qū)動(dòng)器還具有一個(gè)三態(tài)PWM輸入
2020-09-30 16:47:03
特征用于同步整流的雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)換器快速外部MOSFET的高驅(qū)動(dòng)電流切換集成自舉二極管高頻操作啟用引腳自適應(yīng)死區(qū)管理柔性門驅(qū)動(dòng)器:5 V至12 V兼容輸出的高阻抗(HiZ)管理階段停堆初步
2020-09-22 16:32:27
溫度為-40°C至105°C應(yīng)用開關(guān)電源DC/DC轉(zhuǎn)換器電機(jī)控制器線路驅(qū)動(dòng)器D類開關(guān)放大器說明UCC27423/4/5系列高速雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器可以將大峰值電流傳輸?shù)诫娙葚?fù)載。提供三種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng)-雙
2020-10-14 16:57:53
,使用雙極結(jié)型晶體管(BJT)圖騰柱驅(qū)動(dòng)低側(cè)配置中的電源開關(guān)。但是,由于柵極驅(qū)動(dòng)器IC的諸多優(yōu)勢及其附加特性,它日益取代了這些分立式解決方案。圖2顯示了典型BJT圖騰柱配置與典型柵極驅(qū)動(dòng)器IC。 圖 2
2022-11-04 06:40:48
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器?MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分?如何計(jì)算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00
到低壓側(cè)的柵極MOSFET(LGATE)。轉(zhuǎn)換器的輸出電壓為然后受到低邊MOSFET閾值的限制為微處理器提供一些保護(hù),如果在初始啟動(dòng)期間,MOSFET短路。這些驅(qū)動(dòng)器還具有一個(gè)三態(tài)PWM輸入
2020-09-29 17:38:58
概述:(兼用UCC27301A-Q1)PC1209是一款半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器,具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A,能夠最小化開關(guān)損耗地驅(qū)動(dòng)大功率MOSFET。高側(cè)和低側(cè)兩個(gè)通道完全獨(dú)立,其導(dǎo)
2025-03-03 11:27:14
概述:IX0948是一款CRT彩電場輸出電路,它采用7腳單列直插式封裝并帶散熱片,IX0948可與AN5515、AN5521直接互換。IX0948是一款適用于25英寸以上大屏幕彩電的場輸出電路中。
2021-04-09 07:02:51
EV6R11評(píng)估板采用ISOSMARTTM半橋驅(qū)動(dòng)器CHIPSET-IX6R11和IXDP630死區(qū)時(shí)間發(fā)生器,在雙面PCB上實(shí)現(xiàn)單電源相臂電路。該評(píng)估板包括一個(gè)帶有兩個(gè)功率器件的組裝和測試PCB。只需按照本文檔中的說明操作,即可將電路板連接到負(fù)載和電源
2020-04-23 08:42:24
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調(diào)消隱時(shí)間的過流保護(hù)。先進(jìn)的主動(dòng)箝位保護(hù)欠壓和過壓鎖定保護(hù)。兩個(gè) 1 安培脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)器,用于故障信號(hào)通信。IX6611設(shè)計(jì)用于為高功率開關(guān)器件提供柵極驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 09:52:17
您好,我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器,但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問題。首先,是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
概述:IX0512CE是一款開關(guān)穩(wěn)壓電源專用厚膜電路,它為5腳單列直插式陶瓷封裝工藝,IX0512CE可用IX0465CE、IX0645CE、HKD41090、STR40090、STR41090、56A246等
2021-04-06 07:17:57
驅(qū)動(dòng)器的可靠性。 同時(shí)本文也介紹了TI最新推出的 UCC27624是雙路低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,,低至-10V輸入端口負(fù)壓承受能力以及強(qiáng)大的抗電流反灌能力,使得該芯片適合高噪聲和輔助供電變壓器驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用場景;具有
2022-11-03 08:28:01
概述:IX0260CE是一般作用于CRT彩電電視機(jī)上的電視頻段選擇器,它單列9腳封裝,雙極結(jié)構(gòu),工作電源電壓=15V,最大功耗=0.2W,彩電遙控器用,靜態(tài)電流=60mA,輸出漏電流=50uA。
2021-04-12 06:37:18
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
,低側(cè)FET導(dǎo)通并開始通過其通道導(dǎo)通。相同的原理適用于通常在DC / DC電源和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中發(fā)現(xiàn)的其它同步半橋配置。負(fù)責(zé)高速接通的一個(gè)重要的柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)是導(dǎo)通傳播延遲。這是在柵極驅(qū)動(dòng)器的輸入端
2019-03-08 06:45:10
DGD05473FNQ 產(chǎn)品簡介DIODES 的DGD05473FNQ這是一款能夠驅(qū)動(dòng) N 溝道 MOSFET 的高頻柵極驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的額定電壓高達(dá) 50V
2023-10-24 10:17:47
DGD0597FUQ 產(chǎn)品簡介DIODES 的DGD0597FUQ這是一款高頻高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)半橋配置中的 N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的額定電壓高達(dá)
2023-10-24 10:45:14
產(chǎn)品描述IX4340 是一款雙通道、高電流、低側(cè)柵極 驅(qū)動(dòng)器。兩個(gè)輸出端分別能提供 5A 峰值電流,最大額定電壓為 20V。額定電壓為 20V。兩個(gè)輸出可并聯(lián)
2025-01-11 15:25:13
TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動(dòng)器
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動(dòng)器,
2010-02-23 09:26:57
