比特位的技術(shù)），實(shí)現(xiàn)了具有極大存儲(chǔ)容量的硅芯片。 目前，最先進(jìn)的3D NAND閃存可在單個(gè)硅片上容納高達(dá)1Tbit或1.33Tbit的數(shù)據(jù)。 譬如，英特爾（Intel）和美光科技（Micron）的開(kāi)發(fā)聯(lián)盟和三星電子各自將制造技術(shù)與64層堆棧和QLC（四層單元）技術(shù)相結(jié)合，該技
2019-08-10 00:01:00
8135 9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151919 SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開(kāi)始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開(kāi)始出現(xiàn)在最終用戶(hù)設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 Kioxia（原東芝存儲(chǔ)），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開(kāi)發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲(chǔ)就在國(guó)際會(huì)議VLSI研討會(huì)上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個(gè)禮拜的時(shí)間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤(pán)。
2013-08-15 09:11:161488 包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進(jìn)行轉(zhuǎn)換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤(pán)（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下
2016-08-11 13:58:0644661 
近日，在美國(guó)加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）上，美光科技（Micron）揭示了基于3D XPoint（相變存儲(chǔ)）技術(shù)固態(tài)硬盤(pán)的性能數(shù)據(jù)。美光在大會(huì)上展示，相較于
2016-08-12 13:59:381518 各大原廠已經(jīng)在2016年研發(fā)了基于48層或32層的3D NADN閃存顆粒，由于技術(shù)不成熟以及2D NAND生產(chǎn)線替換問(wèn)題，如今3D NAND的良品率并不高，總產(chǎn)量也不夠高，因而才引發(fā)了當(dāng)下固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)價(jià)格的瘋漲。
2016-11-09 17:37:383369 受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤(pán)（SSD），NAND Flash需求正快速成長(zhǎng)，各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:129182 
據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來(lái)NAND Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問(wèn)題，價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371739 
英特爾（Intel）終于發(fā)表了第一款采用3D XPoint內(nèi)存的固態(tài)硬盤(pán)（SSD），這款Optane固態(tài)硬盤(pán)預(yù)期能為此試圖在閃存與DRAM之間開(kāi)創(chuàng)新市場(chǎng)的新一代內(nèi)存技術(shù)，建立雖然小巧但意義重大的灘頭堡。
2017-03-21 09:18:081367 英特爾（Intel）終于發(fā)布了第一款采用3D XPoint內(nèi)存的固態(tài)硬盤(pán)（SSD），這款Optane固態(tài)硬盤(pán)預(yù)期能為此試圖在閃存與DRAM之間開(kāi)創(chuàng)新市場(chǎng)的新一代內(nèi)存技術(shù)，建立雖然小巧但意義重大的灘頭堡。
2017-03-21 09:46:363708 得益于3D NAND閃存的快速普及，從去年開(kāi)始固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格一路走低，高速的M.2 NVMe 固態(tài)硬盤(pán)也在也是平民價(jià)了。
2019-12-02 16:37:094213 全新硬盤(pán)采用第6代BiCS FLASH? 3D閃存；2048GB的固態(tài)硬盤(pán)保持M.2 2230的外形規(guī)格 ? 2023 年 5 月 23 日，東京 - 鎧俠株式會(huì)社今天宣布其PCIe?4.0固態(tài)硬盤(pán)
2023-05-25 17:31:561775 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來(lái)到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
的型號(hào)。Crucial提供的MX300在價(jià)格方面非常有競(jìng)爭(zhēng)力，而三星的產(chǎn)品并非如此。 事實(shí)上，三星的非3D NAND SSD，像基于平面的16nm工藝的750 EVO，其成本就較低。 目前其他廠商也發(fā)布了3D
2017-11-17 14:30:57
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D顯示技術(shù)的原理是什么？3D顯示技術(shù)有哪些應(yīng)用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
的減輕產(chǎn)品重量呢？采用新型的塑料成型技術(shù)：3D混合制造 可以到達(dá)要求，3D混合制造步驟是3D打印成型/激光LDS選擇性沉積金屬。采用這種工藝的好處是節(jié)省了制造時(shí)間和實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜的饋源/波導(dǎo)等器件的一體化免安裝調(diào)試，且?guī)?lái)的另外好處是大幅度減輕了產(chǎn)品重量。下面舉例說(shuō)明：
2019-07-08 06:25:50
驗(yàn)證。而今，美光對(duì)目前最先進(jìn)的基于 3D NAND 的客戶(hù)端固態(tài)硬盤(pán)——SATA 固態(tài)硬盤(pán) 1100重復(fù)了這一驗(yàn)證。經(jīng)過(guò)來(lái)自KrollOntrack 的專(zhuān)家的驗(yàn)證，確認(rèn)使用美光Storage Executive 軟件中的“Sanitize Drive”功能，可成功消除固態(tài)硬盤(pán)上的所有用戶(hù)數(shù)據(jù)和系統(tǒng)數(shù)據(jù)。
