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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>

制造/封裝

權(quán)威的制造技術(shù)與封裝技術(shù)頻道,涉及半導(dǎo)體制程工藝、IC代工產(chǎn)能以及集成電路封裝測(cè)試等技術(shù)。
史上最佳Q4!AMD預(yù)估2026年Q1營(yíng)收呈現(xiàn)季減, 股價(jià)應(yīng)聲下跌

史上最佳Q4!AMD預(yù)估2026年Q1營(yíng)收呈現(xiàn)季減, 股價(jià)應(yīng)聲下跌

2月3日,國(guó)際芯片大廠AMD發(fā)布截止公布了 2025 年第四季度及全年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī),在人工智能與數(shù)據(jù)中心強(qiáng)勁需要的帶動(dòng)下,營(yíng)收和凈利潤(rùn)創(chuàng)新高,財(cái)報(bào)優(yōu)于華爾街預(yù)期。但是2026年第一季預(yù)期營(yíng)收略有...

2026-02-04 標(biāo)簽:amdgpuAI 10256

革命性突破!東亞合成IXE系列離子捕捉劑如何重塑電子封裝材料穩(wěn)定性

革命性突破!東亞合成IXE系列離子捕捉劑如何重塑電子封裝材料穩(wěn)定性

在高度精密化的現(xiàn)代電子制造業(yè)中,微小離子污染可能引發(fā)災(zāi)難性后果。東亞合成公司推出的IXE系列離子捕捉劑,正以其獨(dú)特的材料科學(xué)創(chuàng)新,為IC封裝和柔性電路板制造提供關(guān)鍵解決方案。...

2026-02-03 標(biāo)簽:IC封裝 1549

安森美T2PAK封裝功率器件貼裝方法

安森美T2PAK封裝功率器件貼裝方法

T2PAK應(yīng)用筆記重點(diǎn)介紹T2PAK封裝的貼裝及其熱性能的高效利用。內(nèi)容涵蓋以下方面:T2PAK封裝詳解:全面說(shuō)明封裝結(jié)構(gòu)與關(guān)鍵規(guī)格參數(shù);焊接注意事項(xiàng):闡述實(shí)現(xiàn)可靠電氣連接的關(guān)鍵焊接注意事項(xiàng)...

2026-02-05 標(biāo)簽:封裝功率器件回流焊 11532

晶圓級(jí)扇出型封裝的三大核心工藝流程

晶圓級(jí)扇出型封裝的三大核心工藝流程

在后摩爾時(shí)代,扇出型晶圓級(jí)封裝(FOWLP) 已成為實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成、提升I/O密度和縮小封裝尺寸的關(guān)鍵技術(shù)路徑。與傳統(tǒng)的扇入型(Fan-In)封裝不同,F(xiàn)OWLP通過(guò)將芯片重新排布在重構(gòu)晶圓上,利用...

2026-02-03 標(biāo)簽:工藝流程晶圓級(jí)封裝FOWLP 1135

晶振儲(chǔ)存指南

晶振儲(chǔ)存指南

在電子設(shè)備中,晶振如同心臟般重要,它為電路提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),確保設(shè)備精準(zhǔn)運(yùn)行。然而,晶振的儲(chǔ)存環(huán)境直接影響其性能和壽命,不當(dāng)?shù)膬?chǔ)存可能導(dǎo)致頻率偏移、焊接困難甚至設(shè)備故障...

2026-02-03 標(biāo)簽:晶體晶振 871

3D IC設(shè)計(jì)中的信號(hào)完整性與電源完整性分析

3D IC設(shè)計(jì)中的信號(hào)完整性與電源完整性分析

對(duì)更高性能和更強(qiáng)功能的不懈追求,推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了多個(gè)變革時(shí)代。最新的轉(zhuǎn)變是從傳統(tǒng)的單片SoC轉(zhuǎn)向異構(gòu)集成先進(jìn)封裝IC,包括3D IC。這項(xiàng)新興技術(shù)有望助力半導(dǎo)體公司延續(xù)摩爾定律。...