1008 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:00
5529 
德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。
2012-02-11 09:59:08
3265 
德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動(dòng)電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2012-04-24 09:56:41
4662 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC4440A-5,該器件能以高達(dá) 80V
2013-10-09 15:41:27
1392 
iX6500系列維修手冊
2015-11-30 17:26:51
20 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器,可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:23
1789 UCC2752x 系列產(chǎn)品是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,此器件能夠高效地驅(qū)動(dòng)MOSFET 和絕緣柵極型功率管(IGBT) 電源開關(guān)。
2016-07-22 15:38:23
0 LTC7001 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動(dòng)器可憑借非常短的轉(zhuǎn)換時(shí)間和 35ns 傳播延遲,非常方便地驅(qū)動(dòng)柵極電容很大的 MOSFET,因此很適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。
2017-09-06 10:48:50
11335 
The IX2113 is a high voltage integrated circuit that can drive high speed MOSFETs and IGBTs
2017-09-11 11:31:35
18 The IX4423, IX4424, and IX4425 are dual high-speed, low-side gate drivers. Each of the two outputs
2017-09-11 12:19:44
15 The IX4423, IX4424, and IX4425 are dual high-speed, low-side gate drivers. Each of the two outputs
2017-09-11 12:23:44
1 The IX4423, IX4424, and IX4425 are dual high-speed, low-side gate drivers. Each of the two outputs
2017-09-11 12:28:01
10 LTC7004 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動(dòng)器能夠以非常短的轉(zhuǎn)換時(shí)間和 35ns 傳播延遲,容易地驅(qū)動(dòng)柵極電容很大的 MOSFET,非常適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。
2017-09-18 10:49:38
5833 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路:
2017-10-19 16:02:37
23 ADP3110A是一個(gè)單相12V MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,它被優(yōu)化成在同步降壓轉(zhuǎn)換器中同時(shí)驅(qū)動(dòng)高_(dá)側(cè)和低_側(cè)功率MOSFET的柵極。高_(dá)側(cè)和低_側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠以25ns的傳播延遲和30ns的過渡時(shí)間驅(qū)動(dòng)3000pF負(fù)載。
2018-08-27 10:44:00
78 近日,Hirose擴(kuò)充了其堅(jiān)固耐用的IX Industrial系列產(chǎn)品,新產(chǎn)品包括用于更快安裝的 絕緣位移連接器 (IDC)插頭組件和用于非以太網(wǎng)應(yīng)用的B鍵版本。 IX工業(yè)系列將小巧堅(jiān)固的設(shè)計(jì)與高速
2018-10-06 22:40:02
504 安森美半導(dǎo)體NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器是高頻、700V、2A高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,適用于交流/直流電源和逆變器。NCP51530可在較高工作頻率下提供同類最佳的傳播延遲、低靜態(tài)電流和低開關(guān)電流。這些NCP51530驅(qū)動(dòng)器適用于在高頻下工作的高效電源。
2019-10-03 09:32:00
3983 
BS2103F是一種單片高低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片,可驅(qū)動(dòng)高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,并具有自舉功能。浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高達(dá)600V的N通道功率MOSFET或IGBT。邏輯輸入可用于3.3V和5.0V。當(dāng)VCC和VBS低于規(guī)定的閾值電壓時(shí),欠壓鎖定(UVLO)電路可防止故障。
2020-04-10 08:00:00
5 M2205是一個(gè)高頻,同步整流,單相雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器。每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)3000pF負(fù)載,具有快速上升/下降時(shí)間和快速傳播延遲。該器件只需一個(gè)外部電容就可以在上柵極上實(shí)現(xiàn)自舉二極管。這降低了實(shí)現(xiàn)
2020-12-02 08:00:00
8 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:08
30 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:17
73 MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá)100V的電源電壓來驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容MOSFET中的開關(guān)損耗。針對(duì)
2022-10-25 09:19:34
2412 
低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用回顧和比較評(píng)估
2022-11-14 21:08:33
0 如果特定功率器件需要正極和負(fù)柵極驅(qū)動(dòng),電路設(shè)計(jì)人員無需尋找專門處理雙極性操作的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器。使用這個(gè)簡單的技巧使單極性柵極驅(qū)動(dòng)器提供雙極性電壓!
