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嵌入式存儲器 意法半導(dǎo)體FD-SOI性能大升

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隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性,在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。##嵌入式存儲器設(shè)計方法##物理驗證
2014-09-02 18:01:152131

半導(dǎo)體廠商產(chǎn)能布局 FinFET與FD-SOI工藝大PK

在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里,半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:224208

瞄準(zhǔn)超低功耗IoT GF擁抱FD-SOI制程

半導(dǎo)體晶圓代工公司格羅方德(Globalfoundries)日前開發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺,以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與半導(dǎo)體
2015-10-08 08:29:221285

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Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示,該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示,28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展,首先是在
2016-07-28 08:50:141435

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格芯CEO:FD-SOI是中國需要的技術(shù)

5G時代將對半導(dǎo)體的移動性與對物聯(lián)網(wǎng)時代的適應(yīng)性有著越來越高的要求。此時,FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯,人們對SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
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2024-10-16 14:18:37947

FD-SOI成≥12nm和≤28nm區(qū)間更好的選擇,三星、格羅方德等公司如何布局?

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2024-10-28 06:57:004142

第十屆上海 FD-SOI 論壇:探尋在邊緣AI的優(yōu)勢與商機

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第十屆上海 FD-SOI 論壇二:FD-SOI 的設(shè)計實現(xiàn),深耕邊緣AI技術(shù)落地

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2025-09-25 17:41:258710

FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)

FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)技術(shù)是一種新的工藝技術(shù),有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片,在相同的選件和金屬層條件下,FD-SOI需要38
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嵌入式存儲器的設(shè)計方法是什么?

隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性,在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續(xù)增長,其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加,從而需要提出一種專用存儲器設(shè)計方法。
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所需的基本電路(巴倫),在其它解決方案中,通常工程師必須自己設(shè)計巴倫; 還集成大容量的系統(tǒng)存儲器、用戶存儲器、硬件加密、客戶密鑰存儲器(用于品牌和知識產(chǎn)權(quán)保護(hù))。半導(dǎo)體部門副總裁兼微控制產(chǎn)品部
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半導(dǎo)體加強在超聲波市場布局,推出16通道高性能脈沖發(fā)生

13日 – 針對重要的醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,半導(dǎo)體采用其經(jīng)過驗證的支持單片集成模擬電路(雙極晶體管)、數(shù)字電路(CMOS)和電源(DMOS)電路的BCD8s-SOI制造工藝,推出一款新的尺寸緊湊、性能
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? -M33內(nèi)核微控制(MCU),為低功耗物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備帶來先進(jìn)的網(wǎng)絡(luò)保護(hù)功能?;诩葾rm TrustZone?硬件安全技術(shù)來增強小設(shè)備安保功能的Cortex-M33處理內(nèi)核,半導(dǎo)體
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半導(dǎo)體推出《通過SensorTile了解嵌入式系統(tǒng)》物聯(lián)網(wǎng)課程

)。 包含加州大學(xué)洛杉磯分校(UCLA)William Kaiser教授為大一計算機工程班的學(xué)生開發(fā)的教學(xué)課程,該在線課程資源為理解基于傳感的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)嵌入式系統(tǒng)的基本原理打下基礎(chǔ)。半導(dǎo)體
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尊敬的先生/女士,您能否提供步驟和可能的圖表,以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線?提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
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2008-08-17 22:36:43169

嵌入式存儲器發(fā)展現(xiàn)狀

文章中簡要介紹了嵌入式存儲器技術(shù)發(fā)展歷程,詳細(xì)地介紹了基于標(biāo)準(zhǔn)工藝上嵌入式存儲器的技術(shù)關(guān)鍵詞:IP SOC 存儲器 eDRAM OTP MTP 嵌入式閃存 1T-SRAM2T-SRAMAbstract: Paper reviews h
2009-12-21 10:38:1732

半導(dǎo)體推出雙接口串行接口EEPROM存儲器M24LR64

半導(dǎo)體推出雙接口串行接口EEPROM存儲器M24LR64 半導(dǎo)體宣布一全新射頻EEPROM芯片系列的首款產(chǎn)品M24LR64樣片正式上市。新產(chǎn)品能
2010-03-20 18:46:001426

半導(dǎo)體推出工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)存儲器的監(jiān)控保護(hù)器件

半導(dǎo)體推出工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)存儲器的監(jiān)控保護(hù)器件       半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼:STM),推出STTS2002模組串行存在檢測(SP
2010-04-07 09:40:301191

FD-SOI元件與FinFET接近實用化的不斷發(fā)布

22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域,靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會越來越困難的,為此,人們關(guān)注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421852

