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意法半導體28nm FD-SOI技術(shù)平臺又獲階段性成功

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上硅)技術(shù)發(fā)展規(guī)劃。半導體器件和 FD-SOI技術(shù)創(chuàng)新對法國和歐盟以及全球客戶具有戰(zhàn)略價值。FD-SOI 能夠為設(shè)計人員和客戶系統(tǒng)帶來巨大的好處,包括更低的功耗以及更容易集成更多功能,例如,通信連接和安全保護。對于汽車、物聯(lián)網(wǎng)和移動應(yīng)用而言,這些優(yōu)勢是FD-SOI技術(shù)的一個重要特質(zhì)。 ? CEA主席
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請大神解釋一下28nm下是沒有MIM電容了嗎?

之前只用過tsmc 65nm的,在設(shè)置電感時候是有indcutor finder的工具的,28nm下沒有了嗎?只能自己掃描參數(shù)一個一個試?28nm下是沒有MIM電容了嗎?相關(guān)的模擬射頻器件(比如
2021-06-24 06:18:43

請問C2000系列產(chǎn)品的制程是45nm還是28nm

請問工程師,C2000系列產(chǎn)品的制程是45nm還是28nm?同一款新片可能采用不同的制程生產(chǎn)嗎?
2020-06-17 14:41:57

STM32H725ZGT6,ST/半導體,ArmCortex-M7 32位550 MHz MCU

STM32H725ZGT6,ST/半導體,Arm?Cortex?-M7 32位550 MHz MCU,最高1 MB閃存,564 KB,RAM、以太網(wǎng)、USB、3個FD-CAN、圖形、2個16位
2023-10-16 15:52:51

22nm后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域 平面型FD-SOI元件與基于立體

22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域,靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的,為此,人們關(guān)注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559

FD-SOI元件與FinFET接近實用化的不斷發(fā)布

22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域,靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的,為此,人們關(guān)注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508

降低賽靈思28nm 7系列FPGA的功耗

本白皮書介紹了有關(guān)賽靈思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的幾個方面,其中包括臺積電 28nm高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低功耗(28nm HPL 或 28 HPL)工藝的選擇。 本白皮書還介紹了 28 HPL 工藝提供
2012-03-07 14:43:4441

意法半導體(ST)與Soitec攜手CMP提供28納米FD-SOI CMOS制程

意法半導體(ST)、Soitec與CMP(Circuits Multi Projets)攜手宣佈,大專院校、研究實驗室和設(shè)計公司將可透過CMP的硅中介服務(wù)採用意法半導體的CMOS 28奈米FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator,
2012-10-25 09:42:501201

看好28奈米FD-SOI技術(shù) 意法借力成該技術(shù)領(lǐng)導者

日前,意法半導體(ST)宣布位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù),這證明了意法半導體28奈米技術(shù)節(jié)點提供平面完全空乏型(planar fully-depleted)技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:27793

意法半導體獲2013年度電子成就獎(ACE)能源技術(shù)

意法半導體(ST)宣布意法半導體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI技術(shù)榮獲2013年度電子成就獎(ACE)能源技術(shù)獎。根據(jù)客戶的節(jié)能與性能權(quán)衡策略,FD-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50%的能耗,使終端設(shè)備可更快散熱,并實現(xiàn)更長的使用壽命。
2013-05-10 09:06:43913

臺積電張忠謀談大陸28nm工藝:增長很快

TSMC臺積電是全球首屈一指的晶圓代工廠,在10nm及7nm節(jié)點工藝上甚至有可能(紙面)領(lǐng)先Intel一步,可以說是臺灣高科技產(chǎn)業(yè)的最佳代表。大陸這邊半導體工藝落后,但在奮起直追,SMIC中芯國際
2016-10-27 14:15:521538

意法半導體公司選擇格芯22FDX?提升其FD-SOI平臺技術(shù)領(lǐng)導力

據(jù)報道,意法半導體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺技術(shù)領(lǐng)導力,格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:425975

格羅方德宣布新一代處理器解決方案

性應(yīng)用的新一代處理器解決方案。 格羅方德指出,意法半導體在業(yè)界率先部署 28 納米 FD-SOI 技術(shù)平臺后,決定擴大投入及發(fā)展藍圖,采用格羅方德生產(chǎn)就緒的 22FDX 制程及生態(tài)系統(tǒng),提供第 2 代 FD-SOI 解決方案,打造未來智能系統(tǒng)。
2018-01-10 20:44:02707

GlobalFoundries拋棄三星和意法半導體在第二代FD-SOI技術(shù)上達成合作

GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效,近日傳來消息,又迎來意法半導體(ST)的大單進補,在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411

FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完善 與FinFET勢均力敵

集中在28nm,但是下一代的18nm將不會太遠。FD SOI工藝將以28FDS和18FDS為基礎(chǔ),提供基礎(chǔ)的工藝服務(wù),未來將開發(fā)RF和eMRAM技術(shù)。
2018-04-10 17:30:001703

FD-SOI技術(shù)有何優(yōu)勢?還是物聯(lián)網(wǎng)的理想解決方案?

