在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)；不過既然像是臺積電（TSMC）、 GlobalFoundrie或三星（Samsung）等晶圓代工廠，必須要同時(shí)提供以上兩種工藝產(chǎn)能服務(wù)客戶，有越來越多半導(dǎo)體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的工藝技術(shù)。

　　例如飛思卡爾半導(dǎo)體（Freescale Semiconductor）最近就透露，該公司正在14至16納米節(jié)點(diǎn)采用FinFET技術(shù)，以及在28納米節(jié)點(diǎn)采用FD-SOI工藝技術(shù)，只為了達(dá)成相同的目標(biāo)，更高的速度以及更低的功耗，不過是針對不同的半導(dǎo)體組件產(chǎn)品；此外飛思卡爾也在嘗試在下一世代的半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)，將兩種技術(shù)結(jié)合在一起。“飛思卡爾與所有的晶圓代工廠商都有合作關(guān)系，也具備從低復(fù)雜性到超高復(fù)雜性的工藝技術(shù)與連結(jié)技術(shù)能力，其中有很多是獨(dú)家的；”飛思卡爾微控制器（MCU）事業(yè)群的應(yīng)用處理器與先進(jìn)技術(shù)副總裁Ron Martino表示：“因此，我們已經(jīng)針對FinFET與FD-SOI工藝開發(fā)了優(yōu)化的技術(shù)藍(lán)圖?！?/p>

　　Martino 進(jìn)一步舉例指出，F(xiàn)D-SOI晶圓片較昂貴，不過適合低功耗或高性能的應(yīng)用，搭配飛思卡爾的28納米i.MX非常完美；至于FinFET工藝，該公司認(rèn)為該技術(shù)是數(shù)字連網(wǎng)（digital networking）產(chǎn)品線成功的關(guān)鍵，能以良好的價(jià)格與性能比達(dá)成他們提高產(chǎn)品速度的目標(biāo)。

　　SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（成員包括IBM、Imec、Soitec、ST與飛思卡爾）已經(jīng)嘗試將FinFET技術(shù)與SOI結(jié)合，圖中顯示埋入氧化層（buried-oxide，BOX；圖右）已經(jīng)為FD-SOI薄化 （圖片來源：SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟）Martino甚至認(rèn)為，未來可能會(huì)有一些透過結(jié)合FinFET與FD-SOI所帶來的“驚喜”，也許是將這兩種技術(shù)在下一個(gè)半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)合并在一起，同時(shí)在未來許多年維持以28納米FD-SOI制造較低端的產(chǎn)品。

　　“FD- SOI工藝需要傳感器整合，28納米節(jié)點(diǎn)具備所需的RF與模擬功能，能讓許多可穿戴式設(shè)備在鏈接性與低功耗方面取得具吸引力的平衡；”Martino表示：“各個(gè)節(jié)點(diǎn)的甜蜜點(diǎn)（sweet spot）是FD-SOI在40納米節(jié)點(diǎn)與28納米節(jié)點(diǎn)，F(xiàn)inFET則是更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)如14~16納米節(jié)點(diǎn)。在工藝微縮以及成本的優(yōu)化方面，我們將看我們能如何有效地利用FD-SOI與FinFET?！?/p>

　　圖中顯示在SOI上的FinFET之鰭式晶體管如何能被更好的隔離，以及無期限的通道如何簡化了工藝步驟

　　意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）是選擇FD-SOI優(yōu)先于FinFET，前者是藉由在晶體管（BOX）之下放置一層薄的絕緣體，因此讓未摻雜的通道達(dá)到全空乏（full-depletion），將泄漏電流縮減到最小。不過FD-SOI還有一個(gè)通常被忽視的優(yōu)勢，是極化 （polarize） BOX下方基板的能力，也就是“順向基底偏壓（forward body biasing，F(xiàn)BB）”。順向基底偏壓在功耗與性能折衷的優(yōu)化方面非常有效率，而且藉由在運(yùn)作過程中改變偏置電壓，設(shè)計(jì)工程師能讓他們的晶體管在不使用時(shí)達(dá)到超低功耗，但又能在速度如常時(shí)于關(guān)鍵時(shí)刻達(dá)到超高效能。