2019-07-19 08:43:33
）新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤(pán)外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，采用體積更小、且支持第四代PCIe的非易失性存儲(chǔ)器高速（NVMe）固態(tài)硬盤(pán)。 這些固態(tài)硬盤(pán)要求控制器具備體積小和低功耗的特點(diǎn)
2020-11-23 06:10:45
G700F512GS435S512G固態(tài)硬盤(pán)S435S256G隨著原廠加快3D技術(shù)的推進(jìn)，96層3D NAND新制程戰(zhàn)火的升溫，金士頓消費(fèi)級(jí)旗艦KC2000系列SSD采用東芝/SanDisk 96層
2022-02-06 15:39:12
，以及它們的現(xiàn)狀。ICAMX預(yù)測(cè)在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)，固態(tài)硬盤(pán)完全代替機(jī)械硬盤(pán)的可能性依舊不大，但是長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，由于成本下降技術(shù)革新，如QLC閃存技術(shù)和3D TLC技術(shù)導(dǎo)致的固態(tài)硬盤(pán)成本下降，在可見(jiàn)的未來(lái)固態(tài)硬盤(pán)最終是否會(huì)代替機(jī)械硬盤(pán)，還有待檢驗(yàn)。
2019-08-03 13:38:09
`CFMS2018近日成功舉辦，來(lái)自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來(lái)。我們來(lái)看看他們都說(shuō)了什么。三星：看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05
什么是固態(tài)硬盤(pán)？固態(tài)硬盤(pán)有什么優(yōu)勢(shì)？
2021-06-18 06:53:27
使用DLP技術(shù)的3D打印光固化成形法 (SLA)，一個(gè)常見(jiàn)的3D打印工藝，與傳統(tǒng)打印很相似。與硒鼓將碳粉沉積在紙張上很類(lèi)似，3D打印機(jī)在連續(xù)的2D橫截面上沉淀數(shù)層材料，這些材料一層層的疊加
2022-11-18 07:32:23
月英特爾宣布使用FinFET技術(shù)，而后臺(tái)積電、三星也都陸續(xù)采用FinFET。晶體管開(kāi)始步入了3D時(shí)代。在接下來(lái)的發(fā)展過(guò)程中，F(xiàn)inFET也成為了14 nm，10 nm和7 nm工藝節(jié)點(diǎn)的主要柵極
2020-03-19 14:04:57
從2016年夏天公布，到預(yù)計(jì)2016年年底問(wèn)世，隨后又跳票至2017年。如今這款基于3D XPoint技術(shù)所打造的Optane固態(tài)硬盤(pán)終于來(lái)了。
2017-02-10 14:23:213746 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。在一個(gè)新的研究報(bào)告中指出，這項(xiàng)技術(shù)將會(huì)在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
2017-05-03 01:02:501621 XPoint，打造出25年以來(lái)的首款新型態(tài)內(nèi)存技術(shù)。2016年，英特爾發(fā)布采用3D XPoint技術(shù)的Optane品牌儲(chǔ)存產(chǎn)品 ，成為該技術(shù)最先上市的新一代高性能固態(tài)硬盤(pán)（SSD）系列。 根據(jù)TechInsights的材料分析，XPoint是一種非揮發(fā)性?xún)?nèi)存（NVM）技術(shù)。位儲(chǔ)存根據(jù)本體（bulk）
2017-09-18 19:39:00
4 的廠商競(jìng)爭(zhēng)，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問(wèn)題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱(chēng)閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:266 固態(tài)硬盤(pán)終于快要降價(jià)了，多年不平衡的供需局面將會(huì)有所改善，預(yù)計(jì)明年年初為3D NAND開(kāi)始走向正軌。
2017-12-12 15:39:121233 集微網(wǎng)消息，1月9日，英特爾(Intel)宣布與美光(Micron)即將在第三代3D NAND之后分道揚(yáng)鑣。今日臺(tái)灣DIGITIMES報(bào)道指出，業(yè)界透露英特爾在3D NAND布局押寶大陸市場(chǎng)，不僅
2018-01-10 19:43:16679 今日，英睿達(dá)MX500系列的SATA SSD已經(jīng)開(kāi)售，共有四款，目前M.2接口的MX500系列固態(tài)硬盤(pán)具體售價(jià)和上市時(shí)間都還沒(méi)有公布，1.56元/GB最高2TB可選。
2018-01-16 17:06:173404 ，這刷新了三星PM1643固態(tài)硬盤(pán)于今年2月創(chuàng)下的30TB記錄。 ExaDrive DC100基于3D NAND技術(shù)打造，可以容納2000萬(wàn)首歌曲或20000部高清電影，讀寫(xiě)速度達(dá)到500MB/s。
2018-03-25 09:58:005221 無(wú)論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說(shuō)明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没?，?guó)際廠商正在加快推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。3D NAND相對(duì)2D NAND來(lái)說(shuō)，是一次閃存技術(shù)上的變革。而且不同于基于微縮技術(shù)