2026-02-03 標(biāo)簽:IC設(shè)計(jì)信號(hào)完整性電源完整性先進(jìn)封裝 12652

今日看點(diǎn):ASML 阿斯麥計(jì)劃裁員 1700 人;Meta CEO 扎克伯格:公司逐步弱化 VR 強(qiáng)化

傳蘋(píng)果和英偉達(dá)考慮將部分芯片生產(chǎn)和封裝外包給英特爾 據(jù)報(bào)道,地緣政治方面的擔(dān)憂、美國(guó)政府的政治壓力、美國(guó)境外生產(chǎn)的半導(dǎo)體可能面臨的關(guān)稅以及產(chǎn)能限制,正促使蘋(píng)果和英偉達(dá)考慮...

2026-01-29 標(biāo)簽: 1108

國(guó)產(chǎn)MEMS芯片代工龍頭企業(yè)賽微電子:預(yù)計(jì)2025年凈利潤(rùn)達(dá)15億元,增長(zhǎng)985%

國(guó)產(chǎn)MEMS芯片代工龍頭企業(yè)賽微電子:預(yù)計(jì)2025年凈利潤(rùn)達(dá)15億元,增長(zhǎng)985%

? 1月27日,國(guó)產(chǎn)MEMS芯片代工龍頭企業(yè)賽微電子,披露業(yè)績(jī)預(yù)告,公司預(yù)計(jì)2025年歸母凈利潤(rùn)14.1億元至15.0億元,同比增長(zhǎng)932%至985%,較去年同期虧損1.70億元實(shí)現(xiàn)扭虧為盈;預(yù)計(jì)扣非凈虧損3.03億元...

2026-01-28 標(biāo)簽:mems芯片賽微電子 3337

今日看點(diǎn):微軟發(fā)布新定制 AI 芯片 Maia 200;國(guó)芯科技累計(jì)出貨2500萬(wàn)顆創(chuàng)新高

微軟發(fā)布新定制 AI 芯片 Maia 200 ? 近日,微軟在官方博客正式發(fā)布了其定制 AI 加速芯片 Maia 200,旨在為大規(guī)模 AI 計(jì)算提供更高性能與能效。該芯片采用臺(tái)積電 3nm 制程工藝制造,目前已開(kāi)始部署...

2026-01-27 標(biāo)簽: 946

存儲(chǔ)漲價(jià)無(wú)礙AIoT增長(zhǎng)!瑞芯微2025年AIoT業(yè)務(wù)驅(qū)動(dòng),凈利潤(rùn)預(yù)計(jì)大漲7成

存儲(chǔ)漲價(jià)無(wú)礙AIoT增長(zhǎng)!瑞芯微2025年AIoT業(yè)務(wù)驅(qū)動(dòng),凈利潤(rùn)預(yù)計(jì)大漲7成

1月26日晚間,國(guó)內(nèi)AIoT芯片公司瑞芯微發(fā)布2025年業(yè)績(jī)預(yù)告,瑞芯微預(yù)計(jì)2025 年年度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 43.87億元到 44.27億元,同比增長(zhǎng)39.88%到 41.15%。瑞芯微認(rèn)為主要是公司 RK3588、RK3576、RV11 系列為代表...

2026-01-28 標(biāo)簽:soc瑞芯微AIoT 9949

云巨頭算力戰(zhàn)升級(jí)!微軟新一代3nm AI推理芯片性能提升30%,落地?cái)?shù)據(jù)中心

云巨頭算力戰(zhàn)升級(jí)!微軟新一代3nm AI推理芯片性能提升30%,落地?cái)?shù)據(jù)中心

據(jù)外媒報(bào)道,微軟發(fā)布新一代人工智能芯片Maia 200,這款芯片有望成為英偉達(dá)旗艦處理器以及云服務(wù)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手亞馬遜、谷歌同類(lèi)產(chǎn)品的替代選擇。微軟稱(chēng),這款芯片是為 AI 推理規(guī)模化部署打造的...