平板電腦如何選用嵌入式存儲器

《集成電路應(yīng)用》雜志日前采訪了國內(nèi)領(lǐng)先的嵌入式存儲器方案提供商深圳江波龍電子有限公司嵌入式存儲產(chǎn)品總監(jiān)王景陽先生,請他就平板電腦如果選用嵌入式存儲器進(jìn)行了介紹。
2012-04-20 13:35:292316

半導(dǎo)體(ST)與Soitec攜手CMP提供28納米FD-SOI CMOS制程

半導(dǎo)體(ST)、Soitec與CMP(Circuits Multi Projets)攜手宣佈,大專院校、研究實驗室和設(shè)計公司將可透過CMP的硅中介服務(wù)採用意半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator,
2012-10-25 09:42:501589

看好28奈米FD-SOI技術(shù) 借力成該技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者

日前,半導(dǎo)體(ST)宣布位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù),這證明了半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點提供平面完全空乏型(planar fully-depleted)技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:271206

半導(dǎo)體獲2013年度電子成就獎(ACE)能源技術(shù)獎

半導(dǎo)體(ST)宣布半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術(shù)榮獲2013年度電子成就獎(ACE)能源技術(shù)獎。根據(jù)客戶的節(jié)能與性能權(quán)衡策略,FD-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50%的能耗,使終端設(shè)備可更快散熱,并實現(xiàn)更長的使用壽命。
2013-05-10 09:06:431211

半導(dǎo)體公司選擇格芯22FDX?提升其FD-SOI平臺和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力

據(jù)報道,半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力,格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:426591

格羅方德宣布新一代處理解決方案

應(yīng)用的新一代處理解決方案。 格羅方德指出,半導(dǎo)體在業(yè)界率先部署 28 納米 FD-SOI 技術(shù)平臺后,決定擴大投入及發(fā)展藍(lán)圖,采用格羅方德生產(chǎn)就緒的 22FDX 制程及生態(tài)系統(tǒng),提供第 2 代 FD-SOI 解決方案,打造未來智能系統(tǒng)。
2018-01-10 20:44:021155

GlobalFoundries拋棄三星和半導(dǎo)體在第二代FD-SOI技術(shù)上達(dá)成合作

GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效,近日傳來消息,又迎來意半導(dǎo)體(ST)的大單進(jìn)補,在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031813

格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺12FDXTM

格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺12FDXTM,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個多節(jié)點FD-SOI路線圖,從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎(chǔ)之上,專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計。
2018-05-14 15:54:003070

Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)

Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng),滿足當(dāng)下及未來消費品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求,確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00871

半導(dǎo)體公布了汽車微控制嵌入式PCM樣片的架構(gòu)和性能基準(zhǔn)

2018年12月12日,橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)在IEDM2018國際電子器件展會上,公布了內(nèi)置嵌入式相變存儲器
2018-12-13 15:38:071555

半導(dǎo)體宣布ST33嵌入式安全I(xiàn)C的累計銷量超過10億片

2月20日,橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商半導(dǎo)體宣布ST33嵌入式安全I(xiàn)C的累計銷量超過10億片。
2019-02-21 17:01:214073

三星大規(guī)模生產(chǎn)磁性隨機存儲器MRAM,或?qū)⒏淖?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局?

據(jù)韓國媒體報道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上,開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-16 10:24:271146

各企業(yè)積極投入FD-SOI元件開發(fā) 看好后續(xù)市場發(fā)展

為求低功耗、高能效及高性價比之元件,市場逐漸開發(fā)出FD-SOI(完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管)結(jié)構(gòu);而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心,透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式,進(jìn)而以水平晶體管架構(gòu),取代線寬較大(16~12nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:205089

云天勵飛、Blink現(xiàn)身說法談FD-SOI優(yōu)勢

事實勝于雄辯,與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比,本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢,其震撼效果難以言傳!
2019-08-06 16:22:454242

高級工藝未來分化,FD-SOI受益

長期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講,并對FD-SOI未來走勢做出預(yù)測。
2019-08-06 16:25:004363

FD-SOI爆發(fā)的唯一短板是IP?

FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:445032

嵌入式存儲器如何來設(shè)計

獲取嵌入式存儲器設(shè)計的另一種方法是利用存儲器編譯,它能夠快捷和廉價地設(shè)計存儲器物理模塊。
2019-10-18 11:52:161386

格芯宣布推出22FDX FD-SOI平臺的嵌入式磁性隨機存儲器

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案,格芯22FDXeMRAM,為消費領(lǐng)域、工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:161136

格芯宣布已完成22FDX技術(shù)開發(fā) 將用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲器

據(jù)外媒報道稱,GlobalFoundries(格芯)今天宣布已經(jīng)完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技術(shù)開發(fā),而這項技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲器(eMRAM)。
2020-02-28 11:24:282970

格芯22FDX技術(shù)將用于批量生產(chǎn)eMRAM磁阻非易失性存儲器芯片

據(jù)外媒報道稱,美國半導(dǎo)體晶圓代工廠商GlobalFoundries(格芯)宣布已經(jīng)完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技術(shù)開發(fā),而這項技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲器(eMRAM)。
2020-03-03 15:57:27725

格芯22nm工藝量產(chǎn)eMRAM,新型存儲機會來臨

近日,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工藝平臺,新型存儲器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存儲器)已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:371159

半導(dǎo)體推出的新型EEPROM存儲器

半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼:STM),一家橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、為客戶提供半導(dǎo)體服務(wù)的全球領(lǐng)先供應(yīng)商,在2019年推出了新一代存儲芯片。該芯片擁有出眾的存儲密度,兼具優(yōu)異的速度和可靠性,豐富了我們?nèi)粘TO(shè)備的功能,為生活和工作添姿加彩。
2020-04-28 14:28:524269

FD-SOI應(yīng)用 從5G、物聯(lián)網(wǎng)到汽車

FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點”,Soitec
2020-07-07 16:04:044287

半導(dǎo)體存儲器及其測試.pdf

半導(dǎo)體存儲器及其測試.pdf(匯編語言嵌入式開發(fā))-半導(dǎo)體存儲器及其測試.pdf半導(dǎo)體存儲器及其測試.pdf
2021-07-30 09:39:3073

FPGA中嵌入式存儲器的設(shè)計

FPGA中嵌入式存儲器的設(shè)計(嵌入式開發(fā)平臺)-該文檔為FPGA中嵌入式存儲器的設(shè)計總結(jié)文檔,是一份很不錯的參考資料,具有較高參考價值,感興趣的可以下載看看………………
2021-08-04 10:14:406

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出FPGA產(chǎn)品加強邊緣AI能力

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產(chǎn)品,包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:446557

第八屆上海FD-SOI論壇成功舉行 芯原FD-SOI IP迅速成長賦能產(chǎn)業(yè)

于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年,2023年主辦方重啟再次主辦,第八屆FD-SOI論壇,邀請到國內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專家參與。三年內(nèi)國內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化,FD-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術(shù)又有哪些變化? ? 半導(dǎo)體工藝在2001年的新工藝技術(shù)的兩條路
2023-11-01 16:39:043350

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46939

FD-SOI與PD-SOI他們的區(qū)別在哪?

本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:365137

半導(dǎo)體攜手三星推出18nm FD-SOI工藝,支持嵌入式相變存儲器

據(jù)悉,FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù),能夠通過簡化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制,相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù),新工藝大幅度提高了性能指標(biāo):能效提升 50%,數(shù)字密度增加三倍有余,并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:231482

半導(dǎo)體攜手三星打造創(chuàng)新突破,推出18納米高性能微控制(MCU)

近日,半導(dǎo)體公司宣布,將推出一種基于18納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù)的新進(jìn)工藝,這一技術(shù)還配備了嵌入式相變存儲器(ePCM),意在為下一代嵌入式處理設(shè)備提供強大支持。該技術(shù)是
2024-03-21 11:59:371056

半導(dǎo)體突破20納米技術(shù)節(jié)點,打造極具競爭力的新一代MCU

半導(dǎo)體(簡稱ST)發(fā)布了一項基于18納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù)并整合嵌入式相變存儲器(ePCM)的先進(jìn)制造工藝,支持下一代嵌入式處理升級進(jìn)化。
2024-03-25 18:13:111941

半導(dǎo)體將推出基于新技術(shù)的下一代STM32微控制

半導(dǎo)體(ST)近日宣布,公司成功研發(fā)出基于18納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù),并整合了嵌入式相變存儲器(ePCM)的先進(jìn)制造工藝。這項新工藝技術(shù)是半導(dǎo)體與三星晶圓代工廠共同研發(fā)的成果,旨在推動下一代嵌入式處理的升級進(jìn)化。
2024-03-28 10:22:191146

芯原戴偉民博士回顧FD-SOI發(fā)展歷程并分享市場前沿技術(shù)