2018-06-20 17:17:495087 由于NAND閃存價(jià)格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價(jià)格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價(jià)格和性能控制在一個(gè)很好的平衡點(diǎn)，具有極高的性?xún)r(jià)比和極強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:365391 三星電子有限公司今天宣布推出三星移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)T5-全新的移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)（PSSD），提升了外部存儲(chǔ)產(chǎn)品的性能標(biāo)準(zhǔn)。T5采用三星最新的64層V-NAND（垂直NAND）技術(shù)和緊湊耐用的設(shè)計(jì)，具有業(yè)界領(lǐng)先的傳輸速度和加密的數(shù)據(jù)安全性，使消費(fèi)者更輕松隨時(shí)隨地訪問(wèn)其最有價(jià)值的數(shù)據(jù)。
2018-07-26 17:43:092951 近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)，加強(qiáng)擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)。
2018-08-01 17:44:541237 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031683 美系存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開(kāi)始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲(chǔ)存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問(wèn)世，預(yù)計(jì)2018年第1季128GB和256GB版會(huì)開(kāi)始送樣，同年第2季量產(chǎn)。下面就隨小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2018-08-07 09:46:001013 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb，備受市場(chǎng)高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599 3D NAND通過(guò)設(shè)備中堆疊的層數(shù)來(lái)量化。隨著更多層的添加，位密度增加。今天，3D NAND供應(yīng)商正在推出64層設(shè)備，盡管他們現(xiàn)在正在推進(jìn)下一代技術(shù)，它擁有96層。分析師表示，到2019年中期，供應(yīng)商正在競(jìng)相開(kāi)發(fā)和發(fā)布下一代128層產(chǎn)品。
2018-08-23 16:59:4812625 在價(jià)格和競(jìng)爭(zhēng)壓力期間，3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競(jìng)爭(zhēng)下一代技術(shù)。
2018-08-27 16:27:189528 東芝發(fā)布了XS700系列固態(tài)移動(dòng)硬盤(pán)新品，與傳統(tǒng)機(jī)械式移動(dòng)硬盤(pán)相比，它不僅速度更快、更加耐用、還支持USB 3.1 Gen 2 Type-C連接。東芝表示，這款固態(tài)移動(dòng)硬盤(pán)采用了自家的64層BiCS
2018-09-03 17:22:161840 3D NAND Flash 作為新一代的存儲(chǔ)產(chǎn)品，受到了業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注！但目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也
2018-10-08 15:52:39780 11月15日， 國(guó)產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對(duì)外宣布MAS0902固態(tài)硬盤(pán)主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對(duì)外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:318411 NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后，正式轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash時(shí)代，目前三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:572304 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打！目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng)，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:471294 2018年一月份，英睿達(dá)發(fā)布了MX500固態(tài)硬盤(pán)，該固態(tài)硬盤(pán)包含250GB、500GB、1TB和2TB四種容量類(lèi)型，在主控方面，均采用慧榮的SM2258，閃存顆粒為鎂光提供的第二代64層3D TLC NAND閃存。
2019-05-09 10:27:2374389 現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069 2019年9月25日 – 全球工控儲(chǔ)存大廠宜鼎國(guó)際，將推出針對(duì)高階市場(chǎng)應(yīng)用的儲(chǔ)存方案3TS5-P，采用3D NAND TLC ，并符合JESD219負(fù)載標(biāo)準(zhǔn)，特別針對(duì)高速讀寫(xiě)和長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)作進(jìn)行耐用測(cè)試
2019-11-18 15:28:451054 發(fā)布兩個(gè)月后，英特爾終于在今日正式放出了第二代 QLC 固態(tài)硬盤(pán)新品，它就是采用了新一代 96 層 3D QLC NAND 的 Intel SSD 665p 。作為對(duì)比，上一代 Intel SSD
2019-11-26 15:20:383769 固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的，也是目前技術(shù)最強(qiáng)的，已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)達(dá)到了48層。
2019-12-22 11:19:011517 根據(jù)國(guó)科微官方的消息，國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已完成批量測(cè)試。