2026-01-27 標(biāo)簽:微軟3nm3nm微軟 9259

集成電路制造中常用濕法清洗和腐蝕工藝介紹

集成電路制造中常用濕法清洗和腐蝕工藝介紹

集成電路濕法工藝是指在集成電路制造過(guò)程中,通過(guò)化學(xué)藥液對(duì)硅片表面進(jìn)行處理的一類(lèi)關(guān)鍵技術(shù),主要包括濕法清洗、化學(xué)機(jī)械拋光、無(wú)應(yīng)力拋光和電鍍四大類(lèi)。這些工藝貫穿于芯片制造的多...

2026-01-23 標(biāo)簽:集成電路工藝濕法 1848

AI存儲(chǔ)引爆業(yè)績(jī)!兆易創(chuàng)新2025年業(yè)績(jī)預(yù)喜,凈利潤(rùn)大增46%

AI存儲(chǔ)引爆業(yè)績(jī)!兆易創(chuàng)新2025年業(yè)績(jī)預(yù)喜,凈利潤(rùn)大增46%

1月23日,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片和MCU芯片公司兆易創(chuàng)新發(fā)布2025年業(yè)績(jī)預(yù)增報(bào)告。兆易創(chuàng)新表示,經(jīng)財(cái)務(wù)部門(mén)初步測(cè)算,預(yù)計(jì) 2025 年實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為16.1億元左右,與上年同期相比增加...

2026-01-23 標(biāo)簽:mcu存儲(chǔ)兆易創(chuàng)新 10352

半導(dǎo)體行業(yè)知識(shí)專(zhuān)題九:半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備深度報(bào)告

半導(dǎo)體行業(yè)知識(shí)專(zhuān)題九:半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備深度報(bào)告

(一)測(cè)試設(shè)備貫穿半導(dǎo)體制造全流程半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈核心裝備,涵蓋晶圓測(cè)試、封裝測(cè)試及功能驗(yàn)證等環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備貫穿于集成電路制造的全生命周期,且因半導(dǎo)體...

2026-01-23 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備 1861

UV膠表面發(fā)粘的原因

UV膠表面發(fā)粘的原因

uv膠表面發(fā)粘究竟是什么原因造成的?我們又該如何解決和預(yù)防呢?本文將深入分析其背后其實(shí)涉及的化學(xué)反應(yīng)、光照條件、材料特性以及操作環(huán)境等多個(gè)科學(xué)因素。...

2026-01-22 標(biāo)簽:固化膠水UV膠 1624

凈利潤(rùn)大漲50%-76%!全志科技2025年業(yè)績(jī)看好,四大賽道齊發(fā)力

凈利潤(rùn)大漲50%-76%!全志科技2025年業(yè)績(jī)看好,四大賽道齊發(fā)力

1月20日,全志科技發(fā)布2025年業(yè)績(jī)預(yù)增公告,預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)為2.51億元~2.95億元,凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)50.53%~76.92%。全志科技表示,報(bào)告期內(nèi),公司下游市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng),公司積極拓展各產(chǎn)品線業(yè)務(wù)...

2026-01-21 標(biāo)簽:soc凈利潤(rùn)全志科技AI眼鏡 9976

臺(tái)積電2nm芯片成本暴漲80%!蘋(píng)果A20、高通驍龍旗艦芯片集體漲價(jià)

臺(tái)積電2nm芯片成本暴漲80%!蘋(píng)果A20、高通驍龍旗艦芯片集體漲價(jià)

據(jù)外媒消息,iPhone折疊屏手機(jī) 和 iPhone 18 Pro 機(jī)型將搭載 A20 Pro 芯片,展示臺(tái)積電最新的 2nm 工藝 N2,其性能提升幅度比 A19 芯片高出 15%,效率提升幅度高出 30%。iPhone18采用A20芯片,單顆A20芯片成...

