三星電子存儲(chǔ)器事業(yè)部門(mén)負(fù)責(zé)dram開(kāi)發(fā)的副總經(jīng)理Sangjun Hwang表示：“三星已經(jīng)開(kāi)始向顧客提供高帶寬存儲(chǔ)器hbm3e的樣品，目前正在開(kāi)發(fā)新一代產(chǎn)品hbm4，目標(biāo)是在2025年供貨?！?/p>

Sangjun Hwang還表示：“正在準(zhǔn)備開(kāi)發(fā)出最適合高溫?zé)崽匦缘姆菍?dǎo)電粘合膜（ncf）組裝技術(shù)和混合粘合劑（hcb）技術(shù)，并適用于hbm4產(chǎn)品?！?/p>

今年年初，三星電子為了強(qiáng)化尖端成套技術(shù)和事業(yè)部門(mén)間的協(xié)同效應(yīng)最大化，組成了avp（先進(jìn)封裝）事業(yè)組等，正在傾盡全力開(kāi)發(fā)這些技術(shù)。

另外，還計(jì)劃與hbm一起提供包括2.5d和3d尖端解決方案的尖端定制型turkey package服務(wù)，展示ai和hpc時(shí)代的最佳解決方案。

就上月上市的32gb ddr5 dram，Sangjun Hwang表示，可以節(jié)省費(fèi)用并提高生產(chǎn)效率，同時(shí)還可以改善10%的電力消耗，最多可以使用1tb的內(nèi)存模塊。

相俊黃表示，對(duì)在存儲(chǔ)器中增加系統(tǒng)半導(dǎo)體運(yùn)算功能的pim（存儲(chǔ)器計(jì)算）產(chǎn)品抱有期待。hbm-pim在dram內(nèi)部?jī)?nèi)置數(shù)據(jù)運(yùn)算功能，改善了存儲(chǔ)器帶寬的瓶頸現(xiàn)象。在語(yǔ)音識(shí)別等特定工作量上，性能最高提高了12倍，最高提高了4倍?！?/p>