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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>Littelfuse推出高頻應(yīng)用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器

Littelfuse推出高頻應(yīng)用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器

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2017-10-19 16:02:3723

ADP3110A單相12V MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的詳細(xì)中文數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載

ADP3110A是一個(gè)單相12V MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,它被優(yōu)化成在同步降壓轉(zhuǎn)換中同時(shí)驅(qū)動(dòng)高_(dá)側(cè)和低_側(cè)功率MOSFET柵極。高_(dá)側(cè)和低_側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠以25ns的傳播延遲和30ns的過渡時(shí)間驅(qū)動(dòng)3000pF負(fù)載。
2018-08-27 10:44:0078

Hirose擴(kuò)展IX工業(yè)連接產(chǎn)品

近日,Hirose擴(kuò)充了其堅(jiān)固耐用的IX Industrial系列產(chǎn)品,新產(chǎn)品包括用于更快安裝的 絕緣位移連接 (IDC)插頭組件和用于非以太網(wǎng)應(yīng)用的B鍵版本。 IX工業(yè)系列將小巧堅(jiān)固的設(shè)計(jì)與高速
2018-10-06 22:40:02504

NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的特性與應(yīng)用分析

安森美半導(dǎo)體NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器高頻、700V、2A高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,適用于交流/直流電源和逆變器。NCP51530可在較高工作頻率下提供同類最佳的傳播延遲、低靜態(tài)電流和低開關(guān)電流。這些NCP51530驅(qū)動(dòng)器適用于在高頻下工作的高效電源。
2019-10-03 09:32:003983

BS2103F單片高低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片的數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載

BS2103F是一種單片高低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片,可驅(qū)動(dòng)高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,并具有自舉功能。浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高達(dá)600V的N通道功率MOSFET或IGBT。邏輯輸入可用于3.3V和5.0V。當(dāng)VCC和VBS低于規(guī)定的閾值電壓時(shí),欠壓鎖定(UVLO)電路可防止故障。
2020-04-10 08:00:005

MOSFET驅(qū)動(dòng)器M2205的數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載

M2205是一個(gè)高頻,同步整流,單相MOSFET驅(qū)動(dòng)器。每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)3000pF負(fù)載,具有快速上升/下降時(shí)間和快速傳播延遲。該器件只需一個(gè)外部電容就可以在上柵極上實(shí)現(xiàn)自舉二極管。這降低了實(shí)現(xiàn)
2020-12-02 08:00:008

ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET

ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773

應(yīng)用在電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器中的光耦

MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換和高達(dá)100V的電源電壓來驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容MOSFET中的開關(guān)損耗。針對(duì)
2022-10-25 09:19:342412

側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用回顧和比較評(píng)估

側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用回顧和比較評(píng)估
2022-11-14 21:08:330

極性方式驅(qū)動(dòng)單極柵極驅(qū)動(dòng)器

如果特定功率器件需要正極和負(fù)柵極驅(qū)動(dòng),電路設(shè)計(jì)人員無需尋找專門處理極性操作的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器。使用這個(gè)簡單的技巧使單極性柵極驅(qū)動(dòng)器提供極性電壓!
2023-02-16 11:04:581468

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路學(xué)習(xí)筆記之柵極驅(qū)動(dòng)參考

柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中,驅(qū)動(dòng)主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0024

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路之高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)

側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng) 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動(dòng)器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)可按照所驅(qū)動(dòng)的器件類型或涉及的驅(qū)動(dòng)電路類型來分類。相應(yīng)地,無論是
2023-02-23 15:35:241

SCT52A40_ 120V,4A,高頻高壓側(cè)低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

SCT52A40是一種寬電源,高頻柵極驅(qū)動(dòng)器,包括高壓側(cè)低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,用于半橋、全橋和降壓電路和驅(qū)動(dòng)離散N型MOSFET的轉(zhuǎn)換。4A峰值電流和匯電流能力可提高功率轉(zhuǎn)換的功率效率
2023-07-03 17:31:241386

N通道MOSFET低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道 MOSFET低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。它描述了使用不同電壓應(yīng)用的設(shè)計(jì),以及自適應(yīng) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,這是驅(qū)動(dòng) n 溝道半橋的第三種方法。
2023-10-05 15:20:002928