2026-01-20 標(biāo)簽:高通臺(tái)積電蘋(píng)果2nm 8200

英飛凌與HL Klemove攜手推動(dòng)汽車(chē)創(chuàng)新,加速軟件定義汽車(chē)落地

英飛凌與HL Klemove攜手推動(dòng)汽車(chē)創(chuàng)新,加速軟件定義汽車(chē)落地

1月20日,英飛凌科技股份公司與HL Klemove簽署諒解備忘錄(MoU),以加強(qiáng)雙方在汽車(chē)科技領(lǐng)域的戰(zhàn)略合作。此次合作旨在將英飛凌的半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)知識(shí)與系統(tǒng)理解能力,與HL Klemove在高級(jí)自動(dòng)駕駛系...

2026-01-20 標(biāo)簽: 1557

冠捷半導(dǎo)體(SST)與聯(lián)華電子(UMC)宣布28納米SuperFlash?第四代車(chē)規(guī)1級(jí)平臺(tái)即日投產(chǎn)

冠捷半導(dǎo)體(SST)與聯(lián)華電子(UMC)宣布28納米SuperFlash?第四代車(chē)規(guī)1級(jí)平臺(tái)即日

SST創(chuàng)新的ESF4技術(shù)結(jié)合UMC 28HPC+工藝,為汽車(chē)控制器提供完整的車(chē)規(guī)1級(jí)性能與可靠性,同時(shí)大幅減少掩模工序 隨著汽車(chē)行業(yè)對(duì)高性能車(chē)輛控制器的需求日益增長(zhǎng),Microchip Technology Inc.(微芯科技公...

2026-01-19 標(biāo)簽:microchip28納米冠捷聯(lián)華電子 4569

三星2nm良率提升至50%,2027年前實(shí)現(xiàn)晶圓代工業(yè)務(wù)盈利可期

據(jù)報(bào)道,三星電子第一代2nm GAA制程(SF2)良率已穩(wěn)定在50%,該數(shù)據(jù)也通過(guò)其量產(chǎn)的Exynos 2600處理器得到印證。...

2026-01-19 標(biāo)簽:晶圓代工先進(jìn)制程2nm三星 3136

馬斯克宣布: A15完成設(shè)計(jì),未來(lái)芯片迭代快過(guò)AMD和英偉達(dá)

馬斯克宣布: A15完成設(shè)計(jì),未來(lái)芯片迭代快過(guò)AMD和英偉達(dá)

1 月 18 日,特斯拉首席執(zhí)行長(zhǎng)伊隆·馬斯克(Elon Musk)宣布一項(xiàng)雄心勃勃的人工智能(AI)芯片路線圖,計(jì)劃每九個(gè)月推出新一代 AI 處理器,這個(gè)速度將超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英偉達(dá)和 AMD 的年度發(fā)布節(jié)...

2026-01-19 標(biāo)簽:特斯拉AI芯片 17045

半導(dǎo)體“功率模塊(IPM)封裝工藝技術(shù)”的詳解

半導(dǎo)體“功率模塊(IPM)封裝工藝技術(shù)”的詳解

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,智能功率模塊(IPM)在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用將愈加廣泛。通過(guò)合理的分類(lèi)及其在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用,功率模塊(IPM)不僅提高了設(shè)備的性能和效率,同時(shí)也推動(dòng)了可持續(xù)發(fā)展...

2026-01-18 標(biāo)簽:封裝功率模塊IPM封裝工藝 13586

先進(jìn)封裝龍頭IPO!三年?duì)I收飆漲70%,3DIC平臺(tái)獲批量訂單

先進(jìn)封裝龍頭IPO!三年?duì)I收飆漲70%,3DIC平臺(tái)獲批量訂單

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,1月7日,盛合晶微半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“盛合晶微”)正式接受上海證券交易所科創(chuàng)板上市審核中心的首輪問(wèn)詢。作為中國(guó)大陸在高端集成電路先進(jìn)封測(cè)領(lǐng)域快速...