2023-02-16 11:04:58
1468 
柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中,驅(qū)動(dòng)主開關(guān)
2023-02-23 15:59:00
24 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng) 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動(dòng)器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)可按照所驅(qū)動(dòng)的器件類型或涉及的驅(qū)動(dòng)電路類型來分類。相應(yīng)地,無論是
2023-02-23 15:35:24
1 SCT52A40是一種寬電源,高頻柵極驅(qū)動(dòng)器,包括高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,用于半橋、全橋和降壓電路和驅(qū)動(dòng)離散N型MOSFET的轉(zhuǎn)換器。4A峰值電流和匯電流能力可提高功率轉(zhuǎn)換器的功率效率
2023-07-03 17:31:24
1386 
本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。它描述了使用不同電壓應(yīng)用的設(shè)計(jì),以及自適應(yīng) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,這是驅(qū)動(dòng)雙 n 溝道半橋的第三種方法。
2023-10-05 15:20:00
2928 
圣邦微電子推出 SGM42403,一款四路低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器。器件可應(yīng)用于低壓側(cè)開關(guān)、單極步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、繼電器驅(qū)動(dòng)器和電磁閥驅(qū)動(dòng)器。
2023-09-28 10:06:15
3159 
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。
2024-05-23 11:26:30
1651 近日,Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,這款新型驅(qū)動(dòng)器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:21
1464 柵極驅(qū)動(dòng)器芯片的原理是什么 柵極驅(qū)動(dòng)器芯片是一種用于控制功率電子器件(如IGBT、MOSFET等)柵極電壓的集成電路。它在電力電子領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源、太陽能逆變器等。本文將詳細(xì)
2024-06-10 17:23:00
3609 柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)是一種電路,主要用于增強(qiáng)場效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號(hào),以便控制器能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開關(guān)的操作。它通過將控制器輸出
2024-07-19 17:15:27
24573 柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)是一種電路,其主要功能在于增強(qiáng)場效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號(hào),以便控制器能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開關(guān)的操作。柵極驅(qū)動(dòng)器通過
2024-07-24 16:15:27
2144 IX0689電源電路圖
2024-08-27 11:46:32
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用單輸出柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動(dòng).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-03 11:50:11
1 Littelfuse公司近日宣布推出兩款創(chuàng)新產(chǎn)品——IX4341與IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,專為高頻應(yīng)用精心打造。這兩款新品進(jìn)一步豐富了Littelfuse的IX434x系列,通過新增的同相與反相邏輯輸入版本,實(shí)現(xiàn)了對(duì)系列產(chǎn)品的全面升級(jí)與補(bǔ)充。
2024-09-20 16:33:36
1104 MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗包含三部分: 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。 由于 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器交越導(dǎo)通(穿通
2024-10-29 10:45:21
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高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(HVIC)是專為半橋開關(guān)
2024-11-11 17:21:20
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Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出一系列高性能柵極驅(qū)動(dòng)器IC,可用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高邊和低邊N溝道MOSFET。這些驅(qū)動(dòng)器包含車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)版本,性能上兼具高電流輸出和出色的動(dòng)態(tài)性能,可大幅提高應(yīng)用效率和魯棒性。
2024-11-20 17:23:41
1292 MS30517SA 是單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效地驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 開關(guān) 。提供FAE支持,歡迎咨詢了解。單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2024-12-20 17:44:51
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柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)是電力電子系統(tǒng)中的一種關(guān)鍵電路組件,主要用于增強(qiáng)場效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號(hào),以便控制器能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開關(guān)
2025-02-02 13:47:00
1718 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN53-微功耗高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-09 14:02:31
0 LM5109 是一款低成本高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100V 的電源軌電壓下工作。輸出由 TTL 兼容輸入閾值
2025-05-21 14:26:13
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LM5100/LM5101 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100V 的電源電壓下工作。輸出由 CMOS 輸入閾值
2025-05-21 17:04:58