圣邦微電子四路低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器SGM42403簡述

圣邦微電子推出 SGM42403,一款四路低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器。器件可應(yīng)用于低壓側(cè)開關(guān)、單極步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、繼電器驅(qū)動(dòng)器和電磁閥驅(qū)動(dòng)器
2023-09-28 10:06:153159

Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。
2024-05-23 11:26:301651

Littelfuse發(fā)布IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

近日,Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,這款新型驅(qū)動(dòng)器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:211464

柵極驅(qū)動(dòng)器芯片的原理是什么

柵極驅(qū)動(dòng)器芯片的原理是什么 柵極驅(qū)動(dòng)器芯片是一種用于控制功率電子器件(如IGBT、MOSFET等)柵極電壓的集成電路。它在電力電子領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源、太陽能逆變器等。本文將詳細(xì)
2024-06-10 17:23:003609

什么是柵極驅(qū)動(dòng)器?柵極驅(qū)動(dòng)器的工作原理

柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)是一種電路,主要用于增強(qiáng)場效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵極型晶體管(IGBT)的柵極信號(hào),以便控制能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開關(guān)的操作。它通過將控制輸出
2024-07-19 17:15:2724573

柵極驅(qū)動(dòng)器是什么?柵極驅(qū)動(dòng)器有什么用?

柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)是一種電路,其主要功能在于增強(qiáng)場效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵極型晶體管(IGBT)的柵極信號(hào),以便控制能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開關(guān)的操作。柵極驅(qū)動(dòng)器通過
2024-07-24 16:15:272144

IX0689電源電路圖

IX0689電源電路圖
2024-08-27 11:46:320

使用單輸出柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動(dòng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用單輸出柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動(dòng).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-03 11:50:111

Littelfuse發(fā)布高頻MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器新品

Littelfuse公司近日宣布推出兩款創(chuàng)新產(chǎn)品——IX4341IX43425安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,專為高頻應(yīng)用精心打造。這兩款新品進(jìn)一步豐富了LittelfuseIX434x系列,通過新增的同相與反相邏輯輸入版本,實(shí)現(xiàn)了對(duì)系列產(chǎn)品的全面升級(jí)與補(bǔ)充。
2024-09-20 16:33:361104

MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗計(jì)算

MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗包含三部分: 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。 由于 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器交越導(dǎo)通(穿通
2024-10-29 10:45:212503

高壓柵極驅(qū)動(dòng)器的功率損耗分析

高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(HVIC)是專為半橋開關(guān)
2024-11-11 17:21:201608

Nexperia推出高性能柵極驅(qū)動(dòng)器IC

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出一系列高性能柵極驅(qū)動(dòng)器IC,可用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高邊和低邊N溝道MOSFET。這些驅(qū)動(dòng)器包含車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)版本,性能上兼具高電流輸出和出色的動(dòng)態(tài)性能,可大幅提高應(yīng)用效率和魯棒性。
2024-11-20 17:23:411292

淺談瑞盟科技·MS30517SA——單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

MS30517SA 是單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效地驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 開關(guān) 。提供FAE支持,歡迎咨詢了解。單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2024-12-20 17:44:511386

柵極驅(qū)動(dòng)器的定義和結(jié)構(gòu)

柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)是電力電子系統(tǒng)中的一種關(guān)鍵電路組件,主要用于增強(qiáng)場效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵極型晶體管(IGBT)的柵極信號(hào),以便控制能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開關(guān)
2025-02-02 13:47:001718

AN53-微功耗高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN53-微功耗高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-09 14:02:310

LM5109系列 100V / 1A 峰值半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM5109 是一款低成本高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100V 的電源軌電壓下工作。輸出由 TTL 兼容輸入閾值
2025-05-21 14:26:131046

LM5101系列 高壓高壓側(cè)低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM5100/LM5101 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100V 的電源電壓下工作。輸出由 CMOS 輸入閾值
2025-05-21 17:04:58889

Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、碳化硅 (SiC) MOSFET和IGBT電源開關(guān),具有3A峰值拉電流和3A
2025-07-10 14:57:02613

Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器是一款兼容光耦的單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件具有5A峰值輸出拉電流、5A峰值
2025-08-03 17:04:13704

德州儀器UCC21550-Q1通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

和6A峰值灌電流,可驅(qū)動(dòng)功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管。UCC21550/UCC21550-Q1驅(qū)動(dòng)器是光隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,配置為兩個(gè)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器或一個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器。通過
2025-08-11 14:36:401141

DRV8300U三相智能柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments DRV8300U三相柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)有三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,電壓為100V,每個(gè)均可驅(qū)動(dòng)側(cè)和低側(cè)N通道功率MOSFET。DRV8300UD使用集成式自舉二極管和外部
2025-09-11 14:17:23817

UCC27624通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

Texas Instruments UCC27624/UCC27624-Q1通道柵極驅(qū)動(dòng)器是高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率開關(guān)。此系列驅(qū)動(dòng)器的典型峰值驅(qū)動(dòng)
2025-09-18 14:47:59757

?DRV8329 三相無刷電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8329系列器件是用于三相應(yīng)用的集成柵極驅(qū)動(dòng)器。這些器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都能夠驅(qū)動(dòng)側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該器件使用內(nèi)部電荷泵產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,并使用自舉電路
2025-10-13 15:32:07528

?DRV8300U 三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8300U是100V三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300UD使用集成的自舉二極管和用于高側(cè)MOSFET的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。GVDD用于為低側(cè)MOSFET生成柵極驅(qū)動(dòng)電壓。柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá)750mA的峰值源電流和1.5A的灌電流。
2025-10-13 15:53:14454

?DRV8300-Q1 三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8300 -Q1 是 100V 三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極
2025-10-13 17:23:45893

?DRV8770 100V刷式直流柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8770器件提供兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,而 GVDD 驅(qū)動(dòng)側(cè) MOSFET柵極。柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá) 750mA 的柵極驅(qū)動(dòng)電流和 1.5A 的灌電流。
2025-10-14 11:42:20525

Littelfuse推出首款新型汽車級(jí)低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器IX4352NEAU

- Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出 IX4352NEAU汽車級(jí)低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在滿足電動(dòng)汽車
2025-10-28 18:07:40859

?基于NCV81071柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

安森美NCV81071柵極驅(qū)動(dòng)器是高速路低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器,能夠?yàn)槿菪载?fù)載提供較大的峰值電流。這些驅(qū)動(dòng)器可在米勒平坦區(qū)域提供5A峰值電流,有助于降低MOSFET開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的米勒效應(yīng)
2025-11-24 16:06:31284

探索NCV51313:高效高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

在現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域,高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅要實(shí)現(xiàn)緩沖和電平轉(zhuǎn)換的功能,還要在高頻操作下保持高效和穩(wěn)定。今天,我們就來深入探討安森美(onsemi)推出的一款優(yōu)秀的高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器——NCV51313。
2025-11-27 10:49:49232

探索onsemi FAD7171MX:高性能汽車高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器IC

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器IC至關(guān)重要,它直接影響著電路的性能和穩(wěn)定性。今天,我們就來深入了解一下onsemi推出的FAD7171MX,一款專門為汽車應(yīng)用打造的高性能高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器IC。
2025-12-04 09:53:27261

深入剖析NCP51105:單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越性能與應(yīng)用指南

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,柵極驅(qū)動(dòng)器起著至關(guān)重要的作用,它能夠有效地驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT,確保設(shè)備的高效穩(wěn)定運(yùn)行。今天我們要探討的是安森美(onsemi)推出的NCP51105單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,它具備諸多出色的特性和功能,適用于多種應(yīng)用場景。
2025-12-04 09:58:48655

MD18624高頻柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)側(cè)n通道最大控制靈活性的mosfet獨(dú)立的輸入

MD18624高頻柵極驅(qū)動(dòng)器是設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)側(cè)n通道具有最大控制靈活性的mosfet獨(dú)立的輸入。每個(gè)通道可以源和匯5A峰值電流以及軌對(duì)軌輸出能力。2.2nF負(fù)載下7ns/6ns上升和下降時(shí)間降低
2025-01-06 10:00:09

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