2026-01-18 標(biāo)簽:ipo3DIC先進(jìn)封裝 13258

美商務(wù)部:臺(tái)灣半導(dǎo)體供應(yīng)鏈四成須遷美,否則征100%關(guān)稅

美商務(wù)部:臺(tái)灣半導(dǎo)體供應(yīng)鏈四成須遷美,否則征100%關(guān)稅

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)日前,全球最大的芯片代工制造商臺(tái)積電公布了第四季度財(cái)報(bào)。這份財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)相當(dāng)亮眼:該季度臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.046萬(wàn)億新臺(tái)幣(約合人民幣2308.52億元),同比...

2026-01-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體供應(yīng)鏈關(guān)稅 12332

提高石英晶體振蕩器相位噪聲性能的4種方法

提高石英晶體振蕩器相位噪聲性能的4種方法

如果你正在設(shè)計(jì)一款用于5G基站或精密雷達(dá)的振蕩器,單純靠一種方法是不夠的。你需要“SC切割晶體 + 四點(diǎn)封裝”作為基礎(chǔ),配合“電子補(bǔ)償”電路來(lái)應(yīng)對(duì)動(dòng)態(tài)環(huán)境,同時(shí)輔以“超低噪聲電源...

2026-01-16 標(biāo)簽:晶振晶體振蕩器晶振匹配石英晶體振蕩器揚(yáng)興科技 1248

微機(jī)消諧裝置即二次消諧裝置是雙刃劍,是“神器”?還是麻煩源頭?

微機(jī)消諧裝置即二次消諧裝置是雙刃劍,是“神器”?還是麻煩源頭?

微機(jī)消諧裝置是一個(gè)優(yōu)點(diǎn)突出、但絕非完美的技術(shù)解決方案。它極大地提升了我們應(yīng)對(duì)鐵磁諧振的能力,但也對(duì)我們的專(zhuān)業(yè)知識(shí)和運(yùn)維水平提出了更高要求。把它用好、管好,是保障PT安全、減...

2026-01-16 標(biāo)簽:消諧裝置微機(jī)消諧二次消諧二次消諧微機(jī)消諧消諧裝置 1485

詳解芯片制造中的中間層鍵合技術(shù)

詳解芯片制造中的中間層鍵合技術(shù)

依據(jù)中間層所采用的材料不同,中間層鍵合可劃分為黏合劑鍵合與金屬中間層鍵合兩大類(lèi),下文將分別對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)闡述。...

2026-01-16 標(biāo)簽:芯片制造鍵合 1369

Wolfspeed成功制造出單晶300mm碳化硅晶圓

球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (美國(guó)紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 今日宣布了一項(xiàng)重大行業(yè)里程碑:成功制造出單晶 300 mm(12英寸)碳化硅晶圓。憑借著業(yè)內(nèi)最為龐大、最具基礎(chǔ)性的碳化硅...

2026-01-16 標(biāo)簽:功率器件碳化硅Wolfspeed 2036

主要氮化鎵封裝技術(shù)介紹

主要氮化鎵封裝技術(shù)介紹

氮化鎵(GaN)作為一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其高電子遷移率和高擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異特性,已在5G通信基站、數(shù)據(jù)中心電源及消費(fèi)電子快充等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用。在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域,GaN器...

2026-01-14 標(biāo)簽:封裝技術(shù)氮化鎵GaN 3542

今日看點(diǎn):美國(guó)政府批準(zhǔn)向中國(guó)出口英偉達(dá)H200芯片;印度擬要求手機(jī)廠商交出

AI數(shù)據(jù)中心壓垮美國(guó)最大電網(wǎng),6700萬(wàn)人或遭遇停電 ? 據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道,美國(guó)最大的電網(wǎng)運(yùn)營(yíng)商PJM目前正處于供需失衡的邊緣。科技行業(yè)對(duì)AI數(shù)據(jù)中心近乎無(wú)底線的電力渴求,導(dǎo)致用電需求...

2026-01-14 標(biāo)簽: 1148

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