,以及芯原在FD-SOI提供的解決方案。 ? 全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)是一種平面工藝技術(shù),從結(jié)構(gòu)上看, FD-SOI晶體管的靜電特性優(yōu)于傳統(tǒng)體硅技術(shù)。埋氧層可以降低源極和漏極之間的寄生電容,還能有效地抑制電子從源極流向漏極,從而大幅降低導(dǎo)致性能下降的漏
2024-10-23 10:02:421288

IBS首席執(zhí)行官再談FD-SOI對AI的重要性,在≥12nm和≤28nm區(qū)間FD-SOI是更好的選擇

Handel Jones。 ? 2023年第八屆上海FD-SOI論壇,Handel Jones就曾受邀出席,當(dāng)時他分享的主題是《為什么FD-SOI對生成人工智能時代的邊緣設(shè)備非常重要》,主要談到
2024-10-23 10:22:161108

三星電子:18FDS將成為物聯(lián)網(wǎng)和MCU領(lǐng)域的重要工藝

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)今年上半年,三星在FD-SOI工藝上面再進(jìn)一步。3月份,半導(dǎo)體(STMicroelectronics)宣布與三星聯(lián)合推出18nm FD-SOI工藝。該工藝支持嵌入式
2024-10-23 11:53:05990

解讀芯原股份基于FD-SOI的RF IP技術(shù)平臺:讓SoC實現(xiàn)更好的通信

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)對于FD-SOI的應(yīng)用,很多人第一個想到的應(yīng)用方向就是AIoT,這是一個非常大的方向,包括智能汽車、智能手機、可穿戴設(shè)備等都屬此列,這也證明了FD-SOI擁有廣闊的發(fā)展
2024-10-23 16:04:441107

半導(dǎo)體史上最強MCU發(fā)布

作為半導(dǎo)體首個集成機器學(xué)習(xí)(ML)加速的新系列微控制,STM32N6讓嵌入式人工智能(AI)真正地發(fā)揮作用,讓注重成本和功耗的消費電子和工業(yè)產(chǎn)品能夠運行計算機視覺、音頻處理、聲音分析等算法,提供以往小型嵌入式系統(tǒng)無法實現(xiàn)的高性能的功能。
2024-12-12 14:36:331421

Quobly與半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作, 加快量子處理制造進(jìn)程,實現(xiàn)大型量子計算解決方案

是材料開發(fā)和系統(tǒng)建模等應(yīng)用 處于量子計算技術(shù)前沿的初創(chuàng)公司 Quobly 宣布與 半導(dǎo)體 建立變革性合作關(guān)系,旨在大規(guī)模生產(chǎn)量子處理單元(QPU)。此次合作將借助半導(dǎo)體先進(jìn)的FD-SOI半導(dǎo)體制造工藝,讓大規(guī)模量子計算技術(shù)具有制造可行性和成本效益,幫助兩
2024-12-19 10:17:281151

Quobly與半導(dǎo)體攜手推進(jìn)量子計算

電子應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供變革性的服務(wù)。 Quobly將借助半導(dǎo)體先進(jìn)的FD-SOI半導(dǎo)體工藝技術(shù),共同推動量子計算技術(shù)的突破。這一合作不僅將使得大規(guī)模量子計算變得更加可行,同時也將顯著降低其成本,為量子計算的廣泛應(yīng)用奠定堅實基礎(chǔ)。 通過此次合作,Quobly和半導(dǎo)體
2024-12-23 15:40:411036

ST汽車MCU:FD-SOI+PCM相變存儲

)和三星的合作,它已經(jīng)在微控制領(lǐng)域找到了自己的出路。早在2018年,半導(dǎo)體就宣布,它正在為汽車市場提供采用28nm FD-SOI工藝制造的嵌入式PCM (ePCM)微控制。現(xiàn)在,半導(dǎo)體宣布了
2025-01-21 10:27:131124

格羅方德亮相第十屆上海FD-SOI論壇

為期兩天的第十屆上海FD-SOI論壇上周圓滿落幕。作為半導(dǎo)體行業(yè)年度技術(shù)盛會,本次論壇匯聚了全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂尖專家、企業(yè)高管及學(xué)術(shù)代表,圍繞 FD-SOI工藝的技術(shù)優(yōu)勢、發(fā)展趨勢、設(shè)計實現(xiàn)等核心
2025-10-10 14:46:25584

芯原亮相第十屆上海FD-SOI論壇

2025年9月25日,第十屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店圓滿舉辦。本次論壇由芯原股份 (簡稱“芯原”)、新傲科技和新傲芯翼主辦,SEMI中國和SOI國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟協(xié)辦。超過300位來自襯底
2025-10-13 16:45:401030

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