2020-01-17 15:17:495929 根據(jù)消息報(bào)道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開(kāi)發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開(kāi)始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn)，今年下半年可能會(huì)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:345210 兩年前，鎂光發(fā)布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的固態(tài)硬盤(pán)，其型號(hào)為5210 ION系列。
2020-04-22 11:31:143643 隨著3D NAND閃存技術(shù)的發(fā)展并投入使用，固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格開(kāi)始回落，相較于機(jī)械硬盤(pán)的價(jià)格優(yōu)勢(shì)也越來(lái)越小，目前對(duì)于大部分用戶(hù)來(lái)說(shuō)，在用于電腦存儲(chǔ)的設(shè)備的選擇上更傾向于大容量SSD固態(tài)硬盤(pán)。
2020-05-04 07:43:002221 4月28日消息，金士頓剛剛推出了 KC2500 系列 M.2 2280 NVMe 固態(tài)硬盤(pán)新品，采用了支持 PCIe Gen3 x4 通道的慧榮（SMI）2262EB 主控 + 96 層 3D
2020-04-29 14:27:014742 5月11日消息，近日，英特爾初步介紹第二代傲騰固態(tài)硬盤(pán)細(xì)節(jié)，該公司使用3DXpoint打造的傲騰系列存儲(chǔ)產(chǎn)品都有著相當(dāng)強(qiáng)大的性能，新一代傲騰144層3D NAND固態(tài)硬盤(pán)將支持PCIe 4.0，最大容量可達(dá)3TB。
2020-05-13 14:08:046684 美光（Micron）公告稱(chēng)，該公司正在刷新兩個(gè)企業(yè) / 數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（SSD）產(chǎn)品線，它們就是采用了最新的 96 層 3D TLC 閃存的 5300 和 7300 系列。
2020-05-20 09:59:118223 Micron的消費(fèi)品牌Crucial推出了兩條新的NVMe SSD產(chǎn)品線，包括其首款采用Micron內(nèi)部SSD控制器設(shè)計(jì)的高端NVMe SSD。但是，Crucial對(duì)NVMe的采用仍然落后于大多數(shù)品牌，因?yàn)檫@兩種新型號(hào)仍在使用PCIe 3接口，而高端市場(chǎng)正在向PCIe 4遷移。
2020-06-12 09:43:094346 西部數(shù)據(jù)（WD）在宣布RED SA500系列硬盤(pán)產(chǎn)品線更新中，就包括專(zhuān)為網(wǎng)絡(luò)附加存儲(chǔ)（NAS）數(shù)據(jù)緩存而生的專(zhuān)用固態(tài)硬盤(pán)。
2020-07-23 11:50:132557 近年來(lái)隨著NAND閃存技術(shù)的快速發(fā)展與普及，固態(tài)硬盤(pán)SSD已經(jīng)逐漸成為消費(fèi)者的首選。外置便攜存儲(chǔ)也全面改用速度更快的固態(tài)閃存，在轉(zhuǎn)存數(shù)據(jù)、備份文件等操作的時(shí)候可以減少等待時(shí)間，提高效率。 今天來(lái)到
2020-10-29 16:51:333476 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 美光第五代 3D NAND 技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。 美光科技表示，與美光的上一代大容量 3D NAND 產(chǎn)品相比，176 層 NAND 將數(shù)據(jù)讀取和寫(xiě)入延遲縮短了 35% 以上。美光的 176 層
2020-11-12 13:04:572623 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫(xiě)次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的 3D
2020-11-20 16:07:133095 上，TechInsights 高級(jí)技術(shù)研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關(guān)演講，詳細(xì)介紹了 3D NAND 和其他新興存儲(chǔ)器的未來(lái)。TechInsights 是一家對(duì)包括閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于Xtacking架構(gòu)的3D NAND顆粒打造的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌致鈦存儲(chǔ)于日前正式與我們見(jiàn)面，并獲得眾多用戶(hù)的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問(wèn)題就是關(guān)于致鈦存儲(chǔ)的技術(shù)，而就在近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)
2020-11-24 09:56:484526 美光的電腦內(nèi)存和存儲(chǔ)全球消費(fèi)品牌 Crucial （英睿達(dá)），今日宣布推出全新 Crucial? 英睿達(dá) X6 移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán) （SSD）。這款全新移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)支持高速讀取，容量大、性能高，是一款高性?xún)r(jià)比產(chǎn)品，擴(kuò)大了美光備受認(rèn)可的 SSD 產(chǎn)品組合，非常適合需要即時(shí)訪問(wèn)大量數(shù)字內(nèi)容的用戶(hù)。
2020-12-08 10:50:152486 據(jù)報(bào)道，SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹，新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開(kāi)始以Crucial品牌產(chǎn)品發(fā)貨之后，SK hynix是第二家達(dá)到這一層數(shù)的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫(xiě)次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:493617 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 12 月 16 日消息 根據(jù)英特爾官方的消息，在今天的 2020 英特爾內(nèi)存存儲(chǔ)日活動(dòng)上，英特爾正式發(fā)布了英特爾固態(tài)盤(pán) 670p，采用了英特爾下一代 144 層 QLC 3D NAND。 IT之家