物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術(shù),除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程,以及預(yù)計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點,各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368

三星預(yù)計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片

晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項設(shè)計訂單,其中有超過十幾項設(shè)計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面,其競爭對手三星則預(yù)計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565

格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM

格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個多節(jié)點FD-SOI路線圖,從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺成功基礎(chǔ)之上,專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計。
2018-05-14 15:54:002394

格芯宣布,其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺已通過AEC-Q100(2級)認證,準備投入量產(chǎn)

加利福尼亞州圣克拉拉,2018年5月23日——格芯宣布,其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺已通過AEC-Q100(2級)認證,準備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標準的先進FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424

三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進入大批量產(chǎn)階段

生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro(其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)),三星代工廠(28納米工藝投產(chǎn)中,18納米工藝計劃投產(chǎn)),以及格芯代工廠(22納米工藝投產(chǎn)中,12納米計劃投產(chǎn))。
2018-08-02 11:35:244402

盤點FD-SOI工藝現(xiàn)狀和路線圖

FD-SOI正獲得越來越多的市場關(guān)注。在5月份的晶圓代工論壇上,三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進入大批量產(chǎn)階段。
2018-08-02 14:27:2811603

Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)

Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng),滿足當下及未來消費品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求,確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00495

Soitec 2019上半年財報強勁增長 FD-SOI技術(shù)迎來發(fā)展的春天

隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計中越發(fā)受到關(guān)注,Soitec的業(yè)務(wù)也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展,從其最新的財務(wù)報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122777

FD-SOI與深度耗盡溝道DDC MOS器件的詳細資料介紹

當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時,提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012

各企業(yè)積極投入FD-SOI元件開發(fā) 看好后續(xù)市場發(fā)展

為求低功耗、高能效及高性價比之元件,市場逐漸開發(fā)出FD-SOI(完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管)結(jié)構(gòu);而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心,透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式,進而以水平式晶體管架構(gòu),取代線寬較大(16~12nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245

云天勵飛、Blink現(xiàn)身說法談FD-SOI優(yōu)勢

事實勝于雄辯,與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比,本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢,其震撼效果難以言傳!
2019-08-06 16:22:453340

高級工藝未來分化,FD-SOI受益

長期跟蹤研究半導體工藝和技術(shù)趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講,并對FD-SOI未來走勢做出預(yù)測。
2019-08-06 16:25:003554

FD-SOI爆發(fā)的唯一短板是IP?

FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273

三星突破次世代存儲器將大規(guī)模生產(chǎn)28nm工藝EMRAM

三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品,該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù),并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591051

格芯宣布推出22FDX FD-SOI平臺的嵌入式磁性隨機存儲器

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進的嵌入式內(nèi)存解決方案,格芯22FDXeMRAM,為消費領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658

萊迪思即將發(fā)布首款SOI的FPGA產(chǎn)品

AI芯片設(shè)計大廠萊迪思半導體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術(shù)平臺,發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組)產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:17842

萊迪思發(fā)布首款SOI的FPGA產(chǎn)品,AI芯片發(fā)展可期

AI芯片設(shè)計大廠萊迪思半導體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術(shù)平臺,發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組)產(chǎn)品。
2020-02-27 14:54:38739

FD-SOI應(yīng)用 從5G、物聯(lián)網(wǎng)到汽車

FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點”,Soitec
2020-07-07 16:04:043335

半導體制程發(fā)展:28nm向3nm的“大躍進”

雖然高端市場會被 7nm、10nm以及14nm/16nm工藝占據(jù),但40nm28nm等并不會退出。如28nm和16nm工藝現(xiàn)在仍然是臺積電的營收主力,中芯國際則在持續(xù)提高28nm良率。
2020-10-15 11:18:024719

Omdia 研究報告,28nm 將在未來 5 年成為半導體應(yīng)用的長節(jié)點制程工藝

12 月 3 日消息 據(jù) Omdia 研究報告,28nm 將在未來 5 年成為半導體應(yīng)用的長節(jié)點制程工藝。 在摩爾定律的指引下,集成電路的線寬不斷縮小,基本上是按每兩年縮小至原尺寸的 70% 的步伐
2020-12-03 17:02:252414

曾經(jīng)被28nm改寫的半導體市場

最近,關(guān)于28nm工藝的新聞頻頻見于報端。 一方面,臺積電日前宣布,將斥資約800億元新臺幣,把在南京廠建置28納米制程,目標在2023年中前達到4萬片月產(chǎn)能。除此之外,市場中也有消息傳出晶圓代工
2021-05-06 17:32:322770

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出FPGA產(chǎn)品加強邊緣AI能力

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產(chǎn)品,包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719

第八屆上海FD-SOI論壇成功舉行 芯原FD-SOI IP迅速成長賦能產(chǎn)業(yè)

于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年,2023年主辦方重啟再次主辦,第八屆FD-SOI論壇,邀請到國內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專家參與。三年內(nèi)國內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化,FD-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術(shù)又有哪些變化? ? 半導體工藝在2001年的新工藝技術(shù)的兩條路
2023-11-01 16:39:041069

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195

FD-SOI與PD-SOI他們的區(qū)別在哪?

本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193

意法半導體攜手三星推出18nm FD-SOI工藝,支持嵌入式相變存儲器

據(jù)悉,FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術(shù),能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制,相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù),新工藝大幅度提高了性能指標:能效提升 50%,數(shù)字密度增加三倍有余,并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:2369

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