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Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、碳化硅 (SiC) MOSFET和IGBT電源開關(guān),具有3A峰值拉電流和3A
2025-07-10 14:57:02
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Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器是一款兼容光耦的單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件具有5A峰值輸出拉電流、5A峰值
2025-08-03 17:04:13
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和6A峰值灌電流,可驅(qū)動(dòng)功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管。UCC21550/UCC21550-Q1驅(qū)動(dòng)器是光隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,配置為兩個(gè)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器或一個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器。通過
2025-08-11 14:36:40
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Texas Instruments DRV8300U三相柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)有三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,電壓為100V,每個(gè)均可驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N通道功率MOSFET。DRV8300UD使用集成式自舉二極管和外部
2025-09-11 14:17:23
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Texas Instruments UCC27624/UCC27624-Q1雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器是高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率開關(guān)。此系列驅(qū)動(dòng)器的典型峰值驅(qū)動(dòng)
2025-09-18 14:47:59
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DRV8329系列器件是用于三相應(yīng)用的集成柵極驅(qū)動(dòng)器。這些器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該器件使用內(nèi)部電荷泵產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,并使用自舉電路
2025-10-13 15:32:07
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DRV8300U是100V三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300UD使用集成的自舉二極管和用于高側(cè)MOSFET的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。GVDD用于為低側(cè)MOSFET生成柵極驅(qū)動(dòng)電壓。柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá)750mA的峰值源電流和1.5A的灌電流。
2025-10-13 15:53:14
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DRV8300 -Q1 是 100V 三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極
2025-10-13 17:23:45
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DRV8770器件提供兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,而 GVDD 驅(qū)動(dòng)低側(cè) MOSFET 的柵極。柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá) 750mA 的柵極驅(qū)動(dòng)電流和 1.5A 的灌電流。
2025-10-14 11:42:20
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- Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出 IX4352NEAU汽車級(jí)低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在滿足電動(dòng)汽車
2025-10-28 18:07:40
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安森美NCV81071柵極驅(qū)動(dòng)器是高速雙路低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器,能夠?yàn)槿菪载?fù)載提供較大的峰值電流。這些驅(qū)動(dòng)器可在米勒平坦區(qū)域提供5A峰值電流,有助于降低MOSFET開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的米勒效應(yīng)
2025-11-24 16:06:31
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在現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域,高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅要實(shí)現(xiàn)緩沖和電平轉(zhuǎn)換的功能,還要在高頻操作下保持高效和穩(wěn)定。今天,我們就來深入探討安森美(onsemi)推出的一款優(yōu)秀的高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器——NCV51313。
2025-11-27 10:49:49
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在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器IC至關(guān)重要,它直接影響著電路的性能和穩(wěn)定性。今天,我們就來深入了解一下onsemi推出的FAD7171MX,一款專門為汽車應(yīng)用打造的高性能高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器IC。
2025-12-04 09:53:27
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在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,柵極驅(qū)動(dòng)器起著至關(guān)重要的作用,它能夠有效地驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT,確保設(shè)備的高效穩(wěn)定運(yùn)行。今天我們要探討的是安森美(onsemi)推出的NCP51105單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,它具備諸多出色的特性和功能,適用于多種應(yīng)用場景。
2025-12-04 09:58:48
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MD18624高頻柵極驅(qū)動(dòng)器是設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)低側(cè)n通道具有最大控制靈活性的mosfet獨(dú)立的輸入。每個(gè)通道可以源和匯5A峰值電流以及軌對(duì)軌輸出能力。2.2nF負(fù)載下7ns/6ns上升和下降時(shí)間降低
2025-01-06 10:00:09
評(píng)論