2020-12-17 09:30:223066 硬盤(pán)采用 3D TLC 顆粒制造，性?xún)r(jià)比較高。 ? 官方信息表示，TWSS3 固態(tài)硬盤(pán)連續(xù)讀取速度可達(dá) 560MB/s，連續(xù)寫(xiě)入速度 540MB/s，4K 隨機(jī)寫(xiě)入速度可達(dá) 80000 IOPS，這個(gè)
2021-01-25 09:57:082286 新一代3D NAND技術(shù)已迎來(lái)新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)，三星也稱(chēng)將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 M.2固態(tài)硬盤(pán)。叛逆者固態(tài)硬盤(pán)采用最新的Gen 4x4主控和3D TLC NAND閃存顆粒，擁有超強(qiáng)的性能和超高的容量。
2022-03-16 09:10:391834 4月29日，國(guó)科微新一代E21C-Y系列固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品全面上市并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，搭載國(guó)科微自研固態(tài)硬盤(pán)主控芯片GK2302V200，采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking?技術(shù)128層3D TLC顆粒，為行業(yè)用戶(hù)提供了高效安全的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)體驗(yàn)。
2022-04-29 17:29:064490 國(guó)科微新一代E21C-Y系列固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品全面上市并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，搭載國(guó)科微自研固態(tài)硬盤(pán)主控芯片GK2302V200，采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking技術(shù)128層3D TLC顆粒，為行業(yè)用戶(hù)提供了高效安全的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)體驗(yàn)。
2022-05-10 11:40:442216 市場(chǎng)對(duì)更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求，推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會(huì)發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿(mǎn)足快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案，有望成為未來(lái)存儲(chǔ)創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2022-11-07 10:33:551379 光設(shè)計(jì)，采用創(chuàng)新Gen4 NVMe 3D NAND技術(shù)，還可向下兼容大部分Gen3系統(tǒng)，為用戶(hù)帶來(lái)更具性?xún)r(jià)比的速度體驗(yàn)。 01 Gen4體驗(yàn) 速度Plus Gen4 NVMe技術(shù)為英睿達(dá)P3 Plus
2023-01-31 15:48:411375 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 Crucial 英睿達(dá) T700 第五代 SSD 采用 232 層 TLC NAND，順序讀取速度高達(dá) 12,400MB/s，速度幾乎是先前第四代高性能 SSD2 的兩倍，專(zhuān)為 Intel 第 13 代和 AMD Ryzen 7000 系列 CPU 以及 PCIe 5.0 桌面電腦和主板而設(shè)計(jì)。
2023-06-01 15:01:44949 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲(chǔ)容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142 相對(duì)于傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)，固態(tài)硬盤(pán)采用了閃存存儲(chǔ)技術(shù)，具有更高的數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度、更低的能耗、更小的體積和更好的抗震性能。其中，Nand Flash 技術(shù)的發(fā)展使得固態(tài)硬盤(pán)成為了相對(duì)便宜和可靠的存儲(chǔ)解決方案之一。
2023-07-05 15:37:075295 美光今日宣布推出Crucial?英睿達(dá) X9 Pro 移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)和Crucial英睿達(dá) X10 Pro 移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)。
2023-07-26 18:30:271508 
最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開(kāi)始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 三星將在IEEE國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
首先，來(lái)看固態(tài)硬盤(pán)的情況。據(jù)科技媒體xda-developers觀察，自2023年10月以來(lái)，亞馬遜平臺(tái)上的固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格持續(xù)上漲。以Crucial MX500和三星980 Pro為例，其價(jià)格相較于2023年9月已上漲約75%-85%。
2024-05-20 10:14:251903 知名存儲(chǔ)品牌美光近日正式宣布，搭載其研發(fā)的第九代（G9）3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已然問(wèn)世，并已批量上市，成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產(chǎn)品所采用的堆疊層數(shù)高達(dá)
2024-07-31 17:11:171680
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